为了探究含能材料在紫外激光辐照下的烧蚀特点及规律,采用光学显微镜、扫描电子显微镜以及微粒计数器等表征手段,分别对不同质量、不同厚度的黑索今(research department explosive,RDX)含能材料在紫外激光(波长为355 nm)辐照下的烧蚀...为了探究含能材料在紫外激光辐照下的烧蚀特点及规律,采用光学显微镜、扫描电子显微镜以及微粒计数器等表征手段,分别对不同质量、不同厚度的黑索今(research department explosive,RDX)含能材料在紫外激光(波长为355 nm)辐照下的烧蚀尺寸、烧蚀形貌以及冲击波引起的材料喷溅等特性进行表征与统计。研究结果表明,随着入射激光能量密度的不断增大,含能材料的横向烧蚀面积和纵向烧蚀深度均先增大后减小,且最终烧蚀面积保持在光斑面积大小,烧蚀深度保持在60μm左右;对于激光烧蚀诱导的含能材料微粒喷溅,中尺寸的微粒数量呈现先增多后减少的趋势,而大尺寸的微粒数量却一直减少。与大光斑激光辐照相比较,在相同能量密度下,小光斑辐照时的横向烧蚀面积更小,烧蚀致微粒喷溅的作用更强。展开更多
本文利用等离子体化学气相沉积PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition)技术制备了铜基-石墨烯复合薄膜,通过X射线衍射及Raman光谱证实了低温合成的可行性.同时,逐步研究压强、功率、气流量、基底温度等关键参数对沉积速率的...本文利用等离子体化学气相沉积PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition)技术制备了铜基-石墨烯复合薄膜,通过X射线衍射及Raman光谱证实了低温合成的可行性.同时,逐步研究压强、功率、气流量、基底温度等关键参数对沉积速率的影响,实现了对薄膜材料厚度和生长过程的准确控制.进一步研究发现,H_(2)与CH_(4)的气体比例严重影响了等离子体与基底表面的相互作用,并导致了材料表面微观结构和粗糙度的协同改变.通过工艺参数和气体配比的优化,实现了对薄膜表面结构的有效调节.当H_(2)/CH_(4)为1:12时,薄膜的粗糙度最低,电子与声子的散射源被充分抑制,电导率和热导率分别达到8.3×10^(6)S/cm与158 W/m·K,表明该材料具有良好的导电性及优秀的散热效果.本文系统优化PECVD生产过程中的各项关键工艺参数,并详细分析了气体配比、表面结构、粗糙度及薄膜宏观物性之间的关联,为铜基-石墨烯复合薄膜的工业化生产和商业化应用提供了理论支撑和实验依据.展开更多
文摘为了探究含能材料在紫外激光辐照下的烧蚀特点及规律,采用光学显微镜、扫描电子显微镜以及微粒计数器等表征手段,分别对不同质量、不同厚度的黑索今(research department explosive,RDX)含能材料在紫外激光(波长为355 nm)辐照下的烧蚀尺寸、烧蚀形貌以及冲击波引起的材料喷溅等特性进行表征与统计。研究结果表明,随着入射激光能量密度的不断增大,含能材料的横向烧蚀面积和纵向烧蚀深度均先增大后减小,且最终烧蚀面积保持在光斑面积大小,烧蚀深度保持在60μm左右;对于激光烧蚀诱导的含能材料微粒喷溅,中尺寸的微粒数量呈现先增多后减少的趋势,而大尺寸的微粒数量却一直减少。与大光斑激光辐照相比较,在相同能量密度下,小光斑辐照时的横向烧蚀面积更小,烧蚀致微粒喷溅的作用更强。
文摘本文利用等离子体化学气相沉积PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition)技术制备了铜基-石墨烯复合薄膜,通过X射线衍射及Raman光谱证实了低温合成的可行性.同时,逐步研究压强、功率、气流量、基底温度等关键参数对沉积速率的影响,实现了对薄膜材料厚度和生长过程的准确控制.进一步研究发现,H_(2)与CH_(4)的气体比例严重影响了等离子体与基底表面的相互作用,并导致了材料表面微观结构和粗糙度的协同改变.通过工艺参数和气体配比的优化,实现了对薄膜表面结构的有效调节.当H_(2)/CH_(4)为1:12时,薄膜的粗糙度最低,电子与声子的散射源被充分抑制,电导率和热导率分别达到8.3×10^(6)S/cm与158 W/m·K,表明该材料具有良好的导电性及优秀的散热效果.本文系统优化PECVD生产过程中的各项关键工艺参数,并详细分析了气体配比、表面结构、粗糙度及薄膜宏观物性之间的关联,为铜基-石墨烯复合薄膜的工业化生产和商业化应用提供了理论支撑和实验依据.
