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热处理温度及掺杂对氧化镍电极赝电容器特性的影响 被引量：16
1
作者 梁逵 陈艾 +2 位作者 吴孟强 何莉 周旺 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期1-4,共4页
应用电化学阴极沉积法在Ni基片上制得Ni(OH) 2 膜 ,经热处理得到NiO膜 .研究了热处理温度、钴掺杂对NiO膜电极赝电容性能的影响 .结果发现 :在 2 5 0～ 5 0 0℃ ,随着热处理温度的升高 ,NiO膜电极比电容量逐渐减小 ;钴掺杂使比电容量显... 应用电化学阴极沉积法在Ni基片上制得Ni(OH) 2 膜 ,经热处理得到NiO膜 .研究了热处理温度、钴掺杂对NiO膜电极赝电容性能的影响 .结果发现 :在 2 5 0～ 5 0 0℃ ,随着热处理温度的升高 ,NiO膜电极比电容量逐渐减小 ;钴掺杂使比电容量显著增大 .以掺钴的NiO膜为电极 ,以 1mol/L的KOH水溶液为电解质溶液 ,所得电容器的比电容量可达 展开更多
关键词 超大容量离子电容器 赝电容器 氧化镍 钴掺杂 热处理温度 特性
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