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类星型手性超材料超宽带隙特性研究
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作者 王硕 燕群 +5 位作者 延浩 孙永涛 王安帅 张昭展 丁千 王梁 《航空工程进展》 CSCD 2024年第5期179-190,共12页
振动和噪声的抑制一直是工程中的重要问题,而超材料在实现减振降噪方面具有良好的应用价值。基于传统空心星型超材料,添加手性结构特性,设计一种新型的空心类星型手性超材料,并在其基础上进一步演化出实心类星型手性超材料。通过振动模... 振动和噪声的抑制一直是工程中的重要问题,而超材料在实现减振降噪方面具有良好的应用价值。基于传统空心星型超材料,添加手性结构特性,设计一种新型的空心类星型手性超材料,并在其基础上进一步演化出实心类星型手性超材料。通过振动模态分析带隙产生机理和不同结构参数对带隙的影响,通过频散曲面、波传播方向、群速度和相速度等研究弹性波在结构中的传播特性,并研究有限周期结构的传输特性。结果表明:实心类星型手性超材料可以产生宽度为5116 Hz的超宽带隙,带隙形成主要是由于凹角星和韧带的旋转振动耗散了弹性波能量,内凹角α的减小以及韧带与水平方向的夹角θ的增大使得最宽带隙的宽度增大;有限周期结构在其带隙范围内可以产生明显的位移幅值衰减,该新型超材料具有良好的隔振性能。 展开更多
关键词 超材料 超宽带隙 群速度 相速度 振动抑制
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混合钎料对镍基单晶高温合金大间隙钎焊接头组织和性能的影响
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作者 贺彤 王诗洋 +2 位作者 李可馨 侯星宇 孙元 《焊接》 2024年第6期1-8,共8页
【目的】采用一种新型镍基钎料和母材成分一致的高熔点合金粉混合的方法制备出混合钎料,研究了添加的高熔点合金粉的粒径和配比对钎缝微观组织和力学性能的影响。【方法】采用扫描电子显微镜对钎焊接头的析出相、元素分布、微观组织进... 【目的】采用一种新型镍基钎料和母材成分一致的高熔点合金粉混合的方法制备出混合钎料,研究了添加的高熔点合金粉的粒径和配比对钎缝微观组织和力学性能的影响。【方法】采用扫描电子显微镜对钎焊接头的析出相、元素分布、微观组织进行了分析,并对钎焊接头的硬度及持久性能进行了测试。【结果】研究表明,接头主要由钎料合金区(FAZ)、界面连接区(IBZ)和扩散影响区(DAZ)三部分组成。钎料合金区主要由M3B2和M8B型硼化物及γ/γ′相组成。界面连接区由γ和γ′沉淀强化相组成。当合金粉粒径为44μm和75μm时,均可得到无缺陷的焊接接头;但当合金粉粒径尺寸达177μm时,钎缝内会形成孔洞缺陷。【结论】随着合金粉比例的提高,接头连接区的显微硬度有所上升。当合金配比由30%到50%,接头的持久寿命由15 h增加至34 h;但进一步提升比例至60%时,接头的持久寿命下降至0.6 h。该文的结果可为实现高温热端零部件的连接和修复工程应用提供理论依据和参考价值。 展开更多
关键词 镍基单晶高温合金 混合粉末钎料 大间隙钎焊 持久性能
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1,1’-磺酰基双(2-甲基-1H-咪唑)对宽带隙钙钛矿太阳电池性能的影响
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作者 戴峣 王鹏阳 +1 位作者 赵颖 张晓丹 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期43-50,共8页
对倒置结构,带隙为1.68 eV的钙钛矿太阳电池光吸收层掺杂1,1’-磺酰基双(2-甲基-1H-咪唑),以改善钙钛矿薄膜质量,提高太阳电池性能。空间电荷限制电流(SCLC)测试结果表明,掺杂后的钙钛矿薄膜的缺陷密度明显降低;稳态光致发光光谱(PL)结... 对倒置结构,带隙为1.68 eV的钙钛矿太阳电池光吸收层掺杂1,1’-磺酰基双(2-甲基-1H-咪唑),以改善钙钛矿薄膜质量,提高太阳电池性能。空间电荷限制电流(SCLC)测试结果表明,掺杂后的钙钛矿薄膜的缺陷密度明显降低;稳态光致发光光谱(PL)结果表明,掺杂后的钙钛矿薄膜的非辐射复合被显著抑制;最终太阳电池的开路电压达到1.17 V,光电转换效率达到21.42%,在氮气环境下储存1000 h后,未封装的太阳电池仍能保持初始效率的96%,稳定性显著提高。 展开更多
关键词 钙钛矿太阳电池 晶体生长 宽带隙半导体 钝化 1 1’-磺酰基双(2-甲基-1H-咪唑)
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基于GaN/(BA)_(2)PbI_(4)异质结的自供电双模式紫外探测器
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作者 张盛源 夏康龙 +4 位作者 张茂林 边昂 刘增 郭宇锋 唐为华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第6期323-330,共8页
紫外探测器作为智能光电系统的重要组成部分,近年来在诸多领域应用广泛,其中自供电异质结光电二极管的研究显得尤为重要.本文制备并讨论了一种双模式运行的GaN/(BA)_(2)PbI_(4)异质结紫外光电二极管.通过金属有机化学气相沉积法在蓝宝... 紫外探测器作为智能光电系统的重要组成部分,近年来在诸多领域应用广泛,其中自供电异质结光电二极管的研究显得尤为重要.本文制备并讨论了一种双模式运行的GaN/(BA)_(2)PbI_(4)异质结紫外光电二极管.通过金属有机化学气相沉积法在蓝宝石上沉积GaN薄膜,再在GaN薄膜表面旋涂(BA)_(2)PbI_(4)薄膜,用于构建平面异质结探测器.当在+5 V偏压驱动、光强为421μW/cm^(2)的365 nm紫外光照射下,响应度(R)和外量子效率(EQE)分别为60 mA/W和20%.在自供电模式下,上升时间(τ_(r))和衰减时间(τ_(d))分别为0.12 s和0.13 s.这些结果共同证明了基于GaN/(BA)_(2)PbI_(4)异质结的自供电紫外光电二极管拥有旷阔的发展前景,为智能光电系统的发展提供了新的思路. 展开更多
关键词 宽禁带半导体 钙钛矿 异质结 自供电紫外探测器
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跳频序列设计:研究现状与未来发展
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作者 宋东坡 王世练 《电讯技术》 北大核心 2024年第9期1516-1524,共9页
跳频序列设计是跳频通信系统的关键组成部分之一,其研究包括理论界的推导和构造方法的探索。宽间隔跳频序列能够很好地抵抗窄带干扰,低/无碰撞区跳频序列能够实现高效的多址组网。介绍了宽间隔跳频序列和低/无碰撞区跳频序列的定义和性... 跳频序列设计是跳频通信系统的关键组成部分之一,其研究包括理论界的推导和构造方法的探索。宽间隔跳频序列能够很好地抵抗窄带干扰,低/无碰撞区跳频序列能够实现高效的多址组网。介绍了宽间隔跳频序列和低/无碰撞区跳频序列的定义和性质,综述了其理论界和构造方法的研究进展,最后指出,具备宽间隔和低/无碰撞区特性的跳频序列是未来研究的重点方向。 展开更多
关键词 跳频序列设计 理论界 构造方法 宽间隔跳频序列 低/无碰撞区跳频序列
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添加剂提高宽带隙钙钛矿太阳电池的性能
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作者 李卓芯 冯旭铮 +3 位作者 陈香港 刘雪朋 戴松元 蔡墨朗 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期30-35,共6页
该文研究聚对苯乙烯磺酸钠(PSS)对宽带隙钙钛矿薄膜及电池的影响。研究发现PSS添加剂可改善宽带隙钙钛矿薄膜的形貌,提升结晶度并减少缺陷态密度,这有利于抑制混合卤素宽带隙钙钛矿薄膜的相分离问题。J-V测试结果表明钝化后的宽带隙钙... 该文研究聚对苯乙烯磺酸钠(PSS)对宽带隙钙钛矿薄膜及电池的影响。研究发现PSS添加剂可改善宽带隙钙钛矿薄膜的形貌,提升结晶度并减少缺陷态密度,这有利于抑制混合卤素宽带隙钙钛矿薄膜的相分离问题。J-V测试结果表明钝化后的宽带隙钙钛矿太阳电池性能得到明显提升。在掺有PSS的宽带隙钙钛矿太阳电池中,开路电压最高可达1.23 V,效率最高可达20.54%,并且相分离被抑制后的封装钙钛矿太阳电池稳定性显著改善,在一个太阳连续光照500 h后,电池效率仍可保持在初始效率的81.9%(氮气环境,温度40℃)。 展开更多
关键词 钙钛矿太阳电池 宽带隙 结晶度 缺陷钝化 相分离 性能
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宽禁带半导体器件开关振荡研究综述 被引量:1
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作者 孙帅 林仲康 +2 位作者 唐新灵 魏晓光 赵志斌 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第6期2386-2407,I0026,共23页
宽禁带半导体器件具有高频、高效率、高功率密度等优点。然而,低寄生电容、低阈值电压和快速开关等特性也使它们更容易受到开关振荡的影响。该文综述开关振荡的类型、产生机理、敏感参数以及抑制方法。首先,依据波形特征将振荡分为阻尼... 宽禁带半导体器件具有高频、高效率、高功率密度等优点。然而,低寄生电容、低阈值电压和快速开关等特性也使它们更容易受到开关振荡的影响。该文综述开关振荡的类型、产生机理、敏感参数以及抑制方法。首先,依据波形特征将振荡分为阻尼振荡及自持振荡两类;其次,建立开关振荡分析模型,包括器件模型和开关电路模型,依托该模型研究两种振荡的机理、敏感参数以及各敏感参数对振荡特性的影响规律;再次,分析两类开关振荡的差异性和关联性;最后,总结抑制开关振荡的主要方法,并对各种方法的优缺点进行比较分析。对前人研究成果进行总结和延伸,期望帮助研究人员更好地将宽禁带器件应用于高频高功率变换工况。 展开更多
关键词 宽禁带半导体 振荡 阻尼振荡 自持振荡 反馈 负电阻
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宽带隙钙钛矿太阳能电池预旋涂工艺研究
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作者 谭理 李海进 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2024年第S02期228-233,共6页
宽带隙钙钛矿太阳能电池是晶硅-钙钛矿叠层电池的主要组成部分。由于宽带隙钙钛矿材料存在缺陷密度大、相分离严重等问题,限制了宽带隙钙钛矿太阳能电池的发展。为改善这些问题,提出了一种预旋涂方法,即两步法制备钙钛矿薄膜,在碘化铅... 宽带隙钙钛矿太阳能电池是晶硅-钙钛矿叠层电池的主要组成部分。由于宽带隙钙钛矿材料存在缺陷密度大、相分离严重等问题,限制了宽带隙钙钛矿太阳能电池的发展。为改善这些问题,提出了一种预旋涂方法,即两步法制备钙钛矿薄膜,在碘化铅层表面均匀涂覆甲胺乙醇溶液(MES)+苯乙基碘化铵(PEAI)完成预旋涂工艺。通过预旋涂后,器件最佳效率为20.81%,优于未预旋涂器件(19.7%)及单一PEAI预旋涂处理器件(20.2%),同时也表现出优良的稳定性。 展开更多
关键词 钙钛矿太阳能电池 宽带隙 预旋涂 甲胺乙醇溶液 缺陷钝化
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无铅双钙钛矿Cs_(2)NaScX_(6)(X=Cl,Br,I)的第一性原理研究
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作者 林佳怡 欧天吉 马新军 《内蒙古民族大学学报(自然科学版)》 2024年第3期75-82,共8页
钙钛矿材料由于具有结构稳定、易于获取、成本低廉和易于合成等优点,在发光二极管、激光器和太阳能电池等光电器件领域具有广阔的应用前景。目前,部分适合UV-LED应用的钙钛矿具有结构不稳定性。为了寻找结构稳定的钙钛矿,此项研究利用... 钙钛矿材料由于具有结构稳定、易于获取、成本低廉和易于合成等优点,在发光二极管、激光器和太阳能电池等光电器件领域具有广阔的应用前景。目前,部分适合UV-LED应用的钙钛矿具有结构不稳定性。为了寻找结构稳定的钙钛矿,此项研究利用第一性原理对无铅双钙钛矿Cs_(2)NaScX_(6)(X=Cl,Br,I)的电子及光学性质进行了理论计算。计算结果表明:Cs_(2)NaScX_(6)(X=Cl,Br,I)为直接带隙半导体,带隙值分别为5.545 e V(Cl)、4.549 eV(Br)和3.408 eV(I),Cs_(2)NaScI_(6)在紫外光范围内具有较强的光吸收。本研究内容为无铅A_(2)B^(I)B^(III)X_(6)型双钙钛矿成为UV-LED的候选材料提供理论支持。 展开更多
关键词 UV-LED 第一性原理 Cs_(2)NaScX_(6)(X=Cl Br I) 电子性质 光学性质 超宽带隙
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基于宽禁带器件的新型配网三相功率调节装置的设计与研究
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作者 袁俊球 王迪 +2 位作者 邓中诚 秦斌 张茜颖 《电工技术》 2024年第19期46-49,54,共5页
大量分布式新能源接入配电系统后,其出力不确定性使配电网功率分布复杂,三相功率不平衡问题突出。目前国内主流的三相有源不平衡治理装置硬件受系统限制,无法从根本上解决发热和开关频率问题,而新型碳化硅宽禁带开关器具有耐压、低损耗... 大量分布式新能源接入配电系统后,其出力不确定性使配电网功率分布复杂,三相功率不平衡问题突出。目前国内主流的三相有源不平衡治理装置硬件受系统限制,无法从根本上解决发热和开关频率问题,而新型碳化硅宽禁带开关器具有耐压、低损耗等优势,可以有效应用于配网三相有源不平衡治理。因此,开展新型配网三相功率调节装置研究,首先提出了一种基于四辅助开关的谐振门极驱动电路,并针对桥臂串扰现象提出了一种新型多电平组合驱动电路。其次分析了碳化硅MOSFET开关振荡形成机理并提出了相应抑制方法。最后设计了基于宽禁带器件的新型配网三相功率调节装置,给出了总体方案、硬件电路、软件程序设计方案,并通过基于所提方法研发的功率协调控制器实验样机挂网测试结果,验证了装置的有效性。 展开更多
关键词 三相功率不平衡 碳化硅器件 宽禁带器件 三相功率调节 新型配电网
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中国31省份数字经济发展水平测算研究 被引量:7
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作者 王立新 孙梦婷 《经济论坛》 2023年第2期5-16,共12页
从信息通信基础设施、社会电商发展、数字应用支持、互联网普惠情况、数字经济发展潜力等多个维度选取21个基础指标构建评价体系来计算我国31省份(不包括港、澳、台)的数字经济发展得分。文章选用基于因子分析的主成分分析法测度2015—2... 从信息通信基础设施、社会电商发展、数字应用支持、互联网普惠情况、数字经济发展潜力等多个维度选取21个基础指标构建评价体系来计算我国31省份(不包括港、澳、台)的数字经济发展得分。文章选用基于因子分析的主成分分析法测度2015—2019年间我国31个省份数字经济发展水平,确定各指标的权重,并计算出各省份的综合得分和主因子得分。结果显示我国数字经济发展水平区域存在显著差异,同时不同梯度和不同因子维度,各省份也存在发展差距。具体表现在东部城市数字经济发展领先,中部地区的发展较平均,西部地区发展落后。在数字经济发展较好的省份,各个维度相辅相成促进数字经济发展,而数字经济发展比较一般或比较差的地区主要受落后的数字经济基础设施建设制约,对此文章提出相应的政策建议。 展开更多
关键词 数字经济 评价体系 主成分分析法 数字鸿沟 区域协调发展
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高温SiC器件及其集成电路在空间电子领域应用展望 被引量:1
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作者 贺永宁 赵小龙 崔万照 《空间电子技术》 2023年第2期1-7,共7页
金星、火星等行星空间探索对航天器电子学系统耐高温、抗辐照、抗腐蚀性等提出了严峻挑战。极低温电子学和高温电子学是近年来深空探索中的强烈需求。文章主要阐述高温SiC集成电路的起源,数字、模拟和功率IC的发展历程和研究现状。重点... 金星、火星等行星空间探索对航天器电子学系统耐高温、抗辐照、抗腐蚀性等提出了严峻挑战。极低温电子学和高温电子学是近年来深空探索中的强烈需求。文章主要阐述高温SiC集成电路的起源,数字、模拟和功率IC的发展历程和研究现状。重点综述分析了高温SiC集成电路设计方法和流片验证的两条技术途径:首先,基于多层外延制造工艺的BJT器件单元及其双极集成电路;其次,基于离子注入掺杂工艺的互补单元及其CMOS集成电路。在此基础上还进一步介绍了高温SiC传感芯片、BCD功率IC及功率模块的应用可靠性验证。目前国际研究现状展示了SiC BJT和CMOS IC研制中大学学术界和半导体企业界的协同创新格局。最后展望了其在深空探索中的潜在应用及其面临的挑战性。本综述对国内研制空间环境用宽禁带半导体SiC高温集成电路及其电子学系统具有借鉴价值。 展开更多
关键词 极端环境电子学 SiC宽禁带半导体 高温集成电路 深空探索
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碳化硅功率器件在宇航电源中的研究与应用 被引量:4
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作者 曹宇翔 张潇 +1 位作者 王少宁 李进利 《电子设计工程》 2023年第9期7-12,共6页
功率器件是宇航电源的重要组成部分,在航天技术快速发展的背景下,现有的宇航电源已无法满足小型化、轻量化、高效率和超大功率化的任务要求。以碳化硅(Silicon Carbide,SiC)为代表的宽禁带功率器件可以将宇航电源的工作频率推向至兆赫... 功率器件是宇航电源的重要组成部分,在航天技术快速发展的背景下,现有的宇航电源已无法满足小型化、轻量化、高效率和超大功率化的任务要求。以碳化硅(Silicon Carbide,SiC)为代表的宽禁带功率器件可以将宇航电源的工作频率推向至兆赫兹以上,由此将带来宇航电源技术的突破。该文回顾了SiC功率器件的发展,介绍了SiC材料的物理特性,分析了SiC功率器件的优势和研究现状。提出SiC功率器件能够成熟应用于宇航电源中需要解决的关键问题,指出SiC功率器件的高开关频率、低导通电阻等优势能够实现高性能、微型化的宇航电源,并对SiC器件在新一代宇航电源应用中的发展方向做出展望。 展开更多
关键词 宇航电源 碳化硅 宽禁带 功率器件
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异质外延单晶金刚石及其相关电子器件的研究进展 被引量:1
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作者 陈根强 赵浠翔 +4 位作者 于众成 李政 魏强 林芳 王宏兴 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第6期931-944,共14页
相较于传统的硅材料,宽禁带半导体材料更适合制作高压、高频、高功率的半导体器件,被认为是后摩尔时代材料创新的关键角色。单晶金刚石拥有大禁带宽度、高热导率、高迁移率等优异特性,更是下一代大功率、高频电子器件的理想半导体材料... 相较于传统的硅材料,宽禁带半导体材料更适合制作高压、高频、高功率的半导体器件,被认为是后摩尔时代材料创新的关键角色。单晶金刚石拥有大禁带宽度、高热导率、高迁移率等优异特性,更是下一代大功率、高频电子器件的理想半导体材料。然而由于可获得单晶金刚石的尺寸较小,且价格昂贵,极大地阻碍了金刚石的发展。历经长时间的探索,异质外延生长技术成为了获得高质量、大面积单晶金刚石的有效手段。本综述从金刚石异质外延的衬底选择、生长机理以及质量改善等方面对近些年来异质外延单晶金刚石的发展进行详细介绍。进一步地,对基于异质外延单晶金刚石的场效应晶体管和二极管的研究进行了总结,说明了异质外延单晶金刚石在电子器件领域的巨大潜力。最后总结了异质外延单晶金刚石仍需面对的挑战,展望了其在未来的应用与发展前景。 展开更多
关键词 单晶金刚石 异质外延生长 宽禁带半导体 半导体器件 场效应晶体管 二极管
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宽禁带半导体Ga_(2)O_(3)基日盲紫外探测器的研究进展 被引量:1
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作者 沈乐昀 张涛 +4 位作者 刘云泽 吴慧珊 王凤志 潘新花 叶志镇 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第10期13-26,共14页
β-Ga_(2)O_(3)是一种超宽禁带半导体材料,对应太阳光谱的深紫外波段,可用于制备日盲紫外探测器。日盲紫外探测器抗干扰能力强、探测灵敏度高、背景噪声低,在军事和航空航天领域具有极大的应用前景。本文主要介绍Ga_(2)O_(3)材料的基本... β-Ga_(2)O_(3)是一种超宽禁带半导体材料,对应太阳光谱的深紫外波段,可用于制备日盲紫外探测器。日盲紫外探测器抗干扰能力强、探测灵敏度高、背景噪声低,在军事和航空航天领域具有极大的应用前景。本文主要介绍Ga_(2)O_(3)材料的基本性质,包括不同的晶相结构及其制备方法,并总结不同结构的Ga_(2)O_(3)器件在日盲紫外探测领域的研究进展。其中,金属-半导体-金属(MSM)结构的Ga_(2)O_(3)器件最为普遍,特别是基于薄膜材料的器件已具备了商业化参数,有望实现产业化应用。基于Ga_(2)O_(3)的异质结和肖特基结日盲紫外探测器也表现出优异的性能,并呈现出自供电特性。此外,薄膜晶体管结构Ga_(2)O_(3)器件结合MSM结构和晶体管结构的工作机制,可获得更大的光增益,适用于微弱信号的探测,成为一种极具潜力的日盲紫外探测器件。 展开更多
关键词 氧化镓 宽禁带氧化物 日盲紫外 光电探测器
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非晶氧化镓基日盲紫外探测器的研究进展 被引量:1
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作者 肖演 杨斯铄 +2 位作者 程凌云 周游 钱凌轩 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2023年第6期1-20,共20页
日盲紫外探测在空间安全通信、臭氧空洞监测、导弹来袭告警等民用与军事领域有着广阔的应用场景和特定的市场价值。氧化镓(Ga_(2)O_(3))具有超宽的带隙(4.4~5.3 eV),几乎覆盖整个日盲波段,被认为是构筑日盲紫外探测器的理想材料之一。... 日盲紫外探测在空间安全通信、臭氧空洞监测、导弹来袭告警等民用与军事领域有着广阔的应用场景和特定的市场价值。氧化镓(Ga_(2)O_(3))具有超宽的带隙(4.4~5.3 eV),几乎覆盖整个日盲波段,被认为是构筑日盲紫外探测器的理想材料之一。相较于单晶和外延氧化镓材料,非晶氧化镓(a-Ga_(2)O_(3))的制备温度更低,工艺相对简单,且衬底的适用范围更广,因此近些年成为Ga_(2)O_(3)基日盲紫外探测领域新的研究热点。本文旨在对a-Ga_(2)O_(3)基日盲紫外探测器的研究进展与现状进行介绍。首先介绍了a-Ga_(2)O_(3)的基本特性以及几种常见的制备方法,进而介绍了各种适用的器件类型、结构及性能。目前,a-Ga_(2)O_(3)基日盲紫外探测器主要分为MSM型、结型、TFT型和阵列型等几大类,通过器件结构优化,进一步提升探测性能。其中,MSM型器件结构简单,响应度高,应用最为广泛;结型器件通过构建肖特基结和异质结等,具有响应速度快、暗电流低和自供电的特点;TFT型器件能够在抑制暗电流的同时放大增益,且可以通过施加栅压脉冲来提升响应速度;阵列型器件主要用于大面积成像。最后,本文对a-Ga_(2)O_(3)日盲紫外探测器未来的发展趋势进行了总结和展望。 展开更多
关键词 非晶氧化镓 光电探测器 光电晶体管 薄膜晶体管探测 日盲紫外 超宽禁带半导体
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大尺寸非规则碲锌镉晶片双面抛光技术 被引量:1
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作者 李振兴 柏伟 +3 位作者 王琰璋 刘江高 张瑛侠 折伟林 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第2期244-251,共8页
碲锌镉(CdZnTe)晶体性能优越,是高性能碲镉汞(HgCdTe)外延薄膜的首选衬底材料。双面抛光是一种加工质量较高的碲锌镉晶片表面抛光方式,其具有效率高、平整度好、晶片应力堆积少的优点。但当碲锌镉晶片尺寸增大后,其加工难度也随之上升,... 碲锌镉(CdZnTe)晶体性能优越,是高性能碲镉汞(HgCdTe)外延薄膜的首选衬底材料。双面抛光是一种加工质量较高的碲锌镉晶片表面抛光方式,其具有效率高、平整度好、晶片应力堆积少的优点。但当碲锌镉晶片尺寸增大后,其加工难度也随之上升,易出现碎片多、加工速率慢、表面平整度差等问题。本文开展了大尺寸非规则碲锌镉晶片双面抛光技术研究,深入分析了面积大于50 cm^(2)的非规则碲锌镉晶片双面抛光工艺中,不同参数对抛光质量的影响,通过模拟并优化晶片运动轨迹,优化抛光液磨粒粒型、抛光压力、抛光液流量等抛光工艺参数,实现了具有较高抛光速率和较好表面质量的大尺寸非规则碲锌镉晶片双面抛光加工,对进一步深入研究双面抛光技术有着重要意义。 展开更多
关键词 碲锌镉 双面抛光 抛光效率 表面平整度 粗糙度 宽禁带半导体
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h-BN型超晶格等离子体光子晶体能带特性研究
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作者 武振宇 贾萌萌 +2 位作者 侯笑含 刘富成 范伟丽 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第2期252-260,共9页
六方氮化硼(h-BN)晶格结构是一种类六方对称复式超晶格结构。具有h-BN晶格构型的光子晶体以其宽光子带隙特点受到国内外学者的广泛关注。本文利用不同尺度低压气体放电管与Al2O3介质棒周期性排列,构建了新型h-BN型超晶格等离子体光子晶... 六方氮化硼(h-BN)晶格结构是一种类六方对称复式超晶格结构。具有h-BN晶格构型的光子晶体以其宽光子带隙特点受到国内外学者的广泛关注。本文利用不同尺度低压气体放电管与Al2O3介质棒周期性排列,构建了新型h-BN型超晶格等离子体光子晶体,实现其空间结构和等离子体参数的动态调控。利用微波透射谱对比研究了h-BN型超晶格与简单三角晶格等离子体光子晶体禁带位置、宽度和数目。分析了放电电流、介质棒阵列数对不同频段光子带隙的影响,以及电磁波入射角度对电磁传输特性的影响。结果表明:等离子体的引入不仅能够形成新的光子带隙,而且可以选择性地使部分禁带位置发生移动;相对于简单三角晶格,h-BN型超晶格等离子体光子晶体呈现出更多光子带隙;Al2O3介质棒阵列数对等离子体光子晶体禁带位置、宽度和数目均具有重要影响。电磁波入射角度变化越大,电磁传输特性差别越显著,透射谱相关性越差。本文所设计的新型h-BN型超晶格等离子体光子晶体为制作可调谐光子晶体提供了新的思路,在微波和太赫兹波控制领域具有潜在应用价值。 展开更多
关键词 等离子体光子晶体 h-BN型超晶格 宽光子带隙 动态调控 微波透射谱
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基于宽带隙小分子给体第三组分的三元有机光伏器件
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作者 马伊帆 张雅敏 +6 位作者 甘胜民 张昱琛 费贤 王汀 张则琪 巩雪柱 张浩力 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第9期182-189,共8页
三元策略是提升器件光电转换效率的重要途径.本文设计合成了基于苯并噻二唑并二噻吩桥联基团的宽带隙小分子给体DRDTBT,并将其作为有机太阳能电池中的第三组分.通过引入具有缺电子性质的苯并噻二唑并二噻吩单元,使DRDTBT获得了较低的最... 三元策略是提升器件光电转换效率的重要途径.本文设计合成了基于苯并噻二唑并二噻吩桥联基团的宽带隙小分子给体DRDTBT,并将其作为有机太阳能电池中的第三组分.通过引入具有缺电子性质的苯并噻二唑并二噻吩单元,使DRDTBT获得了较低的最高占有轨道能级以及高的结晶性,将其作为第三组分引入基于PM6∶BTP-eC9的器件中时有效提升了器件的开路电压,活性层形貌也得到了更好的调节.得益于提升的开路电压和填充因子,三元器件取得了优于二元器件的光电转换效率,其开路电压为0.86 V,短路电流密度为26.99 mA/cm~2,填充因子为76.34%,最终取得了17.72%的高光电转换效率,证明将高结晶性缺电子单元引入小分子给体第三组分中是提升三元有机太阳能电池效率的有效途径. 展开更多
关键词 有机太阳能电池 三元策略 宽带隙小分子给体 缺电子桥联单元
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六方氮化硼外延生长研究进展
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作者 王高凯 张兴旺 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第5期825-841,共17页
二维超宽禁带半导体材料六方氮化硼(h-BN)具有绝缘性好、击穿场强高、热导率高,以及良好的稳定性等特点,且其原子级平整表面极少有悬挂键和电荷陷阱的存在,使其有潜力成为二维电子器件的衬底和栅介质材料。实现h-BN应用的关键在于生长... 二维超宽禁带半导体材料六方氮化硼(h-BN)具有绝缘性好、击穿场强高、热导率高,以及良好的稳定性等特点,且其原子级平整表面极少有悬挂键和电荷陷阱的存在,使其有潜力成为二维电子器件的衬底和栅介质材料。实现h-BN应用的关键在于生长高质量的h-BN单晶薄膜,本文详细介绍了在过渡金属衬底、绝缘介质衬底和半导体材料表面外延生长h-BN的方法及其研究进展。在具有催化活性的过渡金属衬底(铜、镍、铁、铂等)上可以外延得到高质量的二维h-BN,而在绝缘介质或半导体材料衬底上直接生长h-BN单晶薄膜更具挑战性。蓝宝石以其良好的热稳定性和化学稳定性成为外延h-BN的首选衬底,蓝宝石衬底上生长h-BN薄膜的方法主要有化学气相沉积、分子束外延、离子束溅射沉积、金属有机气相外延,以及高温后退火等,通过这些方法可以在蓝宝石衬底上外延得到h-BN单晶薄膜,还可以集成到现有的一些III-V族化合物半导体的外延生长工艺之中,为h-BN的大面积应用奠定基础。此外,石墨烯、硅和锗等半导体材料衬底上生长h-BN单晶薄膜也是当前研究的一个热点,这为基于h-BN的异质结制备及其应用提供了新的方向。 展开更多
关键词 六方氮化硼 外延生长 薄膜 二维材料 宽禁带半导体
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