期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到2篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
栅控T_c的高温氧化物超导体场效应晶体管
1
作者 蒋建飞 汤玉生 蔡琪玉 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第8期15-19,共5页
本文提出了栅控超导临界温度Ｔ_ｃ的高温氧化物超导体场效应晶体管（ＨＴＯＳｓ－ＭＯＳｕＦＥＴ）的原理。建立了场控Ｔ_ｃ的方程，估算和分析了器件特性，对发展和研究ＨＴＯＳｓ－ＭＯＳｕＦＥＴ的器件和电路有积极的指导意义。
关键词 高温 氧化物超导体 栅控 场效应 晶体管
下载PDF
钨氮化物薄膜与GaAs接触热力学稳定性
2
作者 毛大立 林栋梁 史常忻 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1994年第1期46-49,共4页
从反应热力学计算的角度，对ＷＮｘ／ＧａＡｓ界面可能存在的界面反应，进行了估计和讨论，结果表明，ＷＮｘ薄膜在ＧａＡｓ衬底上是稳定的，这种热力学稳定性是薄膜和衬底界面接触电学性能稳定性的基本保证，实验现象与此结果相一致。
关键词 钨氮化物 薄膜 GAAS 热力学 砷化镓
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部