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题名圆片级封装中的二次硅-玻璃键合工艺研究
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作者
郑雅欣
阮勇
祝连庆
宋志强
吴紫珏
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机构
北京信息科技大学仪器科学与光电工程学院
清华大学精密仪器系
淄博高新技术产业开发区MEMS研究院
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出处
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2024年第10期50-54,共5页
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基金
国家自然科学基金资助项目(U21A6003)。
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文摘
针对MEMS谐振器真空封装更高的要求,将盖帽硅片、器件硅片(Si)和玻璃衬底通过二次Si—玻璃(D-SOG)阳极键合工艺,实现了MEMS谐振器加工的同时,完成MEMS谐振器的6in圆片级高真空度封装。通过优化两次键合工艺参数,第二次键合温度由第一次键合温度350℃调整到380℃,键合压力分别为800N(第二次键合)和600N(第一次键合);优化第二次键合封装密封环的键合面积宽度为700μm;达到良好的MEMS谐振器封装效果,器件的泄漏速率为3.85×10^(-9) Pa·m^(3)/s。该研究可以有效降低加工成本和工艺难度、提高器件可靠性,满足了MEMS器件对封装密封性的要求,后续可广泛应用到基于D-SOG的MEMS谐振器封装工艺中,具有良好的应用前景。
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关键词
微机电系统
圆片级真空封装
玻璃上硅键合封装密封环
二次硅—玻璃键合
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Keywords
MEMS
wafer level vacuum packaging
sealing ring of silicon-on-glass bonding package
D-SOG bonding
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分类号
TP212
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
TN305
[电子电信—物理电子学]
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