锑化物半导体材料与器件应用研究进展 被引量：3

1

作者 刘超 曾一平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期525-530,共6页

窄禁带的锑化物半导体材料近年来被国际上公认为第三代超高速、超低功耗集成电路和第三代焦平面阵列红外探测器的首选材料体系。概述了它们独特的能带结构和物理特性及其为各种新型功能器件的研发提供的极大发展空间,指出该材料成为美... 窄禁带的锑化物半导体材料近年来被国际上公认为第三代超高速、超低功耗集成电路和第三代焦平面阵列红外探测器的首选材料体系。概述了它们独特的能带结构和物理特性及其为各种新型功能器件的研发提供的极大发展空间,指出该材料成为美国、日本、德国、以色列等发达国家竞相开展研究的热点领域。概要介绍了锑化物半导体材料的制备工艺、存在的问题和器件应用的一些最新成果,给出了今后该领域的发展趋势。 展开更多

关键词 锑化物半导体 红外激光器 红外探测器 集成电路 能带结构 功能器件

下载PDF 职称材料

退火与未退火MM-HEMT材料中二维电子气的磁输运特性研究

2

作者 蒋春萍 郭少令 +8 位作者 孙 全 黄志明 桂永胜 郑国珍 褚君浩 崔利杰 曾一平 朱战平 王保强 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第z1期79-82,共4页

采用变磁场霍耳测量,在1.5～90K的温度范围内,研究了经过快速热退火与未退火掺杂MM-HEMT材料中二维电子气的输运特性.通过对Shubnikov-de Hass(SdH)振荡曲线进行快速Fourier变换分析,获得了该样品沟道中子能带上的电子浓度等信息,并采... 采用变磁场霍耳测量,在1.5～90K的温度范围内,研究了经过快速热退火与未退火掺杂MM-HEMT材料中二维电子气的输运特性.通过对Shubnikov-de Hass(SdH)振荡曲线进行快速Fourier变换分析,获得了该样品沟道中子能带上的电子浓度等信息,并采用迁移率谱(MS)和多载流子拟合过程法(MFC)相结合的方法分析了该样品中子能带电子的浓度和迁移率.该方法与SdH测量所获得的结果符合得很好,都证实了在很高的温度下退火将影响样品沟道中电子的浓度和迁移率,对材料性能起着不可低估的作用. 展开更多

关键词 变磁场霍耳测量 MM-HEMT材料 二维电子气 快速热退火.

下载PDF 职称材料

T-ZnOw高分子复合材料逾渗行为的模拟与研究 被引量：1

3

作者 马泽宇 王晓亮 +2 位作者 王翠梅 肖红领 杨翠柏 《材料导报（纳米与新材料专辑）》 EI 2010年第1期227-229,共3页

从T-ZnOw独特的空间结构出发,建立了T-ZnOw高分子复合材料的新型三维点阵模型,利用Monte Carlo方法对该系统的逾渗导通行为进行了模拟,得到点阵逾渗阈值为23.2%。结合实际计算获得了T-ZnOw的临界掺入比例,与文献报道的结果基本吻合。计... 从T-ZnOw独特的空间结构出发,建立了T-ZnOw高分子复合材料的新型三维点阵模型,利用Monte Carlo方法对该系统的逾渗导通行为进行了模拟,得到点阵逾渗阈值为23.2%。结合实际计算获得了T-ZnOw的临界掺入比例,与文献报道的结果基本吻合。计算表明临界掺入比例主要取决于T-ZnOw的长径比,并与晶须尺寸以及复合材料制备工艺有关。 展开更多

关键词 T-ZNOW 逾渗 复合材料

下载PDF 职称材料

提高(100)晶向磷化铟单晶的成晶率和质量的研究 被引量：6

4

作者 赵有文 段满龙 +5 位作者 孙文荣 杨子祥 焦景华 赵建群 曹慧梅 吕旭如 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期460-463,共4页

通过对高压液封直拉法单晶生长过程的热传输和影响熔体温度起伏的几个关键因素的分析,研究适合生长(100)晶向磷化铟单晶的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率,重复地生长出了整锭掺硫和掺铁的、直径为50mm和76mm的(100)磷化铟单晶。... 通过对高压液封直拉法单晶生长过程的热传输和影响熔体温度起伏的几个关键因素的分析,研究适合生长(100)晶向磷化铟单晶的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率,重复地生长出了整锭掺硫和掺铁的、直径为50mm和76mm的(100)磷化铟单晶。测试结果表明我们生长(100)磷化铟单晶的热场在生长过程中使晶锭保持较为平坦的固液界面,可稳定地获得具有低的缺陷密度和良好的电学均匀性的高质量磷化铟单晶材料。 展开更多

关键词 磷化铟 单晶 成晶率 质量 液封直拉法 孪晶 均匀性 固液界面 半导体材料

下载PDF 职称材料

质子辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱材料光学性质的影响 被引量：6

5

作者 黄万霞 林理彬 +1 位作者 曾一平 潘量 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第11期957-962,共6页

用固定能量为２０ｋｅＶ，剂量为１０１１～１０１３／ｃｍ ２ 的质子和固定剂量为１×１０１１／ｃｍ ２，能量为３０～１００ｋｅＶ 的质子，对ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ 多量子阱材料进行辐照，得到了材料的光致发光特性随质子能... 用固定能量为２０ｋｅＶ，剂量为１０１１～１０１３／ｃｍ ２ 的质子和固定剂量为１×１０１１／ｃｍ ２，能量为３０～１００ｋｅＶ 的质子，对ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ 多量子阱材料进行辐照，得到了材料的光致发光特性随质子能量和剂量的变化关系，并进行了讨论．结果表明，质子辐照对材料的光学性质有破坏性的影响，这种影响是通过两种机制引起的．相同能量的质子辐照，随着辐照剂量的增大，对量子阱光致发光峰的破坏增大．相同剂量的质子辐照，当辐照质子的射程刚好覆盖整个量子阱结构区域时，对量子阱光致发光峰的破坏最严重，当辐照质子的射程超过量子阱结构区域时，对量子阱光致发光峰的破坏反而减小． 展开更多

关键词 量子阱材料 光学性质 质子辐照 GaAs ALGAAS

下载PDF 职称材料

高质量GaN材料的GSMBE生长 被引量：6

6

作者 王晓亮 孙殿照 +6 位作者 孔梅影 张剑平 付荣辉 朱世荣 曾一平 李晋闽 林兰英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第12期935-938,共4页

在国内首次用NH3作氮源的GSMBE方法在α－Al2O3衬底上成功地生长出了高质量的GaN单晶外延膜．GaN外延膜的（0002）X射线双晶衍射峰回摆曲线的半高宽最窄为8’；背景电子浓度最低为2．7×1018cm－3，霍尔迁移率最好为91cm2／（V... 在国内首次用NH3作氮源的GSMBE方法在α－Al2O3衬底上成功地生长出了高质量的GaN单晶外延膜．GaN外延膜的（0002）X射线双晶衍射峰回摆曲线的半高宽最窄为8’；背景电子浓度最低为2．7×1018cm－3，霍尔迁移率最好为91cm2／（V·s）；室温光致发光谱上只观察到一个强而锐的带边发光峰，谱峰位于363nm处，室温谱峰半高宽最窄为8nm（75meV）． 展开更多

关键词 氮化镓 GSMBE 外延生长

下载PDF 职称材料

Ⅱ-Ⅵ族镉化物材料的MBE生长及器件应用进展 被引量：3

7

作者 赵杰 刘超 +1 位作者 李彦波 曾一平 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期1-5,14,共6页

Ⅱ-Ⅵ族镉(Cd)化物,如CdTe、CdSe、CdSeTe等具有直接带隙、光学吸收系数高和电学特性优异等突出特点,在太阳电池、X及γ射线探测器、红外焦平面阵列(FPA)等方面均得到了广泛应用。文章简要综述了近年来用分子束外延(MBE)工艺生长镉化物... Ⅱ-Ⅵ族镉(Cd)化物,如CdTe、CdSe、CdSeTe等具有直接带隙、光学吸收系数高和电学特性优异等突出特点,在太阳电池、X及γ射线探测器、红外焦平面阵列(FPA)等方面均得到了广泛应用。文章简要综述了近年来用分子束外延(MBE)工艺生长镉化物微结构材料的研究进展和器件应用动态,并对镉化物在光电子领域中的发展前景进行了展望。 展开更多

关键词 Ⅱ-Ⅵ族镉化物 分子束外延 太阳电池 X射线探测器 红外焦平面阵列

原文传递

CMOS集成电路用Φ150—200mm外延硅材料 被引量：2

8

作者 王启元 林兰英 +7 位作者 何自强 龚义元 蔡田海 郁元桓 何龙珠 高秀峰 王建华 邓惠芳 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第12期1538-1542,共5页

报道了 Φ15 0 m m CMOS硅外延材料的研究开发及集成电路应用成果 ,对 Φ2 0 0 mm P/P-硅外延材料进行了初步探索研究 .Φ15 0 m m P/P+硅外延片实现了批量生产 ,并成功应用于集成电路生产线 ,芯片成品率大于 80 % .

关键词 硅 外延生长 CMOS 集成电路

下载PDF 职称材料

AlGaN/AlN_a/GaN/AlN_b/GaN HEMT结构材料生长及性能表征

9

作者 肖红领 王晓亮 +8 位作者 张明兰 马志勇 王翠梅 杨翠柏 唐健 冉军学 李晋闽 王占国 侯洵 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期206-209,共4页

设计了一种具有双Al N插入层的Al GaN/Al Na/GaN/Al Nb/GaN HEMT结构材料,用以提高沟道对2DEG的限制作用、改善材料的电学性能。采用MOCVD技术生长了该结构,重点研究了第一Al Nb插入层的生长时间对材料表面形貌和电学性能的影响,得到了... 设计了一种具有双Al N插入层的Al GaN/Al Na/GaN/Al Nb/GaN HEMT结构材料,用以提高沟道对2DEG的限制作用、改善材料的电学性能。采用MOCVD技术生长了该结构,重点研究了第一Al Nb插入层的生长时间对材料表面形貌和电学性能的影响,得到了最佳的Al Nb生长时间介于15~20s。对Al Nb生长时间为15s的样品进行了变温Hall测试,其2DEG迁移率在80K时达8849cm2/V.s,室温下为1967cm2/V.s,面密度始终保持在1.02×1013cm-2左右,几乎不随温度改变。用非接触式方块电阻测试系统测得该样品的方块电阻值为278.3Ω/□,不均匀性为1.95%,说明双Al N插入层的引入对提高HEMT结构材料的电学性能作用明显。 展开更多

关键词 HEMT 异质结构 氮化铝 插入层 电学性能 二维电子气

下载PDF 职称材料

SiC衬底GaN基HEMT结构材料与器件

10

作者 王晓亮 陈堂胜 +5 位作者 唐健 肖红领 王翠梅 李晋闽 王占国 侯洵 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期202-205,共4页

使用金属有机物化学气相外延(MOCVD)技术在50mm半绝缘6H-SiC衬底上生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。50mmHEMT外延片平均方块电阻为305.3Ω/□,不均匀性为3.85%。使用此材料研制的单管2mm栅宽HEMT,其饱和漏极电流为1.36A/... 使用金属有机物化学气相外延(MOCVD)技术在50mm半绝缘6H-SiC衬底上生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。50mmHEMT外延片平均方块电阻为305.3Ω/□,不均匀性为3.85%。使用此材料研制的单管2mm栅宽HEMT,其饱和漏极电流为1.36A/mm,跨导为460mS/mm。利用内匹配技术对两个2mm栅宽器件进行了合成,输入信号频率8GHz,脉冲下输出功率为34.1W,功率增益为6.1dB,功率附加效率为37.3%。 展开更多

关键词 氮化镓 高电子迁移率晶体管 功率器件

下载PDF 职称材料

锑化物超晶格红外探测器的研究进展 被引量：4

11

作者 李彦波 刘超 +2 位作者 张杨 赵杰 曾一平 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期11-17,共7页

InAs/InGaSb超晶格具有特殊的能带结构,优越的材料性能,被认为是第三代红外探测器的首选材料。对InAs/InGaSb超晶格的材料性能、材料生长、探测器结构和探测器研究进展进行了介绍,并指出了超晶格探测器进一步发展需要解决的问题及其广... InAs/InGaSb超晶格具有特殊的能带结构,优越的材料性能,被认为是第三代红外探测器的首选材料。对InAs/InGaSb超晶格的材料性能、材料生长、探测器结构和探测器研究进展进行了介绍,并指出了超晶格探测器进一步发展需要解决的问题及其广阔的应用前景。 展开更多

关键词 第三代红外探测器 砷化铟/铟镓锑 Ⅱ类超晶格 双色探测器

下载PDF 职称材料

双异质外延SOI材料Si/γ-Al_2O_3/Si的外延生长 被引量：1

12

作者 谭利文 王俊 +4 位作者 王启元 郁元桓 邓惠芳 王建华 林兰英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第12期1289-1292,共4页

利用 MOCVD(metalorganic chemical vapor deposition)和 APCVD(atmosphere chemical vapor deposition)硅外延技术在 Si(10 0 )衬底上成功地制备了双异质 Si/γ- Al2 O3/Si SOI材料 .利用反射式高能电子衍射 (RHEED)、X射线衍射 (XRD)... 利用 MOCVD(metalorganic chemical vapor deposition)和 APCVD(atmosphere chemical vapor deposition)硅外延技术在 Si(10 0 )衬底上成功地制备了双异质 Si/γ- Al2 O3/Si SOI材料 .利用反射式高能电子衍射 (RHEED)、X射线衍射 (XRD)及俄歇能谱 (AES)对材料进行了表征 .测试结果表明 ,外延生长的 γ- Al2 O3和 Si薄膜都是单晶薄膜 ,其结晶取向为 (10 0 )方向 ,外延层中 Al与 O化学配比为 2∶ 3.同时 ,γ- Al2 O3外延层具有良好的绝缘性能 ,其介电常数为 8.3,击穿场强为 2 .5 MV/cm.AES的结果表明 ,Si/γ- Al2 O3/Si双异质外延 SOI材料两个异质界面陡峭清晰 . 展开更多

关键词 SOI MOCVD 双异质外延 Si/γ-Al2O3/Si 外延技术

下载PDF 职称材料

低温缓冲层对MBE生长ZnTe材料性能的改善 被引量：1

13

作者 张家奇 赵杰 +2 位作者 刘超 崔利杰 曾一平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期37-41,共5页

研究了低温缓冲层对在GaAs(001)衬底上用分子束外延(MBE)生长ZnTe薄膜晶体质量的影响。发现插入低温缓冲层后ZnTe的结晶质量、表面形貌和发光质量都得到了显著的提高,双晶X射线摇摆曲线(DCXRC)的ZnTe(004)衍射峰半峰宽(FWHM)从529 arcse... 研究了低温缓冲层对在GaAs(001)衬底上用分子束外延(MBE)生长ZnTe薄膜晶体质量的影响。发现插入低温缓冲层后ZnTe的结晶质量、表面形貌和发光质量都得到了显著的提高,双晶X射线摇摆曲线(DCXRC)的ZnTe(004)衍射峰半峰宽(FWHM)从529 arcsec减小到421 arcsec,表面均方根(RMS)粗糙度从6.05 nm下降到3.93 nm。而作为对比,插入高温缓冲层并不能对ZnTe薄膜的质量起到改善作用。基本上实现了优化工艺的目标并为研制ZnTe基光电器件微结构材料奠定了很好的实验基础。 展开更多

关键词 碲化锌 异质外延 低温缓冲层 高温缓冲层 分子束外延

原文传递

T-ZnOw的制备及其吸波特性研究进展 被引量：1

14

作者 马泽宇 王晓亮 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期357-360,共4页

四针状氧化锌晶须(T-ZnOw)以其独特的三维空间结构及优良的特性,在吸波材料等诸多领域有着广泛的应用前景,引起众多学者的关注。介绍了氧化锌晶须的结构和基本特性,着重综述了氧化锌晶须的制备及其吸波特性的研究进展;指出改性氧化锌晶... 四针状氧化锌晶须(T-ZnOw)以其独特的三维空间结构及优良的特性,在吸波材料等诸多领域有着广泛的应用前景,引起众多学者的关注。介绍了氧化锌晶须的结构和基本特性,着重综述了氧化锌晶须的制备及其吸波特性的研究进展;指出改性氧化锌晶须的制备和如何改善氧化锌晶须吸波特性已逐渐成为当前研究的重点,氧化锌晶须吸波机理有待进一步的研究,基于多层膜结构和角锥结构的吸波体的制备可能成为以后发展的重点方向。 展开更多

关键词 氧化锌 晶须 吸波特性

下载PDF 职称材料

锑化物HEMT器件研究进展

15

作者 李彦波 刘超 +1 位作者 张杨 曾一平 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期29-35,共7页

由于锑化物具有高电子迁移率和高电子饱和漂移速度等优越的材料性能,锑化物高电子迁移率晶体管(HEMT)微电子器件在制造新一代超高速、超低功耗电子器件和集成电路应用方面极具潜力,有很大的发展空间。本文中对锑化物HEMT的器件结构、器... 由于锑化物具有高电子迁移率和高电子饱和漂移速度等优越的材料性能,锑化物高电子迁移率晶体管(HEMT)微电子器件在制造新一代超高速、超低功耗电子器件和集成电路应用方面极具潜力,有很大的发展空间。本文中对锑化物HEMT的器件结构、器件结构改进、器件性能和应用等方面进行了评述,并指出了当前需要解决的关键问题及其广阔的发展前景。 展开更多

关键词 锑化物半导体 高电子迁移率晶体管 HEMT ABCS 研究进展

下载PDF 职称材料

半绝缘磷化铟中与非化学配比有关的深能级缺陷(英文) 被引量：3

16

作者 赵有文 董志远 +4 位作者 段满龙 孙文荣 杨子祥 吕旭如 王应利 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期535-538,共4页

在不同的化学配比条件下制备了半绝缘磷化铟材料 ,其中包括配比和富铟熔体中的铁掺杂以及磷气氛和磷化铁气氛下高温退火非掺杂晶片。在这些半绝缘磷化铟材料中检测到了与非化学配比有关的深能级缺陷。通过对大量的原生掺铁和非掺退火半... 在不同的化学配比条件下制备了半绝缘磷化铟材料 ,其中包括配比和富铟熔体中的铁掺杂以及磷气氛和磷化铁气氛下高温退火非掺杂晶片。在这些半绝缘磷化铟材料中检测到了与非化学配比有关的深能级缺陷。通过对大量的原生掺铁和非掺退火半绝缘磷化铟材料中的缺陷的研究 ,发现原生深能级缺陷与材料的电学参数质量密切相关。迁移率低、热稳定性差的掺铁半绝缘磷化铟材料中有大量的能级位于 0 .1～ 0 .4eV之间的缺陷。高温退火非掺磷化铟抑制了这些缺陷的产生 ,获得了迁移率高、均匀性好的高质量半绝缘材料。根据这些结果 ,我们提出了一种通过控制化学配比制备高质量半绝缘磷化铟材料的方法。 展开更多

关键词 半绝缘磷化铟 深能级缺陷 磷化铁 高温退火非掺杂晶片 原生掺铁

下载PDF 职称材料

单晶硅中氢与辐照缺陷的相互作用 被引量：1

17

作者 王启元 林兰英 +5 位作者 王建华 邓惠芳 谭利文 王俊 蔡田海 郁元桓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期43-48,共6页

对 NTD氢区熔单晶硅进行了不同温度下等时退火 ,采用 Hall电学方法测量了电阻率、迁移率随退火温度的变化规律 .利用红外吸收技术测量了单晶硅氢区熔退火前后及 NTD氢区熔单晶硅不同退火温度下与氢、辐照缺陷有关的红外振动吸收峰变化 ... 对 NTD氢区熔单晶硅进行了不同温度下等时退火 ,采用 Hall电学方法测量了电阻率、迁移率随退火温度的变化规律 .利用红外吸收技术测量了单晶硅氢区熔退火前后及 NTD氢区熔单晶硅不同退火温度下与氢、辐照缺陷有关的红外振动吸收峰变化 ,对辐照缺陷的退火行为进行了探讨 .实验证实 NTD氢区熔单晶硅在 15 0～ 6 5 0℃范围内等时退火具有显著特点 :在 5 0 0℃下退火 ,出现电阻率极小值 ,即出现浓度很高的过量浅施主 ;P型向 N型转变温度为 4 0 0℃ ,迁移率恢复温度为 5 0 0℃ ,载流子恢复温度为 6 0 0℃ ,均明显低于 NTD氩区熔单晶硅转型温度及迁移率和载流子恢复温度 。 展开更多

关键词 中子辐照 退火 辐照缺陷 单晶硅 氢

下载PDF 职称材料

PLD工艺制备高质量ZnO／Si异质外延薄膜 被引量：2

18

作者 赵杰 胡礼中 王维维 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期956-958,共3页

采用脉冲激光沉积工艺在不同条件下以Si(111)为衬底制备了ZnO薄膜。通过对不同氧压下(0～50Pa)沉积的样品的室温PL谱测试表明,氧气氛显著地提高了薄膜的发光质量,在50Pa氧气中沉积的ZnO薄膜具有最强的近带边UV发射。XRD测试说明在氧气... 采用脉冲激光沉积工艺在不同条件下以Si(111)为衬底制备了ZnO薄膜。通过对不同氧压下(0～50Pa)沉积的样品的室温PL谱测试表明,氧气氛显著地提高了薄膜的发光质量,在50Pa氧气中沉积的ZnO薄膜具有最强的近带边UV发射。XRD测试说明在氧气氛中得到的薄膜结晶质量较差,没有单一的(002)取向。利用一低温(500℃)沉积的ZnO薄膜作缓冲层,得到了高质量的ZnO外延膜。与直接沉积的ZnO膜相比,生长在缓冲层上的ZnO膜展现出规则的斑点状衍射花样,而且拥有更强的UV发射和更窄的UV峰半高宽(98meV)。对不同温度下沉积的缓冲层进行了RHEED表征,结果表明,在600～650℃之间生长缓冲层,有望进一步改善ZnO外延膜的质量。 展开更多

关键词 ZNO薄膜 光致发光 X射线衍射 反射式高能电子衍射

下载PDF 职称材料

在复合衬底γ-Al_2O_3/Si(001)上生长GaN 被引量：1

19

作者 刘喆 王军喜 +7 位作者 李晋闽 刘宏新 王启元 王俊 张南红 肖红领 王晓亮 曾一平 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期2378-2384,共7页

采用分子束外延(MBE)生长方法,使用γAl2O3材料作为新型过渡层,在Si(001)衬底上获得了没有裂纹的GaN外延层,实验结果表明使用γAl2O3过渡层有效地缓解了外延层中的应力.通过生长并测试分析几种不同结构的外延材料,研究了复合衬底γAl2O3... 采用分子束外延(MBE)生长方法,使用γAl2O3材料作为新型过渡层,在Si(001)衬底上获得了没有裂纹的GaN外延层,实验结果表明使用γAl2O3过渡层有效地缓解了外延层中的应力.通过生长并测试分析几种不同结构的外延材料,研究了复合衬底γAl2O3/Si(001)生长GaN情况,得到了六方相GaN单晶材料,实现了GaNc面生长.预铺薄层Al及高温AlN层可以提高GaN晶体质量,低温AlN缓冲层可以改善GaN表面的粗糙度.为解决Si(001)衬底上GaN的生长问题提供了有益的探索. 展开更多

关键词 GAN MBE Γ-AL2O3 缓冲层

下载PDF 职称材料

插入δAl/AlN缓冲层在Si(111)上生长GaN 被引量：1

20

作者 郭伦春 王晓亮 +2 位作者 胡国新 李建平 罗卫军 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期234-237,共4页

采用MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)生长方法,对比在AlN层上加入δAl/AlN缓冲层和不加入δAl/AlN缓冲层两种生长结构,在Si(111)衬底上生长GaN.实验结果表明,在加入δAl/AlN缓冲层后,GaN外延层的裂纹密度得到了有效的降... 采用MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)生长方法,对比在AlN层上加入δAl/AlN缓冲层和不加入δAl/AlN缓冲层两种生长结构,在Si(111)衬底上生长GaN.实验结果表明,在加入δAl/AlN缓冲层后,GaN外延层的裂纹密度得到了有效的降低,晶体质量也得到了明显的提高.通过MOCVD生长方法,利用光学显微镜、XRD和Raman等分析测试手段,研究了δAl/AlN缓冲层对GaN外延层的影响,获得了裂纹密度小、晶体质量高的GaN材料. 展开更多

关键词 GAN MOCVD ALN 缓冲层

下载PDF 职称材料