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PMO对定向凝固GCr15轴承钢枝晶臂间距的影响 被引量：1
1
作者 李涛 李莉娟 +3 位作者 李开创 邹富康 罗坤坤 翟启杰 《上海金属》 CAS 2023年第5期62-69,74,共9页
为了解脉冲磁致振荡(pulse magneto-oscillation,PMO)技术对GCr15轴承钢定向凝固组织的作用,通过改变PMO参数和抽拉速率,研究了不同抽拉速率下PMO对定向凝固GCr15轴承钢枝晶臂间距的影响。结果表明:在相同抽拉速率下,PMO的峰值电流依次... 为了解脉冲磁致振荡(pulse magneto-oscillation,PMO)技术对GCr15轴承钢定向凝固组织的作用,通过改变PMO参数和抽拉速率,研究了不同抽拉速率下PMO对定向凝固GCr15轴承钢枝晶臂间距的影响。结果表明:在相同抽拉速率下,PMO的峰值电流依次为150、250、350ki A时,GCr15轴承钢的一次和二次枝晶臂间距先增大后减小。当峰值电流固定为350ki A时,随着PMO频率从90、240、390kf Hz依次增大,一次枝晶臂间距先减小后增大,二次枝晶臂间距逐渐变大。同时,随着抽拉速率的提高,枝晶臂间距减小幅度逐渐降低。通过测量温度梯度发现,在PMO作用下,固-液界面前沿液相中温度梯度的提高和溶质分布的变化,是枝晶臂间距减小的主要原因。 展开更多
关键词 GCR15 轴承钢 脉冲磁致振荡(pmo) 定向凝固 枝晶臂间距
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基于PMOS的自取电直流固态断路器 被引量：1
2
作者 彭宇航 王鹿军 +3 位作者 田爱娜 张晓星 吴铁洲 申喜 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第3期1304-1313,共10页
相比传统机械式断路器,固态断路器(solid-state circuit breaker,SSCB)以其分断速度快、不产生电弧等优点,在直流电网中得以广泛关注。然而,固态断路器基于半导体开关器件,除功率电路外还需要额外的控制和驱动电路,这部分电路工作需要... 相比传统机械式断路器,固态断路器(solid-state circuit breaker,SSCB)以其分断速度快、不产生电弧等优点,在直流电网中得以广泛关注。然而,固态断路器基于半导体开关器件,除功率电路外还需要额外的控制和驱动电路,这部分电路工作需要外接供电电源,提高了系统复杂程度,特别是在电网自身故障时,供电电源也可能不稳定,降低了固态断路器的可靠性。为此,提出了一种基于PMOS的自取电直流固态断路器,并分别通过仿真与实物样机证明了本固态断路器的可行性与有效性。实验结果表明,所提固态断路器在正常导通时,PMOS处于完全开通状态,不影响线路正常工作时的电压;在直流系统发生短路故障时,利用短路电流耦合能量在无需额外供电电源的前提下使得PMOS可靠关断,提升了系统的稳定性与可靠性,可以应用于直流微电网或者电池储能等场合,具有较好的应用前景。 展开更多
关键词 直流固态断路器 直流电网 pmoS 自取电 拓扑结构 耦合能量
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PMO管理模式下高校应用型科研项目进度风险评价研究
3
作者 桂郦娜 林佳楠 +1 位作者 武斌 陆露 《德州学院学报》 2023年第6期37-43,共7页
从高校科研管理部门的角度出发,基于AHP-BP神经网络优化模型,创建了一套高校应用型科研项目进度风险评价指标体系,适用于PMO管理模式。该研究明确了高校科研项目进度风险在该模式中的含义,13个二级指标从前期、实施、发表等各阶段进度... 从高校科研管理部门的角度出发,基于AHP-BP神经网络优化模型,创建了一套高校应用型科研项目进度风险评价指标体系,适用于PMO管理模式。该研究明确了高校科研项目进度风险在该模式中的含义,13个二级指标从前期、实施、发表等各阶段进度风险的一级指标中提炼而得。同时运用AHP层次分析法对各层次指标进行赋权,并通过BP神经网络对这些评估指标的权重进行优化,从而确定最终的指标体系赋权。研究结果表明,成果水平、写作水平等对科研项目进度有相对较大影响,该研究使得评价结果更加科学合理、客观精准,能为科研项目管理人员提供项目进度风险管理的决策参考。 展开更多
关键词 应用型科研 进度风险 AHP BP神经网络 pmo模式 优化模型
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基于单一PMOS差分对的轨到轨输入运算放大器设计
4
作者 杨九川 杨发顺 马奎 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2023年第6期743-749,共7页
基于国内某CMOS工艺设计了一种单一PMOS差分对的轨到轨输入、恒跨导CMOS运算放大器。输入级电路采用折叠共源共栅结构,通过体效应动态调节输入管的阈值电压扩展共模输入范围到正负电源轨,恒定共模输入范围内的跨导,自级联电流镜有源负... 基于国内某CMOS工艺设计了一种单一PMOS差分对的轨到轨输入、恒跨导CMOS运算放大器。输入级电路采用折叠共源共栅结构,通过体效应动态调节输入管的阈值电压扩展共模输入范围到正负电源轨,恒定共模输入范围内的跨导,自级联电流镜有源负载将差分输入转换为单端输出;输出级电路采用AB类结构实现轨到轨输出,线性跨导环确定输出管的静态偏置电流。在5 V电源电压,2.5 V共模电压,1 MΩ负载条件下,经Spectre仿真验证,该运算放大器开环增益为119 dB,相位裕度为58°,共模输入范围为0.0027~4.995 V,共模范围内跨导变化小于3%,实现了轨到轨输入共模范围内的跨导恒定。 展开更多
关键词 pmoS差分对 轨到轨输入 恒跨导 共源共栅 体效应
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PMOS负偏压温度不稳定性的改善研究
5
作者 李冰寒 于涛易 华晓春 《集成电路应用》 2023年第4期48-51,共4页
阐述MOS器件的尺寸逐渐缩小,器件可靠性问题日益突出,特别是PMOS负偏压温度不稳定性(NBTI),逐渐成为影响器件可靠性的关键问题之一。探讨PMOS NBTI效应,设计一系列实验。结果表明,在PMOS源漏结形成过程中,增加F离子注入,以及引入拉应力... 阐述MOS器件的尺寸逐渐缩小,器件可靠性问题日益突出,特别是PMOS负偏压温度不稳定性(NBTI),逐渐成为影响器件可靠性的关键问题之一。探讨PMOS NBTI效应,设计一系列实验。结果表明,在PMOS源漏结形成过程中,增加F离子注入,以及引入拉应力的氮化硅刻蚀阻挡层,可以有效改善PMOS NBTI寿命。 展开更多
关键词 集成电路制造 pmoS 负偏压温度不稳定性 工艺优化
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组织级PMO视角下的熵权-TOPSIS法多项目优先级评价 被引量：8
6
作者 孙军 于淼 《工程管理学报》 2014年第2期87-91,共5页
由于快速的经济发展节奏,每个企业在一段时间内仅进行单项目管理的状况不复存在,更多的是要在一定时间内同时进行多个项目的管理。伴随着从单项目管理到多项目管理的发展过程,应用项目管理办公室(PMO)来进行多项目管理的模式得到了许多... 由于快速的经济发展节奏,每个企业在一段时间内仅进行单项目管理的状况不复存在,更多的是要在一定时间内同时进行多个项目的管理。伴随着从单项目管理到多项目管理的发展过程,应用项目管理办公室(PMO)来进行多项目管理的模式得到了许多管理者的青睐,使其逐渐成为企业进行项目集管理、项目组合管理的综合应用部门。从组织级PMO的战略角度出发,在其所处的战略地位基础上对多项目选择采用科学合理的定量分析方法,即熵权-TOPSIS法,对多项目优先级评价进行研究。旨在能为企业在多项目管理工作上提供一定帮助。 展开更多
关键词 项目管理办公室(pmo) 组织级pmo 多项目优先级 熵权-TOPSIS法
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基于PMO的营销项目群管理模式探索 被引量：5
7
作者 杨飞雪 王颖 《沈阳建筑大学学报（社会科学版）》 2008年第4期424-428,共5页
企业营运中单项目管理已不足以解决实际活动带来的问题。项目管理应用领域逐渐广泛,营销项目群管理在探索之中。分析了运用PMO,营销项目群化的管理更具有实践性。通过MPMO的建立,界定其功能和职能,构建出组织结构,并阐述了营销项目群管... 企业营运中单项目管理已不足以解决实际活动带来的问题。项目管理应用领域逐渐广泛,营销项目群管理在探索之中。分析了运用PMO,营销项目群化的管理更具有实践性。通过MPMO的建立,界定其功能和职能,构建出组织结构,并阐述了营销项目群管理的基本流程。 展开更多
关键词 营销项目 项目群管理 pmo Mpmo
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PMO助电信运营商DICT项目交付能力升级
8
作者 綦伟伟 倪洪平 《中国电信业》 2023年第8期32-35,共4页
DICT是指在大数据时代DT(Data Technology)与IT、CT的深度融合。DICT业务是当前电信运营商战略转型发展的重点,根据相关调查机构统计,仅2022年国内四大电信运营商在公开市场中标的DICT项目数量就超5万个,金额超千亿元。随着DICT项目数... DICT是指在大数据时代DT(Data Technology)与IT、CT的深度融合。DICT业务是当前电信运营商战略转型发展的重点,根据相关调查机构统计,仅2022年国内四大电信运营商在公开市场中标的DICT项目数量就超5万个,金额超千亿元。随着DICT项目数量和规模的爆发式增长,电信运营商在项目交付方面的问题逐渐暴露,出现了诸如项目管理标准不适、流程协作不畅、资源配置不合理、过程管理缺监控、内部沟通成本高、队伍专业性不足、管理支撑缺乏手段等问题,影响DICT项目的交付质量甚至企业的口碑形象。为此,电信运营商可尝试在组织内部建立PMO提升项目管理能力,助力实现DICT项目交付能力升级。 展开更多
关键词 战略转型 电信运营商 资源配置 交付能力 ICT业务 公开市场 pmo 深度融合
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一种高压PMOS器件低剂量辐照效应分析
9
作者 高炜祺 刘虹宏 《空间电子技术》 2019年第2期79-82,共4页
对MOS器件总剂量辐照机理的研究,多从γ射线在SiO_2中产生电子-空穴对,以及γ射线作用在SiO_2-Si界面上产生新生界面态方面出发,分析γ射线对MOS器件的阈值影响,但很少分析γ射线对高压MOS器件漏源击穿电压的影响。文章针对低剂量γ射... 对MOS器件总剂量辐照机理的研究,多从γ射线在SiO_2中产生电子-空穴对,以及γ射线作用在SiO_2-Si界面上产生新生界面态方面出发,分析γ射线对MOS器件的阈值影响,但很少分析γ射线对高压MOS器件漏源击穿电压的影响。文章针对低剂量γ射线对高压PMOS器件中漏源击穿电压的作用进行综合分析;重点研究了低剂量辐照情况下高压PMOS器件的漏源击穿电压特性相对于常规剂量辐照后的变化。研究表明:低剂量的γ射线会引起高压PMOS器件漏源发生严重漏电;高压PMOS器件版图设计不当时,长期的低剂量γ射线会引起高压CMOS集成电路发生功能失效的风险。 展开更多
关键词 高压pmoS器件 低剂量辐照 pmoS版图 漏源击穿电压
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PMOS剂量计的退火特性 被引量：10
10
作者 范隆 任迪远 +2 位作者 张国强 严荣良 艾尔肯 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期383-387,共5页
研究了 PMOS剂量计在不同温度和栅偏置下的辐照退火表现 .结果表明 :温度和退火偏置条件是影响初始退火速率和退火幅度的重要因素 ,较高退火温度下 ,退火速率高 ,幅度大 ;相同退火温度下 ,正偏置与负偏置相比有加速退火的作用 ,其退火... 研究了 PMOS剂量计在不同温度和栅偏置下的辐照退火表现 .结果表明 :温度和退火偏置条件是影响初始退火速率和退火幅度的重要因素 ,较高退火温度下 ,退火速率高 ,幅度大 ;相同退火温度下 ,正偏置与负偏置相比有加速退火的作用 ,其退火幅度也较大 .在 1 80℃ ,零偏条件下获得了最快的 1 0 0 %的退火效果 ; 展开更多
关键词 辐射剂量计 pmoS 辐照退火 MOS晶体管
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偏置对PMOS剂量计辐照响应的影响 被引量：8
11
作者 范隆 张国强 +2 位作者 严荣良 艾尔肯 任迪远 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期179-183,共5页
研究了不同偏置条件对ＰＭＯＳ探头样品辐照响应的影响．在－ １～１ＭＶ／ｃｍ 的电场范围内，获得了偏置对ＰＭＯＳ剂量计辐照响应灵敏度和线性度的影响规律．利用“空穴陷阱薄层（Ｈｏｌｅ Ｔｒａｐｓ Ｓｈｅｅｔ）”模型，结合辐射... 研究了不同偏置条件对ＰＭＯＳ探头样品辐照响应的影响．在－ １～１ＭＶ／ｃｍ 的电场范围内，获得了偏置对ＰＭＯＳ剂量计辐照响应灵敏度和线性度的影响规律．利用“空穴陷阱薄层（Ｈｏｌｅ Ｔｒａｐｓ Ｓｈｅｅｔ）”模型，结合辐射感生界面电荷的栅偏置电场相关性，分析了实验结果． 展开更多
关键词 剂量计 pmoS 辐照响应 偏置
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pMOS场效应管的X射线和低能强电子束的瞬态电离辐照效应 被引量：5
12
作者 范隆 靳涛 +2 位作者 何承发 严荣良 沈志康 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第9期534-538,共5页
对电离辐照敏感的厚氧化层ｐＭＯＳ场效应管进行了Ｘ射线和低能强流电子束的瞬态辐照实验；通过对阈电压漂移的跟踪监测，研究了ｐＭＯＳ场效应管的瞬态电离辐照效应。运用辐射感生氧化物、界面缺陷模型并结合ＭＯＳ器件寄生二极管等效... 对电离辐照敏感的厚氧化层ｐＭＯＳ场效应管进行了Ｘ射线和低能强流电子束的瞬态辐照实验；通过对阈电压漂移的跟踪监测，研究了ｐＭＯＳ场效应管的瞬态电离辐照效应。运用辐射感生氧化物、界面缺陷模型并结合ＭＯＳ器件寄生二极管等效电路模型解释了实验结果。 展开更多
关键词 pmoS场效应管 瞬态 X射线 电子束 电离辐照
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V_T 辐照模式 pMOS 剂量计的标定 被引量：4
13
作者 范隆 严荣良 +2 位作者 靳涛 何承发 赵元富 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第10期606-610,共5页
对辐照偏置为阈值ＶＴ的ｐＭＯＳ剂量计进行了６０Ｃｏγ射线和６ＭｅＶ电子束的辐照标定，结果表明，在不低于１０２Ｇｙ（Ｓｉ）的剂量范围内，这种变化的负栅偏电压下工作的ｐＭＯＳ剂量计呈现出线性响应，其适用于空间环境的响应灵... 对辐照偏置为阈值ＶＴ的ｐＭＯＳ剂量计进行了６０Ｃｏγ射线和６ＭｅＶ电子束的辐照标定，结果表明，在不低于１０２Ｇｙ（Ｓｉ）的剂量范围内，这种变化的负栅偏电压下工作的ｐＭＯＳ剂量计呈现出线性响应，其适用于空间环境的响应灵敏度为２０ｍＶ／Ｇｙ（Ｓｉ）。同时发现，对６０Ｃｏγ射线的响应灵敏度为对６ＭｅＶ电子束的１．３倍左右。对实验结果进行了分析，认为ｐＭＯＳ剂量计的响应灵敏度与粒子辐射的种类具有一定的依赖性，提出了剂量计对混合辐射场的标定方法。 展开更多
关键词 pmoS 剂量计 电离辐照 混合场 标定 VT辐照模式
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仙灵骨葆对PMO骨密度及IL-6、TNF-α、IGF-I的影响 被引量：67
14
作者 张秀珍 韩峻峰 +3 位作者 钱国峰 贺铭 李颖 谷磊 《中国骨质疏松杂志》 CAS CSCD 2004年第1期90-93,共4页
目的 观察仙灵骨葆(XLGB)治疗绝经后骨质疏松症(Postmenopausal Oeteoporosis,PMO)骨密度(BMD)及白介素6(IL-6)、肿瘤坏死因子(TNF-α)、胰岛素样生长因子(IGF-I)及骨代谢指标的变化。方法 选择年龄55-60岁的PMO共178例,随机分为:XLGB... 目的 观察仙灵骨葆(XLGB)治疗绝经后骨质疏松症(Postmenopausal Oeteoporosis,PMO)骨密度(BMD)及白介素6(IL-6)、肿瘤坏死因子(TNF-α)、胰岛素样生长因子(IGF-I)及骨代谢指标的变化。方法 选择年龄55-60岁的PMO共178例,随机分为:XLGB组62例,利维爱(Livial)组66例,钙剂组50例和年龄相匹配的正常妇女20例作对照组。各组均于用药前、后24、28周采用DEXA骨密度仪测定BMD;放免法测定E2、碱性磷酸酶(ALP)水平;定量夹心酶联免疫法(ELISA)测定骨钙素(BGP)、Ⅰ型胶原N末端肽(NTx)、IL-6、TNF-α、IGF-I水平。结果 XLGB组和Livial组BMD较治疗前均有不同程度的提高,以Total为显著(增幅分别为2.95％,4.40％,P<0.001)。Lival组E2水平明显上升(P<0.01),IL-6、TNF-α、NTX下降(P<0.01);xLGB组E2水平无变化(P>0.05),但IGF-I明显升高(P<0.01),余变化同前;钙剂组和对照组各部位BMD、E、IGF-I、ALP、BGP继续下降(P<0.05),而IL-6、TNF-α、NTX升高(P<0.05)。结论 XLGB治疗PMO疗效显著,与Livial相仿。单纯服用钙剂不能治疗PMO,且继续骨量丢失。 展开更多
关键词 仙灵骨葆 pmo 骨密度 IL-6 TNF-α IGF-I 绝经后 骨质疏松症 白介素6 肿瘤坏死因子-α 胰岛素样生长因子-I
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模板合成H4PMo11VO40／聚苯胺纳米线列阵及其聚合机理探讨 被引量：7
15
作者 殷广明 邓启刚 +3 位作者 毕野 杨万丽 吕仁江 周德瑞 《高分子学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第5期430-434,共5页
在氧化铝模板中制备了HPA/PANI纳米线列阵,SEM、TEM表明列阵中纳米线直径约为80 nm;XRD与FT-IR证明形成了有效掺杂;单根纳米线的导电率为16.2 S.cm-1;材料的TG-DTA表明PANI纳米线材料有三步失重过程,失去吸附水过程,多酸失去结晶水和PAN... 在氧化铝模板中制备了HPA/PANI纳米线列阵,SEM、TEM表明列阵中纳米线直径约为80 nm;XRD与FT-IR证明形成了有效掺杂;单根纳米线的导电率为16.2 S.cm-1;材料的TG-DTA表明PANI纳米线材料有三步失重过程,失去吸附水过程,多酸失去结晶水和PANI结构持续分解过程,多酸结构分解过程;在氧化聚合过程中H4PMo11VO40即为质子酸又为氧化剂和掺杂剂;聚合反应采用自由基机理进行,掺杂反应发生在形成醌二亚胺式自由基正离子和双苯胺式自由基正离子和醌二亚胺式自由基正离子偶联聚合成链结构时. 展开更多
关键词 AAO模板 H4pmo11 VO40 聚苯胺 纳米线列阵 聚合机理
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pMOS剂量计的温度效应及其补偿探讨 被引量：3
16
作者 范隆 任迪远 +3 位作者 高文钰 郭旗 严荣良 赵元富 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期173-178,共6页
利用恒流注入法和Ｉ－Ｖ测试方法研究了用于ｐＭＯＳ剂量计的国产ｐＭＯＳＲＡＤＦＥＴ的温度效应，结合ＭＯＳ晶体管阈值和电流－电压方程的理论公式推导分析了温度对阈电压、沟道载流子迁移率的影响，对“零温度系数点”从理论上进行... 利用恒流注入法和Ｉ－Ｖ测试方法研究了用于ｐＭＯＳ剂量计的国产ｐＭＯＳＲＡＤＦＥＴ的温度效应，结合ＭＯＳ晶体管阈值和电流－电压方程的理论公式推导分析了温度对阈电压、沟道载流子迁移率的影响，对“零温度系数点”从理论上进行了讨论，探讨了辐照对“零温度系数点”的影响。实验结果表明，采用“零温度系数”电流作为注入的恒流来测量栅源电压能提高剂量计电压读出的精度，起到对温度补偿的作用。 展开更多
关键词 pmoS 剂量计 温度效应 补偿
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H_4PMo_(11)VO_(40)催化氧化2-甲基萘制备甲萘醌 被引量：9
17
作者 靳会杰 韩志慧 +3 位作者 廉红蕾 雒廷亮 江振西 刘国际 《河南师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期95-97,101,共4页
以磷钼钒杂多酸H4PMo11V1O40为催化剂、乙酸为溶剂,用双氧水氧化2-甲基萘制备2-甲基萘醌.实验表明：H4PMo11V1O40具有一定的催化活性.通过正交试验和单因素试验考察了催化剂用量、乙酸用量、双氧水用量、反应时间、反应温度等对收率的影... 以磷钼钒杂多酸H4PMo11V1O40为催化剂、乙酸为溶剂,用双氧水氧化2-甲基萘制备2-甲基萘醌.实验表明：H4PMo11V1O40具有一定的催化活性.通过正交试验和单因素试验考察了催化剂用量、乙酸用量、双氧水用量、反应时间、反应温度等对收率的影响,获得较佳的合成条件：杂多酸∶2-MN（质量比）=7%,乙酸∶2-MN（质量比）=10.5∶1,双氧水∶2-甲基萘（摩尔比）=4.2∶1,较适宜的温度为40~50℃,反应时间为30 min. 展开更多
关键词 杂多酸 H4pmo11VO40 过氧化氢 2-甲基萘 2-甲基萘醌 催化氧化
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PMOS剂量计的剂量率效应 被引量：2
18
作者 范隆 任迪远 +3 位作者 郭旗 张国强 严荣良 陆妩 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第8期508-512,共5页
在不同剂量率的60Coγ辐照下，研究了PMOS剂量计阈值电压的响应关系。借助快速I—V亚阈分析技术，获得了辐射感生界面态对剂量率效应的贡献。结果表明，辐照响应有较明显的剂量率效应；主要表现为响应的拟合关系式△VT＝KDn中幂n的变化... 在不同剂量率的60Coγ辐照下，研究了PMOS剂量计阈值电压的响应关系。借助快速I—V亚阈分析技术，获得了辐射感生界面态对剂量率效应的贡献。结果表明，辐照响应有较明显的剂量率效应；主要表现为响应的拟合关系式△VT＝KDn中幂n的变化，在低剂量率区间内，n值较大，对应于辐射响应高灵敏度范围；当剂量率增大时，n值减小，响应灵敏度下降。讨论了克服剂量率效应影响其应用的办法。 展开更多
关键词 pmoS 阈值响应 剂量率 剂量计 钴60 Γ辐照
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PMOS辐照检测传感器 被引量：4
19
作者 陈德英 张旭 +3 位作者 姜岩峰 樊路嘉 张会珍 余艳玲 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2002年第1期3-6,共4页
比较了常用的 3种辐照剂量计 ,并详细介绍了PMOS辐照检测传感器的优点、制备工艺、工作模式。
关键词 pmoS 辐照传感器 RAFET 辐射剂量计
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表面态密度分布和源漏电阻对6H-SiC PMOS器件特性的影响 被引量：7
20
作者 郜锦侠 张义门 +1 位作者 张玉明 汤晓燕 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期408-413,共6页
建立了一个价带附近的界面态密度分布模型 ,并用该模型较好地模拟了 6 H- Si C PMOS器件的阈值电压随温度变化的趋势、C- V特性以及转移特性 .理论 C- V特性曲线是用数值解泊松方程的方法得到的 ,在解泊松方程的过程中考虑了场致离化效... 建立了一个价带附近的界面态密度分布模型 ,并用该模型较好地模拟了 6 H- Si C PMOS器件的阈值电压随温度变化的趋势、C- V特性以及转移特性 .理论 C- V特性曲线是用数值解泊松方程的方法得到的 ,在解泊松方程的过程中考虑了场致离化效应 .由于 Si C PMOS器件的源漏电阻比较大 ,因此 ,在计算强反型情况下的漏电流时 ,同时考虑了源漏电阻的影响 .结果表明 。 展开更多
关键词 表面态密度分布 源漏电阻 6H-SiCpmoS 器件特性
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