期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到499篇文章
< 1 2 … 25 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
压电超声换能器金属外壳切削工艺研究
1
作者 李亚飞 董姝 +3 位作者 李瑞峰 鲜晓军 唐盘良 马晋毅 《压电与声光》 北大核心 2025年第1期69-74,共6页
为满足金属导电物体探测的要求,采用机械方法切削压电超声换能器金属外壳以形成0.10 mm绝缘台阶。借助有限元仿真软件ANSYS/LS DYNA分析发现,径向切削过程中陶瓷片所受应力为56.35 MPa,远小于轴向切削过程中陶瓷片所受应力216.25 MPa,... 为满足金属导电物体探测的要求,采用机械方法切削压电超声换能器金属外壳以形成0.10 mm绝缘台阶。借助有限元仿真软件ANSYS/LS DYNA分析发现,径向切削过程中陶瓷片所受应力为56.35 MPa,远小于轴向切削过程中陶瓷片所受应力216.25 MPa,故在分段叠加切削过程中陶瓷片所受的应力变形明显更小。结合理论分析和切削试验制定了3次叠加径向进刀工艺,优化了金属残留毛刺去除方法,解决了切削过程中频发的换能器匹配透声端面损伤及其与压电陶瓷分层的问题,对于压电超声换能器的应用推广具有重要意义。 展开更多
关键词 超声换能器 金属外壳 切削加工 有限元仿真
下载PDF
基于MPPC阵列的核辐射成像探测器性能影响因素研究
2
作者 陶祖才 王强 +6 位作者 肖雄 宋宝林 张文强 刘双全 黄先超 丁雨憧 徐扬 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第1期40-48,共9页
本文使用YSO晶体阵列和MPPC阵列组成核辐射成像探测器,探究了基于MPPC阵列的核辐射成像探测器性能关键影响因素,包括前端电阻网络、光导厚度和光导边缘切割深度。首先,前端电子学实验发现,采用均匀电荷分配电路(SCD)可改善图像变形问题... 本文使用YSO晶体阵列和MPPC阵列组成核辐射成像探测器,探究了基于MPPC阵列的核辐射成像探测器性能关键影响因素,包括前端电阻网络、光导厚度和光导边缘切割深度。首先,前端电子学实验发现,采用均匀电荷分配电路(SCD)可改善图像变形问题并提高信噪比。接着,在SCD基础上研究了不同厚度光导(0、1.0、1.5、2.0、2.5mm)对成像性能的影响,结果显示光导厚度为1.5mm时具有最佳分辨效果,但仍无法区分晶体阵列边缘像素。最后,在1.5mm光导基础上,对光导外围进行不同深度切割并插入增强型镜面反射膜(ESR),实验表明全部切透且加入反射膜时,可以明显区分出边缘晶体单元。 展开更多
关键词 MPPC阵列 YSO晶体阵列 核辐射成像探测器 电子学 前端电阻网络 光导厚度 光导边缘切割深度
下载PDF
掺铈钆镓铝石榴石闪烁晶体辐照效应研究
3
作者 韩恒利 王强 +6 位作者 万前银 屈菁菁 安康 陈研 肖雄 任科静 丁雨憧 《压电与声光》 北大核心 2025年第1期104-107,共4页
使用^(60)Co放射源对掺铈钆镓铝石榴石(Ce:GAGG)闪烁晶体样品进行辐照,剂量率为3×10^(5)Rad/h,辐照总剂量分别为10^(6)Rad、10^(7)Rad和10^(8)Rad。通过测试辐照前后Ce:GAGG闪烁晶体样品的透过率、相对光输出、能量分辨率及衰减时... 使用^(60)Co放射源对掺铈钆镓铝石榴石(Ce:GAGG)闪烁晶体样品进行辐照,剂量率为3×10^(5)Rad/h,辐照总剂量分别为10^(6)Rad、10^(7)Rad和10^(8)Rad。通过测试辐照前后Ce:GAGG闪烁晶体样品的透过率、相对光输出、能量分辨率及衰减时间来研究辐照效应。实验结果表明,经过10^(8)Rad辐照,晶体的透过率在450~900 nm波段无明显变化,在320 nm处降幅最大(为8.9%);晶体的光输出降低了1.47%,能量分辨率略有下降;晶体的相对光输出、能量分辨率及衰减时间等性能未发生明显改变。验证了该晶体具有良好的抗γ辐照能力,在高剂量核辐射探测领域中具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 透过率 相对光输出 能量分辨率 衰减时间 辐照损伤
下载PDF
一种射频SiP模组链路快速验证方法研究
4
作者 崔梦琦 余怀强 +2 位作者 张磊 王玺 代春玥 《压电与声光》 北大核心 2025年第1期108-112,共5页
针对射频SiP模组设计周期长、成本高、兼容性差等问题,提出了一种射频SiP模组链路快速验证方法。该方法将射频SiP模组内的射频器件分装于不同积木块中,再将积木块拼接形成有目标电路功能的验证链路。通过对该链路进行测试,可快速验证射... 针对射频SiP模组设计周期长、成本高、兼容性差等问题,提出了一种射频SiP模组链路快速验证方法。该方法将射频SiP模组内的射频器件分装于不同积木块中,再将积木块拼接形成有目标电路功能的验证链路。通过对该链路进行测试,可快速验证射频SiP模组设计是否达标。为实现积木块间良好互连,设计了高频连接桥压接结构。测试结果经去嵌计算,得到18 GHz内插入损耗最大值为1.34 dB。通过搭建与测试二次变频射频SiP模组链路,表明该方法具备低损耗、可重构、可复用等特性,对射频SiP模组快速设计具有重要的工程意义。 展开更多
关键词 射频SiP 快速验证 高频连接桥 可重构 可复用
下载PDF
TC-SAW SiO_(2)温补层性能研究
5
作者 贺贞 李燕 +3 位作者 田本朗 马晋毅 肖强 梁柳洪 《压电与声光》 北大核心 2025年第1期88-91,共4页
为制备高性能的TC-SAW SiO_(2)温补层,分别采用电子束蒸发镀膜和反应磁控溅射制备SiO_(2)薄膜,研究两种制备工艺对SiO_(2)薄膜致密性、表面粗糙度及弹性模量的影响。采用扫描电子显微镜、原子力显微镜、X线衍射仪对SiO_(2)薄膜的形貌和... 为制备高性能的TC-SAW SiO_(2)温补层,分别采用电子束蒸发镀膜和反应磁控溅射制备SiO_(2)薄膜,研究两种制备工艺对SiO_(2)薄膜致密性、表面粗糙度及弹性模量的影响。采用扫描电子显微镜、原子力显微镜、X线衍射仪对SiO_(2)薄膜的形貌和晶体结构进行分析。采用椭偏仪测试薄膜折射率及腐蚀后的膜厚变化量,并通过纳米压痕仪测量计算薄膜的硬度和弹性模量。结果表明,反应磁控溅射制备的SiO_(2)薄膜更致密、薄膜表面粗糙度更小、弹性模量更大。采用反应磁控溅射制备的SiO_(2)薄膜作为TC-SAW温补层,可以获得频率温度系数为-8.6×10^(-6)/℃的TC-SAW器件。 展开更多
关键词 TC-SAW SiO_(2)温补层 反应磁控溅射
下载PDF
GAGG:Ce探测器封装技术研究 被引量：1
6
作者 万前银 王强 +5 位作者 谢玉清 肖雄 张泽涛 丁雨憧 任科静 徐扬 《原子能科学技术》 北大核心 2025年第1期183-188,共6页
为提升新型闪烁晶体GAGG:Ce在辐射探测器封装中的闪烁光子收集效率,通过蒙特卡罗程序Geant4和对比实验对?25.4 mm×25.4 mm的GAGG:Ce闪烁晶体的封装技术进行了研究。基于Geant4的LUT光子运输模型分析了晶体表面为镜面和打毛两种条件... 为提升新型闪烁晶体GAGG:Ce在辐射探测器封装中的闪烁光子收集效率,通过蒙特卡罗程序Geant4和对比实验对?25.4 mm×25.4 mm的GAGG:Ce闪烁晶体的封装技术进行了研究。基于Geant4的LUT光子运输模型分析了晶体表面为镜面和打毛两种条件下,分别搭配镜面反射和漫反射反射层的光收集效率。在晶体的表面处理工艺确定后,通过实验分别对比了反射层材料及厚度、光学耦合剂折射率和光电转换器件等因素对探测器封装的影响。研究结果表明:晶体的入射面和侧面打毛、出光面抛光后,以1 mm厚度的二氧化钛涂料作为反射层,使用折射率为1.70的光学胶耦合R6231-100光电倍增管,可封装出较高闪烁光子收集效率的GAGG:Ce辐射探测器,其能量分辨率可达4.68%(@662 keV)。 展开更多
关键词 GAGG:Ce 光子收集效率 封装技术 能量分辨率
下载PDF
ICP刻蚀Mo侧壁角度及刻蚀速率的研究
7
作者 田本朗 梁柳洪 +3 位作者 何成勇 罗淦 郭耀祖 米佳 《压电与声光》 北大核心 2025年第1期59-62,共4页
采用基于Cl基气体的电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀设备对金属Mo薄膜进行刻蚀,研究了刻蚀条件对侧壁角度以及刻蚀速率的控制。通过调节ICP干法刻蚀过程中射频源功率、ICP离子源功率、腔体压力、混合气体流量比例等工艺参数,实现了14.8&#... 采用基于Cl基气体的电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀设备对金属Mo薄膜进行刻蚀,研究了刻蚀条件对侧壁角度以及刻蚀速率的控制。通过调节ICP干法刻蚀过程中射频源功率、ICP离子源功率、腔体压力、混合气体流量比例等工艺参数,实现了14.8°~85.0°图形侧壁倾角,表明图形侧壁角度可在大范围内得到控制,刻蚀速率可在148~232 nm/min调节,为薄膜体声波谐振器(FBAR)器件研制工艺打下良好基础。 展开更多
关键词 电感耦合等离子体(ICP) MO 薄膜体声波谐振器(FBAR) 侧壁角度 刻蚀速率
下载PDF
微生物聚焦的微流控芯片研究
8
作者 袁宇鹏 蒋卓雅 +2 位作者 李顺波 龙帅 李小飞 《压电与声光》 北大核心 2025年第1期75-80,共6页
针对流式细胞仪中聚焦细菌、酵母菌等小直径微生物困难的问题,开展微生物聚焦的微流控芯片研究。在传统直通道的基础上设计新型方形通道,建立方形通道微流控芯片的有限元模型,通过流体与运动轨迹的有限元仿真实现对通道宽度、长度等结... 针对流式细胞仪中聚焦细菌、酵母菌等小直径微生物困难的问题,开展微生物聚焦的微流控芯片研究。在传统直通道的基础上设计新型方形通道,建立方形通道微流控芯片的有限元模型,通过流体与运动轨迹的有限元仿真实现对通道宽度、长度等结构参数的优化设计。通道宽度为20μm、单位长度为80μm时,粒子仿真运动范围为通道的63%。提出了基于硅基衬底的微流控芯片制备方法,制备出方形通道微流控芯片实物。搭建了流式细胞仪原理样机,对方形通道微流控芯片进行了验证实验。实验结果表明,通道总长度约为2.16 cm,酵母菌实际运动范围为70%,表明微流控芯片可达到聚焦酵母菌的设计要求。 展开更多
关键词 微流控芯片 聚焦 方形通道 粒子轨迹仿真
下载PDF
高密度电子系统的微热控技术研究 被引量：7
9
作者 李晖 李左翰 +2 位作者 胡少勤 米佳 毛世平 《微电子学》 CAS 北大核心 2020年第4期548-554,共7页
在摩尔定律提出之后的50年时间里,电子系统的集成度和组装度不断提高,功率和热流密度越来越大,微热管理技术已成为高密度电子系统(包括元器件、芯片、组/部件及系统本身)设计与制造的重要研究目标。文章分析了微热控技术的发展背景,叙... 在摩尔定律提出之后的50年时间里,电子系统的集成度和组装度不断提高,功率和热流密度越来越大,微热管理技术已成为高密度电子系统(包括元器件、芯片、组/部件及系统本身)设计与制造的重要研究目标。文章分析了微热控技术的发展背景,叙述了微通道、微热管和微喷射等三种基本热控系统的典型结构和工作原理。最后,介绍了近年来具有代表性的微热控技术的发展现状和技术成果。 展开更多
关键词 电子系统 微热控技术 散热管理 微通道 微热管 微喷射
原文传递
元器件研究所工艺装备管理模式探究 被引量：1
10
作者 王晋荣 刘良芳 +1 位作者 谭思亮 许波 《重庆工商大学学报（自然科学版）》 2015年第1期59-63,共5页
工艺装备管理作为工艺技术管理的重要组成部分,越来越受到产品种类多、批次量不大的各类元器件研究所的重视;但由于该类研究所固有的工艺装备种类繁多,专用工装比例大,工装设计更改频繁等特点,使得常规工艺装备管理方式无法取得好的效果... 工艺装备管理作为工艺技术管理的重要组成部分,越来越受到产品种类多、批次量不大的各类元器件研究所的重视;但由于该类研究所固有的工艺装备种类繁多,专用工装比例大,工装设计更改频繁等特点,使得常规工艺装备管理方式无法取得好的效果;从完善制度流程、立体分类、信息化动态管理3方面思考分析,探究元器件类研究所工艺装备管理模式,促进工艺装备管理水平的持续提升。 展开更多
关键词 工艺装备 信息化动态管理 制度 分类
下载PDF
一种横向耦合改进型结构极窄带声表面波滤波器研究 被引量：1
11
作者 张显洪 杨卫东 +3 位作者 肖强 蒋道军 张晟 施建峰 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第3期306-309,共4页
该文采用波导法分析了横向耦合极窄带声表面波滤波器速度变化模式,并用多物理场COMSOL软件对横向耦合声表面波滤波器的中心耦合条结构和耦合距离的变化建模进行计算,并分析频响特性。采用石英晶体作为底衬,设计了频率为898.144 MHz,插... 该文采用波导法分析了横向耦合极窄带声表面波滤波器速度变化模式,并用多物理场COMSOL软件对横向耦合声表面波滤波器的中心耦合条结构和耦合距离的变化建模进行计算,并分析频响特性。采用石英晶体作为底衬,设计了频率为898.144 MHz,插入损耗约为6 dB的极窄带声表面波滤波器并进行验证。结果表明,中心耦合条开腔结构的声表面波滤波器的相对带宽达到7.2‰,与不开腔结构5.2‰相对带宽相比,提升了2‰。这说明横向耦合声表面波滤波器的中心耦合条结构变化,能改变极窄带声表面波滤波器的相对带宽。 展开更多
关键词 横向耦合 极窄带 声表面波滤波器 物理场COMSOL软件 相对带宽
下载PDF
氢离子注入钽酸锂的翘曲变化及颗粒研究
12
作者 龙勇 肖梦涵 +5 位作者 陈哲明 邹少红 刘善琼 石自彬 丁雨憧 马晋毅 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第4期591-595,共5页
声表面波(SAW)滤波器急需使用高质量的钽酸锂压电单晶复合薄膜衬底材料来提升性能。离子注入后,晶圆翘曲增大,颗粒增加,键合工艺易产生不规则条纹和键合空洞等缺陷,严重阻碍高质量钽酸锂压电单晶复合薄膜材料的制备。通过X线衍射(XRD)... 声表面波(SAW)滤波器急需使用高质量的钽酸锂压电单晶复合薄膜衬底材料来提升性能。离子注入后,晶圆翘曲增大,颗粒增加,键合工艺易产生不规则条纹和键合空洞等缺陷,严重阻碍高质量钽酸锂压电单晶复合薄膜材料的制备。通过X线衍射(XRD)、聚焦离子束透射电镜(FIB-TEM)及颗粒测试仪等设备对注入内部应力、损伤和颗粒变化进行分析表征,解释了翘曲增大和颗粒增多的原因,并提出了相应的解决方法,最后成功制备了翘曲低、颗粒少的注入晶圆。通过键合工艺进一步验证,获得了无条纹和空洞等缺陷的高质量键合晶圆,为钽酸锂压电单晶复合薄膜的高效制备奠定了基础。 展开更多
关键词 离子注入 钽酸锂压电晶圆 翘曲 颗粒 键合
下载PDF
用于压电单晶薄膜晶圆制备的键合面清洗技术研究
13
作者 刘善群 丁雨憧 +5 位作者 陈哲明 石自彬 龙勇 邹少红 庾桂秋 张莉 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第5期700-703,728,共5页
高性能薄膜声表面波滤波器对压电单晶薄膜晶圆键合面的洁净度提出了严苛的要求。目前采用的常规清洗技术对因离子注入后而残留的大量颗粒等污染物的去除效率低,导致键合晶圆存在较多气泡或者空洞,因此提出了一种采用硫酸与过氧化氢混合... 高性能薄膜声表面波滤波器对压电单晶薄膜晶圆键合面的洁净度提出了严苛的要求。目前采用的常规清洗技术对因离子注入后而残留的大量颗粒等污染物的去除效率低,导致键合晶圆存在较多气泡或者空洞,因此提出了一种采用硫酸与过氧化氢混合溶液(SPM)清洗和新型复合清洗液刷洗清洗技术的两步清洗法。采用此工艺后,晶圆表面的颗粒数由离子注入后的148000降到23,有效去除了晶圆键合面沾污、颗粒等污染物,显著提高了键合晶圆的质量。该清洗技术已成功应用于压电单晶薄膜晶圆LTOI材料的制备。 展开更多
关键词 压电单晶薄膜晶圆 清洗技术 离子注入 晶圆键合 表面洁净度
下载PDF
背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器制备技术研究
14
作者 徐阳 司美菊 +5 位作者 吴高米 刘文怡 巩乐乐 甄静怡 余奇 陈金琳 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第3期296-299,共4页
随着移动通信技术的快速发展,薄膜体声波滤波器逐渐向高频和大带宽方向发展。该文研究了POI(LiNbO_(3)/SiO_(2)/Si)基片上背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器制作工艺,通过研究POI基IDT光刻、背腔硅刻蚀等工艺,确定了IDT层曝光量和背... 随着移动通信技术的快速发展,薄膜体声波滤波器逐渐向高频和大带宽方向发展。该文研究了POI(LiNbO_(3)/SiO_(2)/Si)基片上背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器制作工艺,通过研究POI基IDT光刻、背腔硅刻蚀等工艺,确定了IDT层曝光量和背腔刻蚀等关键工艺参数。研制出的背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器,其谐振频率为4565 MHz,反谐振频率为5035 MHz,机电耦合系数为20.86%。此制备工艺对研究高频、大带宽薄膜体声波滤波器具有重要的参考意义。 展开更多
关键词 干法刻蚀 刻蚀速率 横向激励 机电耦合系数 薄膜体声波谐振器
下载PDF
水平定向结晶法生长浓度渐变Yb∶YAG激光晶体及光谱性能研究
15
作者 丁雨憧 张灵 +4 位作者 李海林 张月 唐杨 强铭 林辉 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第10期1688-1698,共11页
本文采用水平定向结晶(HDC)法成功生长出180 mm×81 mm×16 mm的浓度渐变Yb∶YAG激光晶体,从放肩部位和尾部分别获取了尺寸为40 mm×40 mm×7 mm、70 mm×70 mm×7 mm的Yb∶YAG激光晶体板条各两件。采用632 nm... 本文采用水平定向结晶(HDC)法成功生长出180 mm×81 mm×16 mm的浓度渐变Yb∶YAG激光晶体,从放肩部位和尾部分别获取了尺寸为40 mm×40 mm×7 mm、70 mm×70 mm×7 mm的Yb∶YAG激光晶体板条各两件。采用632 nm激光、偏光应力仪对晶体板条的光学性质进行检测,实验结果发现靠近晶坯自由表面的板条内部通透,无散射光路,应力较小且分布均匀,表明该晶体板条具有优异的光学质量。进一步测试分析了晶体板条不同位置处的吸收光谱,根据935 nm波长处的吸收系数计算出Yb^(3+)的掺杂浓度,发现40 mm×40 mm×7 mm的激光晶体板条中Yb^(3+)掺杂浓度沿晶体生长方向逐步增加,浓度梯度约为0.42%/cm;而70 mm×70 mm×7 mm的激光晶体板条中Yb^(3+)掺杂浓度几乎保持不变,约为4.50%。 展开更多
关键词 浓度渐变 光谱性能 Yb∶YAG 水平定向结晶法 激光晶体
下载PDF
电子元器件失效分析及技术发展趋势研究
16
作者 邓力 《中文科技期刊数据库（文摘版）工程技术》 2021年第5期397-397,399,共2页
在当前电子工程科学应用技术快速进步发展的大背景下,集成电路技术应用覆盖范围也在不断扩大,为有效提高应用集成电路正常运行时的可靠性,必须一定要认真做好相关电子科学元器件短路失效原因分析控制工作。本文就针对应用电子集成元器... 在当前电子工程科学应用技术快速进步发展的大背景下,集成电路技术应用覆盖范围也在不断扩大,为有效提高应用集成电路正常运行时的可靠性,必须一定要认真做好相关电子科学元器件短路失效原因分析控制工作。本文就针对应用电子集成元器件技术失效设计原因分析展开讨论,从设计失效原因现象分析确认、样品材料制备与质量保存、电性性能分析和电子物理特性分析等等多个关键方面进行入手,探讨应用电子集成元器件设计失效原因分析相关技术应用方法,并重点指出应用电子集成元器件设计失效原因分析相关技术当前发展所存在面临的重大挑战,旨在大大提高电子集成电路设计可靠性。 展开更多
关键词 电子元器件 失效分析 技术
下载PDF
创新链视角下的美国微电子领域政策布局
17
作者 毛海燕 王天宇 王鹏 《国防科技》 2024年第6期26-33,共8页
研究美国微电子政策布局,有利于明确美微电子政策的协同性特征,为我国应对相关政策影响及自身政策规划提供有效参考。运用创新链理论,梳理美国在微电子领域的政策布局情况,明确政策对应主体与采取手段,并总结政策的布局特征。微电子作... 研究美国微电子政策布局,有利于明确美微电子政策的协同性特征,为我国应对相关政策影响及自身政策规划提供有效参考。运用创新链理论,梳理美国在微电子领域的政策布局情况,明确政策对应主体与采取手段,并总结政策的布局特征。微电子作为支撑社会发展的基础性产业,对确保国家经济稳健与保证国防安全至关重要。当前美国在微电子领域的政策已覆盖全创新链,呈现出多主体间的协同特征以及对于高弹性本土创新链、产业链的建设需求,强调通过多方协同继续保持美国在微电子领域的领先优势。 展开更多
关键词 政策布局 创新链 微电子产业政策
下载PDF
硅基钽酸锂异质晶圆键合工艺研究 被引量：2
18
作者 陈哲明 丁雨憧 +3 位作者 邹少红 龙勇 石自彬 马晋毅 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第4期634-640,共7页
5G移动通信的发展对声表面波滤波器提出了高频、小型化、集成化的要求。相较于传统压电体单晶材料,采用硅基压电单晶薄膜材料制备的声表面波滤波器具有高频、低插入损耗、高温稳定性等优势,是高性能声表面波器件发展的核心基础材料。Sma... 5G移动通信的发展对声表面波滤波器提出了高频、小型化、集成化的要求。相较于传统压电体单晶材料,采用硅基压电单晶薄膜材料制备的声表面波滤波器具有高频、低插入损耗、高温稳定性等优势,是高性能声表面波器件发展的核心基础材料。Smart-Cut^(TM)是制备硅基压电单晶薄膜材料的主要方法,键合工艺是其中的核心工序,键合质量决定了硅基压电单晶薄膜晶圆材料的质量,并影响器件性能。本文通过低温直接键合工艺,对等离子活化、兆声清洗、预键合、键合加固四道工序展开优化,最终实现了键合强度高达1.84 J/m^(2)、键合面积超过99.9%的高质量硅基钽酸锂异质晶圆键合。 展开更多
关键词 硅基钽酸锂 低温直接键合 等离子活化 兆声清洗 预键合 键合加固 声表面波滤波器
下载PDF
硬性BSPT基高温压电陶瓷温度稳定性研究 被引量：1
19
作者 迟文潮 鲜晓军 +4 位作者 冯小东 李瑞峰 彭胜春 刘振华 曾祥明 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第1期37-41,共5页
采用固相合成法在1125~1175℃烧结范围内制备了0.15BiScO_(3)-0.85(Pb_(0.88)Bi_(0.08))(Ti^(0.97)Mn_(0.03))O_(3)(BSPT-Mn)高温压电陶瓷。所有样品均为纯相,晶粒尺寸分布符合正态规律,掺杂元素均匀,未发现明显的富集现象。研究表明,在... 采用固相合成法在1125~1175℃烧结范围内制备了0.15BiScO_(3)-0.85(Pb_(0.88)Bi_(0.08))(Ti^(0.97)Mn_(0.03))O_(3)(BSPT-Mn)高温压电陶瓷。所有样品均为纯相,晶粒尺寸分布符合正态规律,掺杂元素均匀,未发现明显的富集现象。研究表明,在1150℃烧结制备的BSPT-Mn高温压电陶瓷的最大机械品质因数为1500.3,在484.4℃温度下压电常数为289.8 pC/N,压电性能良好。 展开更多
关键词 压电陶瓷 钪酸铋-钛酸铅(BS-PT) 机械品质因数 温度稳定性
下载PDF
军用电子元器件可靠性强化试验的可行性研究 被引量：6
20
作者 朱朝轩 罗俊 +1 位作者 林震 吴兆希 《电子产品可靠性与环境试验》 2018年第4期40-43,共4页
基于可靠性强化试验的原理和特点,对军用电子元器件的可靠性强化试验的可行性进行了分析。根据可靠性强化试验技术及其特点,分析了军用电子元器件可靠性强化试验的试验应力的选择、试验剖面的建立、敏感参数的在线测试和测试夹具的开发... 基于可靠性强化试验的原理和特点,对军用电子元器件的可靠性强化试验的可行性进行了分析。根据可靠性强化试验技术及其特点,分析了军用电子元器件可靠性强化试验的试验应力的选择、试验剖面的建立、敏感参数的在线测试和测试夹具的开发等关键技术,以阐述军用元器件可靠性强化试验的可行性,并且提出了对军用元器件进行可靠性强化试验的实施方案和基本实施流程。 展开更多
关键词 军用电子元器件 可靠性强化试验 可行性 试验应力 试验剖面 敏感参数 试验夹具
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 2 … 25 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部