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半导体光子晶体激光器的研究进展 被引量:5
1
作者 唐海侠 王启明 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期165-171,192,共8页
半导体光子晶体激光器已成为当今世界范围内的一个研究热点。简述了光子晶体的物理特性对优化半导体激光器的贡献,介绍了几种类型光子晶体激光器,详细阐述了器件的工作原理,并展望了光子晶体激光器的潜在应用前景。
关键词 光子晶体 光子带隙 光子晶体激光器
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半导体光子晶体有源器件的研究进展 被引量:2
2
作者 唐海侠 王启明 《微纳电子技术》 CAS 2006年第2期65-72,共8页
简述了光子晶体在有源器件中应用的物理基础,介绍了几种类型的光子晶体有源器件,包括光子晶体激光器、发光二极管和光电探测器。并探索了光子晶体有源器件的潜在应用前景。
关键词 光子晶体 光子带隙 光子晶体有源器件
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光子晶体垂直腔型表面发射和接收光电子器件
3
作者 宋倩 许兴胜 +5 位作者 胡海洋 鲁琳 王春霞 杜伟 刘发民 陈弘达 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期509-512,共4页
介绍了制作光子晶体垂直腔面发射激光器实验研究的主要内容,包括材料的光谱测试分析、氧化工艺以及制作光子晶体等,成功制作了波长在980nm附近的光子晶体垂直腔面发射激光器.在此基础上,采用高精度湿法腐蚀和感应耦合等离子体干法刻蚀技... 介绍了制作光子晶体垂直腔面发射激光器实验研究的主要内容,包括材料的光谱测试分析、氧化工艺以及制作光子晶体等,成功制作了波长在980nm附近的光子晶体垂直腔面发射激光器.在此基础上,采用高精度湿法腐蚀和感应耦合等离子体干法刻蚀技术,研究制作了基于垂直腔面发射激光器外延材料的光子晶体谐振腔增强型探测器. 展开更多
关键词 光子晶体 垂直腔面发射激光器 光子面阵集成 谐振腔增强型光电探测器
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宽带偏振不灵敏InGa As半导体光放大器 被引量:1
4
作者 王书荣 王圩 +6 位作者 刘志宏 朱洪亮 张瑞英 丁颖 赵玲娟 周帆 田慧良 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期567-570,共4页
采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构,研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器.此放大器在100-250mA的工作电流范围内,获得了大于70nm的3dB光带宽;在0~250mA工作电流和3dB光带宽波长范围内,偏振灵敏... 采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构,研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器.此放大器在100-250mA的工作电流范围内,获得了大于70nm的3dB光带宽;在0~250mA工作电流和3dB光带宽波长范围内,偏振灵敏度小于1dB.对于1.55μm的信号光,在200mA的注入电流下获得了15.6dB的光纤到光纤的增益、小于0.7dB的偏振灵敏度和4.2dBm的饱和输出功率. 展开更多
关键词 压应变InGaAs量子阱 张应变InGaAs准体材料 半导体光放大器 偏振灵敏度 增益 饱和输出功率
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高功率共振腔增强型光电探测器研究进展 被引量:4
5
作者 朱彬 韩勤 +1 位作者 杨晓红 李文兵 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期306-311,共6页
共振腔增强型光电探测器(RCE-PD)作为一种新型光电探测器,具有高量子效率、高响应度和波长选择性等优点,成为目前光纤通信领域中最为重要的探测器之一。在数字和模拟光传输系统中,高功率探测器由于具有高信噪比、低插入损耗等优点,在国... 共振腔增强型光电探测器(RCE-PD)作为一种新型光电探测器,具有高量子效率、高响应度和波长选择性等优点,成为目前光纤通信领域中最为重要的探测器之一。在数字和模拟光传输系统中,高功率探测器由于具有高信噪比、低插入损耗等优点,在国际上越来越受到重视。综述了这两种探测器的基本结构、发展状况,展望了其发展前景等。指出高功率共振腔增强型光电探测器将是今后最有发展前途的探测器。 展开更多
关键词 光电探测器 高功率共振腔增强型探测器 空间电荷效应 饱和电流
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光子晶体垂直腔面发射激光器特性研究 被引量:1
6
作者 宋倩 许兴胜 +2 位作者 赵致民 刘发民 陈弘达 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期5-7,共3页
本文介绍了光子晶体垂直腔面发射激光器的制备工艺、工作原理、基本特性和研究进展,重点评述了光子晶体垂直腔面发射激光器的优良特性及应用前景。我们认为光子晶体垂直腔面发射激光器是一种新型的半导体激光器,它具有大出光孔径、较高... 本文介绍了光子晶体垂直腔面发射激光器的制备工艺、工作原理、基本特性和研究进展,重点评述了光子晶体垂直腔面发射激光器的优良特性及应用前景。我们认为光子晶体垂直腔面发射激光器是一种新型的半导体激光器,它具有大出光孔径、较高的出光功率、稳定的单模、多芯传输等特点,而且具有优良的热特性和高速调谐特性,可在二维光信息处理的GaAs基近红外波段激光器、面阵集成等方面具有很大的应用潜力。 展开更多
关键词 光子晶体 垂直腔面发射激光器 单模 高功率 光子面阵集成
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SOI基可变光学衰减器的回波损耗研究
7
作者 陈鹏 方青 +1 位作者 李芳 刘育梁 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期370-372,386,共4页
采用倾斜3.4°抛光SOI波导端面和在波导端面镀TiO2减反膜的方法,使SOI基动态可调光学衰减器的插入损耗减小了1.6 dB,而且回波损耗由8 dB提高至57 dB,解决了SOI波导器件回波严重这一实用化过程中的关键问题。利用上述方法研制出了完... 采用倾斜3.4°抛光SOI波导端面和在波导端面镀TiO2减反膜的方法,使SOI基动态可调光学衰减器的插入损耗减小了1.6 dB,而且回波损耗由8 dB提高至57 dB,解决了SOI波导器件回波严重这一实用化过程中的关键问题。利用上述方法研制出了完整封装的SOI基可变光学衰减器样品。 展开更多
关键词 高斯光束耦合 回波损耗 SOI 减反膜 端面斜抛
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平面型APD抑制边缘击穿的方法研究 被引量:1
8
作者 杨怀伟 韩勤 +4 位作者 杨晓红 李彬 王秀平 王杰 刘少卿 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期7-11,33,共6页
雪崩光电二极管(APD)作为一种具有内部增益的光电探测器,被广泛地应用于光纤通信领域,其中平面型APD具有暗电流低、可靠性高等优点而被大量研究。但是平面型APD边缘处由于高电场易被提前击穿,影响器件性能。文章对抑制平面型APD边缘击... 雪崩光电二极管(APD)作为一种具有内部增益的光电探测器,被广泛地应用于光纤通信领域,其中平面型APD具有暗电流低、可靠性高等优点而被大量研究。但是平面型APD边缘处由于高电场易被提前击穿,影响器件性能。文章对抑制平面型APD边缘击穿的不同方法进行了综述,指出它们的结构差别,并重点介绍保护环法的原理及保护环各个参数的优化。 展开更多
关键词 雪崩光电二极管 边缘击穿 保护环 参数优化
原文传递
集成化光上下路复用器的研究进展 被引量:1
9
作者 邱海军 刘育梁 杨林 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期377-381,共5页
密集波分复用 (DWDM )已经成为光纤通信的主要发展方向 ,光上下路分插复用器(OADM )作为WDM网络中的关键技术 ,它的优劣将直接影响通信网络的性能。侧重于从器件的角度对OADM的功能和发展现状进行介绍 ,并对其构成的关键器件的发展进行... 密集波分复用 (DWDM )已经成为光纤通信的主要发展方向 ,光上下路分插复用器(OADM )作为WDM网络中的关键技术 ,它的优劣将直接影响通信网络的性能。侧重于从器件的角度对OADM的功能和发展现状进行介绍 ,并对其构成的关键器件的发展进行了概述。 展开更多
关键词 复用/解复用器 光开关阵列 可变光衰减器阵列 探测器阵列
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MEMS可调谐VCSEL的研究进展 被引量:1
10
作者 李文兵 韩勤 +1 位作者 杨晓红 朱彬 《光通信技术》 CSCD 北大核心 2007年第9期40-43,共4页
随着全光网络和DWDM系统的发展,MEMS可调谐VCSEL由于其优越的性能,有着相当广泛的应用前景。文章从结构差异上,将近几年来国际上的有关报道分成了单悬臂型,可变形介质模型,半对称腔型和掩埋隧道结型等四类,并对每一类型作了详细的介绍。
关键词 可调谐VCSEL 微机电系统 密波分复用技术
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用于WDM系统的垂直腔可调谐光电器件
11
作者 司国民 谭满清 《光通信技术》 CSCD 北大核心 2007年第12期45-47,共3页
从理论模型出发分析了实现垂直腔光电器件可调谐的方法,讨论了静电激励的1/3原则,及其对调谐性能的影响,从国内外几个有代表性的研究小组的工作出发,介绍了最新的研究进展。
关键词 波分复用技术 垂直腔面发射激光器 滤波器 热光可调谐 微机械系统
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利用C_6H_8O_7/H_2O_2溶液对Al_xGa_(1-x)As/GaAs的选择性腐蚀制作空气腔结构的研究
12
作者 李文兵 韩勤 +3 位作者 杨晓红 杜云 朱彬 倪海乔 《微细加工技术》 2007年第6期57-61,共5页
针对MEMS(micro-electro-mechanical system)工艺中牺牲层的选择性腐蚀问题,提出了一种判断牺牲层是否完全腐蚀的新方法,解决了这一工艺难点。测定了C6H8O7/H2O2溶液对GaAs的腐蚀速率,并采用这种方法选择性腐蚀了一个带有GaAs牺牲层的DB... 针对MEMS(micro-electro-mechanical system)工艺中牺牲层的选择性腐蚀问题,提出了一种判断牺牲层是否完全腐蚀的新方法,解决了这一工艺难点。测定了C6H8O7/H2O2溶液对GaAs的腐蚀速率,并采用这种方法选择性腐蚀了一个带有GaAs牺牲层的DBR(distributed bragg reflector)结构,得到一个空气腔结构,结合GaAs的晶体结构,分析了GaAs的各向异性腐蚀特性,为实际MEMS器件的制作奠定了基础。 展开更多
关键词 选择性腐蚀 GaAs牺牲层 MEMS
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基于SOI材料的阵列波导光栅的制作 被引量:2
13
作者 方青 李芳 刘育梁 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期143-146,共4页
采用ICP刻蚀的方法,在SOI材料上制作出了中心波长为 1. 5509μm、信道间隔为 200GHz的 5×5阵列波导光栅(AWG).测试中心波长与设计值相差 0. 28nm,测试波长间隔与设计值相差在 0. 02nm之内,相邻信道串扰接近10dB,信道插入损耗均匀性... 采用ICP刻蚀的方法,在SOI材料上制作出了中心波长为 1. 5509μm、信道间隔为 200GHz的 5×5阵列波导光栅(AWG).测试中心波长与设计值相差 0. 28nm,测试波长间隔与设计值相差在 0. 02nm之内,相邻信道串扰接近10dB,信道插入损耗均匀性为 0. 7dB,测试结果表明该器件能够初步达到分波功能. 展开更多
关键词 SOI材料 阵列波导光栅(AWG) 制作 中心波长 信道间隔 波长间隔 信道串扰 插入损耗 设计值 ICP 测试 均匀性 相差 刻蚀 分波 器件
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构成谐振腔的光子晶体端面反射镜的设计 被引量:6
14
作者 唐海侠 王启明 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期91-94,共4页
研究了光子晶体作为谐振腔端面反射镜的应用.利用有效折射率法和2DPWE以及2DFDTD方法结合对构成谐振腔的两个端面反射镜进行了设计,得到左端面反射镜的最佳光子晶体晶格周期数为11×11,而右端面反射镜的最佳光子晶体晶格周期数为3&#... 研究了光子晶体作为谐振腔端面反射镜的应用.利用有效折射率法和2DPWE以及2DFDTD方法结合对构成谐振腔的两个端面反射镜进行了设计,得到左端面反射镜的最佳光子晶体晶格周期数为11×11,而右端面反射镜的最佳光子晶体晶格周期数为3×11,这为实验工作提供了良好的理论依据. 展开更多
关键词 光子晶体 光子带隙 端面反射镜
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SOI基光子晶体光波导 被引量:1
15
作者 唐海侠 王启明 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期103-107,共5页
光子晶体光波导由于其优越的光子局域化性能,因此可以实现任意的弯曲,从而大大减小了集成光路的体积。特别是以SOI材料为基础的光子晶体光波导以其小型化、低损耗的优势而备受人们的关注。介绍了几种类型的SOI基光子晶体光波导,并探索... 光子晶体光波导由于其优越的光子局域化性能,因此可以实现任意的弯曲,从而大大减小了集成光路的体积。特别是以SOI材料为基础的光子晶体光波导以其小型化、低损耗的优势而备受人们的关注。介绍了几种类型的SOI基光子晶体光波导,并探索了其潜在的应用前景。 展开更多
关键词 SOI 光子晶体光波导 集成光路
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A Broadband Long-Wavelength Superluminescent Diode Based on Graded Composition Bulk InGaAs
16
作者 丁颖 王圩 +2 位作者 阚强 王宝军 周帆 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期2309-2314,共6页
A novel unselective regrowth buried heterostructure long-wavelength superluminescent diode (SLD) with a graded composition bulk InGaAs active region is developed by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE). At a 1... A novel unselective regrowth buried heterostructure long-wavelength superluminescent diode (SLD) with a graded composition bulk InGaAs active region is developed by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE). At a 150mA injection current, the full width at half maximum of the emission spectrum of the SLD is about 72nm, ranging from 1602 to 1674nm. The emission spectrum is smooth and flat. The ripple of the spectrum is less than 0.3dB at any wavelength from 1550 to 1700nm. An output power of 4.3mW is obtained at a 200mA injection current under continuous-wave operation at room temperature. This device is suitable for the applications of light sources for gas detectors and L-band optical fiber communications. 展开更多
关键词 BROADBAND superluminescent diodes graded composition buried hetero-structure
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带边工作的光子晶体平板的设计与制作
17
作者 唐海侠 王启明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期360-363,共4页
光子晶体的带边群速度反常特性可以用于放大一些光学过程,从而在光电子学领域中具有广泛的应用前景.文中以SOI材料为例,利用3D PWE法对带边工作的光子晶体结构参数进行设计,采用电子束曝光和ICP刻蚀方法结合在SOI衬底的顶层Si上刻蚀三... 光子晶体的带边群速度反常特性可以用于放大一些光学过程,从而在光电子学领域中具有广泛的应用前景.文中以SOI材料为例,利用3D PWE法对带边工作的光子晶体结构参数进行设计,采用电子束曝光和ICP刻蚀方法结合在SOI衬底的顶层Si上刻蚀三角晶格的空气孔形成光子晶体结构.并通过透射特性测量得到了带边的位置,发现与设计值存在一定的偏差,主要是实际制作的空气孔尺寸比设计值大的缘故.通过在同一样品上制作一组晶格常数相同、孔半径不同的光子晶体结构,得到了带边位置位于1548nm波长的光子晶体,与设计的1550nm基本相符. 展开更多
关键词 光子晶体平板 SOI 光子带隙 带边 群速度
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RTD与PHEMT集成的几个关键工艺 被引量:2
18
作者 王建林 刘忠立 +3 位作者 王良臣 曾一平 杨富华 白云霞 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期390-394,共5页
在新型的共振隧穿二极管 (RTD)器件与PHEMT器件单片集成材料结构上 ,研究和分析了分立器件的制作工艺 ,给出了分立器件的制作工艺参数 .利用上述工艺成功制作了RTD和PHEMT器件 ,并在室温下分别测试了RTD器件和PHEMT器件的电学特性 .测... 在新型的共振隧穿二极管 (RTD)器件与PHEMT器件单片集成材料结构上 ,研究和分析了分立器件的制作工艺 ,给出了分立器件的制作工艺参数 .利用上述工艺成功制作了RTD和PHEMT器件 ,并在室温下分别测试了RTD器件和PHEMT器件的电学特性 .测试表明 :在室温下 ,RTD器件的峰电流密度与谷电流密度之比提高到1 78;PHEMT器件的最大跨导约为 12 0mS/mm ,在Vgs=0 5V时的饱和电流约为 2 70mA/mm .这将为RTD集成电路的研制奠定工艺基础 . 展开更多
关键词 共振隧穿二极管 高电子迁移率晶体管 集成电路 工艺
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Design and Realization of Resonant Tunneling Diodes with New Material Structure 被引量:1
19
作者 王建林 王良臣 +3 位作者 曾一平 刘忠立 杨富华 白云霞 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期1-5,共5页
A new material structure with Al 0.22Ga 0.78As/In 0.15Ga 0.85As/GaAs emitter spacer layer and GaAs/In 0.15- Ga 0.85As/GaAs well for resonant tunneling diodes is designed and the corresponding device... A new material structure with Al 0.22Ga 0.78As/In 0.15Ga 0.85As/GaAs emitter spacer layer and GaAs/In 0.15- Ga 0.85As/GaAs well for resonant tunneling diodes is designed and the corresponding device is fabricated.RTDs DC characteristics are measured at room temperature. Peak-to-valley current ratio and the available current density for RTDs at room temperature are computed.Analysis on these results suggests that adjusting material structure and optimizing fabrication processes will be an effective means to improve the quality of RTDs. 展开更多
关键词 resonant tunneling diodes quantum effect DC characterization
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Wide-Band Polarization-Independent Semiconductor Optical Amplifier Gate with Tensile-Strained Quasi-Bulk InGaAs
20
作者 王书荣 刘志宏 +6 位作者 王圩 朱洪亮 张瑞英 丁颖 赵玲娟 周帆 王鲁峰 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期898-902,共5页
A semiconductor optical amplifier gate based on tensile strained quasi bulk InGaAs is developed.At injection current of 80mA,a 3dB optical bandwidth of more than 85nm is achieved due to dominant band filling effect... A semiconductor optical amplifier gate based on tensile strained quasi bulk InGaAs is developed.At injection current of 80mA,a 3dB optical bandwidth of more than 85nm is achieved due to dominant band filling effect.Moreover,the most important is that very low polarization dependence of gain (<0 7dB),fiber to fiber lossless operation current (70~90mA) and a high extinction ratio (>50dB) are simultaneously obtained over this wide 3dB optical bandwidth (1520~1609nm) which nearly covers the spectral region of the whole C band (1525~1565nm) and the whole L band (1570~1610nm).The gating time is also improved by decreasing carrier lifetime.The wide band polarization insensitive SOA gate is promising for use in future dense wavelength division multiplexing (DWDM) communication systems. 展开更多
关键词 semiconductor optical amplifier gate wide bandwidth polarization insensitive tensile strained quasi bulk InGaAs fiber to fiber lossless operation current extinction ratio
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