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a-C∶F∶H薄膜的化学键结构 被引量：1
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作者 肖剑荣 徐慧 +3 位作者 李幼真 刘雄飞 马松山 简献忠 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1589-1593,共5页
使用CF4和CH4为源气体,利用射频等离子体增强化学气相沉积法,制备了a-C∶F∶H薄膜样品。采用拉曼光谱仪、傅里叶变换红外光谱仪、X射线光电子能谱仪(XPS)对薄膜的结构进行了测试和分析。研究发现:该膜呈空间网状结构,膜内碳与氟、氢的... 使用CF4和CH4为源气体,利用射频等离子体增强化学气相沉积法,制备了a-C∶F∶H薄膜样品。采用拉曼光谱仪、傅里叶变换红外光谱仪、X射线光电子能谱仪(XPS)对薄膜的结构进行了测试和分析。研究发现:该膜呈空间网状结构,膜内碳与氟、氢的结合主要以sp3形式存在,而sp2形式的含量相对较少;在薄膜内主要含有C—Fx(x=1,2,3)、C—C、C—H2、C—H3等以及不饱和C C化学键;同时,薄膜中C—C—F键的含量比C—C—F2键的含量要高。在不同功率下沉积的薄膜,其化学键结构明显不同。 展开更多
关键词 a—C:F:H薄膜 等离子体增强化学气相沉积 低介电常数 化学键
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ULSI用氟化类金刚石薄膜的研究
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作者 肖剑荣 徐慧 简献忠 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期30-32,共3页
以CF4和CH4为源气体，用射频等离子体增强化学气相沉积法，制备了氟化类金刚石（F-DLC）薄膜．采用FTIR仪、XPS对样品进行了测试、分析。结果表明，在薄膜内主要含有C-Fx（=1，2，3）、C-C、C-H2、C-H3等以及不饱和C=C化学键；薄膜的εr... 以CF4和CH4为源气体，用射频等离子体增强化学气相沉积法，制备了氟化类金刚石（F-DLC）薄膜．采用FTIR仪、XPS对样品进行了测试、分析。结果表明，在薄膜内主要含有C-Fx（=1，2，3）、C-C、C-H2、C-H3等以及不饱和C=C化学键；薄膜的εr为2．07-2．65。εr与膜内F的相对浓度有关，随着沉积功率的增大，膜内F、H的含量均降低，εr升高。 展开更多
关键词 半导体技术 氟化类金刚石薄膜 沉积功率 介电常数
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