期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到7篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
微型阵列束闸电子束偏转特性研究 被引量：2
1
作者 张雨露 张利新 +3 位作者 刘俊标 王文博 殷伯华 韩立 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第2期171-179,共9页
为了降低微型阵列式束闸边缘场和邻近电场对多束电子束的偏转影响和串扰,本文以3×3阵列束闸为研究对象,利用COMSOL Multiphysics中的静电和带电粒子追踪模块,研究束闸长宽比、隔离接地极和束闸上方增加接地层对电子束偏转的影响。... 为了降低微型阵列式束闸边缘场和邻近电场对多束电子束的偏转影响和串扰,本文以3×3阵列束闸为研究对象,利用COMSOL Multiphysics中的静电和带电粒子追踪模块,研究束闸长宽比、隔离接地极和束闸上方增加接地层对电子束偏转的影响。研究表明,在长宽比不变的情况下,边缘场对电子束偏转的影响在总偏转量中的占比与偏转电压无关;而偏转极板的长宽比越大越有利于精确控制电子束的偏转;通过优化隔离接地电极结构与参数,可减小束闸之间的串扰引起的束斑模糊问题。为了减小边缘场和邻近电场对电子束偏转的影响,本研究分析得出,如果束闸上方接地层的作用范围小于100μm,可在一定程度上抑制串扰的影响。同时,分析表明将接地层上圆孔改为方孔后,也在一定程度上减小了不平衡电场带来的影响。 展开更多
关键词 多束电子光学 微型阵列束闸 边缘场 串扰 带电粒子追踪
下载PDF
多束电子光学系统的研究现状与发展
2
作者 张利新 赵伟霞 +3 位作者 陈代谢 张雨露 刘俊标 韩立 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第3期376-385,共10页
本文对多束电子光学系统的国内外研究现状进行了详细调研,总结了各个系统的特点以及应用领域。多束电子光学系统在生命科学领域、材料领域以及半导体领域具有广泛的应用价值,本文指出了我国需要开展这方面研究的必要性。同时,本文介绍... 本文对多束电子光学系统的国内外研究现状进行了详细调研,总结了各个系统的特点以及应用领域。多束电子光学系统在生命科学领域、材料领域以及半导体领域具有广泛的应用价值,本文指出了我国需要开展这方面研究的必要性。同时,本文介绍了国内在多束电子光学领域的研究进展。 展开更多
关键词 电子光学 多束电子光学 高通量 扫描电子显微镜
下载PDF
微型阵列束闸设计与实验
3
作者 张利新 孙博彤 +3 位作者 刘星云 殷伯华 刘俊标 韩立 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第13期2061-2069,共9页
微型阵列束闸是多束电子束曝光系统的关键部件,用于控制多束电子束的开/关,实现复杂图形的快速曝光。对3×3微型阵列束闸进行了设计与制作,并进行了多束电子束偏转实验研究。对阵列束闸结构进行了优化设计,并基于MEMS加工工艺成功... 微型阵列束闸是多束电子束曝光系统的关键部件,用于控制多束电子束的开/关,实现复杂图形的快速曝光。对3×3微型阵列束闸进行了设计与制作,并进行了多束电子束偏转实验研究。对阵列束闸结构进行了优化设计,并基于MEMS加工工艺成功制备了阵列束闸。针对阵列束闸的控制要求,设计了可单独控制的阵列束闸控制器。将控制器与阵列束闸进行连接,验证了控制器的偏转速度与功能完整性。最后,在多束电子束测试平台对阵列束闸进行了偏转实验,研究串扰对电子束偏转的影响。实验结果表明:阵列束闸控制器的偏转速度达到43.5 MHz,大于设计值10 MHz;阵列束闸成功实现了单独控制电子束开和关,束闸的偏转距离在25~30μm之间,小于计算值43.29μm;串扰程度均小于3%。该阵列束闸已经具备多束电子束开/关控制功能,但在偏转精度,设计和加工工艺等方面还需进一步优化和完善。 展开更多
关键词 电子束曝光 阵列束闸 多束电子束 串扰 偏转速度
下载PDF
多束电子源设计与实验
4
作者 赵伟霞 白凌超 +3 位作者 张利新 刘俊标 殷伯华 韩立 《光学精密工程》 北大核心 2025年第5期741-750,共10页
为了提高扫描电子显微镜等单电子束设备的通量,开发了基于肖特基阴极的多束电子源系统,研究了准直透镜、分束板及微阵列静电透镜的设计方法与制备工艺。根据肖特基阴极发射特性进行了静电准直透镜的设计,仿真计算了准直束的电子光学性... 为了提高扫描电子显微镜等单电子束设备的通量,开发了基于肖特基阴极的多束电子源系统,研究了准直透镜、分束板及微阵列静电透镜的设计方法与制备工艺。根据肖特基阴极发射特性进行了静电准直透镜的设计,仿真计算了准直束的电子光学性能。基于MEMS加工工艺实现了3×3和10×10多孔阵列分束板的制备,开发了多孔多层器件装配系统并实现了微阵列静电透镜的高精度装配;搭建了多束电子源测试平台并进行了多束电子源的准直、分束与聚焦性能验证。结果表明:多束电子源的准直束范围为600μm,准直范围内的束流密度为4.11 A/m^(2)、均匀度为6.06%;实现了3×3分束且大小可调,聚焦后的子束束斑直径均值为5.32μm,束斑直径均匀度为5.91%,束流强度均匀度为4.36%,间距均匀度为3.06%,满足多电子束设备的设计要求。 展开更多
关键词 电子光学 多束电子源 肖特基发射 准直透镜 微阵列单电位透镜
下载PDF
分子半导体改性聚合物复合电介质研究进展
5
作者 刘芾源 佟辉 +1 位作者 曹诗沫 臧丽坤 《高分子通报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第7期868-877,共10页
薄膜电容器因具有功率密度高、损耗低、循环寿命长、安全环保等特点而被广泛应用于智能电网、风力发电、电动汽车、脉冲功率系统等领域。电介质是决定薄膜电容器性能的关键,但材料中的缺陷、杂质等在高温、高电场下产生泄漏电流,使薄膜... 薄膜电容器因具有功率密度高、损耗低、循环寿命长、安全环保等特点而被广泛应用于智能电网、风力发电、电动汽车、脉冲功率系统等领域。电介质是决定薄膜电容器性能的关键,但材料中的缺陷、杂质等在高温、高电场下产生泄漏电流,使薄膜电容器的储能性质急剧降低,难以在热、电耦合场下获得高能量密度。向聚合物电介质中引入微量有机分子半导体的改性方式可使电介质中产生能量陷阱捕获载流子、抑制泄漏电流,从而降低电导损耗,提高充放电效率。本文综述了通过向聚合物基体中引入有机分子半导体提升电介质高温储能性质的方法,讨论了有机小分子半导体、聚合物分子半导体改性对储能性质的影响机制,并展望了相关领域未来的发展方向。 展开更多
关键词 有机小分子半导体 聚合物分子半导体 复合电介质 泄漏电流 高温储能
原文传递
热压烧结及轧制工艺对CuCr/CNTs复合材料组织与性能的优化 被引量：4
6
作者 李健 左婷婷 +5 位作者 薛江丽 茹亚东 赵兴科 高召顺 韩立 肖立业 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第2期2078-2085,共8页
基于电工材料高电导、高强度的发展需求,本工作通过粉末真空热压烧结成功制备出微量Cr元素掺杂的功能化碳纳米管增强铜基复合材料(CuCr/CNTs),系统研究了热压烧结及轧制工艺对复合材料电导率和力学性能的影响。研究发现,在烧结温度为90... 基于电工材料高电导、高强度的发展需求,本工作通过粉末真空热压烧结成功制备出微量Cr元素掺杂的功能化碳纳米管增强铜基复合材料(CuCr/CNTs),系统研究了热压烧结及轧制工艺对复合材料电导率和力学性能的影响。研究发现,在烧结温度为900℃、保温1 h、保压压力为50 MPa的工艺下,样品的电导率高达96.2%IACS,硬度为73.0HV。通过对微观组织与性能的分析,发现热压烧结工艺显著影响基体晶粒的尺寸以及界面处碳化物的数量,界面处适量Cr 3C 2纳米相的存在可以改善界面润湿性,增强界面结合,有利于电流传递和载荷传递。通过进一步冷轧,CNTs定向排列并均匀分散,样品的电导率和力学性能均有提升,在电导率保持96.6%IACS时,其屈服强度可达311 MPa,拉伸强度达到373 MPa,具有非常好的工程应用前景。 展开更多
关键词 Cu/CNTs复合材料 真空热压烧结 轧制 界面结构 电导率 力学性能
下载PDF
单晶和多晶硒化锡的热电性能差异
7
作者 米红星 李焕勇 +3 位作者 乔存云 张挺 韩立 徐菊 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第7期2234-2239,共6页
硒化锡材料因为其优良的热电优值(ZT)性能,有巨大的热发电应用潜力。对比了单晶和多晶硒化锡在热力学和电输运性能方面的差异。其中,单晶样品是通过布里奇曼法合成的,多晶样品则是通过熔融、粉碎和放电等离子烧结(SPS)技术合成的。热电... 硒化锡材料因为其优良的热电优值(ZT)性能,有巨大的热发电应用潜力。对比了单晶和多晶硒化锡在热力学和电输运性能方面的差异。其中,单晶样品是通过布里奇曼法合成的,多晶样品则是通过熔融、粉碎和放电等离子烧结(SPS)技术合成的。热电性能的测量是通过四探针法和激光闪射法完成的。结果表明:单晶样品的功率因子是多晶的2倍,而热导率也是多晶样品的3倍左右,这直接导致了单晶和多晶的最高ZT值差异不大。单晶硒化锡在823 K处取得最高热电优值(ZT)为0.65,而多晶则是在923K取得最高ZT为0.5。 展开更多
关键词 硒化锡 热电性能 单晶 多晶 热导率
原文传递
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部