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一种集成RC吸收器的低EMI分离栅VDMOS
被引量：
3
1
作者
王玲
成建兵
+2 位作者
陈明
张才荣
邓志豪
《微电子学》
CAS
北大核心
2020年第5期720-725,共6页
为满足高速、高集成度和低EMI的要求,提出了一种分离栅VDMOS器件。通过在JFET区集成梳状MOS电容、漂移区电阻,构成内部集成RC吸收器,减小了器件关断过程中漏端电压斜率dVds/dt和电流斜率dId/dt。仿真结果表明,相比于常规VDMOS,该VDMOS...
为满足高速、高集成度和低EMI的要求,提出了一种分离栅VDMOS器件。通过在JFET区集成梳状MOS电容、漂移区电阻,构成内部集成RC吸收器,减小了器件关断过程中漏端电压斜率dVds/dt和电流斜率dId/dt。仿真结果表明,相比于常规VDMOS,该VDMOS的漏端过冲电压从535 V降低到283 V,抖动频率从42 MHz降低到33 MHz,抖动持续时间从65 ns缩短到30 ns。
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关键词
VDMOS
分离栅
RC吸收器
EMI
原文传递
题名
一种集成RC吸收器的低EMI分离栅VDMOS
被引量：
3
1
作者
王玲
成建兵
陈明
张才荣
邓志豪
机构
南京邮电大学电子与光学工程学院微电子学院
出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2020年第5期720-725,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(61274080)。
文摘
为满足高速、高集成度和低EMI的要求,提出了一种分离栅VDMOS器件。通过在JFET区集成梳状MOS电容、漂移区电阻,构成内部集成RC吸收器,减小了器件关断过程中漏端电压斜率dVds/dt和电流斜率dId/dt。仿真结果表明,相比于常规VDMOS,该VDMOS的漏端过冲电压从535 V降低到283 V,抖动频率从42 MHz降低到33 MHz,抖动持续时间从65 ns缩短到30 ns。
关键词
VDMOS
分离栅
RC吸收器
EMI
Keywords
VDMOS
spilt-gate
RC snubber
EMI
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种集成RC吸收器的低EMI分离栅VDMOS
王玲
成建兵
陈明
张才荣
邓志豪
《微电子学》
CAS
北大核心
2020
3
原文传递
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