p型MgxZn1-xO薄膜材料的制备与光学特性 被引量：4

1

作者 董鑫 赵旺 +2 位作者 张宝林 李香萍 杜国同 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期129-132,共4页

通过金属有机化学汽相沉积(MOCVD)法在GaAs衬底上生长出了MgxZn1-xO薄膜,通过氧气气氛下的高温退火使得衬底中的As原子通过扩散作用进入薄膜形成受主,得到p型的MgxZn1-xO薄膜。退火前后XPS谱中As(3d)峰的对比表明,MgxZn1-xO薄膜中存在A... 通过金属有机化学汽相沉积(MOCVD)法在GaAs衬底上生长出了MgxZn1-xO薄膜,通过氧气气氛下的高温退火使得衬底中的As原子通过扩散作用进入薄膜形成受主,得到p型的MgxZn1-xO薄膜。退火前后XPS谱中As(3d)峰的对比表明,MgxZn1-xO薄膜中存在As。电学测试结果表明:退火对样品的电阻率和载流子浓度的影响很大。这是长时间的氧气退火使得氧空位数目明显减少,从而使Zn—O键数量显著增加造成的。在样品的X射线衍射(XRD)谱中,p型样品的(002)衍射峰明显弱于n型样品。而在二者的光致发光(PL)谱中,都存在着很强的近带边发射(NBE)峰和较弱的深能级发射(DLE)峰,p型样品的NBE峰明显较弱而DLE峰却很强。这些现象是由于As原子的扩散,使薄膜中产生了新的缺陷能级,导致能级间的激子复合更加复杂。稳定的p型MgxZn1-xO薄膜的获得为制备MgxZn1-xO同质结和发光二极管奠定了基础。 展开更多

关键词 p型mgxzn1-xo薄膜 光致发光

下载PDF 职称材料

Zn_(1-x)Mg_xO薄膜p型导电和光学性能 被引量：10

2

作者 张霞 李效民 +4 位作者 陈同来 于伟东 高相东 张灿云 赵俊亮 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期503-508,共6页

采用超声喷雾热分解(U ltrason ic Spray Pyrolysis,USP)方法,以醋酸锌、醋酸镁、醋酸铵、氯化铝的混合水溶液为前驱溶液,在单晶S i(100)衬底上制备了ZnO,Zn0.81Mg0.19O,N-A l共掺杂ZnO和N-A l共掺杂Zn0.81Mg0.19O薄膜。以X射线衍射(XRD... 采用超声喷雾热分解(U ltrason ic Spray Pyrolysis,USP)方法,以醋酸锌、醋酸镁、醋酸铵、氯化铝的混合水溶液为前驱溶液,在单晶S i(100)衬底上制备了ZnO,Zn0.81Mg0.19O,N-A l共掺杂ZnO和N-A l共掺杂Zn0.81Mg0.19O薄膜。以X射线衍射(XRD)、场发射-扫描电镜(FE-SEM)、霍尔效应(Hall-effect)、光致发光(Photolum inescence,PL)谱等手段研究了薄膜的晶体结构、表面形貌、电学性能、光学性能和带隙变化。电学测试结果表明,未掺杂ZnO及Zn0.81Mg0.19O薄膜为n型导电;而N-A l共掺杂ZnO和N-A l共掺杂Zn0.81Mg0.19O薄膜呈p型导电。Zn0.81Mg0.19O和N-A l共掺杂Zn0.81Mg0.19O(p型)薄膜在维持ZnO纤锌矿结构的前提下,光学带隙随Mg掺杂量增加而增大。初步结果显示,优化工艺参数下通过Mg掺杂制备光学带隙可调的p型Zn0.81Mg0.19O薄膜,对于试制Zn1-xMgxO基同质p-n结、短波长(紫外、深紫外)器件等方面有重要意义。 展开更多

关键词 超声喷雾热分解 p型Zn1-xMgxO薄膜 导电性能 光致发光

下载PDF 职称材料

立方相MgxZn1-xO纳米晶体薄膜的物理特性

3

作者 吴惠桢 梁军 +3 位作者 劳燕锋 陈乃波 徐天宁 邱东江 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期386-389,共4页

介绍了在Si衬底和石英玻璃衬底上生长的立方相MgxZn1-xO(0.55≤x≤1)晶体薄膜的物理特性,AFM和XRD等微结构特性表征显示了良好的表面形貌和高度的(111)取向生长特性.采用Manifacier方法,根据透射光谱中的干涉峰,计算得到立方相MgxZn1-x... 介绍了在Si衬底和石英玻璃衬底上生长的立方相MgxZn1-xO(0.55≤x≤1)晶体薄膜的物理特性,AFM和XRD等微结构特性表征显示了良好的表面形貌和高度的(111)取向生长特性.采用Manifacier方法,根据透射光谱中的干涉峰,计算得到立方相MgxZn1-xO薄膜的折射率.与已报道的六方相MgxZn1-xO(0≤x≤0.5)薄膜的折射率相类似,在400～800nm的可见光区域,不同Mg含量的立方相MgxZn1-xO薄膜,其折射率随入射波长的色散关系遵循一阶Sellmeier方程.对给定400nm的入射光波长,当薄膜中的Mg含量由55%增至100%时,其折射率由1.89衰减至1.73. 展开更多

关键词 立方相mgxzn1-xo薄膜 微结构 光学特性

下载PDF 职称材料

溶胶-凝胶法制备MgxZn1-xO薄膜及性能研究

4

作者 张建芹 刘爱云 王清海 《材料导报（纳米与新材料专辑）》 2009年第1期103-105,共3页

采用溶胶-凝胶法在石英玻璃片衬底上制备了Mg^2＋掺杂的ZnO（MgxZn1-xO）薄膜，研究了Mg^2＋掺杂对ZnO薄膜结构和紫外透过率的影响；在氧化物薄膜上真空蒸镀了A1叉指电极，制得紫外原型探测器件，测试了FV特性。结果表明，Mg^2＋掺杂后... 采用溶胶-凝胶法在石英玻璃片衬底上制备了Mg^2＋掺杂的ZnO（MgxZn1-xO）薄膜，研究了Mg^2＋掺杂对ZnO薄膜结构和紫外透过率的影响；在氧化物薄膜上真空蒸镀了A1叉指电极，制得紫外原型探测器件，测试了FV特性。结果表明，Mg^2＋掺杂后，MgxZn1-xO薄膜为纤锌矿结构，随着x值增加，晶格常数C逐渐减少，a逐渐增大，Mg^2＋掺杂抑制了（002）晶面的生长；紫外透过光谱表明，Mg^2＋掺杂后吸收边发生蓝移，可提高ZnO薄膜的禁带宽度；FV特性曲线表明，正向偏压下探测器的暗电流和光照电流随外加偏压呈线性增长，但光照电流与暗电流的差别较大。 展开更多

关键词 mgxzn1-xo薄膜 溶胶-凝胶法 透过率 禁带宽度 I-V特性

下载PDF 职称材料

P型Cd_(1-x)Zn_xTe薄膜的制备及性质研究

5

作者 赵宇 江洪超 +5 位作者 武莉莉 冯良桓 曾广根 王文武 张静全 李卫 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期1295-1298,共4页

采用Cu对共蒸发法制备的Cd1-xZnxTe薄膜进行p型掺杂。用X射线荧光、X射线衍射、扫描电镜、紫外-可见分光光度计、热探针、四探针和台阶仪研究了不同Cu掺杂浓度下Cd1-xZnxTe薄膜退火前后的组分、结构、形貌、光学性质及电学性质的变化。... 采用Cu对共蒸发法制备的Cd1-xZnxTe薄膜进行p型掺杂。用X射线荧光、X射线衍射、扫描电镜、紫外-可见分光光度计、热探针、四探针和台阶仪研究了不同Cu掺杂浓度下Cd1-xZnxTe薄膜退火前后的组分、结构、形貌、光学性质及电学性质的变化。结果表明掺Cu 10%的薄膜在退火后导电类型由P型转变为N型、电阻率增大了几个数量级;掺铜20%的样品退火后导电类型和电阻率未发生明显改变,退火后薄膜表面较为均匀完整;掺铜30%的薄膜透过率显著下降到10%以下,退火前后均为P型薄膜。 展开更多

关键词 Cd1-xZnxTe薄膜 p型掺杂 退火

下载PDF 职称材料

Zn_(1-x)Mg_xO薄膜及其p型掺杂的研究进展

6

作者 黄桂娟 孔春阳 秦国平 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第17期28-32,41,共6页

Zn1-xMgxO薄膜作为一种新型的宽带隙半导体材料,近年来一直受到广泛的关注。获得高质量稳定的p型Zn1-xMgxO薄膜是实现其光电应用的关键。概述了Zn1-xMgxO薄膜及其p型掺杂的研究现状,介绍了Zn1-xMgxO薄膜结构、光电性质及在光电领域的应... Zn1-xMgxO薄膜作为一种新型的宽带隙半导体材料,近年来一直受到广泛的关注。获得高质量稳定的p型Zn1-xMgxO薄膜是实现其光电应用的关键。概述了Zn1-xMgxO薄膜及其p型掺杂的研究现状,介绍了Zn1-xMgxO薄膜结构、光电性质及在光电领域的应用,并提出了有待进一步研究的问题。 展开更多

关键词 Zn1-xMgxO薄膜 宽禁带半导体材料 p型掺杂

下载PDF 职称材料

Mg_xZn_(1-x)O复合薄膜带隙展宽的研究 被引量：4

7

作者 王玉新 臧谷丹 +4 位作者 崔潇文 赵帅 王磊 李真 刘子伟 《辽宁师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2018年第2期43-47,共5页

利用溶胶-凝胶旋涂工艺在普通玻璃基底上生长本征ZnO薄膜和Mg_xZn_(1-x)O复合薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)、紫外可见分光光度计(UV-vis)、光致发光(PL)等测试手段对样品进行表征,分别对半导体合金薄膜的晶格参数与结构、结晶质量、光学... 利用溶胶-凝胶旋涂工艺在普通玻璃基底上生长本征ZnO薄膜和Mg_xZn_(1-x)O复合薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)、紫外可见分光光度计(UV-vis)、光致发光(PL)等测试手段对样品进行表征,分别对半导体合金薄膜的晶格参数与结构、结晶质量、光学透过率及其禁带宽度进行分析与研究.比较Mg_xZn_(1-x)O薄膜与本征ZnO薄膜的XRD图谱后发现,Mg元素可提高薄膜的结晶质量,但是复合薄膜的c轴择优取向没有因为Mg元素的引入而得到改善.随着Mg元素掺杂量的增加,Mg_xZn_(1-x)O(x=0.10、0.20、0.30)复合薄膜的带隙随之变宽,薄膜组分为Mg0.20Zn0.80O和Mg0.30Zn0.70O时,光致发光谱中出现了强度较大的紫外发光峰,组分为Mg0.20Zn0.80O薄膜的带隙展宽效果较为明显且光学透过率较优. 展开更多

关键词 溶胶凝胶法 ZNO薄膜 mgxzn1-xo薄膜 光致发光 带隙展宽

下载PDF 职称材料

立方Mg_xZn_(1-x)O晶体薄膜的制备和性能 被引量：3

8

作者 余萍 吴惠桢 +1 位作者 陈奶波 徐天宁 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期277-281,共5页

采用低温物理沉积技术在二氧化硅衬底(SiO2/Si(100))和石英玻璃上生长出了MgxZn1-xO(x>0.5)晶体薄膜,并用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)图谱和紫外-可见光透射光谱对其进行了表征.结果表明,在SiO2/Si(100)和石... 采用低温物理沉积技术在二氧化硅衬底(SiO2/Si(100))和石英玻璃上生长出了MgxZn1-xO(x>0.5)晶体薄膜,并用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)图谱和紫外-可见光透射光谱对其进行了表征.结果表明,在SiO2/Si(100)和石英玻璃衬底上沉积的MgxZn1-xO(x>0.5)晶体薄膜表面平整,均呈立方结构,且具有高度的(001)择优取向.立方MgxZn1-xO薄膜具有从紫外到近红外波段良好的透明性,折射率为1.7-1.8,随着波长的增大或Mg组分的增大而降低. 展开更多

关键词 无机非金属材料 mgxzn1-xo晶体薄膜 低温物理沉积 立方相mgxzn1-xo 折射率

下载PDF 职称材料

Si(111)衬底上生长的立方Mg_xZn_(1-x)晶体薄膜 被引量：4

9

作者 邱东江 吴惠桢 +1 位作者 陈奶波 田维坚 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期1385-1388,共4页

在国际上第一次采用电子束反应蒸发法在Si(111)衬底上生长了Mg_xZn(1-x)O晶体薄膜.能量色散X射线(EDX)特征能谱及X射线衍射(XRD)分析表明薄膜呈立方结构,薄膜的晶面取向依赖于生长温度,在200℃温度下生长得到高度(200)取向的立方Mg_xZn(... 在国际上第一次采用电子束反应蒸发法在Si(111)衬底上生长了Mg_xZn(1-x)O晶体薄膜.能量色散X射线(EDX)特征能谱及X射线衍射(XRD)分析表明薄膜呈立方结构,薄膜的晶面取向依赖于生长温度,在200℃温度下生长得到高度(200)取向的立方Mg_xZn(1-x)O薄膜,温度过高时得到多晶薄膜.对高度(200)取向的立方Mg_xZn(1-x)O薄膜的光荧光激发谱(PLE)分析表明其光学带隙为4.20eV,相对于MgO的带隙红移量为3.50eV.XRD分析还表明立方Mg_xZn(1-x)O薄膜与MgO衬底之间的晶格失配仅为0.16％.这使得高质量立方Mg_xZn(1-x)O/MgO多量子阱材料的制备成为可能. 展开更多

关键词 电子束反应蒸镀 立方mgxzn1-xo薄膜

下载PDF 职称材料

Mg_xZn_(1-x)O压电薄膜表面粗糙度对SMR性能的影响 被引量：4

10

作者 沈勇 刘一剑 +2 位作者 杨翰林 段力 张亚非 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2014年第12期776-779,784,共5页

固体装配型谐振器(SMR)由布拉格反射层上的两个电极及它们之间的压电层制备而成。布拉格层是厚度为1/4波长的高低声阻层结构。ZnO压电薄膜是用来制备SMR的传统压电材料,但却拥有低的纵向声学速度和相对固定的频率响应。由ZnO和MgO合成... 固体装配型谐振器(SMR)由布拉格反射层上的两个电极及它们之间的压电层制备而成。布拉格层是厚度为1/4波长的高低声阻层结构。ZnO压电薄膜是用来制备SMR的传统压电材料,但却拥有低的纵向声学速度和相对固定的频率响应。由ZnO和MgO合成的三元化合物MgxZn1-xO薄膜是一种高声速、高电阻的压电材料,有很大的潜能用于SMR。MgxZn1-xO薄膜表面的粗糙度对SMR的谐振特性有很大影响。通过射频磁控溅射的方法制备了MgxZn1-xO薄膜,研究了不同射频磁控溅射条件对MgxZn1-xO薄膜表面粗糙度的影响。通过控制淀积条件,获得了c轴择优取向的表面光滑的MgxZn1-xO压电薄膜。通过优化MgxZn1-xO薄膜表面粗糙度,SMR的性能能够得到显著提高。 展开更多

关键词 磁控溅射 压电材料 表面粗糙度 固体装配型谐振器(SMR)mgxzn1-xo

原文传递

退火对立方相Mg_xZn_(1-x)O薄膜的结构和光学性质影响 被引量：2

11

作者 陈乃波 吴惠桢 +1 位作者 徐天宁 余萍 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期993-998,共6页

在蓝宝石(0001)衬底上低温生长立方相MgxZn1-xO(x>0．5)晶体薄膜,用X射线衍射(XRD)和透射光谱分析高温退火对薄膜的结构和光学性质的影响．结果表明:对Mg0．53Zn0．47O薄膜,在900℃的退火温度下,(0002)衍射峰以及透射光谱上双吸收边... 在蓝宝石(0001)衬底上低温生长立方相MgxZn1-xO(x>0．5)晶体薄膜,用X射线衍射(XRD)和透射光谱分析高温退火对薄膜的结构和光学性质的影响．结果表明:对Mg0．53Zn0．47O薄膜,在900℃的退火温度下,(0002)衍射峰以及透射光谱上双吸收边的出现均表明有六方结构从其立方结构中分离出来;但对于Mg含量高于55％的样品,即使经历了1000℃的高温退火,也不会有任何相分裂现象出现．而电学测试结果表明,高温下热稳定性良好的立方相Mg0．55Zn0．45O晶体薄膜还能用于金属-绝缘体-半导体的绝缘层,并且漏电流小．由此可以判断,x≥0．55的超饱和MgxZn1-xO薄膜具有稳定的立方相晶体结构和优良的光学、电学性质,因而是制作高质量的光电子器件和量子阱激光器的理想材料． 展开更多

关键词 立方相mgxzn1-xo薄膜 退火 晶体结构 光学性质 电学性质

下载PDF 职称材料

带隙可调的宽禁带半导体Mg_xZn_(1-x)O薄膜研究进展 被引量：3

12

作者 李春 方国家 赵兴中 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期177-180,共4页

MgxZn1 xO薄膜是一种新型宽禁带半导体薄膜,在兼顾ZnO、MgO材料性能的同时,具有带隙连续可调的特点,近年来逐渐成为半导体光电功能材料与器件的研究热点之一。本文从MgxZn1 xO薄膜的基本特性、制备方法、应用研究等方面进行了分析和评述... MgxZn1 xO薄膜是一种新型宽禁带半导体薄膜,在兼顾ZnO、MgO材料性能的同时,具有带隙连续可调的特点,近年来逐渐成为半导体光电功能材料与器件的研究热点之一。本文从MgxZn1 xO薄膜的基本特性、制备方法、应用研究等方面进行了分析和评述,并对其应用前景进行了展望。 展开更多

关键词 mgxzn1-xo薄膜 宽禁带 半导体 发展前景

下载PDF 职称材料

Mg掺杂量和退火温度对Mg_xZn_(1-x)O∶Al紫外透明导电薄膜结构与性能的影响 被引量：2

13

作者 王华 黄竹 +1 位作者 许积文 杨玲 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期1206-1210,共5页

以自制MgxZn1-xO∶Al陶瓷为靶材,采用磁控溅射工艺在石英玻璃衬底上制备了MgxZn1-xO∶Al紫外透明导电薄膜,研究了Mg掺杂量和退火温度对MgxZn1-xO∶Al薄膜结构和光电性能的影响。X射线衍射表明,在x≤0.4的范围内,MgxZn1-xO∶Al薄膜为六... 以自制MgxZn1-xO∶Al陶瓷为靶材,采用磁控溅射工艺在石英玻璃衬底上制备了MgxZn1-xO∶Al紫外透明导电薄膜,研究了Mg掺杂量和退火温度对MgxZn1-xO∶Al薄膜结构和光电性能的影响。X射线衍射表明,在x≤0.4的范围内,MgxZn1-xO∶Al薄膜为六角纤锌矿结构,当x≥0.6时,MgxZn1-xO∶Al薄膜为立方结构。当x≤0.4时,随着x值的增加,薄膜的电阻率有所增加,但其光学吸收边产生明显的蓝移,禁带宽度显著增大,透射光谱扩展到紫外区域。退火对薄膜电阻率影响显著,随着退火温度的增加,样品的电阻率先大幅度降低,后有略微的回升,600℃时电阻率最低,且吸收边较未退火时有一定的蓝移。 展开更多

关键词 mgxzn1-xo∶Al 紫外透明导电薄膜 Mg掺杂 光电性能

下载PDF 职称材料

Mg_xZn_(1-x)O薄膜的红外光谱及其表面浸润性 被引量：1

14

作者 王存勇 尚凤娇 +7 位作者 王峰 周智涛 刘昌龙 龚万兵 訾振发 吕建国 刘峰 黄凯 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第10期1106-1111,共6页

采用溶胶-凝胶法制备MgxZn1-xO薄膜,利用X射线衍射仪、原子力显微镜、傅里叶变换红外光谱仪和荧光光谱仪等测试分析薄膜的微结构、表面形貌、红外光谱和光致发光特性等,研究结果表明,薄膜中的Zn O成分均呈六角纤锌矿结构,当x=0.15时,薄... 采用溶胶-凝胶法制备MgxZn1-xO薄膜,利用X射线衍射仪、原子力显微镜、傅里叶变换红外光谱仪和荧光光谱仪等测试分析薄膜的微结构、表面形貌、红外光谱和光致发光特性等,研究结果表明,薄膜中的Zn O成分均呈六角纤锌矿结构,当x=0.15时,薄膜中有Mg O成分析出;随着x从0增大到0.15,均方根粗糙度不断减小;1038 cm-1附近的吸收峰对应于Si-O-Si的对称和反对称伸缩振动模,408 cm-1附近的吸收峰对应于六角结构Zn O的Zn-O振动模,900 cm-1附近的吸收峰则对应于SiO键伸缩振动模,该吸收峰强度的减弱说明薄膜中Si-O键数目减少。近带边发射峰位由410 nm蓝移到370 nm与薄膜导带底或价带顶的局域能级、薄膜禁带宽度变化等因素有关,可见光发射带是单离子氧空位(VO+)和氧填隙(Oi)等薄膜本征缺陷相互竞争的结果。用接触角测试仪测试薄膜的表面接触角,研究Mg含量对薄膜的表面浸润性及其光诱导可逆转变的影响,并探讨其形成机理。 展开更多

关键词 mgxzn1-xo薄膜 表面形貌 红外光谱 表面浸润性

原文传递

磁控溅射Mg_xZn_(1-x)O薄膜的结构与光学性能研究

15

作者 郭瑞 李东临 +2 位作者 王怡 武光明 邢光建 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第16期9-11,17,共4页

利用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上沉积了MgxZn1-xO(x=0～0.2)薄膜。采用X射线衍射仪、紫外-可见光分光光度计和荧光光谱仪研究了Mg掺杂量对MgxZn1-xO薄膜结构与光学性能的影响。XRD图谱表明,MgxZn1-xO薄膜均为六角纤锌矿结构,并且呈现... 利用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上沉积了MgxZn1-xO(x=0～0.2)薄膜。采用X射线衍射仪、紫外-可见光分光光度计和荧光光谱仪研究了Mg掺杂量对MgxZn1-xO薄膜结构与光学性能的影响。XRD图谱表明,MgxZn1-xO薄膜均为六角纤锌矿结构,并且呈现出c轴择优生长特性,当x>0.1时薄膜出现(100)面衍射峰,薄膜的c轴择优生长特性减弱,随着x值的增加,晶格常数c逐渐减小。紫外可见光透射光谱表明,Mg的掺入提高了薄膜在可见光范围内的透过率,同时使薄膜的禁带宽度增大。PL谱分析显示,Mg的掺入使薄膜的紫外发射峰和蓝光发射带发生蓝移,当x=0.1时近带边发射峰与杂质发射的强度比值最高。 展开更多

关键词 mgxzn1-xo薄膜 射频磁控溅射 透过率 光致发光谱

下载PDF 职称材料

衬底温度对Mg_xZn_(1-x)O晶体薄膜表面形貌的影响

16

作者 余萍 《华东交通大学学报》 2007年第2期154-157,共4页

采用低温物理沉积技术在二氧化硅衬底(SiO2/Si(100)生长出了MgxZn1-xO晶体薄膜.用原子力显微镜(AFM)测得不同衬底温度下晶体薄膜的表面平整性,根据测得的数据资料分析衬底温度对薄膜表面粗糙度的影响,发现在250℃时生长得到的MgxZn1-xO... 采用低温物理沉积技术在二氧化硅衬底(SiO2/Si(100)生长出了MgxZn1-xO晶体薄膜.用原子力显微镜(AFM)测得不同衬底温度下晶体薄膜的表面平整性,根据测得的数据资料分析衬底温度对薄膜表面粗糙度的影响,发现在250℃时生长得到的MgxZn1-xO薄膜具有最好的平整性,这也和以前生长的MgxZn1-xO薄膜分析结果一致. 展开更多

关键词 低温物理沉积 mgxzn1-xo晶体薄膜 表面形貌

下载PDF 职称材料

电子束蒸发结合热处理方法制备高质量Mg_xZn_(1-x)O薄膜 被引量：3

17

作者 董利普 刘玉学 +2 位作者 徐长山 刘益春 李亚军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期313-317,共5页

利用电子束蒸发结合热处理方法在150℃下,石英衬底上生长了纤锌矿结构的MgxZn1-xO薄膜。用X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM),吸收光谱和室温光致发光(PL)光谱研究了退火条件和降温方式对MgxZn1-xO薄膜的微结构和光学性质的影响。在吸收光谱... 利用电子束蒸发结合热处理方法在150℃下,石英衬底上生长了纤锌矿结构的MgxZn1-xO薄膜。用X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM),吸收光谱和室温光致发光(PL)光谱研究了退火条件和降温方式对MgxZn1-xO薄膜的微结构和光学性质的影响。在吸收光谱中,吸收边和吸收峰的蓝移说明:通过改变退火条件和降温方式,可以将MgxZn1-xO薄膜的带隙从3.37eV提高到3.61eV。从SEM的结果得出:吸收边和吸收峰的蓝移不是由量子限制效应引起的,而是形成了MgxZn1-xO合金薄膜。在XRD谱图中,没观察到属于MgO的衍射峰,700℃退火快速降温至室温薄膜的衍射峰的半高全宽(FWHM)较其他薄膜的衍射峰有所展宽,说明Mg2+已经成功地取代了ZnO中的Zn2+。薄膜的室温光致发光谱说明:通过采用快速降温,可制得高质量的MgxZn1-xO薄膜。 展开更多

关键词 mgxzn1-xo薄膜 电子束蒸发 光学性质

下载PDF 职称材料

溶胶-凝胶法制备Mg_xZn_(1-x)O薄膜的结构及光学特性 被引量：2

18

作者 刘莹 阳生红 +1 位作者 张曰理 包定华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期718-722,共5页

用溶胶-凝胶法制备了一系列的MgxZn1-xO(0≤x≤0.3)薄膜,并用X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)研究了不同的退火温度和Mg的掺杂含量对MgxZn1-xO薄膜的结构和光学性质的影响。研究表明:MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构,并且具有沿c轴的... 用溶胶-凝胶法制备了一系列的MgxZn1-xO(0≤x≤0.3)薄膜,并用X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)研究了不同的退火温度和Mg的掺杂含量对MgxZn1-xO薄膜的结构和光学性质的影响。研究表明:MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构,并且具有沿c轴的择优取向;发现了中间热处理温度为350℃的MgxZn1-xO薄膜退火温度的转折点为700℃,低于这个温度时随退火温度的升高,(002)衍射峰强度增强且掺Mg的薄膜既有紫外光又有绿光发射;800℃退火时,薄膜的(002)衍射峰强度减小,出现了(100)和(101)衍射峰,且掺Mg的薄膜只有紫外发光峰。不同的掺杂浓度对于发光也有影响,低于700℃退火时,ZnO薄膜只出现紫外发光峰,掺Mg的薄膜却出现了紫外和绿光两个发光峰。 展开更多

关键词 mgxzn1-xo薄膜 溶胶-凝胶法 XRD 光致发光

下载PDF 职称材料

紫外发光的半导体Mg_xZn_(1-x)O薄膜制备与性质 被引量：3

19

作者 金艳波 章蓓 +7 位作者 王永忠 陈 晶 张会珍 曹昌其 杨述明 黄春辉 H.Cao R.P.H.Chang 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第z1期45-48,共4页

利用ＺｎＯ微晶粉末以化学电泳法成功地在导电玻璃上制备了不同ｘ值的紫外发光的宽禁带氧化物半导体三元化合物ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ薄膜．电子显微镜和Ｘ射线衍射研究显示,薄膜由ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ微晶组成,薄膜中微晶大小的分散度比Ｚ... 利用ＺｎＯ微晶粉末以化学电泳法成功地在导电玻璃上制备了不同ｘ值的紫外发光的宽禁带氧化物半导体三元化合物ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ薄膜．电子显微镜和Ｘ射线衍射研究显示,薄膜由ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ微晶组成,薄膜中微晶大小的分散度比ＺｎＯ粉末有所减小,并更具择优取向的趋势．室温下光致发光测量给出,ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ薄膜在小于３８０ｎｍ的紫外波段出现较强的半宽小于２０ｎｍ的激子性发光峰,而且带边峰的半宽以及带边峰与杂质缺陷峰强度之比均较原始的ＺｎＯ粉末有明显改善,表明这种ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ薄膜具有优良的紫外发光特性． 展开更多

关键词 宽禁带半导体薄膜 II-VI族氧化物半导体 mgxzn1-xo X射线衍射 光致发光.

下载PDF 职称材料

超声喷雾热解法制备Mg_xZn_(1-x)O薄膜及其性能研究 被引量：1

20

作者 曹信言 王华 +2 位作者 许积文 杨玲 任明放 《材料导报（纳米与新材料专辑）》 EI 2010年第1期337-339,共3页

采用超声喷雾热解法在石英玻璃衬底上生长出不同组分的宽禁带Mg_xZn_(1-x)O薄膜(x=0、0.08、0.16、0.25)。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和分光光度计等分析测试手段对Mg_xZn_(1-x)O薄膜的晶体结构、透光性及禁带宽度进行了... 采用超声喷雾热解法在石英玻璃衬底上生长出不同组分的宽禁带Mg_xZn_(1-x)O薄膜(x=0、0.08、0.16、0.25)。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和分光光度计等分析测试手段对Mg_xZn_(1-x)O薄膜的晶体结构、透光性及禁带宽度进行了研究。结果表明,随着Mg含量的增加,Mg_xZn_(1-x)O薄膜仍然保持着ZnO的纤锌矿结构,没有生成MgO相,Mg可以有效地溶入ZnO的晶格中。Mg_xZn_(1-x)O薄膜具有良好的透光性,在可见波段的光透过率达85%以上;此外,随着Mg含量的增加,Mg_xZn_(1-x)O薄膜的吸收边出现蓝移现象,禁带宽度从3.30eV增大到3.54eV。 展开更多

关键词 超声喷雾热解法 mgxzn1-xo薄膜 透光性 禁带宽度

下载PDF 职称材料