半导体激光器与光纤光栅对接耦合研究(英文) 被引量：12

1

作者 徐庆扬 陈少武 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期1-5,共5页

半导体激光器管芯与光纤光栅的对接耦合对光纤光栅外腔激光器的特性起到关键作用。利用散射矩阵分析了激光器管芯与光纤光栅外腔的对接耦合 ,发现对接的距离以及对接的耦合效率决定了光纤光栅外腔激光器的性能。在强反馈情况下 ,激射波... 半导体激光器管芯与光纤光栅的对接耦合对光纤光栅外腔激光器的特性起到关键作用。利用散射矩阵分析了激光器管芯与光纤光栅外腔的对接耦合 ,发现对接的距离以及对接的耦合效率决定了光纤光栅外腔激光器的性能。在强反馈情况下 ,激射波长在光纤光栅外腔有效反射率决定的布喇格波长内随对接耦合距离周期性的变化 ,对弱反馈情况则有些不同。同时对比了两种情况的边模抑制比。 展开更多

关键词 光纤光栅 外腔激光器 对接耦合 边模抑制比 激射波长

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聚合物热光相移器件的研究及其应用 被引量：6

2

作者 杨晓红 杜云 +4 位作者 吴荣汉 赵榆霞 李兆 周家云 沈玉全 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期87-90,共4页

利用聚合物材料研制出热光 Mach- Zehnder(MZ)型干涉调制器 ,单位相移为 1.5 3π/ (cm·℃ ) ,产生 π相移所需功率为 12 m W.热光开关的响应时间为 1.2 m s,消光比为 16 d B,接近实用水平 .

关键词 热光相移器件 聚合物波导 Mach-Zehnder干涉型调制

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InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究 被引量：2

3

作者 李昱峰 韩培德 +6 位作者 陈振 黎大兵 王占国 刘祥林 陆大成 王晓晖 汪度 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期380-384,T001,共6页

降低InGaN的维数是提高GaN基发光器件发光效率的一种非常有效的方法,本文的工作主要集中在高密度InGaN量子点的生长和分析上。在MOCVD设备上,经过钝化和低温两个特殊工艺条件,在高温GaN表面生长了一层低温岛状GaN,形成表面形貌的起伏,... 降低InGaN的维数是提高GaN基发光器件发光效率的一种非常有效的方法,本文的工作主要集中在高密度InGaN量子点的生长和分析上。在MOCVD设备上,经过钝化和低温两个特殊工艺条件,在高温GaN表面生长了一层低温岛状GaN,形成表面形貌的起伏,进而导致表面应力的不均匀分布。在这一层低温岛状GaN的诱导性作用下生长并形成InGaN量子点。通过原子力显微镜、透射电子显微镜和光致发光谱对其微观形貌和光学性质进行了观察和研究。从原子力显微镜以及透射电子显微镜观察得到的结果表明:InGaN量子点为平均直径约30nm、高度约25nm、分布较均匀的圆锥,其密度约1011cm-2。室温下,InGaN量子点材料的PL谱强度大大超出相同条件生长的InGaN薄膜材料。这些现象表明,用InGaN量子点代替普通InGaN薄膜,有望获得发光效率更高的GaN基发光器件。 展开更多

关键词 INGAN 量子点 诱导生长 发光特性 微观形貌 氮镓铟化合物 半导体

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火焰水解法制备硅基二氧化硅材料的析晶研究 被引量：2

4

作者 郜定山 李建光 +4 位作者 安俊明 李健 夏君磊 王红杰 胡雄伟 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期496-498,共3页

　用火焰水解法在硅基片上制备了掺杂GeO2和B2O3的SiO2光波导材料。用X射线物相衍射法(XRD)分析了掺杂和烧结工艺对材料的析晶现象的影响。结果表明,当烧结时采取自然降温,GeO2 SiO2材料由于严重析晶而完全碎裂;而当烧结后期采取快速降... 　用火焰水解法在硅基片上制备了掺杂GeO2和B2O3的SiO2光波导材料。用X射线物相衍射法(XRD)分析了掺杂和烧结工艺对材料的析晶现象的影响。结果表明,当烧结时采取自然降温,GeO2 SiO2材料由于严重析晶而完全碎裂;而当烧结后期采取快速降温,析晶过程受到很大抑制,但仍有析晶。在此GeO2 SiO2材料中掺入适量的B2O3后,得到了完全非晶态的GeO2 B2O3 SiO2材料,但B2O3掺入量过多时,又会导致析晶。 展开更多

关键词 火焰水解 二氧化硅 析晶 二氧化锗 三氧化二硼

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高性能近红外硅光电倍增管的设计

5

作者 陈力颖 左金 程传同 《天津工业大学学报》 CAS 北大核心 2024年第6期73-79,88,共8页

为了进一步提高硅光电倍增管在近红外波段的光子探测效率,提出了一种平面型外延电阻淬灭型硅光电倍增管和一种基于倒金字塔结构的硅光电倍增管。通过各向异性腐蚀形成倒金字塔结构,在倒金字塔4个侧面以离子注入的方式形成p-enrich区域,... 为了进一步提高硅光电倍增管在近红外波段的光子探测效率,提出了一种平面型外延电阻淬灭型硅光电倍增管和一种基于倒金字塔结构的硅光电倍增管。通过各向异性腐蚀形成倒金字塔结构,在倒金字塔4个侧面以离子注入的方式形成p-enrich区域,增大了PN结的结面积,加大了有效光探测面积,提高了几何填充因子,从而在一定程度上提高了光子探测效率,并对相同掺杂浓度的平面型硅光电倍增管和基于倒金字塔结构的硅光电倍增管结构进行仿真。结果表明:2种器件的击穿电压约为-13 V;微单元尺寸为20μm、过电压6 V时900 nm处的平面型外延电阻淬灭型硅光电倍增管和基于倒金字塔结构的硅光电倍增管的光子探测效率分别为11.2%和15.6%,说明2种结构均能够对近红外波段的光进行有效探测,而基于倒金字塔结构的硅光电倍增管能够提高器件近红外波段的光子探测效率。 展开更多

关键词 硅光电倍增管 倒金字塔结构 近红外 光子探测效率

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双源电子束蒸发制备Si/SiO_2光学薄膜的工艺 被引量：8

6

作者 赵妙 周代兵 +2 位作者 谭满清 王晓东 吴旭明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期1586-1589,共4页

用双源电子束蒸发的方法,在K9玻璃基片上蒸镀Si和SiO_2的混合膜.通过改变两种膜料蒸发速率的比例,得到的各个膜层,其折射率大小在两种膜料折射率之间的范围内变化.从实验上得出了混合膜层的折射率随Si和SiO_2蒸发速率比变化的规律,并讨... 用双源电子束蒸发的方法,在K9玻璃基片上蒸镀Si和SiO_2的混合膜.通过改变两种膜料蒸发速率的比例,得到的各个膜层,其折射率大小在两种膜料折射率之间的范围内变化.从实验上得出了混合膜层的折射率随Si和SiO_2蒸发速率比变化的规律,并讨论了这种淀积方法的优越性. 展开更多

关键词 薄膜 介质光学膜 双源电子束蒸发 折射率 蒸发速率

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高锗组分PIN锗硅光电探测器设计与模拟

7

作者 李欢 牛萍娟 +4 位作者 杨广华 李俊一 张宇 常旭 张秀乐 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2008年第3期440-443,共4页

介绍了Si1-xGex合金材料在制作新型光电子器件方面的重要作用,描述了应变SiGe层的特性,包括其临界厚度与Ge组分的关系、能带变窄、折射率增加,以及应变SiGe层的亚稳态特性。设计了应变锗硅缓冲层上的高Ge组分PIN光电探测器的外延材料和... 介绍了Si1-xGex合金材料在制作新型光电子器件方面的重要作用,描述了应变SiGe层的特性,包括其临界厚度与Ge组分的关系、能带变窄、折射率增加,以及应变SiGe层的亚稳态特性。设计了应变锗硅缓冲层上的高Ge组分PIN光电探测器的外延材料和结构,采用Silvaco软件分别对光电探测器的器件结构、光谱响应、响应电流及其随入射光功率的变化、器件的暗电流进行了模拟,结果显示,探测器有源区面积增大,其响应电流也增大,且暗电流比其响应电流小6～8个数量级;探测器的响应时间约为3.8×10-9s;探测器在850nm左右具有较好的光响应;这些结果都比较理想。采用L-edit软件设计了该光电探测器的结构,最后对研究结果做出总结。 展开更多

关键词 光电探测器 锗硅 缓冲层 Silvaco

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在硅片上沉积厚二氧化硅的火焰水解法研究 被引量：6

8

作者 郜定山 李建光 +4 位作者 王红杰 安俊明 李健 韩培德 胡雄伟 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第9期1279-1282,共4页

用火焰水解和高温烧结的方法在单晶硅基片上制备了厚SiO2 和B2 O3 P2 O5 SiO2 光波导包层材料。并用扫描电镜 (SEM)和X射线粉末衍射 (XRD)方法对其微观形貌和物相结构进行了观察和检测。重点对硅基片上沉积厚SiO2 时的龟裂和析晶问题... 用火焰水解和高温烧结的方法在单晶硅基片上制备了厚SiO2 和B2 O3 P2 O5 SiO2 光波导包层材料。并用扫描电镜 (SEM)和X射线粉末衍射 (XRD)方法对其微观形貌和物相结构进行了观察和检测。重点对硅基片上沉积厚SiO2 时的龟裂和析晶问题进行了深入研究。从扫描电镜照片可以看出 ,火焰水解法形成的SiO2 粉末呈多孔的蜂窝状结构。这种粉末具有很高的比表面积 ,因而很容易烧结成玻璃。X射线衍射图谱表明 ,这种粉末是完全非晶态的。经过烧结以后 ,从扫描电镜照片可以明显看出硅基片上的SiO2 薄膜出现龟裂。同时 ,X射线衍射测试结果表明有少量SiO2 析晶。而通过在SiO2 中掺入B2 O3 、P2 O5,上述龟裂和析晶完全消失。用这种工艺制备的SiO2 波导包层材料厚度达到 2 0 μm以上 ,表面光滑、没有龟裂 ,而且是完全玻璃态的 ,可以用于制备性能优良的各种硅基二氧化硅波导器件。 展开更多

关键词 光学材料 光波导材料 二氧化硅 火焰水解 龟裂 析晶

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利用WDM光纤耦合器的光纤光栅传感解调技术 被引量：13

9

作者 田珂珂 肖浩 +2 位作者 曹春耕 刘育梁 王启明 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期49-51,55,共4页

根据 WDM 光纤耦合器波长解调方案的工作原理、偏振特性以及影响系统波长分辨力的因素,提出一种改进的利用 WDM 光纤耦合器的光纤光栅传感解调技术。该技术在原技术的基础上,采用偏振控制器控制入射光偏振状态,提高了解调的精度和稳定... 根据 WDM 光纤耦合器波长解调方案的工作原理、偏振特性以及影响系统波长分辨力的因素,提出一种改进的利用 WDM 光纤耦合器的光纤光栅传感解调技术。该技术在原技术的基础上,采用偏振控制器控制入射光偏振状态,提高了解调的精度和稳定性。对 WDM 光纤耦合器的多次波长扫描结果表明,采用偏振控制器后,其波长误差可减小到 5pm 左右。实验采用 1540/1560nm的 WDM 光纤耦合器对单点光纤光栅应变传感器进行静态解调,结果表明:按此技术开发的解调系统具有 0.01nm 波长分辨力和 10nm 的波长线性解调范围。 展开更多

关键词 光纤光栅 光纤耦合器 应变传感器 解调

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紫外光直写杂化溶胶-凝胶SiO_2光波导器件 被引量：6

10

作者 王玥 吴远大 +5 位作者 李建光 安俊明 王红杰 尹小杰 张家顺 胡雄伟 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期1130-1133,共4页

利用有机/无机杂化方法制备了光敏性溶胶-凝胶(sol-gel)SiO2材料,在硅基片上旋涂成膜.研究了薄膜折射率和厚度随紫外曝光时间、后烘温度及时间等外界工艺条件的变化关系.利用紫外光直写技术,制作出1×2,1×4多模干涉(MMI)型分束... 利用有机/无机杂化方法制备了光敏性溶胶-凝胶(sol-gel)SiO2材料,在硅基片上旋涂成膜.研究了薄膜折射率和厚度随紫外曝光时间、后烘温度及时间等外界工艺条件的变化关系.利用紫外光直写技术,制作出1×2,1×4多模干涉(MMI)型分束器,并且观测到了分光效果较好的近场输出图像. 展开更多

关键词 溶胶-凝胶 紫外光直写 杂化 光波导

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硅基二氧化硅波导的应力和偏振相关性的数值分析 被引量：6

11

作者 邓晓清 杨沁清 +2 位作者 王红杰 胡雄伟 王启明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期1196-1200,共5页

使用有限元方法分析了硅基二氧化硅光波导的应力分布 ,结果表明波导主要受横向压应力影响 ,而且应力主要集中在芯区和包层的界面附近 .根据波导的应力分布 ,得出波导的折射率分布 ,并使用 ADI全矢量方法求解出波导的模式折射率 .比较考... 使用有限元方法分析了硅基二氧化硅光波导的应力分布 ,结果表明波导主要受横向压应力影响 ,而且应力主要集中在芯区和包层的界面附近 .根据波导的应力分布 ,得出波导的折射率分布 ,并使用 ADI全矢量方法求解出波导的模式折射率 .比较考虑应力和未考虑应力的波导模式折射率可以得出 :波导的双折射效应主要是由于波导应力引起的 。 展开更多

关键词 偏振相关性 数值分析 有限元 应力 硅基二氧化硅波导 双折射效应

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Si基片上掺Ge SiO_2的火焰水解法制备 被引量：5

12

作者 郜定山 李建光 +4 位作者 王红杰 安俊明 李健 夏君磊 胡雄伟 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期674-677,共4页

用火焰水解法在单晶Si片上沉积了掺Ge的SiO2 (GeO2 SiO2 )粉末 ,随后在高温炉中将此粉末烧结成玻璃 .用光学显微镜观察了样品表面形貌 ,研究了不同的烧结工艺对样品形貌的影响 .用X射线光电子能谱检测了样品的元素组成 ,并用棱镜耦合... 用火焰水解法在单晶Si片上沉积了掺Ge的SiO2 (GeO2 SiO2 )粉末 ,随后在高温炉中将此粉末烧结成玻璃 .用光学显微镜观察了样品表面形貌 ,研究了不同的烧结工艺对样品形貌的影响 .用X射线光电子能谱检测了样品的元素组成 ,并用棱镜耦合法测量了样品的折射率和厚度 .结果表明 ,用适宜的工艺条件制备出的掺Ge的SiO2 具有表面平整光滑 ,折射率和厚度可调等优点 ,适合用作Si基SiO2 波导器件的芯层 . 展开更多

关键词 火焰水解 SIO2 GeO2 折射率 光波导

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原位合成AlN及添加钇的复合AlN粉体 被引量：7

13

作者 郑新和 王群 +1 位作者 林志浪 周美玲 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期430-437,共8页

以Al Mg和Al Mg Y合金为原料 ,通入高纯度的氮气 ,利用原位合成法制备了AlN粉体及含烧结助剂的复合AlN粉体。合金氮化产物的组织排列疏松 ,有利于粉化。粉化后的AlN粉体纯度较高 ,含氧量为 1.2 3% ,平均粒径为 6 .78μm ,物相为单相AlN ... 以Al Mg和Al Mg Y合金为原料 ,通入高纯度的氮气 ,利用原位合成法制备了AlN粉体及含烧结助剂的复合AlN粉体。合金氮化产物的组织排列疏松 ,有利于粉化。粉化后的AlN粉体纯度较高 ,含氧量为 1.2 3% ,平均粒径为 6 .78μm ,物相为单相AlN ;复合AlN粉体物相组成为AlN主相与稀土钇的氧化物烧结助剂Y2 O3 相。粒径分布曲线呈双峰现象 ,从提高粉体的充填系数角度考虑 。 展开更多

关键词 稀土 钇 原位合成 复合AlN粉体 氮化铝 集成电路 材料 陶瓷

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基于FPGA的数字锁相放大器在气体探测中的应用 被引量：9

14

作者 范松涛 周燕 +1 位作者 张强 潘教青 《计算机测量与控制》 CSCD 北大核心 2012年第11期3027-3028,3041,共3页

介绍了基于波长调制光谱技术的激光气体探测系统的基本原理,详细描述了双相数字锁相放大器基本原理和结构;为了实现模块化高精度在线激光气体检测系统,利用FPGA和模数数模器件设计了数字锁相放大器的硬件电路,将数字锁相算法在FPGA中实... 介绍了基于波长调制光谱技术的激光气体探测系统的基本原理,详细描述了双相数字锁相放大器基本原理和结构;为了实现模块化高精度在线激光气体检测系统,利用FPGA和模数数模器件设计了数字锁相放大器的硬件电路,将数字锁相算法在FPGA中实现;基于FPGA的数字锁相放大器应用于激光甲烷分析仪中,并对4个标准甲烷气体进行了实际测试,在10%量程范围内示值误差不超过±0.2%;实验表明基于FPGA的数字锁相放大器能够用于高精度在线激光气体探测系统中。 展开更多

关键词 数字锁相放大器 TDLAS FPGA 二次谐波

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基于silica波导光栅的单纤三向器的混合集成研究 被引量：4

15

作者 李俊一 安俊明 +3 位作者 吴远大 李建光 王红杰 胡雄伟 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1422-1425,共4页

通过有源实时监控系统,采用手动和自动相结合的方法,将光纤、silica基阵列波导光栅(AWG)、1310nm激光器(LD)平台和1490nm、1550nm探测器(PD)平台用紫外固化胶混合集成为一新型单纤三向器。在耦合集成过程中,LD在15mA偏置电流下,三向器... 通过有源实时监控系统,采用手动和自动相结合的方法,将光纤、silica基阵列波导光栅(AWG)、1310nm激光器(LD)平台和1490nm、1550nm探测器(PD)平台用紫外固化胶混合集成为一新型单纤三向器。在耦合集成过程中,LD在15mA偏置电流下,三向器的上行出纤功率大约为-4dBm,LD和波导的耦合效率大约40%;当三向器输入1550nm光功率为1mW,PD在2.6V反向偏压下,下行输出光电流大约为76μA,波导和PD的耦合效率大约为42%。三向器中采用了对管PD集成方法。 展开更多

关键词 平面光波回路(PLC) 单纤三向器 silica阵列波导光栅(AWG) 带模斑尺寸变换的LD(SSC-LD) 探测器(PD) 紫外固化胶 有源对准技术 跨阻放大器(TIA) 微带线(MSL) 微晶玻璃

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SiON对Si基SiO_2AWG偏振补偿的数值分析 被引量：2

16

作者 安俊明 郜定山 +3 位作者 李健 李建光 王红杰 胡雄伟 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第7期858-862,共5页

采用全矢量交替方向隐含迭代方法系统分析了高折射率 Si ON薄膜对 Si基 Si O2 阵列波导光栅中波导应力双折射的影响 .分析结果表明在芯区上或下表面沉积 Si ON薄膜可以明显减小 Si基 Si O2 阵列波导光栅 (AWG)中波导的应力双折射 ,但这... 采用全矢量交替方向隐含迭代方法系统分析了高折射率 Si ON薄膜对 Si基 Si O2 阵列波导光栅中波导应力双折射的影响 .分析结果表明在芯区上或下表面沉积 Si ON薄膜可以明显减小 Si基 Si O2 阵列波导光栅 (AWG)中波导的应力双折射 ,但这两种补偿方法容易使模场偏移中心位置 ,不利于波导与光纤的耦合 .理想的补偿方法是在芯区上下同时补偿 ,可减小模场偏移 ,并用该方法设计了偏振无关的 1 6通道 AWG. 展开更多

关键词 SiON薄膜 Si基SiO2波导 应力 双折射 阵列波导光栅 偏振补偿 EEACC 4130

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SiO_2/Si波导应力双折射数值分析 被引量：3

17

作者 安俊明 班士良 +6 位作者 梁希侠 李健 郜定山 夏君磊 李健光 王红杰 胡雄伟 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期1454-1458,共5页

采用有限元法对SiO2/Si掩埋光波导制备工艺中的应力变化进行了系统的分析,在此基础上,应用有限差分束传播法(FDBPM)对应力光波导的双折射进行了计算.结果表明上包层的玻璃化过程是SiO2/Si波导形成水平方向和垂直方向应力差的主要原因,... 采用有限元法对SiO2/Si掩埋光波导制备工艺中的应力变化进行了系统的分析,在此基础上,应用有限差分束传播法(FDBPM)对应力光波导的双折射进行了计算.结果表明上包层的玻璃化过程是SiO2/Si波导形成水平方向和垂直方向应力差的主要原因,相应的应力双折射系数B在10-4量级.进一步的分析表明上包层B,P重掺杂可明显减小波导的双折射系数. 展开更多

关键词 SIO2/SI 波导 应力 双折射 数值分析

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硅基二氧化硅阵列波导光栅相位误差数值分析 被引量：2

18

作者 安俊明 夏君旨 +4 位作者 李健 郜定山 李建光 王红杰 胡雄伟 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期220-224,共5页

采用传输函数法对硅基二氧化硅阵列波导光栅(AWG)的相位系统误差和随机误差进行了详细的分析.系统误差的模拟结果表明阵列波导的有效折射率和相邻阵列波导长度差ΔL的偏移将会对使中心波长λ0偏离设计值,平板波导有效折射率、阵列波导... 采用传输函数法对硅基二氧化硅阵列波导光栅(AWG)的相位系统误差和随机误差进行了详细的分析.系统误差的模拟结果表明阵列波导的有效折射率和相邻阵列波导长度差ΔL的偏移将会对使中心波长λ0偏离设计值,平板波导有效折射率、阵列波导的间距、罗兰圆聚焦长度R的偏移会使通道间隔偏离设计值.随机误差的模拟结果表明相邻阵列波导长度差、阵列波导中芯区折射率、芯区宽度、芯区厚度的随机波动对AWG的串扰影响较大,而波导上、下包层折射率的波动对AWG串扰影响较小. 展开更多

关键词 阵列波导光栅 串扰 相位误差 数值分析

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16×0.8nm硅基二氧化硅阵列波导光栅设计 被引量：2

19

作者 安俊明 李健 +3 位作者 郜定山 李建光 王红杰 胡雄伟 《光学技术》 CAS CSCD 2004年第6期676-678,681,共4页

给出了更为合理的阵列波导光栅(AWG)的设计原则。在设计时兼顾了输出谱的非均匀性Lu和输出通道数N的要求,克服了设计中可能引起通道数N丢失和不考虑输出谱非均匀性Lu的缺点。用该方法设计了折射率差为0 75%和16×0 8nm的硅基二氧化... 给出了更为合理的阵列波导光栅(AWG)的设计原则。在设计时兼顾了输出谱的非均匀性Lu和输出通道数N的要求,克服了设计中可能引起通道数N丢失和不考虑输出谱非均匀性Lu的缺点。用该方法设计了折射率差为0 75%和16×0 8nm的硅基二氧化硅AWG。采用广角有限差分束传播方法(FD BPM)对所设计的AWG进行了输出谱的模拟,得到了插损为 1.5dB、串扰为 48dB、通道非均匀性约为1dB的AWG,设计指标达到了商用要求。 展开更多

关键词 阵列波导 光栅 波分复用 设计 数值模拟

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基于STM32和FPGA的激光甲烷检测系统设计 被引量：2

20

作者 范松涛 周燕 +2 位作者 潘教青 张强 曹忆南 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2012年第10期116-118,共3页

为了开发小型化的实用激光甲烷检测系统,设计了基于STM32单片机和FPGA的系统方案。FPGA实现系统中正交矢量锁相放大器和激光器调制驱动信号的产生。STM32负责半导体激光器温度控制,气体体积分数计算,通信接口等功能。设计的激光甲烷检... 为了开发小型化的实用激光甲烷检测系统,设计了基于STM32单片机和FPGA的系统方案。FPGA实现系统中正交矢量锁相放大器和激光器调制驱动信号的产生。STM32负责半导体激光器温度控制,气体体积分数计算,通信接口等功能。设计的激光甲烷检测系统对4种标准甲烷气体进行了实际测试,在10%量程范围内示值误差不超过±0.2%。此方案可以作为激光气体检测系统的通用平台,实现对其他气体的测量。 展开更多

关键词 气体检测 激光 甲烷 STM32 现场可编程门阵列

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