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基于PDP驱动技术的行扫描芯片浪涌电压抑制方法 被引量：2
1
作者 王勇森 华国环 +1 位作者 何晓莹 孙伟锋 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期98-102,共5页
分析了等离子体显示器中行扫描芯片的浪涌电压产生机理。结合浪涌电压产生机理从PDP驱动技术的角度提出抑制浪涌电压的理论方案,并以实验室PDP模组为实验载体,通过修改控制板驱动代码来实现该方案。通过实测新方案的波形,并观察PDP屏显... 分析了等离子体显示器中行扫描芯片的浪涌电压产生机理。结合浪涌电压产生机理从PDP驱动技术的角度提出抑制浪涌电压的理论方案,并以实验室PDP模组为实验载体,通过修改控制板驱动代码来实现该方案。通过实测新方案的波形,并观察PDP屏显示的静态图像与动态图像,验证了该方案可以有效抑制行扫描芯片的浪涌电压。该方案使得芯片的制造成本降低,从而缩减了整个PDP系统的成本。 展开更多
关键词 PDP 行扫描芯片 浪涌电压 驱动技术
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180 nm嵌入式闪存工艺中高压NMOS器件工艺加固技术
2
作者 陈晓亮 孙伟锋 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第23期347-354,共8页
抗辐射嵌入式闪存工艺在航空航天领域应用广泛,其中高压NMOS器件对总剂量辐射效应最敏感,对该器件进行加固是提高芯片抗辐射能力的关键之一.本文采用浅槽隔离(STI)场区离子注入工艺对180 nm嵌入式闪存工艺中的高压NMOS器件进行加固,实... 抗辐射嵌入式闪存工艺在航空航天领域应用广泛,其中高压NMOS器件对总剂量辐射效应最敏感,对该器件进行加固是提高芯片抗辐射能力的关键之一.本文采用浅槽隔离(STI)场区离子注入工艺对180 nm嵌入式闪存工艺中的高压NMOS器件进行加固,实验结果表明该加固器件存在两个主要问题:1)浅槽刻蚀后进行离子注入,后续热工艺较多,存在显著的杂质再分布效应,导致STI侧壁离子浓度降低,经过1×10^(5) rad(1 rad=10^(-2) Gy)(Si)辐照后,器件因漏电流增大而无法关断;2)加固离子注入降低了漏区PN结击穿电压,不能满足实际应用需求.为解决上述问题,本文提出了一种新型部分沟道离子注入加固方案.该方案调整加固离子注入工艺至热预算较多的栅氧工艺之后,减弱了离子再分布效应.另外,仅在STI边缘的沟道中部进行离子注入,不影响漏击穿电压.采用本方案对高压NMOS器件进行总剂量工艺加固,不改变器件的条形栅设计,对器件电学参数影响较小,与通用工艺兼容性好.测试结果表明,器件经过1.5×10^(5) rad(Si)总剂量辐照后,关态漏电流保持在10^(-12)A左右,这比传统的STI场区离子注入加固方案降低了5个数量级. 展开更多
关键词 总剂量辐射效应 工艺加固 高压器件 嵌入式闪存
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钝化层质量对高压功率器件可靠性的影响 被引量：2
3
作者 刘侠 夏晓娟 孙伟锋 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期465-468,共4页
针对钝化层质量对高压VDMOS器件可靠性的影响做了研究。通过流片生产中的产品遇到的实际问题,分析了高压VDMOS器件的钝化层可能存在的离子或者受热应力对器件可靠性的不良影响,并在实际工艺和芯片设计上作出了相应的改进,流片验证可靠... 针对钝化层质量对高压VDMOS器件可靠性的影响做了研究。通过流片生产中的产品遇到的实际问题,分析了高压VDMOS器件的钝化层可能存在的离子或者受热应力对器件可靠性的不良影响,并在实际工艺和芯片设计上作出了相应的改进,流片验证可靠性得到了有效的改善。 展开更多
关键词 垂直双扩散金属氧化物场效应管 可靠性 钝化层
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