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阻变存储器及其集成技术研究进展 被引量：13
1
作者 左青云 刘明 +6 位作者 龙世兵 王琴 胡媛 刘琦 张森 王艳 李颖弢 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期546-551,共6页
在各种新型非挥发性存储器中,阻变存储器(RRAM)具有成为下一代存储器的潜力。介绍了RRAM器件的基本结构,分类总结了常用的材料以及制备工艺,对RRAM阵列的集成方案进行了比较,并讨论了目前存在的问题;最后,对RRAM的研究趋势进行了展望。
关键词 非挥发性存储器 阻变存储器 电阻转变
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新型抗蚀剂的电子束曝光性能研究 被引量：1
2
作者 赵珉 朱齐媛 +1 位作者 陈宝钦 牛洁斌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期458-463,共6页
为了满足越来越多的特殊结构纳米电子器件的制作要求,亟需进一步提高电子束光刻的分辨率与质量,选择适合的高分辨率电子束抗蚀剂材料显得尤为重要。从曝光剂量以及显影与烘烤过程中具体工艺条件的影响等方面对三种新型抗蚀剂材料HSQ,Cal... 为了满足越来越多的特殊结构纳米电子器件的制作要求,亟需进一步提高电子束光刻的分辨率与质量,选择适合的高分辨率电子束抗蚀剂材料显得尤为重要。从曝光剂量以及显影与烘烤过程中具体工艺条件的影响等方面对三种新型抗蚀剂材料HSQ,Calixarene和ARN7520进行了电子束曝光性能的研究,同时也对三者的优缺点进行了讨论。通过实验可知,三种新型抗蚀剂均有小于50 nm的高曝光分辨率。HSQ与衬底有更好的附着力,具有较高的机械强度和对比度,在小面积密集图形的制作中具有较好的性能。而ARN7520具有较高的灵敏度,受电子束邻近效应的影响较小,更适合复杂版图的制作。Calixarene虽然也具有较高的曝光分辨率,但过低的灵敏度严重限制了其实用性。 展开更多
关键词 电子束光刻 抗蚀剂 高分辨率 灵敏度 对比度
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电子束光刻制备5000line/mm光栅掩模关键技术研究 被引量：2
3
作者 朱效立 谢常青 +5 位作者 赵珉 陈宝钦 叶甜春 牛洁斌 张庆钊 刘明 《微细加工技术》 EI 2008年第4期4-5,13,共3页
为了制备高线密度X射线透射光栅掩模,分析了电子束光刻中场拼接对高线密度光栅图形的影响;利用几何校正技术和低灵敏度的950 k的PMMA电子束抗蚀剂,克服了电子束的邻近效应对厚胶图形曝光的影响。采用电子束光刻和微电镀的方法制备了5000... 为了制备高线密度X射线透射光栅掩模,分析了电子束光刻中场拼接对高线密度光栅图形的影响;利用几何校正技术和低灵敏度的950 k的PMMA电子束抗蚀剂,克服了电子束的邻近效应对厚胶图形曝光的影响。采用电子束光刻和微电镀的方法制备了5000 line/mm X射线透射光栅的掩模,并将栅线宽度精确控制在100 nm^110 nm,为X射线光刻复制高线密度X射线透射光栅创造了有利条件。 展开更多
关键词 电子束光刻 X射线透射光栅 邻近效应校正 X射线光刻
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LCoS反射层的实验研究 被引量：8
4
作者 欧毅 宋玉龙 +1 位作者 刘明 凌志华 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期554-557,共4页
LCoS技术是硅基CMOS半导体集成电路技术和液晶显示技术相结合的新技术。铝膜作为LCoS的反射电极,要求有较高的反射率和电导率。采用电子束蒸发的方法,以高纯度的Al为靶材,硅片为衬底,制备了不同厚度的Al反射膜,并测量了在可见光范围内... LCoS技术是硅基CMOS半导体集成电路技术和液晶显示技术相结合的新技术。铝膜作为LCoS的反射电极,要求有较高的反射率和电导率。采用电子束蒸发的方法,以高纯度的Al为靶材,硅片为衬底,制备了不同厚度的Al反射膜,并测量了在可见光范围内反射率曲线,分析了薄膜的致密性和电导率。实验结果表明,当Al层很薄时,膜的连续性较差,呈岛状或网状结构,膜的导电性不好;如果沉积较厚(1μm以上)则容易形成“铝丘”,即出现多晶态的A1分布,一方面使A1膜表面粗糙,降低其镜面反射率,同样也将严重影响Al膜的电学性能。选定50nm厚度Al膜作为LCoS的反射层为最佳。 展开更多
关键词 LCOS 电子束蒸发 反射率 电导率
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ICP等离子体刻蚀系统射频偏压的实验研究 被引量：4
5
作者 张庆钊 谢常青 +3 位作者 刘明 李兵 朱效立 陈宝钦 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期980-983,共4页
对于上下电极双射频源的电感耦合(ICP)等离子体刻蚀设备的关键工艺参数——下电极射频偏压的变化特性进行了实验与物理定性分析.实验以氧气作为反应气体,采用可满足300mm硅晶片刻蚀的ICP刻蚀设备的射频系统进行实验数据测定.结果表明,... 对于上下电极双射频源的电感耦合(ICP)等离子体刻蚀设备的关键工艺参数——下电极射频偏压的变化特性进行了实验与物理定性分析.实验以氧气作为反应气体,采用可满足300mm硅晶片刻蚀的ICP刻蚀设备的射频系统进行实验数据测定.结果表明,下电极射频偏压与其他工艺参数在可适用的工艺窗口中(改变上下电极功率和气体压力)不再是平常认为的简单的比例关系,而是随着条件的改变,对应的趋势比例关系会发生转折性变化,这种变化在高上电极射频、低下电极射频功率和低气压的条件下很容易发生. 展开更多
关键词 等离子体 射频偏压 ICP 干法刻蚀
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193 nm光刻散射条技术研究 被引量：3
6
作者 康晓辉 张立辉 +3 位作者 范东升 王德强 谢常青 刘明 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期360-363,共4页
介绍了193nm光刻中的散射条技术,并利用标量衍射和傅里叶光学理论,对掩模和光瞳平面上衍射图形的空间频率进行了深入的分析,从理论上解释了散射条的工作原理。通过商用光刻模拟软件PROLITH,对散射条的参数进行了优化,并总结出193nm光刻... 介绍了193nm光刻中的散射条技术,并利用标量衍射和傅里叶光学理论,对掩模和光瞳平面上衍射图形的空间频率进行了深入的分析,从理论上解释了散射条的工作原理。通过商用光刻模拟软件PROLITH,对散射条的参数进行了优化,并总结出193nm光刻中孤立线散射条的优化方法。 展开更多
关键词 光刻 亚分辨率辅助图形 散射条 离轴照明 分辨率增强 光学临近效应校正
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ZEP520正性电子抗蚀剂的工艺研究 被引量：4
7
作者 龙世兵 李志刚 +2 位作者 陈宝钦 赵新为 刘明 《微细加工技术》 EI 2005年第1期6-11,16,共7页
详细研究了ZEP520在Si衬底上的对比度、灵敏度、分辨率,并分析了曝光剂量、抗蚀剂厚度对ZEP520线条和圆孔尺寸的影响;同时还初步研究了ZEP520在GaAs衬底上的曝光工艺。实验结果表明,ZEP520的灵敏度远高于PMMA,在Si和GaAs上用ZEP520能分... 详细研究了ZEP520在Si衬底上的对比度、灵敏度、分辨率,并分析了曝光剂量、抗蚀剂厚度对ZEP520线条和圆孔尺寸的影响;同时还初步研究了ZEP520在GaAs衬底上的曝光工艺。实验结果表明,ZEP520的灵敏度远高于PMMA,在Si和GaAs上用ZEP520能分别制作出100nm和130nm宽的细线条,通过预烘GaAs衬底,可以消除ZEP520中的裂纹,因此用ZEP520制作器件或电路中各种细小凹槽图形是十分有利的。 展开更多
关键词 ZEP520抗蚀剂 电子束直写曝光 凹槽图形 分辨率 裂纹
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电子散射参数提取的新方法 被引量：1
8
作者 赵珉 陈宝钦 +2 位作者 谢常青 刘明 牛洁斌 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第2期115-120,共6页
准确提取电子散射参数是确保纳米级电子束光刻邻近效应校正精度的关键。采用了一种不基于线宽测量和非线性曲线拟合的电子散射参数提取的方法。邻近效应校正的近似函数采用双高斯分布,其中η的提取是基于设计线宽变化与相应曝光剂量之... 准确提取电子散射参数是确保纳米级电子束光刻邻近效应校正精度的关键。采用了一种不基于线宽测量和非线性曲线拟合的电子散射参数提取的方法。邻近效应校正的近似函数采用双高斯分布,其中η的提取是基于设计线宽变化与相应曝光剂量之间的线性关系进行拟合而得;α和β的提取则是分别根据前散射和背散射的范围设计特定的提取版图,并根据电子束邻近效应产生的特殊现象进行参数值的确定。根据此方法提取了150nm厚负性HSQ抗蚀剂层在50kV入射电压下的散射参数,并将其应用于邻近效应校正曝光实验中,很好地克服了电子束邻近效应的影响,验证了此方法提取电子束曝光邻近效应校正参数的实用性及准确性。 展开更多
关键词 电子束光刻 邻近效应校正 电子散射 散射参数 微细加工 抗蚀剂
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悬臂梁微尖端器件的制备与应用研究进展 被引量：1
9
作者 焦斌斌 陈大鹏 +3 位作者 叶甜春 欧毅 董立军 杨清华 《电子工业专用设备》 2005年第1期15-19,共5页
关键词 扫描隧道显微镜 MEMS 微尖端 悬臂梁
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纳米晶非挥发性存储器研究进展
10
作者 管伟华 刘明 +4 位作者 龙世兵 李志刚 刘琦 胡媛 贾锐 《微纳电子技术》 CAS 2007年第5期225-230,共6页
介绍了纳米晶非挥发性存储器的发展状况和基本工作原理,比较了纳米晶非挥发性存储器所涉及到的各种不同的电荷输运机制,系统介绍了纳米晶非挥发性存储器在纳米晶材料设计、纳米晶晶体生长控制方法、隧穿/控制介质层工程和新型存储器器... 介绍了纳米晶非挥发性存储器的发展状况和基本工作原理,比较了纳米晶非挥发性存储器所涉及到的各种不同的电荷输运机制,系统介绍了纳米晶非挥发性存储器在纳米晶材料设计、纳米晶晶体生长控制方法、隧穿/控制介质层工程和新型存储器器件结构等方面的一些最新研究进展,对纳米晶非挥发性存储器的研究趋势进行了展望。 展开更多
关键词 纳米晶 非挥发性存储器 分立电荷存储 纳米晶存储器
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X射线光刻对准边缘增强技术及性能研究
11
作者 王德强 谢常青 +2 位作者 叶甜春 刘业异 胡松 《微细加工技术》 2004年第2期17-22,共6页
针对三种不同的图像边缘增强方法进行了掩模和硅片识别精度以及对准精度的实验验证。采用一种新的测试方法,即先通过软件得到大量的数据,然后再进行数据分析,得出LAPLAC算子在识别精度和对准精度两个方面比较好,而改进后的SOBELII算子... 针对三种不同的图像边缘增强方法进行了掩模和硅片识别精度以及对准精度的实验验证。采用一种新的测试方法,即先通过软件得到大量的数据,然后再进行数据分析,得出LAPLAC算子在识别精度和对准精度两个方面比较好,而改进后的SOBELII算子的对准时间最短,对准精度也很高。 展开更多
关键词 X射线光刻 对准系统 拉普拉斯算子 识别精度 对准精度
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90nm技术节点硅栅的干法刻蚀工艺研究
12
作者 张庆钊 谢常青 +3 位作者 刘明 李兵 朱效立 马杰 《微细加工技术》 2007年第5期44-47,共4页
进入90 nm工艺节点以后,在等离子体干法刻蚀工艺中出现了越来越多需要解决的技术性问题,带有图形的晶片(相对于白片而言)上的膜层结构设计和刻蚀工艺参数的优化技术变得越来越重要。重点以具有栅氧化层、多晶硅层、二氧化硅和氮氧化硅... 进入90 nm工艺节点以后,在等离子体干法刻蚀工艺中出现了越来越多需要解决的技术性问题,带有图形的晶片(相对于白片而言)上的膜层结构设计和刻蚀工艺参数的优化技术变得越来越重要。重点以具有栅氧化层、多晶硅层、二氧化硅和氮氧化硅复合硬掩膜层的典型结构图形晶片为基础,开展应用于90 nm技术节点的多晶硅栅的刻蚀工艺的研发,深入分析了氯气、溴化氢和氧气等反应气体在工艺中的作用,优化了工艺参数,得到了满足90 nm技术节点工艺要求的刻蚀结果。 展开更多
关键词 90 NM 硅栅 干法刻蚀
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X射线光刻对准系统图像增强技术和对准标记研究
13
作者 王德强 谢常青 +3 位作者 陈大鹏 叶甜春 刘业异 胡松 《电子工业专用设备》 2005年第2期22-25,32,共5页
作为微细加工技术之一的高分辨率光刻技术--同步辐射X射线光刻(XRL)可应用于100nm及100nm节点以下分辨率光刻,高精度对准技术对XRL至关重要,直接影响到后续器件的生产质量。目前国内的XRL对准系统主要采用CCD相机和显微物镜采集图像,经... 作为微细加工技术之一的高分辨率光刻技术--同步辐射X射线光刻(XRL)可应用于100nm及100nm节点以下分辨率光刻,高精度对准技术对XRL至关重要,直接影响到后续器件的生产质量。目前国内的XRL对准系统主要采用CCD相机和显微物镜采集图像,经过计算机图像处理程序进行自动对准;图像边缘分辨是图像处理部分的关键,直接决定了对准精度。针对3种不同的图像边缘增强方法进行了掩模和硅片识别精度以及对准精度的研究,并且初步设计了几种对准标记。 展开更多
关键词 X射线光刻 对准系统 拉普拉斯算子 对准标记
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纳米结构在新型太阳电池中的应用进展
14
作者 朱晨昕 贾锐 +5 位作者 陈晨 李维龙 李昊峰 刘明 刘新宇 叶甜春 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期333-338,共6页
介绍了应用低维纳米结构提高转换效率的新型太阳电池的研究现状,分别说明了基于量子点、量子线、量子阱结构新型太阳电池的工作原理、制备工艺、存在的问题及最新进展。同时,给出了这些太阳电池未来的发展方向,指出其在太阳电池领域中... 介绍了应用低维纳米结构提高转换效率的新型太阳电池的研究现状,分别说明了基于量子点、量子线、量子阱结构新型太阳电池的工作原理、制备工艺、存在的问题及最新进展。同时,给出了这些太阳电池未来的发展方向,指出其在太阳电池领域中的重要地位。 展开更多
关键词 太阳电池 纳米结构 量子点 量子线 量子阱
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晶体硅太阳电池表面钝化技术 被引量：16
15
作者 陈伟 贾锐 +6 位作者 张希清 陈晨 武德起 李昊峰 吴大卫 陈宝钦 刘新宇 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第2期118-127,共10页
介绍了晶体硅太阳电池表面钝化技术的发展历程,表面钝化膜在晶体硅太阳电池中所起的作用,以及晶体硅太阳电池中各种钝化膜和表面钝化技术。阐述了国内和国际对晶体硅太阳电池表面钝化技术的最新研究动态,重点论述了SiO2,SiNx,SiCx和Al2... 介绍了晶体硅太阳电池表面钝化技术的发展历程,表面钝化膜在晶体硅太阳电池中所起的作用,以及晶体硅太阳电池中各种钝化膜和表面钝化技术。阐述了国内和国际对晶体硅太阳电池表面钝化技术的最新研究动态,重点论述了SiO2,SiNx,SiCx和Al2O3,以及这些钝化膜的叠层钝化技术的优缺点。在此基础上进一步指出SiO2/SiNx叠层钝化膜将成为今后工业化生产的研究重点,Al2O3及其叠层钝化膜将成为今后实验室的研究重点,由于表面钝化是提高晶体硅太阳电池转换效率最有效的手段之一,今后晶体硅太阳电池表面钝化技术仍将是国内和国际研究的热点问题之一。 展开更多
关键词 太阳电池 钝化 减反特性 转换效率 表面复合 叠层钝化膜
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基于I-V特性的阻变存储器的阻变机制研究 被引量：11
16
作者 李颖弢 刘明 +7 位作者 龙世兵 刘琦 张森 王艳 左青云 王琴 胡媛 刘肃 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第3期134-140,153,共8页
随着器件尺寸的缩小,阻变存储器(RRAM)具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力。但对RRAM器件电阻转变机制的研究在认识上依然存在很大的分歧,直接制约了RRAM的研发与应用。通过介绍阻变存储器的基本工作原理、不同的... 随着器件尺寸的缩小,阻变存储器(RRAM)具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力。但对RRAM器件电阻转变机制的研究在认识上依然存在很大的分歧,直接制约了RRAM的研发与应用。通过介绍阻变存储器的基本工作原理、不同的阻变机制以及基于阻变存储器所表现出的不同I-V特性,研究了器件的阻变特性;详细分析了阻变存储器的五种阻变物理机制,即导电细丝(filament)、空间电荷限制电流效应(SCLC)、缺陷能级的电荷俘获和释放、肖特基发射效应(Schottky emission)以及普尔-法兰克效应(Pool-Frenkel);同时,对RRAM器件的研究发展趋势以及面临的挑战进行了展望。 展开更多
关键词 阻变存储器 非挥发性存储器 I-V特性 阻变机制 工作原理
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电子束抗蚀剂图形结构的倒塌与粘连 被引量：5
17
作者 赵珉 陈宝钦 +2 位作者 牛洁斌 谢常青 刘明 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第1期63-68,共6页
首先从实验现象出发,阐述了纳米级高密度、高深宽比电子抗蚀剂图形结构发生倒塌与粘连的主要几何因素及其关系。除了结构的几何因素外,结合"Beam Sway"模型分析了抗蚀剂微细结构在制作过程中的受力情况。在上述工作的基础上,... 首先从实验现象出发,阐述了纳米级高密度、高深宽比电子抗蚀剂图形结构发生倒塌与粘连的主要几何因素及其关系。除了结构的几何因素外,结合"Beam Sway"模型分析了抗蚀剂微细结构在制作过程中的受力情况。在上述工作的基础上,提出了克服纳米级高密度、高深宽比电子抗蚀剂图形结构倒塌与粘连的相应措施。其中,通过实验验证了超临界CO2干燥技术对于电子束抗蚀剂ZEP520A用于制作周期200nm及150nm、深宽比超过4的光栅图形结构具有良好的效果。 展开更多
关键词 电子束光刻 抗蚀剂 高深宽比 倒塌 超临界二氧化碳干燥
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微纳加工技术在微纳电子器件领域的应用 被引量：5
18
作者 刘明 陈宝钦 +6 位作者 谢常青 王丛舜 龙世兵 徐秋霞 李志钢 易里成荣 涂德钰 《物理》 CAS 北大核心 2006年第1期47-50,共4页
微纳加工技术推动着集成电路不断缩小器件尺寸和提高集成度,光学光刻技术依然是目前的主流微纳加工技术,同时有多种替代技术如电子束直写、极紫外光刻和投影电子束技术,文章介绍了自上而下的微纳加工技术的进展及其在微纳器件研制的重... 微纳加工技术推动着集成电路不断缩小器件尺寸和提高集成度,光学光刻技术依然是目前的主流微纳加工技术,同时有多种替代技术如电子束直写、极紫外光刻和投影电子束技术,文章介绍了自上而下的微纳加工技术的进展及其在微纳器件研制的重要作用. 展开更多
关键词 纳米加工 纳米器件 微纳加工技术 光学光刻技术
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软X光谱学光子筛衍射特性的实验表征 被引量：4
19
作者 魏来 曹磊峰 +7 位作者 范伟 臧华萍 高宇林 朱效力 谢长青 谷渝秋 张保汉 王晓方 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期387-391,共5页
概述了谱学光子筛的设计原理,计算了其透射率,并对设计的软X光谱学光子筛的衍射模式在光学波段进行了模拟计算和实验表征。结果表明,这种新型色散元件具有良好的、与设计预期一致的单级衍射特性,3级及以上的高级衍射能被有效抑制。与传... 概述了谱学光子筛的设计原理,计算了其透射率,并对设计的软X光谱学光子筛的衍射模式在光学波段进行了模拟计算和实验表征。结果表明,这种新型色散元件具有良好的、与设计预期一致的单级衍射特性,3级及以上的高级衍射能被有效抑制。与传统的透射光栅和以前设计的单级衍射光栅相比,新设计的软X光谱学光子筛更易于实现自支撑,可望在极紫外和软X光谱测量过程中得到广泛应用。 展开更多
关键词 软X光 光子筛 衍射光栅 衍射特性
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用于X射线光刻对准的图像边缘增强技术 被引量：4
20
作者 王德强 谢常青 叶甜春 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 2004年第4期426-431,共6页
提出了用于提高X射线光刻对准系统自动对准效率和对准精度的图像边缘增强技术,并进行了数值分析。采用先单个再整体的分析方法,通过三种不同的图像边缘增强技术,即索贝尔(SOBEL)算子、拉普拉斯(LAPLAC)算子以及卷积等方法对CCD系统采集... 提出了用于提高X射线光刻对准系统自动对准效率和对准精度的图像边缘增强技术,并进行了数值分析。采用先单个再整体的分析方法,通过三种不同的图像边缘增强技术,即索贝尔(SOBEL)算子、拉普拉斯(LAPLAC)算子以及卷积等方法对CCD系统采集的对准标记图像进行处理,得到了每个方法相对应的处理结果,并对于处理结果进行了比较分析。分析比较得出:采用卷积和LAPLAC算子相结合的方法,即先卷积,再利用7个算子的LAPLAC方法进行处理,可以将对准系统的自动对准效率提高约50%,使得自动对准时间由原来的20min缩短到10min左右;系统对准精度的方差可由0.10μm提高至0.08μm。 展开更多
关键词 X射线光刻 对准系统 拉普拉斯算法 索贝尔算法
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