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浅水横流中异重冲击射流的大尺度涡结构 被引量：3
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作者 樊靖郁 王道增 +1 位作者 张燕 戴世强（推荐） 《应用数学和力学》 EI CSCD 北大核心 2006年第3期325-330,共6页
采用RNG湍流模型对浅水横流中异重冲击射流的大尺度涡结构进行了详细的数值研究.分析了冲击区滞止点上游壁面涡结构和近区Scarf涡结构的尺度、形成机理和演化特征.计算得到了上游壁面涡的特征尺度,结果表明上游壁面涡具有高度的三维性,... 采用RNG湍流模型对浅水横流中异重冲击射流的大尺度涡结构进行了详细的数值研究.分析了冲击区滞止点上游壁面涡结构和近区Scarf涡结构的尺度、形成机理和演化特征.计算得到了上游壁面涡的特征尺度,结果表明上游壁面涡具有高度的三维性,其特征尺度依赖于流速比和环境水深.近区Sarf涡结构对横流冲击射流的横向浓度分布具有重要的影响.当流速比相对较小时,在底层壁射流与环境横流的横向边界附近出现明显的高浓度聚集现象,计算结果表明Scarf涡结构对这一高浓度聚集区的形成起主导作用. 展开更多
关键词 冲击射流 横流 大尺度涡结构 浓度分布
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界面金属间化合物对铜基Sn-3.0Ag-0.5Cu焊点拉伸断裂性能的影响 被引量：11
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作者 鞠国魁 韦习成 +1 位作者 孙鹏 刘建影 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1936-1942,共7页
研究了Cu／Sn-3．0Ag-0．5Cu／Cu焊点在（150±1）℃时效温度下，0～1000h不同时间时效后焊点的拉伸断裂性能以及界面金属间化合物（IMC）的组织形态和成分。结果表明：随着时效时间的延长，焊点拉伸强度降低，拉伸断裂主要发生于So... 研究了Cu／Sn-3．0Ag-0．5Cu／Cu焊点在（150±1）℃时效温度下，0～1000h不同时间时效后焊点的拉伸断裂性能以及界面金属间化合物（IMC）的组织形态和成分。结果表明：随着时效时间的延长，焊点拉伸强度降低，拉伸断裂主要发生于Solder／IMC界面或／和IMC／IMC界面，而且断口形貌逐渐由韧窝状断口为主向解理型脆性断口转变。SEM研究发现，时效过程中界面IMC不断长大、增厚并呈针状或块状从Cu／Solder界面向焊点心部生长，时效1000h的焊点中IMC分层明显。半焊点结构为Cu／Cu3Sn／Cu6Sn5/Solder，同时，在靠近铜基体的IMC中有Kirkendall空洞存在。 展开更多
关键词 金属间化合物 Cu/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Cu焊点 拉伸断裂 多层结构 柯肯达尔洞
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二维层状六方氮化硼在芯片散热中的应用 被引量：10
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作者 鲍婕 张勇 +4 位作者 黄时荣 孙双希 路秀真 符益凤 刘建影 《应用基础与工程科学学报》 EI CSCD 北大核心 2016年第1期210-217,共8页
层状六方氮化硼(h-BN)作为典型的二维材料之一,近年来由于其优良的物理化学特性受到广泛关注,本文利用其横向热导率高、绝缘性能好的特点,将其用于功率芯片表面,作为帮助芯片上局部高热流热点横向散热的绝缘保护层.分别将化学气相沉积... 层状六方氮化硼(h-BN)作为典型的二维材料之一,近年来由于其优良的物理化学特性受到广泛关注,本文利用其横向热导率高、绝缘性能好的特点,将其用于功率芯片表面,作为帮助芯片上局部高热流热点横向散热的绝缘保护层.分别将化学气相沉积法制备的单层h-BN薄膜和微米级h-BN颗粒转移到热测试芯片表面,通过加载不同功率,观察h-BN对芯片散热性能的影响.采用电阻-温度曲线法和红外热像仪两种方法对热测试芯片的热点温度进行检测.研究结果表明,h-BN应用到热测试芯片表面,在加载功率约为1W时,可以将芯片热点温度降低3~5℃,从而提高芯片散热效率,并且通过对比发现单层h-BN薄膜表现出更为理想的散热效果. 展开更多
关键词 氮化硼 热测试芯片 单层 散热
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