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碳纳米管场发射测试方法对其性能的影响
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作者 孙继伟 贾琨 +4 位作者 贾爱珍 吕德涛 许晓丽 郭峰 赵亚丽 《应用化工》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期1201-1204,共4页
采用丝网印刷技术在金属基片上制备碳纳米管列阵薄膜,应用二极管结构对其场发射性能进行测试,并分析影响碳纳米管阴极场发射性能的因素。结果表明,随着测试次数的增加,碳纳米管阴极场发射性能会有一定程度的提高,同时场发射性能的稳定... 采用丝网印刷技术在金属基片上制备碳纳米管列阵薄膜,应用二极管结构对其场发射性能进行测试,并分析影响碳纳米管阴极场发射性能的因素。结果表明,随着测试次数的增加,碳纳米管阴极场发射性能会有一定程度的提高,同时场发射性能的稳定性增加;阴阳极距离15μm时,碳纳米管具有最好的场发射性能。 展开更多
关键词 碳纳米管 场发射 测试次数 阴阳极距离
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