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大剂量Mn离子注入GaAs的性质 被引量：1
1
作者 宋书林 陈诺夫 +3 位作者 柴春林 尹志岗 杨少延 刘志凯 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期24-27,共4页
在室温条件下在半绝缘性GaAs衬底上进行了大剂量Mn离子的低能注入,并进行了不同条件的退火.借助于X射线衍射(XRD)和高分辨X射线衍射(HR-XRD)进行了结构分析,经过退火后生成的新相衍射峰增多,根据衬底(004)峰摇摆曲线分析结果退火后更多... 在室温条件下在半绝缘性GaAs衬底上进行了大剂量Mn离子的低能注入,并进行了不同条件的退火.借助于X射线衍射(XRD)和高分辨X射线衍射(HR-XRD)进行了结构分析,经过退火后生成的新相衍射峰增多,根据衬底(004)峰摇摆曲线分析结果退火后更多的Mn离子进入晶格.运用原子力显微镜分析了样品的表面,发现退火后突起的起伏度增加.磁性分析表明,退火样品的磁化强度增大. 展开更多
关键词 低能注入 砷化镓 X射线衍射 梯度磁强计
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室温铁磁性GaN:Cr薄膜的性质研究
2
作者 刘志凯 宋书林 +3 位作者 陈诺夫 尹志岗 柴春林 杨少延 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期1212-1214,1218,共4页
采用高能离子注入的方式,在GaN衬底中掺杂引入Cr离子制备了磁性半导体.借助于X射线衍射仪(XRD)进行了注入前后结构的对比分析,没有发现新的衍射峰,并运用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)分析了Mn离子注入后衬底(0002)峰的微小变化.根据原... 采用高能离子注入的方式,在GaN衬底中掺杂引入Cr离子制备了磁性半导体.借助于X射线衍射仪(XRD)进行了注入前后结构的对比分析,没有发现新的衍射峰,并运用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)分析了Mn离子注入后衬底(0002)峰的微小变化.根据原子力显微镜的结果,发现注入后的样品表面起伏比较大,发生明显的变化.通过使用超导量子干涉仪SQUID进行变温分析,在所分析的10～300K范围内,磁化强度变化幅度较小,样品在室温条件下仍然保持铁磁性. 展开更多
关键词 氮化镓 磁性半导体 铁磁性转变温度
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离子束外延制备GaAs:Gd薄膜
3
作者 宋书林 陈诺夫 +4 位作者 周剑平 尹志岗 李艳丽 杨少延 刘志凯 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期336-337,共2页
　室温条件下,用低能离子束外延制备了GaAs∶Gd薄膜,X射线衍射(XRD)结果表明除了GaAs衬底峰没有发现其它新相的衍射峰,并借助于高分辨X射线衍射(HR XRD)进一步分析了晶格常数的变化特点。俄歇电子能谱(AES)分析了样品表面的成分,及元素... 　室温条件下,用低能离子束外延制备了GaAs∶Gd薄膜,X射线衍射(XRD)结果表明除了GaAs衬底峰没有发现其它新相的衍射峰,并借助于高分辨X射线衍射(HR XRD)进一步分析了晶格常数的变化特点。俄歇电子能谱(AES)分析了样品表面的成分,及元素随深度的分布规律,在60nm深处元素的相对含量发生明显改变,运用原子力显微镜(AFM)揭示了样品表面的形貌特点。 展开更多
关键词 GaAs:Gd薄膜 低能离子束外延 GAAS衬底
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低能离子束制备(Ga,Gd,As)薄膜
4
作者 宋书林 陈诺夫 +3 位作者 周剑平 李艳丽 杨少延 刘志凯 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期258-261,共4页
室温条件下 ,用离子束外延设备制备 ( Ga,Gd,As)样品 ,X射线衍射 ( XRD)结果表明除了 Ga As衬底峰 ,没有发现其他新相的衍射峰。俄歇电子能谱 ( AES)分析了样品中元素随深度的变化 ,不同样品中元素的分布有着不同的特点。并运用原子力... 室温条件下 ,用离子束外延设备制备 ( Ga,Gd,As)样品 ,X射线衍射 ( XRD)结果表明除了 Ga As衬底峰 ,没有发现其他新相的衍射峰。俄歇电子能谱 ( AES)分析了样品中元素随深度的变化 ,不同样品中元素的分布有着不同的特点。并运用原子力显微镜 ( AFM)研究了样品表面的形貌特点 ,表明样品表面的粗糙度与 Gd注入过程中在样品表面沉积的多少有关。运用交变梯度磁强计 ( AGM)对薄膜进行磁性分析 ,结果表明有的样品在室温条件下出现铁磁性 ,但金属钆本身具有室温铁磁性 ,因而需要进一步分析。 展开更多
关键词 镓、钆、砷薄膜 低能离子束系统 砷化镓衬底
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离子束外延生长(Ga,Mn,As)的退火研究
5
作者 宋书林 陈诺夫 +3 位作者 周剑平 柴春林 杨少延 刘志凯 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2003年第5期350-352,共3页
利用俄歇电子能谱(AES)和X射线衍射(XRD)分析了室温条件下离子束外延生长Ga、Mn、As样品,在不同的温度条件下进行退火后组分和元素分布的变化。结果表明退火有助于样品内部元素的均匀分布,温度为400℃会导致MnO2和Ga5.2Mn的结晶。
关键词 退火 低能离子束外延 GAAS衬底
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InAlAs/InGaAs复合限制层对InAs量子点发光性质的影响
6
作者 张子旸 金鹏 +5 位作者 曲胜春 李成明 孟宪权 徐波 叶小玲 王占国 《微纳电子技术》 CAS 2003年第2期14-16,共3页
系统研究了InAlAs/InGaAs复合限制层对InAs量子点光学性质的影响;发现InAs量子点的基态发光峰位、半高宽以及基态与第一激发态的能级间距都强烈地依赖于InAlAs薄层的厚度和In的组分;得到了室温发光波长在1.35μm,基态与第一激发态的能... 系统研究了InAlAs/InGaAs复合限制层对InAs量子点光学性质的影响;发现InAs量子点的基态发光峰位、半高宽以及基态与第一激发态的能级间距都强烈地依赖于InAlAs薄层的厚度和In的组分;得到了室温发光波长在1.35μm,基态与第一激发态的能级间距高达103 meV的InAs量子点的发光特性。这一结果对实现高T_0的长波长InAs量子点激光器的室温激射具有重要意义。 展开更多
关键词 量子点 光致发光 能级间距 InAlAs/InGaAs复合限制层
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