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脑机接口技术现状与发展——采访中国科学院半导体研究所王毅军研究员
1
作者 张莹 张柏雯 王毅军 《微纳电子与智能制造》 2022年第3期5-7,共3页
脑机接口技术的发展实现了智能设备与人类多领域的沟通,已成为脑科学中重要的探索方向之一。在“中国脑计划”等一系列战略政策推动下,中国学者在脑机接口领域取得了令人瞩目的进展,逐步从单纯的科研学术探索走向应用转化落地。研制出... 脑机接口技术的发展实现了智能设备与人类多领域的沟通,已成为脑科学中重要的探索方向之一。在“中国脑计划”等一系列战略政策推动下,中国学者在脑机接口领域取得了令人瞩目的进展,逐步从单纯的科研学术探索走向应用转化落地。研制出高效、准确、稳定、安全和易用的核心技术,并深入至康复训练、生产制造、智能生活、教育娱乐等多个方面,是脑机接口技术发展的愿景目标。我国学者们在范式编解码、采集电极材料工艺等多个方面,研发水平已达到国际先进。在今后一段时期,脑机接口技术有望从技术上引发以人工智能为代表的革新,从应用场景中产生显著的社会效益,推动用前沿科技提高人类生活质量的进程。《微纳电子与智能制造》有幸采访到中国科学院半导体研究所王毅军研究员,为读者讲述脑机接口技术的前沿研究现状和未来发展展望。 展开更多
关键词 脑机接口 稳态视觉诱发电位 芯片 半导体电极
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缅怀黄昆先生在中国科学院半导体研究所建树的丰功伟绩——纪念黄昆先生100年诞辰 被引量：1
2
作者 王启明 《科技导报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第17期29-31,共3页
在国际物理学界,黄昆的名字尽人皆知,他开创了晶格动力学理论,并由此发现了一系列新的物理规律和效应,'黄方程''黄散射''极化激元''多声子跃迁''声子瓶颈''黄-朱方程'等,这些都是非常... 在国际物理学界,黄昆的名字尽人皆知,他开创了晶格动力学理论,并由此发现了一系列新的物理规律和效应,'黄方程''黄散射''极化激元''多声子跃迁''声子瓶颈''黄-朱方程'等,这些都是非常重要的基础理论。或许人们会认为,黄昆先生只是一位卓越的理论物理学家,理论物理是他的兴趣和追求,他可为此而献身。 展开更多
关键词 半导体物理 中国科学院半导体研究所
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Elsevier、IOP相继访问中国科学院半导体所
3
作者 阎军 《图书情报工作动态》 2005年第6期20-20,共1页
应中国科学院半导体所图书信息中心邀请，Elsevier出版公司中国地区代表处副总裁Paul Evans博士一行八人于6月9日访问了半导体所。
关键词 中国科学院半导体所 Elsevier出版公司 英国物理学会 图书信息
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Zn杂质诱导GaInP/AlGaInP红光半导体激光器量子阱混杂的研究
4
作者 何天将 刘素平 +3 位作者 李伟 林楠 熊聪 马骁宇 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期1-12,共12页
在GaAs基GaInP/AlGaInP单量子阱结构外延片上分别使用磁控溅射设备生长ZnO薄膜和等离子增强化学气相沉积设备生长SiO2薄膜,以ZnO介质层作为Zn杂质诱导源,采用固态扩Zn的方式对激光器进行选择性区域诱导以制备非吸收窗口来提高器件的腔... 在GaAs基GaInP/AlGaInP单量子阱结构外延片上分别使用磁控溅射设备生长ZnO薄膜和等离子增强化学气相沉积设备生长SiO2薄膜,以ZnO介质层作为Zn杂质诱导源,采用固态扩Zn的方式对激光器进行选择性区域诱导以制备非吸收窗口来提高器件的腔面光学灾变损伤阈值,从而提高半导体激光器的输出功率和长期可靠性。在580~680℃、20~60 min退火条件下对Zn杂质诱导量子阱混杂展开研究,实验发现,ZnO/SiO2或ZnO/Si3N4复合介质层的采用比单一Zn介质层的杂质诱导蓝移量大,且在680℃、30 min的条件下获得了最大55 nm的蓝移量。分析结果表明,介质层所施加的压应变会将外延片表面GaAs层中Ga原子析出,促使Zn原子进入外延层中以诱导量子阱混杂。通过测量光致发光光谱发现发光强度并没有明显下降,可为后期器件制作提供借鉴。 展开更多
关键词 半导体激光器 量子阱混杂 复合介质层 蓝移 非吸收窗口
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半导体缺陷的电子结构计算方法研究进展
5
作者 李晨慧 张陈 +3 位作者 蔡雪芬 张才鑫 袁嘉怡 邓惠雄 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第6期34-47,共14页
半导体材料的掺杂与缺陷调控是实现其应用的重要前提.基于密度泛函理论的第一性原理缺陷计算为半导体的掺杂与缺陷调控提供了重要的理论指导.本文介绍了第一性原理半导体缺陷计算的基本理论方法的相关发展.首先,介绍半导体缺陷计算的基... 半导体材料的掺杂与缺陷调控是实现其应用的重要前提.基于密度泛函理论的第一性原理缺陷计算为半导体的掺杂与缺陷调控提供了重要的理论指导.本文介绍了第一性原理半导体缺陷计算的基本理论方法的相关发展.首先,介绍半导体缺陷计算的基本理论方法,讨论带电缺陷计算中由周期性边界条件引入的有限超胞尺寸误差,并展示相应的修正方法发展.其次,聚焦于低维半导体中的带电缺陷计算,阐述凝胶模型下带电缺陷形成能随真空层厚度发散的问题,并介绍为解决这一问题所引入的相关理论模型.最后,简单介绍了缺陷计算中的带隙修正方法及光照非平衡条件下掺杂与缺陷调控理论模型.这些工作可以为半导体,特别是低维半导体,在平衡或非平衡条件下的缺陷计算提供指导,有助于后续半导体中的掺杂和缺陷调控工作的进一步发展. 展开更多
关键词 半导体缺陷计算 镜像电荷修正 低维半导体缺陷物理 非平衡掺杂
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半导体研究所成功制备RF MEMS振荡器
6
《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期53-53,共1页
中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心，在自然科学基金、中科院项目的支持下，经过努力探索，成功制备RFMEMS振荡器。
关键词 中国科学院半导体研究所 振荡器 制备 工程研究中心 自然科学基金 集成技术 中科院
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基于二维半导体的图像传感器
7
作者 于雅俐 麦梓锋 +2 位作者 刘力源 魏钟鸣 慈鹏弘 《集成电路与嵌入式系统》 2024年第5期26-34,共9页
图像传感器作为获取视觉信息的重要器件,可将感知到的光信号转换为电信号进行输出。目前,基于互补型金属氧化物半导体构建的图像传感器制造技术已相当成熟。然而,在某些特定的应用场景下,对微型化和多功能的图像传感器的需求仍待解决。... 图像传感器作为获取视觉信息的重要器件,可将感知到的光信号转换为电信号进行输出。目前,基于互补型金属氧化物半导体构建的图像传感器制造技术已相当成熟。然而,在某些特定的应用场景下,对微型化和多功能的图像传感器的需求仍待解决。面对此挑战,结合二维半导体丰富的材料体系及优异的光电特性,以及器件向微型化和多功能化发展的趋势,基于二维半导体的图像传感器在微型化和高集成度方面显示出巨大潜力,为图像传感器领域的发展带来了新机遇。本文首先介绍了二维半导体的带隙特性及其对应的光谱响应波段范围,展示了基于二维半导体的单像素成像技术;接着,阐述了如何利用二维半导体原子排布呈面内各向异性的特征,成功构筑了偏振敏感的图像传感器;最后,探讨了随着大面积二维半导体材料生长技术的不断成熟,如何进一步实现基于二维半导体像素阵列图像传感器的构筑。 展开更多
关键词 二维半导体 光响应 偏振敏感 单像素 阵列像素 图像传感器
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我国半导体科学领域基础研究迈入新阶段——国家自然科学基金半导体学科2004年申请概况分析 被引量：3
8
作者 何杰 刘宇 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期215-218,共4页
20 0 4年国家自然科学基金委员会半导体学科受理的面上项目申请数终于有了突破 ,文中介绍了 2 0 0 4年半导体学科基金申请与资助概况 ,分析半导体学科受理申请的近期动态 ,介绍学科拟采取的对策 ,并附 2 0 0 4年半导体学科批准资助的面... 20 0 4年国家自然科学基金委员会半导体学科受理的面上项目申请数终于有了突破 ,文中介绍了 2 0 0 4年半导体学科基金申请与资助概况 ,分析半导体学科受理申请的近期动态 ,介绍学科拟采取的对策 ,并附 2 0 0 4年半导体学科批准资助的面上项目及重点项目 。 展开更多
关键词 基础研究 近期 申请 分析 批准 国家自然科学基金 资助 半导体科学 突破
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高质量半导体-超导体纳米线原位分子束外延和低温量子输运研究进展
9
作者 潘东 赵建华 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第3期177-190,共14页
局域环境和量子比特之间的相互作用引起的量子退相干是目前限制量子计算发展的主要技术瓶颈。基于马约拉纳零能模的拓扑量子计算通过将量子信息非局域地存储于两个空间分离的马约拉纳零能模及其拓扑结构中,实现对局域噪音的免疫,有望从... 局域环境和量子比特之间的相互作用引起的量子退相干是目前限制量子计算发展的主要技术瓶颈。基于马约拉纳零能模的拓扑量子计算通过将量子信息非局域地存储于两个空间分离的马约拉纳零能模及其拓扑结构中,实现对局域噪音的免疫,有望从物理层面解决量子退相干问题。强自旋轨道耦合窄禁带半导体与超导体构成的异质结纳米线是研究马约拉纳零能模和拓扑量子计算的理想实验平台。本文综述了近年来高质量半导体-超导体纳米线的原位分子束外延制备和低温量子输运研究进展,并对半导体-超导体纳米线拓扑量子计算研究进行了展望。 展开更多
关键词 半导体-超导体纳米线 分子束外延 马约拉纳零能模 拓扑量子计算
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推荐《半导体物理学》
10
作者 姬扬 《自然杂志》 CAS 2023年第5期397-398,共2页
20世纪初发展的量子力学和相对论改变了我们对世界的认识,而20世纪中期开始迅猛发展的半导体科技是我们改造世界的利器。半导体电路在每个家庭里都司空见惯,半导体改变了我们工作、交流、娱乐和思考的方式。半导体物理学是半导体科技的... 20世纪初发展的量子力学和相对论改变了我们对世界的认识,而20世纪中期开始迅猛发展的半导体科技是我们改造世界的利器。半导体电路在每个家庭里都司空见惯,半导体改变了我们工作、交流、娱乐和思考的方式。半导体物理学是半导体科技的基础,是量子理论在固体材料中的应用,而半导体科技的未来发展也离不开量子理论和半导体物理学的进步。可是大家对半导体的了解还不太多,现在的一些教材也不太能够跟上时代的步伐。《半导体物理学》这本书有助于填补这个空白。 展开更多
关键词 半导体物理学 量子理论 量子力学 半导体科技 固体材料 20世纪中期 相对论
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国内大功率半导体激光器研究及应用现状 被引量：74
11
作者 马骁宇 王俊 刘素平 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2008年第2期189-194,共6页
近年来,国内外在大功率半导体激光器方面的研究均取得了很大的进展。其中,大功率半导体激光器列阵的研究和应用成为最大的亮点,如超高电光转换效率、高亮度和高可靠性等主要光电特性均实现了巨大的突破。针对国内大功率半导体激光器主... 近年来,国内外在大功率半导体激光器方面的研究均取得了很大的进展。其中,大功率半导体激光器列阵的研究和应用成为最大的亮点,如超高电光转换效率、高亮度和高可靠性等主要光电特性均实现了巨大的突破。针对国内大功率半导体激光器主要研究内容和关键技术进行了总结,在外延片结构中广泛采用应变量子阱结构、无铝有源区宽波导大光腔结构及非对称波导结构来提高端面光学灾变损伤光功率密度,还从腔面光学膜、器件封装、器件可靠性、光束整形与耦合以及器件应用等几个方面给予介绍。 展开更多
关键词 大功率半导体激光器 外延片结构 光学膜 封装 光束整形与耦合
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半导体激光器温度控制研究 被引量：23
12
作者 曾华林 江鹏飞 谢福增 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期339-340,346,共3页
温度对半导体激光器的特性有很大的影响。为了使半导体激光器输出功率稳定,必须对其温度进行高精度的控制。利用PID控制网络设计了温控系统,控制精度达到±0.01℃,与无PID控制网络相比,极大的提高了系统的瞬态特性,并且试验发现采... 温度对半导体激光器的特性有很大的影响。为了使半导体激光器输出功率稳定,必须对其温度进行高精度的控制。利用PID控制网络设计了温控系统,控制精度达到±0.01℃,与无PID控制网络相比,极大的提高了系统的瞬态特性,并且试验发现采用带有温控系统的半导体激光器的输出功率稳定性比没有温控系统的输出功率得到显著改善。 展开更多
关键词 半导体激光器 输出功率 瞬态特性 网络设计 高精度 控制精度 温控系统 PID控制 温度控制 稳定性
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大功率半导体激光器可靠性研究和失效分析 被引量：23
13
作者 王文知 井红旗 +4 位作者 祁琼 王翠鸾 倪羽茜 刘素平 马骁宇 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期165-169,共5页
对自主研发的975 nm波长的COS封装的大功率半导体单管激光器进行了10,12,14 A的电流步进加速应力试验,应用逆幂律模型和指数分布的理论对试验结果进行了分析,计算出在8 A的电流下,器件的平均寿命为28 999 h。研究了器件的失效形式和老... 对自主研发的975 nm波长的COS封装的大功率半导体单管激光器进行了10,12,14 A的电流步进加速应力试验,应用逆幂律模型和指数分布的理论对试验结果进行了分析,计算出在8 A的电流下,器件的平均寿命为28 999 h。研究了器件的失效形式和老化前后的温升、偏振度的变化,结果表明:失效形式主要有体内退化、腔面退化、与焊接有关的退化;老化后的器件的结温上升增多,偏振度下降10%左右。 展开更多
关键词 可靠性 步进加速应力 指数分布
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基于SiO_2薄膜的915nm半导体激光器的无杂质空位诱导量子阱混合研究 被引量：7
14
作者 王鑫 赵懿昊 +3 位作者 朱凌妮 侯继达 马骁宇 刘素平 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期94-100,共7页
为了提高915nm半导体激光器腔面抗光学灾变的能力,采用基于SiO_2薄膜无杂质诱导量子阱混合法制备符合915nm半导体激光器AlGaInAs单量子阱的非吸收窗口.研究了无杂质空位诱导量子阱混合理论及不同退火温度、不同退火时间、SiO_2薄膜厚度... 为了提高915nm半导体激光器腔面抗光学灾变的能力,采用基于SiO_2薄膜无杂质诱导量子阱混合法制备符合915nm半导体激光器AlGaInAs单量子阱的非吸收窗口.研究了无杂质空位诱导量子阱混合理论及不同退火温度、不同退火时间、SiO_2薄膜厚度、SiO_2薄膜折射率、不同盖片等试验参数对制备非吸窗口的影响,并且讨论了SiO_2薄膜介质膜的多孔性对无杂质诱导量子阱混合的影响.实验制备出蓝移波长为53nm的非吸收窗口,最佳制备非吸收窗口条件为退火温度为875℃,退火时间为90s,SiO_2薄膜折射率为1.447,厚度为200nm,使用GaAs盖片. 展开更多
关键词 半导体激光器 光学灾变 量子阱混杂 非吸收窗口 薄膜
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稀磁半导体的研究进展 被引量：35
15
作者 赵建华 邓加军 郑厚植 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2007年第2期109-150,共42页
本文主要介绍了III-V族稀磁半导体(Ga,Mn)As的研究进展,包括(Ga,Mn)As的生长制备、基本磁性质、磁输运特征、磁光性质、磁性起源、相关的异质结构和自旋注入等,同时还简单介绍了其它稀磁半导体如IV族、III-VI族和IV-VI族等稀磁半导体的... 本文主要介绍了III-V族稀磁半导体(Ga,Mn)As的研究进展,包括(Ga,Mn)As的生长制备、基本磁性质、磁输运特征、磁光性质、磁性起源、相关的异质结构和自旋注入等,同时还简单介绍了其它稀磁半导体如IV族、III-VI族和IV-VI族等稀磁半导体的研究进展,在文章的最后描述了理想的稀磁半导体应该具备的特征以及对未来的展望。 展开更多
关键词 半导体自旋电子学 稀磁半导体 异质结构 自旋注入
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高功率半导体激光泵浦源研究进展 被引量：11
16
作者 马骁宇 张娜玲 +2 位作者 仲莉 刘素平 井红旗 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第12期114-123,共10页
高功率半导体激光器是固体激光器和光纤激光器的主要泵浦源。激光泵浦源性能的大幅提升直接促进了固体激光器、光纤激光器等激光器的发展。主要介绍了8xx nm和9xx nm系列半导体激光泵浦源的最新研究进展,8xx nm单管输出功率已达18.8 W@9... 高功率半导体激光器是固体激光器和光纤激光器的主要泵浦源。激光泵浦源性能的大幅提升直接促进了固体激光器、光纤激光器等激光器的发展。主要介绍了8xx nm和9xx nm系列半导体激光泵浦源的最新研究进展,8xx nm单管输出功率已达18.8 W@95μm,巴条输出功率已达1.8 kW(QCW),9xx nm单管输出功率已达35 W@100μm,巴条输出功率已达1.98 kW(QCW)。谱宽<1 nm的窄谱宽半导体激光器输出功率可达14 W。展望了未来半导体激光器泵浦源的发展趋势。 展开更多
关键词 高功率 半导体激光器 光纤激光器 巴条 激光泵浦源
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GaAs基高功率半导体激光器单管耦合研究 被引量：8
17
作者 王鑫 王翠鸾 +3 位作者 吴霞 朱凌妮 马骁宇 刘素平 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第9期1018-1021,共4页
设计了一种高亮度、高功率半导体激光器单管耦合输出模块,采用波长为975 nm的10 W的Ga As基半导体激光器,将半导体激光器输出光束耦合进数值孔径0.18、纤芯直径105μm的光纤中,获得10 A电流下的输出功率为9.37 W,耦合效率为94.3%,亮度为... 设计了一种高亮度、高功率半导体激光器单管耦合输出模块,采用波长为975 nm的10 W的Ga As基半导体激光器,将半导体激光器输出光束耦合进数值孔径0.18、纤芯直径105μm的光纤中,获得10 A电流下的输出功率为9.37 W,耦合效率为94.3%,亮度为1.64 MW/(cm2·str)。 展开更多
关键词 半导体激光器 光纤耦合 亮度
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半导体物理研究新进展 被引量：9
18
作者 孙连亮 李树深 +1 位作者 张荣 何杰 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第10期1115-1119,共5页
简要介绍了第 2 6届国际半导体物理会议上一些受到广泛关注的课题 ,它们代表了半导体物理研究领域里的研究热点和前沿工作 ,希望能够为今后的研究工作提供一个参考方向 .
关键词 半导体物理 国际会议 量子纳米结构
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980nm半导体激光器可靠性的研究现状分析 被引量：4
19
作者 刘斌 张敬明 +4 位作者 刘媛媛 王晓薇 方高瞻 马骁宇 肖建伟 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期1-2,共2页
本文介绍了提高980nm 半导体激光器可靠性的几种方案,并做了综台评述。进一步介绍了离子辅助镀膜技术在提高980nm激光器可靠性方面的应用。
关键词 980nm半导体激光器 可靠性 现状 离子辅助镀膜 COD 掺铒光纤放大器
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半导体量子点内弹性应变能的研究(英文) 被引量：5
20
作者 杨红波 俞重远 +1 位作者 刘玉敏 黄永箴 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期531-534,共4页
本文用有限元分析软件ANSTS 6 .0计算了半导体量子点内的弹性应变和弹性应变能 ,通过对金塔形、台形和圆顶形量子点内总弹性应变能的计算和总能量的比较 ,得到了在热平衡条件下金字塔形量子点是最稳定的结构。
关键词 有限元分析软件 半导体量子点 弹性应变 弹性应变能
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