一种新型高抗辐照可配置SOI器件技术 被引量：2

1

作者 叶甜春 李博 +3 位作者 刘凡宇 李多力 李彬鸿 陈思远 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第12期2241-2253,共13页

本文介绍了一种新型的高抗辐照可配置SOI(configurable-SOI,CSOI)器件技术。CSOI器件在制备完成后,可以通过改变配置层电压,实现对总剂量辐照引起的性能退化进行补偿、对单粒子引起寄生晶体管放大进行抑制,从而提升器件的抗辐照性能。基... 本文介绍了一种新型的高抗辐照可配置SOI(configurable-SOI,CSOI)器件技术。CSOI器件在制备完成后,可以通过改变配置层电压,实现对总剂量辐照引起的性能退化进行补偿、对单粒子引起寄生晶体管放大进行抑制,从而提升器件的抗辐照性能。基于CSOI工艺,研制出了高抗辐照4kb SRAM验证芯片。辐照实验证实,该芯片的抗总剂量水平达到6 Mrad(Si)、单粒子翻转阈值大于118(MeV·cm^(2))/mg,达到国际先进水平,有望应用于深空探测、核应急等极端领域。 展开更多

关键词 可配置SOI 抗辐照 总剂量效应 单粒子效应

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“电子器件辐射效应与加固技术”专题前言 被引量：1

2

作者 韩郑生 马瑶 《微电子学》 CAS 北大核心 2023年第6期943-944,共2页

随着航空航天、核能开发利用以及高能物理研究的高速发展,越来越多的电子器件需要在辐射环境中工作。辐射粒子入射电子器件后,通过电离或非电离过程沉积能量,能够诱发包括单粒子效应、总剂量效应、位移损伤效应在内的多种辐射效应,对器... 随着航空航天、核能开发利用以及高能物理研究的高速发展,越来越多的电子器件需要在辐射环境中工作。辐射粒子入射电子器件后,通过电离或非电离过程沉积能量,能够诱发包括单粒子效应、总剂量效应、位移损伤效应在内的多种辐射效应,对器件及电子系统的可靠运行构成严重威胁。因此,开展辐射效应机理和加固技术研究,对高可靠、抗辐射电子器件及系统的研发具有重要意义。 展开更多

关键词 效应机理 辐射效应 电离过程 总剂量效应 航空航天 电子系统 高能物理研究 入射电子

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DCIV技术提取辐照前后PDSOI器件背栅界面态密度

3

作者 王芳芳 曾传滨 +3 位作者 李晓静 高林春 罗家俊 韩郑生 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2018年第7期92-96,共5页

直流电流电压(DCIV)技术受应用于智能剥离技术制造的PDSOI中硅/二氧化硅界面质量的研究.本文通过将样品进行钴60伽马射线辐照,用以监测PDSOI器件背沟道界面在总剂量辐照前后的变化情况.本文给出了完整的测试原理、实验流程和结果分析,... 直流电流电压(DCIV)技术受应用于智能剥离技术制造的PDSOI中硅/二氧化硅界面质量的研究.本文通过将样品进行钴60伽马射线辐照,用以监测PDSOI器件背沟道界面在总剂量辐照前后的变化情况.本文给出了完整的测试原理、实验流程和结果分析,不仅提取了辐照前后PDSOI器件的背界面陷阱密度以及它所在的等效能级,而且得到了界面陷阱能级密度在硅禁带中随能级变化的U型分布图(以禁带中央附近为主),为后续PDSOI器件的抗辐照加固提供了参考. 展开更多

关键词 直流电流电压方法 PDSOI器件 总剂量效应 背沟道 界面态 钴60伽马射线

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双埋氧绝缘体上硅SRAM铀离子单粒子效应研究

4

作者 王春林 高见头 +5 位作者 刘凡宇 陈思远 王娟娟 王天琦 李博 倪涛 《现代应用物理》 2024年第4期40-46,58,共8页

随着集成电路技术的进步,提高电路的单粒子翻转(single event upset,SEU)阈值变得愈发困难。双埋氧层绝缘体上硅(double silicon-on-insulator,DSOI)技术为单粒子加固技术提供了新方法。利用哈尔滨工业大学空间地面模拟装置(space envir... 随着集成电路技术的进步,提高电路的单粒子翻转(single event upset,SEU)阈值变得愈发困难。双埋氧层绝缘体上硅(double silicon-on-insulator,DSOI)技术为单粒子加固技术提供了新方法。利用哈尔滨工业大学空间地面模拟装置(space environment simulation and research infrastructure,SESRI)产生的铀离子对中国科学院微电子研究所研制的DSOI静态随机存取存储器(static random access memory,SRAM)开展了SEU效应研究。铀离子是目前可获得的线性能量传递(linear energy transfer,LET)最高的重离子。2种不同SEU加固能力的DSOI 4 kbit SRAM试验结果显示,通过对NMOS和PMOS的背栅实施独立偏压控制,可实现DSOI SRAM电路抗SEU能力的宽范围调制。最优条件下,使用LET为118 MeV·cm ^(2)·mg^(-1)的铀离子,累积注量为1×10^(7) cm^(-2)时,被测器件无SEU发生。 展开更多

关键词 绝缘体上硅 双埋氧层绝缘体上硅 静态随机存储器 单粒子效应 单粒子翻转

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瞬时剂量率效应激光模拟测试技术 被引量：2

5

作者 倪涛 杜川华 +5 位作者 曾传滨 高林春 王娟娟 高见头 赵发展 罗家俊 《太赫兹科学与电子信息学报》 北大核心 2020年第6期1157-1161,共5页

瞬时剂量率辐射效应模拟测试存在着试验资源有限、环境电磁干扰强、重复性不高等不利因素。本文开发了瞬时剂量率效应脉冲激光模拟测试技术,以1064 nm激光构建完整精细的剂量率效应地面模拟测试系统。利用此系统开展了不同工艺节点、不... 瞬时剂量率辐射效应模拟测试存在着试验资源有限、环境电磁干扰强、重复性不高等不利因素。本文开发了瞬时剂量率效应脉冲激光模拟测试技术,以1064 nm激光构建完整精细的剂量率效应地面模拟测试系统。利用此系统开展了不同工艺节点、不同沟道类型、不同衬底形式的瞬时剂量率效应实验研究。仿真实验结果表明相同条件下,体硅器件光电流比绝缘衬底上的硅(SOI)器件大10倍以上,光电流受源漏电压影响也大于SOI器件。 展开更多

关键词 剂量率效应 激光模拟 体硅器件 SOI器件

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极端低温下SiGe HBT器件研究进展 被引量：8

6

作者 黄云波 李博 +2 位作者 杨玲 韩郑生 罗家俊 《微电子学》 CSCD 北大核心 2017年第5期695-700,共6页

系统地介绍了极端低温下SiGe HBT器件的研究进展。在器件级,分析了能带工程对SiGe HBT器件特性的影响,分析了极端低温下器件的直流、交流、噪声特性的变化,以及器件的特殊现象。在电路级,分析了基于SiGe HBT的运算放大器、低噪声放大器... 系统地介绍了极端低温下SiGe HBT器件的研究进展。在器件级,分析了能带工程对SiGe HBT器件特性的影响,分析了极端低温下器件的直流、交流、噪声特性的变化,以及器件的特殊现象。在电路级,分析了基于SiGe HBT的运算放大器、低噪声放大器和电压基准源电路的低温工作特性。研究结果表明,SiGe HBT器件在低温微电子应用中具有巨大潜力。 展开更多

关键词 极端低温 锗硅 异质结晶体管 能带工程

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体硅nFinFET总剂量效应三维TCAD仿真研究 被引量：4

7

作者 黄云波 李博 +3 位作者 杨玲 郑中山 李彬鸿 罗家俊 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2018年第8期42-47,共6页

本文利用Sentaurus TCAD仿真软件对体硅鳍形场效应晶体管(FinFET)的总剂量效应(TID)进行了详细的数值模拟研究.基于良好校准后的器件模型,仿真结果表明:高沟道阻挡层掺杂浓度,大鳍宽,锥形鳍截面形状的FinFET器件对总剂量效应有良好的抑... 本文利用Sentaurus TCAD仿真软件对体硅鳍形场效应晶体管(FinFET)的总剂量效应(TID)进行了详细的数值模拟研究.基于良好校准后的器件模型,仿真结果表明:高沟道阻挡层掺杂浓度,大鳍宽,锥形鳍截面形状的FinFET器件对总剂量效应有良好的抑制作用.进一步的Gamma总剂量辐射仿真展示了辐照过程中浅槽隔离(STI)氧化层中陷阱空穴的形成.最后,利用Sentaurus TCAD软件混合仿真模式对电路级别的总剂量响应进行了模拟分析,结果表明电路的性能和可靠性在总剂量辐照之后均受到了极大的影响. 展开更多

关键词 鳍形场效应晶体管 总剂量效应(TID) 浅槽隔离(STI) TCAD

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用于ESD防护的PDSOI NMOS器件高温特性 被引量：1

8

作者 王加鑫 李晓静 +4 位作者 赵发展 曾传滨 李博 韩郑生 罗家俊 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第3期210-215,共6页

研究了基于0.18μm部分耗尽型绝缘体上硅(PDSOI)工艺的静电放电(ESD)防护NMOS器件的高温特性。借助传输线脉冲(TLP)测试系统对该ESD防护器件在30~195℃内的ESD防护特性进行了测试。讨论了温度对ESD特征参数的影响,发现随着温度升高,该ES... 研究了基于0.18μm部分耗尽型绝缘体上硅(PDSOI)工艺的静电放电(ESD)防护NMOS器件的高温特性。借助传输线脉冲(TLP)测试系统对该ESD防护器件在30~195℃内的ESD防护特性进行了测试。讨论了温度对ESD特征参数的影响,发现随着温度升高,该ESD防护器件的一次击穿电压和维持电压均降低约11%,失效电流也降低近9.1%,并通过对器件体电阻、源-体结开启电压、沟道电流、寄生双极结型晶体管(BJT)的增益以及电流热效应的分析,解释了ESD特征参数发生上述变化的原因。研究结果为应用于高温电路的ESD防护器件的设计与开发提供了有效参考。 展开更多

关键词 静电放电(ESD) 绝缘体上硅(SOI) NMOSFET 高温 传输线脉冲(TLP)

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FinFET器件总剂量效应研究进展 被引量：1

9

作者 张峰源 李博 +5 位作者 刘凡宇 杨灿 黄杨 张旭 罗家俊 韩郑生 《微电子学》 CAS 北大核心 2020年第6期875-884,共10页

全面综述鳍式场效应晶体管(FinFET)的总剂量效应,包括辐照期间外加偏置、器件的工艺参数、提高器件驱动能力的特殊工艺、源/漏掺杂类型以及不同栅介质材料和新沟道材料与FinFET总剂量效应的关系。对于小尺寸器件,绝缘体上硅(SOI)FinFET... 全面综述鳍式场效应晶体管(FinFET)的总剂量效应,包括辐照期间外加偏置、器件的工艺参数、提高器件驱动能力的特殊工艺、源/漏掺杂类型以及不同栅介质材料和新沟道材料与FinFET总剂量效应的关系。对于小尺寸器件,绝缘体上硅(SOI)FinFET比体硅FinFET具有更强的抗总剂量能力,更适合于高性能抗辐照的集成电路设计。此外,一些新的栅介质材料和一些新的沟道材料的引入,如HfO2和Ge,可以进一步提高FinFET器件的抗总剂量能力。 展开更多

关键词 总剂量效应 体硅FinFET器件 SOI FinFET器件 新材料

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高速模数转换器的关键测量技术 被引量：1

10

作者 张琳 岂飞涛 +7 位作者 刘涛 朱蓓丽 刘海南 滕瑞 李博 赵发展 罗家俊 韩郑生 《微电子学》 CAS 北大核心 2022年第2期334-338,共5页

对高速ADC的测量技术进行了分析研究,提出了基于高速ADC AD9433的测量方案。系统阐述了两类模拟输入驱动电路原理,详细介绍了两种模拟驱动电路和时钟电路抖动的分析方法。将上述理论分析应用于AD9433测量方案,测量结果证明了上述理论分... 对高速ADC的测量技术进行了分析研究,提出了基于高速ADC AD9433的测量方案。系统阐述了两类模拟输入驱动电路原理,详细介绍了两种模拟驱动电路和时钟电路抖动的分析方法。将上述理论分析应用于AD9433测量方案,测量结果证明了上述理论分析的正确性。 展开更多

关键词 高速ADC 测量 模拟驱动电路 时钟抖动

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加扰技术对模数转换器性能的影响

11

作者 朱蓓丽 岂飞涛 +7 位作者 张琳 刘涛 刘海南 滕瑞 李博 赵发展 罗家俊 韩郑生 《微电子学》 CAS 北大核心 2022年第2期323-328,共6页

分析了加扰技术改善ADC性能的基本原理,通过选择合适的扰动信号注入到理想量化器模型中进行仿真,验证了加扰技术能够随机化量化误差的周期性三角形分布。在加扰技术的实际应用中,首先基于10 bit 25 MS/s Pipelined ADC模型完成加扰仿真... 分析了加扰技术改善ADC性能的基本原理,通过选择合适的扰动信号注入到理想量化器模型中进行仿真,验证了加扰技术能够随机化量化误差的周期性三角形分布。在加扰技术的实际应用中,首先基于10 bit 25 MS/s Pipelined ADC模型完成加扰仿真,仿真得到ADC的SFDR由74.69 dB提高到了85 dB。然后对两种ADC芯片进行加扰实验,该加扰技术使两种ADC芯片的SFDR分别提高了8.29 dB和5.97 dB。理论仿真和实验验证了加扰技术可以明显提高ADC的SFDR,为后期ADC内部集成加扰电路模块做好了准备工作。 展开更多

关键词 加扰 ADC 量化误差 SFDR

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基于MOS技术的神经元电路研究进展

12

作者 程泽军 李彬鸿 +2 位作者 李博 罗家俊 韩郑生 《微电子学》 CAS 北大核心 2019年第2期292-298,共7页

设计一种具有多种神经元响应模式、结构紧凑、低功耗的神经元电路,对大规模神经形态硬件的构建具有重要意义。分析了LIF、Izhikevich两种神经元模型的基本原理,重点介绍了数字和模拟两类神经元电路的设计方法、工作原理和优缺点。最后,... 设计一种具有多种神经元响应模式、结构紧凑、低功耗的神经元电路,对大规模神经形态硬件的构建具有重要意义。分析了LIF、Izhikevich两种神经元模型的基本原理,重点介绍了数字和模拟两类神经元电路的设计方法、工作原理和优缺点。最后,讨论了神经元电路的设计趋势以及挑战。 展开更多

关键词 神经元电路 LIF Izhikevich 神经元模型

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一种流水线型ADC的时序改进技术研究

13

作者 岂飞涛 刘涛 +7 位作者 朱蓓丽 张琳 刘海南 滕瑞 李博 赵发展 罗家俊 韩郑生 《微电子学》 CAS 北大核心 2022年第2期217-222,共6页

对一种流水线型模数转换器(ADC)的时序电路进行了改进研究。改进时序延长了余量增益单元MDAC部分加减保持相位的时长,可以在不增加功耗与面积的情况下,将一种10位流水线型ADC在20 MS/s采样率下的有效位(ENOB)从9.3位提高到9.8位,量化精... 对一种流水线型模数转换器(ADC)的时序电路进行了改进研究。改进时序延长了余量增益单元MDAC部分加减保持相位的时长,可以在不增加功耗与面积的情况下,将一种10位流水线型ADC在20 MS/s采样率下的有效位(ENOB)从9.3位提高到9.8位,量化精度提高了5%;将该ADC有效位不低于9.3位的最高采样率从21 MS/s提高到29 MS/s,转换速度提高了35%。ADC的采样频率越高,改进时序带来的效果越显著。该项技术特别适用于高速高精度流水线型ADC,也为其他结构ADC的高速高精度设计提供思路。 展开更多

关键词 流水线型模数转换器 改进型时序 高速高精度

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eFuse器件的电迁移三维有限元仿真

14

作者 王锦任 王家佳 +2 位作者 赵晨阳 刘海南 李多力 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第7期577-584,599,共9页

应用有限元分析软件建立了电可编程熔丝(eFuse)器件的三维有限元模型,通过离子流通量散度法和最小原子浓度法对eFuse器件的电迁移熔断过程进行了多物理场耦合有限元仿真,仿真结果能够较好地拟合器件的实际熔断效果。通过仿真对比了不同... 应用有限元分析软件建立了电可编程熔丝(eFuse)器件的三维有限元模型,通过离子流通量散度法和最小原子浓度法对eFuse器件的电迁移熔断过程进行了多物理场耦合有限元仿真,仿真结果能够较好地拟合器件的实际熔断效果。通过仿真对比了不同阴极面积和不同编程电压条件下的电迁移过程及熔断效果。结果表明,更大的阴极面积能够提高熔丝局部的温度梯度,从而提高熔断效率;更高的编程电压能够提供更高的电流密度和温度,从而加速电迁移的发生并增大了eFuse熔断区的面积。提出了一种具有外部辅助加热功能的eFuse器件结构,并在不同条件下进行了电迁移熔断仿真,结果表明该结构能够显著提高eFuse器件局部的离子流通量散度,从而提高eFuse存储单元的熔断效率和编程良率。 展开更多

关键词 电可编程熔丝(eFuse) 电迁移 有限元仿真 离子流通量散度 热断裂

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硅基OLED数字型像素驱动电路MOS管尺寸对数据写入的影响 被引量：4

15

作者 徐勇 祁鹏赫 +3 位作者 黄苒 赵博华 刘梦新 无 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2021年第5期680-686,共7页

以传统的6T SRAM(5T+1MOS驱动管)结构硅基OLED像素电路为例,分析了开关管尺寸对数据写入的影响。提出了一种新型数字型硅基OLED像素电路,用5T(4T+1MOS驱动管)实现与6T SRAM(5T+1MOS驱动管)结构相同的功能。另外新型的像素电路与传统的S... 以传统的6T SRAM(5T+1MOS驱动管)结构硅基OLED像素电路为例,分析了开关管尺寸对数据写入的影响。提出了一种新型数字型硅基OLED像素电路,用5T(4T+1MOS驱动管)实现与6T SRAM(5T+1MOS驱动管)结构相同的功能。另外新型的像素电路与传统的SRAM结构相比,其数据写入不受开关管尺寸的影响,可以采用最小尺寸的开关管。基于SMIC 0.18μm 1.8 V/5 V混合信号工艺设计,通过仿真得出6T SRAM结构像素电路能正常写入的开关管最小尺寸为540 nm/600 nm,像素单元版图面积为4.3μm×4.3μm;新型5T结构像素电路中的开关管尺寸可以为工艺最小尺寸,即300 nm/600 nm,版图面积为3.91μm×3.91μm,相比之下单个像素单元版图面积缩小了17.3%。 展开更多

关键词 硅基OLED 像素电路 SRAM 数字驱动 开关管尺寸

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“后摩尔时代”芯片互连方法简析 被引量：2

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作者 张墅野 初远帆 +6 位作者 李振锋 鲍俊辉 张雨杨 刘一甫 易庆鸿 崔澜馨 何鹏 《材料导报》 CSCD 北大核心 2023年第15期121-130,共10页

随着半导体制程接近工艺物理极限,半导体工业进入“后摩尔时代”,集成技术成为继续提高电子产品性能的重要途径。现存的实现高度集成的关键技术都对更小尺寸的连接提出了要求。同时随着连接尺寸的减小,封装体在连接工艺中受到的影响导... 随着半导体制程接近工艺物理极限,半导体工业进入“后摩尔时代”,集成技术成为继续提高电子产品性能的重要途径。现存的实现高度集成的关键技术都对更小尺寸的连接提出了要求。同时随着连接尺寸的减小,封装体在连接工艺中受到的影响导致器件在使用温度下失效的问题越来越严重。封装内的互连部分是芯片热传导、电气连接的重要结构,也是器件失效的重要部位,在互连接头尺寸不断减小的背景下,互连部分的失效在器件整体失效的情况中占据着越来越重要的地位,研究高导热、低工艺影响的微纳连接技术有望解决高功率密度器件的可靠性问题。本文总结了微纳连接技术在新型焊料、能量传递方式两方面的发展,简单介绍了表面活化技术并讨论其应用在电子封装中的可能性,在此基础上讨论了微纳连接技术的发展方向。 展开更多

关键词 微纳连接 表面活化键合 低温焊料 纳米焊料 电子束辐照 超声连接

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一种新型隧穿场效应晶体管

17

作者 卜建辉 许高博 +4 位作者 李多力 蔡小五 王林飞 韩郑生 罗家俊 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第3期185-188,共4页

提出了一种新型隧穿场效应晶体管(TFET)结构,该结构通过在常规TFET靠近器件栅氧化层一侧的漏-体结界面引入一薄层二氧化硅(隔离区),从而减小甚至阻断反向栅压情况下漏端到体端的带带隧穿(BTBT),减弱TFET的双极效应,实现大幅度降低器件... 提出了一种新型隧穿场效应晶体管(TFET)结构,该结构通过在常规TFET靠近器件栅氧化层一侧的漏-体结界面引入一薄层二氧化硅(隔离区),从而减小甚至阻断反向栅压情况下漏端到体端的带带隧穿(BTBT),减弱TFET的双极效应,实现大幅度降低器件泄漏电流的目的。利用TCAD仿真工具对基于部分耗尽绝缘体上硅(PDSOI)和全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)的TFET和新型TFET结构进行了仿真与对比。仿真结果表明,当隔离区宽度为2 nm,高度大于10 nm时,可阻断PDSOI TFET的BTBT,其泄漏电流下降了4个数量级;而基于FDSOI的TFET无法彻底消除BTBT和双极效应,其泄漏电流下降了2个数量级。因此新型结构更适合于PDSOI TFET。 展开更多

关键词 隧穿场效应晶体管(TFET) 绝缘体上硅(SOI) 泄漏电流 带带隧穿(BTBT) 双极效应

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基于静态输入检测的ADC单粒子效应测试系统

18

作者 刘涛 岂飞涛 +7 位作者 朱蓓丽 张琳 刘海南 滕瑞 李博 赵发展 罗家俊 韩郑生 《微电子学》 CAS 北大核心 2022年第2期329-333,共5页

采用静态输入检测技术,提出并实现了一个模数转换器(ADC)单粒子效应评估测试系统。该系统基于面向仪器系统的外围组件互联扩展平台(PXI)搭建。利用PXI触发模式控制模块化仪器的高速响应,并采用实时判决的方法对ADC输出数据进行监测。基... 采用静态输入检测技术,提出并实现了一个模数转换器(ADC)单粒子效应评估测试系统。该系统基于面向仪器系统的外围组件互联扩展平台(PXI)搭建。利用PXI触发模式控制模块化仪器的高速响应,并采用实时判决的方法对ADC输出数据进行监测。基于该系统对一种自主研发的10位25 MS/s ADC进行单粒子效应辐照试验。试验结果表明,该系统能够准确、高效评估ADC抗辐照性能,为抗辐照ADC的加固设计提供支撑平台。 展开更多

关键词 ADC 单粒子效应 PXI

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X射线和重离子辐射对GaN基发光二极管的影响

19

作者 王磊 李博 +4 位作者 张学文 李彬鸿 罗家俊 刘新宇 袁清习 《微处理机》 2019年第6期1-5,共5页

针对航天军事核物理等应用环境,研究了白光光谱高能X射线和30MeV Si重离子辐射效应对蓝光InGaN/GaN多量子阱发光二极管的阈值电压、发光功率、发光波长及色坐标的影响,得出二极管阈值电压和发光功率随Si粒子注量的变化规律。对比研究结... 针对航天军事核物理等应用环境,研究了白光光谱高能X射线和30MeV Si重离子辐射效应对蓝光InGaN/GaN多量子阱发光二极管的阈值电压、发光功率、发光波长及色坐标的影响,得出二极管阈值电压和发光功率随Si粒子注量的变化规律。对比研究结果指出,相比于辐射电离效应,辐射引起的位移效应、热峰效应和载流子移除效应是影响发光二极管特性的主要因素;重离子辐照对发光特性的影响早于电学特性,且辐射主要引起发光二极管色坐标Y分量的变化。 展开更多

关键词 INGAN/GAN多量子阱 发光二极管 可见光通讯 X射线 重离子 辐射效应 位移损伤

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复杂数字电路中的单粒子效应建模综述 被引量：6

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作者 吴驰 毕津顺 +5 位作者 滕瑞 解冰清 韩郑生 罗家俊 郭刚 刘杰 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期117-123,127,共8页

单粒子效应产生的软错误是影响航天电子系统可靠性的主要因素之一。对其进行建模是研究单粒子效应机理和电路加固技术的有效方法。介绍了深亚微米及以下工艺中影响模型准确性的几种效应机制,包括脉冲展宽机制、电荷共享机制和重汇聚机... 单粒子效应产生的软错误是影响航天电子系统可靠性的主要因素之一。对其进行建模是研究单粒子效应机理和电路加固技术的有效方法。介绍了深亚微米及以下工艺中影响模型准确性的几种效应机制,包括脉冲展宽机制、电荷共享机制和重汇聚机制等。重点分析了单粒子瞬态、单粒子翻转的产生模型和单粒子瞬态的传播模型。阐述了基于重离子和脉冲激光的模型验证方法。最后,分析了单粒子效应随特征尺寸的变化趋势,并提出了未来单粒子效应建模技术的发展方向。 展开更多

关键词 单粒子瞬态效应 单粒子翻转效应 软错误率 掩蔽效应

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