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中国电子科技集团公司第十三研究所高韧性陶瓷材料及其制备方法获美国专利
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作者 高岭 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第10期735-735,共1页
中国电子科技集团公司第十三研究所高韧性陶瓷材料及其制备方法研究成果,获得美国国际发明专利授权。中国电子科技集团公司第十三研究所持续开展外壳领域的核心技术研发工作,通过持续研发、优化对高性能陶瓷材料配方研究,研发出一整套... 中国电子科技集团公司第十三研究所高韧性陶瓷材料及其制备方法研究成果,获得美国国际发明专利授权。中国电子科技集团公司第十三研究所持续开展外壳领域的核心技术研发工作,通过持续研发、优化对高性能陶瓷材料配方研究,研发出一整套制备工艺方法, 展开更多
关键词 中国电子科技集团公司 制备方法 美国专利 陶瓷材料 研究所 高韧性 研发工作 高性能陶瓷
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中国电子科技集团公司第十三研究所激光器产品推介
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作者 刘小文 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第10期799-799,共1页
中国电子科技集团公司第十三研究所研发生产半导体激光器、固态激光器和光纤激光器三大系列激光器。半导体激光器以高功率为主要特点,在800-1064nm近红外波段,连续功率达到3000W,脉冲功率达到5000W,
关键词 中国电子科技集团公司 半导体激光器 研究所 产品推介 光纤激光器 固态激光器 近红外波段 脉冲功率
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中国电子科技集团公司研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路
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作者 蔚翠 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第8期624-624,共1页
日前,中国电子科技集团公司第十三研究所在石墨烯射频领域取得里程碑式的成果,在石墨烯放大器单片电路设计和电路关键工艺上取得突破,成功研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路(成果发表于IEEE Electron Dev.Lett.,37,2016)。该电路... 日前,中国电子科技集团公司第十三研究所在石墨烯射频领域取得里程碑式的成果,在石墨烯放大器单片电路设计和电路关键工艺上取得突破,成功研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路(成果发表于IEEE Electron Dev.Lett.,37,2016)。该电路工作于Ku波段,中心频率14.3 GHz,最大增益为3.4 d B,最小噪声系数为6.2 d B。此项工作对加速推动石墨烯在射频领域的应用具有里程碑式的意义。 展开更多
关键词 石墨烯 低噪声放大器 单片集成电路 噪声系数 ELECTRON 电路工作 电路设计 国际领先地位
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中国电子科技集团公司研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路
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作者 蔚翠 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2016年第11期835-835,共1页
日前,中国电子科技集团公司第十三研究所在石墨烯射频领域取得里程碑式的成果,在石墨烯放大器单片电路设计和电路关键工艺上取得突破,成功研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路(成果发表于IEEE Electron Dev.Lett.,37,2016)。该电路... 日前,中国电子科技集团公司第十三研究所在石墨烯射频领域取得里程碑式的成果,在石墨烯放大器单片电路设计和电路关键工艺上取得突破,成功研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路(成果发表于IEEE Electron Dev.Lett.,37,2016)。该电路工作于Ku波段,中心频率14.3 GHz,最大增益为3.4 d B,最小噪声系数为6.2 d B。 展开更多
关键词 中国电子科技集团公司 单片集成电路 低噪声放大器 石墨 关键工艺 电路设计 IEEE KU波段
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深硅刻蚀晶圆位置偏移分析与研究
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作者 商庆杰 康建波 +1 位作者 张发智 宋洁晶 《微纳电子技术》 CAS 2024年第2期162-167,共6页
晶圆位置偏移过大是导致深硅刻蚀设备发生传片报警问题的主要原因之一,尤其是在采用静电卡盘的设备中。阐述了晶圆位置发生偏移原因,重点研究了解吸附配方、顶针驱动和片间清洗方案。研究表明,静电吸盘的表面聚合物残留是导致静电释放... 晶圆位置偏移过大是导致深硅刻蚀设备发生传片报警问题的主要原因之一,尤其是在采用静电卡盘的设备中。阐述了晶圆位置发生偏移原因,重点研究了解吸附配方、顶针驱动和片间清洗方案。研究表明,静电吸盘的表面聚合物残留是导致静电释放不充分的主要因素,表面聚合物的清除有助于优化晶圆位置偏移。电动三针在固有残留静电力的情况下,通过缓慢连续升针方案缓解了跳片现象。优化片间清洗方案大幅减小表面聚合物残留。实验结果表明:优化后的解吸附配方为工艺时长90 s、电极功率1000 W、气压20 mTorr(1 mTorr≈0.133 Pa)、氩气体积流量250 mL/min,电动三针接触晶圆前、接触中、脱离静电吸盘后的升针速度分别为3、2和6 mm/s,在上述工艺条件下,通过进一步优化片间清洗方案,使得晶圆位置偏移量从初始的2~6 mm降至0.2 mm以内。 展开更多
关键词 深硅刻蚀 晶圆位置偏移 静电吸盘 解吸附配方 电动三针 片间清洗
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电子元器件金铝键合失效分析研究
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作者 高若源 裴选 +4 位作者 席善斌 王伟 高东阳 彭浩 黄杰 《电子产品可靠性与环境试验》 2023年第6期74-78,共5页
金铝键合失效是电子元器件常见的失效模式之一。对某型号射频芯片和检波器两例产品开展了失效分析研究。结果表明,一例失效产品出现了键合丝脱落的情况,一例失效产品出现了键合拉力几乎为零的情况,这是由于铝焊盘与金键合丝之间形成了... 金铝键合失效是电子元器件常见的失效模式之一。对某型号射频芯片和检波器两例产品开展了失效分析研究。结果表明,一例失效产品出现了键合丝脱落的情况,一例失效产品出现了键合拉力几乎为零的情况,这是由于铝焊盘与金键合丝之间形成了金铝间化合物,金铝间化合物电阻率较高,使得键合强度降低或键合脱开,最终导致产品失效。研究了金铝化合物的失效机理,借助扫描电子显微镜对金铝化合物形貌及元素进行了分析,最后对金铝化合物所导致的失效提出了预防和改进措施,对于提高电子元器件的可靠性具有一定的借鉴意义。 展开更多
关键词 金铝键合 金铝化合物 失效分析 可靠性 柯肯德尔
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SiC功率模块封装材料的研究进展
7
作者 程书博 张金利 +2 位作者 张义政 吴亚光 王维 《科技创新与应用》 2024年第3期106-109,共4页
随着SiC功率模块的高频高速、高压大电流、高温、高散热和高可靠发展趋势,基于封装结构和封装材料的SiC功率模块封装技术也在不断地更新换代。与封装结构相比,SiC功率模块封装材料的相关研究报道较少。该文从封装材料角度出发,综述近年... 随着SiC功率模块的高频高速、高压大电流、高温、高散热和高可靠发展趋势,基于封装结构和封装材料的SiC功率模块封装技术也在不断地更新换代。与封装结构相比,SiC功率模块封装材料的相关研究报道较少。该文从封装材料角度出发,综述近年来陶瓷覆铜基板、散热底板、黏结材料、互连材料及灌封材料的研究进展,同时引出相关封装材料的研究重点,以满足SiC功率模块的应用需求。 展开更多
关键词 SiC功率模块 封装材料 陶瓷覆铜基板 散热底板 黏结材料 互连材料 灌封材料
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平行缝焊微电子器件的光学检漏
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作者 张泽丰 徐达 +2 位作者 谭亮 魏少伟 马紫成 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第3期285-291,共7页
光学检漏为非接触式封装漏率测量方法,且单次测试可同时完成粗检及细检,是一种快速的封装检漏技术。对光学检漏与氦质谱检漏的漏率计算公式进行了详细分析和对比。设计了多组实验探究如工装翘曲度、封装内空腔体积等因素对光学检漏检测... 光学检漏为非接触式封装漏率测量方法,且单次测试可同时完成粗检及细检,是一种快速的封装检漏技术。对光学检漏与氦质谱检漏的漏率计算公式进行了详细分析和对比。设计了多组实验探究如工装翘曲度、封装内空腔体积等因素对光学检漏检测结果的影响,分析了光学检漏的“充压”问题并给出解决方案,对比了光学检漏与氦质谱检漏的检测漏率。分析了光学检漏技术的优缺点,并通过实验验证了光学检漏的可行性及可靠性,为微电子器件的光学检漏应用提供参考。 展开更多
关键词 微电子器件 光学检漏 平行缝焊 密封 氦质谱检漏
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Sn95Sb5焊料与ENIG/ENEPIG镀层焊点界面可靠性研究
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作者 徐达 魏少伟 +2 位作者 申飞 梁志敏 马紫成 《电子与封装》 2024年第3期29-33,共5页
研究了Sn95Sb5焊料在化学镍金(ENIG)镀层、化学镍钯浸金(ENEPIG)镀层表面形成的焊点界面微观组织形貌与剪切强度。使用Sn95Sb5焊料在FR4印制板上焊接0805片式电容,焊点在高温时效测试和温度循环过程中均表现出较高的剪切强度,焊点界面... 研究了Sn95Sb5焊料在化学镍金(ENIG)镀层、化学镍钯浸金(ENEPIG)镀层表面形成的焊点界面微观组织形貌与剪切强度。使用Sn95Sb5焊料在FR4印制板上焊接0805片式电容,焊点在高温时效测试和温度循环过程中均表现出较高的剪切强度,焊点界面连续且完整,剪切强度下降的最大幅度不超过19.2%。Sn95Sb5焊料在ENIG镀层表面形成的焊点(Sn95Sb5/ENIG焊点)强度更高。Sn95Sb5焊料在ENEPIG镀层表面形成的焊点(Sn95Sb5/ENEPIG焊点)界面反应更为复杂,在焊点界面附近可观察到条块状的(Pd,Ni,Au) Sn4。Sn95Sb5/ENEPIG焊点界面的金属间化合物层平均厚度约为Sn95Sb5/ENIG焊点界面的2倍。 展开更多
关键词 Sn95Sb5焊料 化学镍金镀层 化学镍钯浸金镀层 回流焊 封装技术
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直流磁控溅射系统研究及其维护
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作者 吴海 张文朋 +1 位作者 王露寒 程壹涛 《电子工业专用设备》 2024年第1期24-29,共6页
通过介绍磁控溅射镀膜系统的原理,分析了磁控溅射系统在溅射镀膜的过程中遇到的沉积速率、沉积均匀性、常见故障等方面的问题,对沉积速率和沉积均匀性的影响因素进行了具体地研究;同时描述了设备在使用过程中经常遇到的一些故障,对这些... 通过介绍磁控溅射镀膜系统的原理,分析了磁控溅射系统在溅射镀膜的过程中遇到的沉积速率、沉积均匀性、常见故障等方面的问题,对沉积速率和沉积均匀性的影响因素进行了具体地研究;同时描述了设备在使用过程中经常遇到的一些故障,对这些故障发生的原因进行了详细地分析,根据原因分析给出了故障的具体解决方法;最后,对磁控溅射系统在日常使用过程中的保养和维护方面提出了一些建议。注重日常的保养和维护可大大降低设备的故障率。 展开更多
关键词 磁控溅射 沉积速率 沉积均匀性 设备维护
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基于AlN钝化层的异面GaAs光电导开关初步研究
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作者 杨光晖 杨迎香 +2 位作者 程骏 吴小帅 胡龙 《通讯世界》 2024年第2期196-198,共3页
为解决GaAs光电导开关(PCSS)电极接触区局部高电场和热累积效应的问题。引入高热导率、高临界击穿电场强度及热稳定性优的AlN薄膜钝化GaAs PCSS,探索了AlN薄膜的制备工艺,分析了其元素成分、折射率及特征击穿电场强度(Eb)。同时制备了Al... 为解决GaAs光电导开关(PCSS)电极接触区局部高电场和热累积效应的问题。引入高热导率、高临界击穿电场强度及热稳定性优的AlN薄膜钝化GaAs PCSS,探索了AlN薄膜的制备工艺,分析了其元素成分、折射率及特征击穿电场强度(Eb)。同时制备了AlN-GaAs PCSS,分析了不同偏置电压下PCSS的瞬态特性,探究了GaAs PCSS的损伤机制。结果表明,溅射功率为40 W、Ar:N2比为24:2、压强为0.8 Pa时,AlN薄膜的质量最优;在905 nm、2μJ、50 kV/cm下,AlN-GaAs PCSS输出幅值为9.6 kV、上升时间为450 ps、脉冲宽度为2.3 ns,初步验证AlN薄膜的引入在提升GaAs PCSS可靠性方面具有可行性。 展开更多
关键词 GaAs PCSS ALN薄膜 钝化 瞬态特性 特征击穿电场强度
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可伐合金预氧化工艺对金属-玻璃封接气密性的影响研究
12
作者 张玉 刘旭 刘林杰 《山西冶金》 CAS 2024年第2期45-47,共3页
可伐合金和硅硼玻璃是通过可伐合金表面的氧化物与玻璃互溶而紧密结合在一起的,因此可伐合金的预氧化工艺是金属-玻璃封接的关键工序,是直接影响金属-玻璃封接气密性的重要因素。基于空气预氧化方法分析预氧化温度、时间、曲线等工艺因... 可伐合金和硅硼玻璃是通过可伐合金表面的氧化物与玻璃互溶而紧密结合在一起的,因此可伐合金的预氧化工艺是金属-玻璃封接的关键工序,是直接影响金属-玻璃封接气密性的重要因素。基于空气预氧化方法分析预氧化温度、时间、曲线等工艺因素对可伐合金在空气中预氧化及封接外壳气密性的影响。结果表明,可伐合金在空气中的氧化层厚度随温度和时间单调增加,在500~550℃空气气氛中氧化15~20 min,可伐合金表面形成0.7~1.6μm厚的氧化层,金属-玻璃封接外壳可获得较高的气密可靠性。 展开更多
关键词 可伐合金 预氧化 金属玻璃封接 气密性
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微电子封装化学镀镍工艺研究及应用 被引量:10
13
作者 刘圣迁 刘晓敏 +2 位作者 张志谦 刘巧明 夏传义 《电镀与涂饰》 CAS CSCD 2005年第1期40-43,共4页
 在微细图形上实施化学镀有一定的技术难度,尤其是在批量生产中。通过研究工艺条件对镀层的影响,探索出微电子封装化学镀镍的工艺参数的适宜范围分别为:23~27g/L的镍盐、4~6g/L的还原剂、pH值4 5左右、温度(90±2)℃。经试验筛...  在微细图形上实施化学镀有一定的技术难度,尤其是在批量生产中。通过研究工艺条件对镀层的影响,探索出微电子封装化学镀镍的工艺参数的适宜范围分别为:23~27g/L的镍盐、4~6g/L的还原剂、pH值4 5左右、温度(90±2)℃。经试验筛选出合适的镀液稳定剂Tl2+,使批量生产的封装微细图形不"糊片",无镍粒。用X射线荧光测厚仪及化学分析方法对生产过程中的镀液成分进行测定,确定了维护镀液所用的补充液的组分,从而延长了镀液的使用寿命,满足了微电子封装批量生产的要求。 展开更多
关键词 微电子封装 化学镀镍 稳定剂 补充液
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电子组件温度循环试验研究 被引量:11
14
作者 曹耀龙 黄杰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期487-491,共5页
为了使温度循环试验在有效提高电子组件的可靠性方面得以广泛应用,基于温度循环试验的机理,对电子组件温度循环试验的关键参数(温度范围、循环次数、保持时间、温变速率、风速)进行了探讨,给出了这些参数的工程经验选取值。在此基础上,... 为了使温度循环试验在有效提高电子组件的可靠性方面得以广泛应用,基于温度循环试验的机理,对电子组件温度循环试验的关键参数(温度范围、循环次数、保持时间、温变速率、风速)进行了探讨,给出了这些参数的工程经验选取值。在此基础上,借助热分析软件分析了温变速率、保持时间和风速三个参数对试验过程的影响并定性分析了三个参数间的关系。最后,提出了进行温度循环试验时应注意的问题,强调科学、正确地执行温度循环试验的重要性。 展开更多
关键词 电子组件 温度循环 温变速率 保持时间 风速
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军工电子智能制造标准体系框架探索研究 被引量:3
15
作者 胡长明 陈振宇 +4 位作者 周凤拯 贲可存 李然 晁宇晴 李阳 《中国标准化》 2020年第10期71-77,共7页
本文以军工电子智能制造转型升级需求为引,结合军工电子科研、生产、保障和管理业务的特点,构建由生命周期、系统层级和智能特征组成的三维军工电子智能制造系统架构。进一步分析智能制造系统架构中各层次体系间的逻辑关系,形成关键支... 本文以军工电子智能制造转型升级需求为引,结合军工电子科研、生产、保障和管理业务的特点,构建由生命周期、系统层级和智能特征组成的三维军工电子智能制造系统架构。进一步分析智能制造系统架构中各层次体系间的逻辑关系,形成关键支撑技术和智能运营技术,与基础共性标准、应用标准共同构成军工电子智能制造标准体系结构。对军工电子智能制造标准体系结构分解细化,进而建立军工电子智能制造标准体系框架,指导军工电子智能制造标准体系建设及相关标准立项工作。 展开更多
关键词 军工电子 智能制造 系统架构 体系结构 体系框架
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微电子器件温度分布测试技术研究 被引量:3
16
作者 吴爱华 梁法国 +2 位作者 郑世棋 乔玉娥 翟玉卫 《计算机与数字工程》 2010年第9期35-37,共3页
为改善微电子器件性能,提高可靠性,确定筛选、考核条件等都必须对器件的结温、表面温度分布以及热斑等热特性进行精确测量,红外热像法是当前测量微电子器件热特性最有效的方法之一。文章针对InfrascopeⅡ型显微红外热像仪在实际应用中... 为改善微电子器件性能,提高可靠性,确定筛选、考核条件等都必须对器件的结温、表面温度分布以及热斑等热特性进行精确测量,红外热像法是当前测量微电子器件热特性最有效的方法之一。文章针对InfrascopeⅡ型显微红外热像仪在实际应用中如何提高其测温准确度和一致性等问题进行了研究,重点分析了样品发射率、背景环境和大气衰减等因素的影响,并给出验证解决方案,取得了满意的结果。 展开更多
关键词 微电子器件 可靠性检测 红外热像法 精确测温
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石墨烯基电子学研究进展 被引量:7
17
作者 袁明文 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第10期589-594,共6页
综述了石墨烯晶体的能带结构和独特的电子性质,如双极性电场效应、单双层石墨烯效应、衬底效应、石墨烯纳米带(GNR)带隙等特殊效应的研究现状。介绍了石墨剥落技术、外延生长和化学气相淀积(CVD)等石墨烯材料的制备以及表征方法。列举... 综述了石墨烯晶体的能带结构和独特的电子性质,如双极性电场效应、单双层石墨烯效应、衬底效应、石墨烯纳米带(GNR)带隙等特殊效应的研究现状。介绍了石墨剥落技术、外延生长和化学气相淀积(CVD)等石墨烯材料的制备以及表征方法。列举了石墨烯在电子、显示、太阳电池、传感器和氢存储等方面的应用,如在石墨烯场效应管、石墨烯纳米带场效应管(SET)、石墨烯单电子晶体管、石墨烯金属晶体管、石墨烯基纳米电子机械系统(NEMS)、石墨烯分子开关以及石墨烯基高电子迁移率晶体管(HEMT)制备方面的应用。人们已经研究出不同栅长的n/p型顶栅石墨烯场效应管(GFET),并采用标准的S参数直接表征器件的高频性能。理论和实验表明,所有石墨烯纳米带场效应管(GNRFET)在室温下工作的前提是GNR的带宽尺寸小于10nm,并具有半导体场效应管的性能。 展开更多
关键词 石墨烯 石墨烯纳米带(GNR) 场效应管(FET) 单电子晶体管(SET) 纳米电子机械系统(NEMS)
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金刚石电子器件的研究进展 被引量:6
18
作者 袁明文 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第10期643-649,672,共8页
简述了金刚石半导体电气性质,即高击穿电场、宽带隙、高载流子饱和速度、高载流子迁移率和高热导率。回顾了金刚石器件的研究进程。讨论了器件的工作机理,包括掺杂和空穴积累层。详细描述了几种具有潜力的金刚石电子器件,如高压二极管... 简述了金刚石半导体电气性质,即高击穿电场、宽带隙、高载流子饱和速度、高载流子迁移率和高热导率。回顾了金刚石器件的研究进程。讨论了器件的工作机理,包括掺杂和空穴积累层。详细描述了几种具有潜力的金刚石电子器件,如高压二极管和功率场效应管。尽管金刚石器件研究仍存在一些问题,如掺杂机理复杂,金刚石的单晶尺寸太小等,严重制约金刚石电子的进展,但是由于金刚石是超高功率和高温器件的优良半导体材料,具有替代行波管技术的潜力。当前,CVD金刚石已经大量用于微电子和光电子,包括激光二极管、微波器件、半导体散热器等。 展开更多
关键词 金刚石 宽带隙 电子器件 场效应管(FET) 化学气相沉积(CVD)
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石墨烯基电子学研究进展(续) 被引量:3
19
作者 袁明文 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第11期653-658,共6页
关键词 石墨 电子学 工艺兼容性 烯基 半导体器件 复杂电路 CMOS 纳米管
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微电子器件红外测温中的发射率测量方法研究 被引量:3
20
作者 郑世棋 翟玉卫 刘霞美 《红外》 CAS 2015年第9期25-29,共5页
为了使红外热像仪能够准确测量微电子器件中微米级发热结构的温度,并克服由热胀冷缩引起的器件形变问题,提出了一种单温度发射率测量方法。分析了在用传统的双温度发射率测量方法对微电子器件进行红外检测时热胀冷缩对检测结果的影响。... 为了使红外热像仪能够准确测量微电子器件中微米级发热结构的温度,并克服由热胀冷缩引起的器件形变问题,提出了一种单温度发射率测量方法。分析了在用传统的双温度发射率测量方法对微电子器件进行红外检测时热胀冷缩对检测结果的影响。在温度变换过程中,器件的形变效应会严重影响温度测量结果。提出了一种针对微电子器件显微红外测试的单温度发射率测量方法。该方法只需将被测件保持在一个固定温度下即可对发射率进行测量。理论分析结果表明,该方法与双温度法在最终的测量结果上是等效的。单温度发射率测量方法可以有效避免微电子器件的形变影响,因而可保证温度测量结果的准确性和可靠性。 展开更多
关键词 微电子 显微红外测温 发射率 单温度
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