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红外折射/衍射超常温光学系统 被引量:27
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作者 孙强 刘宏波 +3 位作者 王肇圻 张惠娟 王吉增 卢振武 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期466-469,共4页
设计了折射 /衍射混合减热差红外光学系统 ,仅使用硅和锗两种材料 设计结果表明 ,此系统具有良好的减热差和校色差作用 ,在 - 80~ 2 0 0℃温度范围内不仅得到接近衍射极限的成像质量 ,而且结构简单 ,体积小 。
关键词 折射/衍射混合减热差红外光学系统 设计 衍射光学元件 校色差 红外折射/衍射超常温光学系统
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新型菲涅尔线聚焦聚光太阳电池组件研究 被引量:6
2
作者 汪韬 赛小锋 +2 位作者 李晓婷 李宝霞 高鸿楷 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期625-627,共3页
以聚甲基丙烯酸甲脂为材料 ,采用热压成型工艺加工成型线聚焦菲涅尔聚光透镜 (8× ) ,可用于空间、地面光伏系统太阳电池组件的聚光系统 ,并对在其聚光条件下 ,太阳电池的电流电压特性进行测试 ,结果表明 ,该菲涅尔线聚焦棱镜能有... 以聚甲基丙烯酸甲脂为材料 ,采用热压成型工艺加工成型线聚焦菲涅尔聚光透镜 (8× ) ,可用于空间、地面光伏系统太阳电池组件的聚光系统 ,并对在其聚光条件下 ,太阳电池的电流电压特性进行测试 ,结果表明 ,该菲涅尔线聚焦棱镜能有效提高太阳电池的单位输出功率 模具的机械加工精度和光学抛光精度低 。 展开更多
关键词 菲涅尔透镜 太阳聚光器 聚甲基丙烯酸甲脂 热压成型工艺 菲涅尔线聚焦聚光太阳电池组件
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GaSb衬底上外延InAs_xSb_(1-x)材料的LP-MOCVD研究 被引量:4
3
作者 李晓婷 王一丁 +5 位作者 汪韬 殷景致 王警卫 赛小锋 高鸿楷 张志勇 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1363-1366,共4页
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备,在(100)面GaSb单晶衬底上外延生长了InAsSb材料.用X射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材料特性进行了表征,分析研究了生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、过渡层等对外延层的影... 采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备,在(100)面GaSb单晶衬底上外延生长了InAsSb材料.用X射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材料特性进行了表征,分析研究了生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、过渡层等对外延层的影响.并且获得了与GaSb衬底晶格失配度较低的表面光亮的晶体质量较好的InAsSb外延层. 展开更多
关键词 LP-MOCVD GASB INASSB 生长温度
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MOCVD生长GaAs高质量掺碳研究 被引量:3
4
作者 李宝霞 汪韬 +2 位作者 李晓婷 赛小锋 高鸿楷 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期249-252,共4页
利用低压金属有机化合物汽相淀积 (LP -MOCVD)系统 ,通过调节生长参量和掺杂工艺 ,得到了晶格质量高、表面形貌好且空穴浓度从 8× 10 17到 4× 10 2 1可控的掺碳GaAs外延层 ,最后给出一应用实例—用重掺碳的GaAs材料做级联GaIn... 利用低压金属有机化合物汽相淀积 (LP -MOCVD)系统 ,通过调节生长参量和掺杂工艺 ,得到了晶格质量高、表面形貌好且空穴浓度从 8× 10 17到 4× 10 2 1可控的掺碳GaAs外延层 ,最后给出一应用实例—用重掺碳的GaAs材料做级联GaInP/GaAs/Ge太阳能电池的隧道结 . 展开更多
关键词 GAAS 碳掺杂 GaAs隧道结
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Ge衬底上GaInP_2材料的生长研究 被引量:2
5
作者 李晓婷 汪韬 +1 位作者 赛小锋 张志勇 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期909-911,共3页
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LPMOCVD设备,在(100)面偏(110)面9°的Ge单晶衬底上外延生长了GaInP2材料,研究了生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、生长速率等生长参数对GaInP2材料的表面形貌和固相组分的影响.结果表明,当GaInP2材料的生长... 采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LPMOCVD设备,在(100)面偏(110)面9°的Ge单晶衬底上外延生长了GaInP2材料,研究了生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、生长速率等生长参数对GaInP2材料的表面形貌和固相组分的影响.结果表明,当GaInP2材料的生长温度为650~680℃,生长速率为25~35nm/min,Ⅴ/Ⅲ为180~220时,获得了满足级联电池的GaInP2材料. 展开更多
关键词 LP-MOCVD GalnP2 Ge 材料
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用于光伏系统新型菲涅耳线聚焦聚光透镜设计 被引量:10
6
作者 汪韬 李辉 +2 位作者 李宝霞 赛小锋 高鸿楷 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期196-199,共4页
根据边缘光线原理 ,优化设计太阳电池及光伏系统的菲涅耳线聚焦聚光透镜 .设计光学聚光率为 1 8× ,可用于空间、地面光伏系统的聚光系统 .分析了其集光角特性 ,表明该菲涅耳线聚焦棱镜具有大的集光角 (±
关键词 太阳电池 菲涅耳线聚焦聚光透镜 集光角 边缘光线 光伏系统 设计
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生长速率对低压MOCVD外延生长GaAs/Ge异质结的影响 被引量:3
7
作者 汪韬 李宝霞 +2 位作者 李晓婷 赛小锋 高鸿楷 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第12期1479-1482,共4页
采用自制的液相金属氧化物化学汽相沉积 (LP MOCVD)设备 ,在Ge( 1 0 0 )向 ( 1 1 0 )面偏 9°外延生长出GaAs单晶外延层 ,对电池材料进行了X射线衍射测试分析 ,半峰宽为 5 2″ 讨论了外延生长参量对GaAs/Ge的影响 ,表明抑制反向畴... 采用自制的液相金属氧化物化学汽相沉积 (LP MOCVD)设备 ,在Ge( 1 0 0 )向 ( 1 1 0 )面偏 9°外延生长出GaAs单晶外延层 ,对电池材料进行了X射线衍射测试分析 ,半峰宽为 5 2″ 讨论了外延生长参量对GaAs/Ge的影响 ,表明抑制反向畴不仅与过渡层有关 ,而且与GaAs单晶外延生长参量有关 展开更多
关键词 生长速率 低压MOCVD 外延生长 异质结 液相金属氧化物化学汽相沉积 GAAS/GE 反向畴 砷化镓 半导体 太阳电池
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GaInP_2/GaAs/Ge叠层太阳电池材料的低压MOCVD外延生长 被引量:4
8
作者 李辉 汪韬 +2 位作者 李宝霞 赛晓峰 高鸿楷 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期209-212,共4页
本文采用自制的 L P-MOCVD设备 ,外延生长出 Ga In P2 / Ga As/ Ge叠层太阳电池结构片 ,对电池材料进行了 X射线衍射测试分析 .另外 ,采用二次离子质谱仪测试了电池结构的剖面曲线 .用此材料做出的叠层太阳电池 ,AMO条件下光电转换效率 ... 本文采用自制的 L P-MOCVD设备 ,外延生长出 Ga In P2 / Ga As/ Ge叠层太阳电池结构片 ,对电池材料进行了 X射线衍射测试分析 .另外 ,采用二次离子质谱仪测试了电池结构的剖面曲线 .用此材料做出的叠层太阳电池 ,AMO条件下光电转换效率 η=1 3 .6% ,开路电压 Voc=2 2 3 0 m V,短路电流密度 Jsc=1 2 .6m A/ cm2 . 展开更多
关键词 LP-MOCVD CaInP2/GaAs/Ge 叠层太阳电池 外延生长 镓铟磷化合物 砷化镓
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高温处理工艺对低压MOCVD外延GaAs/Ge太阳电池的影响 被引量:1
9
作者 李晓婷 汪韬 +1 位作者 赛小锋 高鸿楷 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第8期921-924,共4页
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP MOCVD设备 ,在Ge衬底 (10 0 )面向 (111)偏9°外延生长出GaAs电池结构 ,对电池材料进行了X射线衍射分析 另外 ,对由此材料制成的太阳电池进行了性能测试 ,测试结果表明 ,Ge衬底的高温处理工... 采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP MOCVD设备 ,在Ge衬底 (10 0 )面向 (111)偏9°外延生长出GaAs电池结构 ,对电池材料进行了X射线衍射分析 另外 ,对由此材料制成的太阳电池进行了性能测试 ,测试结果表明 ,Ge衬底的高温处理工艺对GaAs/Ge太阳电池的电流电压特性有一定的影响 试验表明 ,在 6 0 0~ 70 0℃之间高温处理效果较好 。 展开更多
关键词 LP-MOCVD GAAS/GE 太阳电池
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GaAs/Ge太阳能电池电极银镀层结合力的研究 被引量:3
10
作者 李晓婷 汪韬 +1 位作者 赛小锋 王警卫 《激光与光电子学进展》 CSCD 2004年第12期31-33,共3页
采用自制的LP-MOCVD设备,在Ge衬底外延生长出GaAs电池结构,并对电池结构片进行了后工艺制作,同时对电极制作中银镀层结合力的影响因素进行了研究。研究结果表明选择带电入池,无冲击电流方式时,可增强银镀层的结合力。同时采用扫描电子... 采用自制的LP-MOCVD设备,在Ge衬底外延生长出GaAs电池结构,并对电池结构片进行了后工艺制作,同时对电极制作中银镀层结合力的影响因素进行了研究。研究结果表明选择带电入池,无冲击电流方式时,可增强银镀层的结合力。同时采用扫描电子显微镜(SEM)和电子微探针对n型Ge衬底上AuGeNi背电极不同层面的成分进行了分析测试.测试数据表明钨污染将会使银镀层结合力变差。 展开更多
关键词 镀层 结合力 增强 电极 研究 成分 SEM 电池结构 太阳能电池 带电
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Ge薄膜特性及其在光子计数成像系统中的应用 被引量:9
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作者 赵菲菲 赵宝升 +4 位作者 张兴华 李伟 邹玮 赛小锋 韦永林 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期3236-3240,共5页
利用电子束真空蒸镀方法制作了Ge薄膜,用作感应读出方式光子计数成像系统的电荷感应层,研究了石英玻璃衬底和陶瓷衬底上Ge薄膜的结构特征、表面形态以及各种工艺参数对薄膜电阻的影响。X射线衍射(XRD)测试表明,两种衬底上沉积的Ge薄膜... 利用电子束真空蒸镀方法制作了Ge薄膜,用作感应读出方式光子计数成像系统的电荷感应层,研究了石英玻璃衬底和陶瓷衬底上Ge薄膜的结构特征、表面形态以及各种工艺参数对薄膜电阻的影响。X射线衍射(XRD)测试表明,两种衬底上沉积的Ge薄膜均为立方相非晶态。场发射扫描电子显微镜(FESEM)图像表明石英玻璃衬底上的薄膜致密平整,陶瓷衬底上的薄膜比较粗糙,厚度较薄时,陶瓷晶界处薄膜不连续导致电阻较大。通过改变沉积速率、薄膜厚度及采用退火的方法可以控制薄膜电阻。对比了采用不同阻值电荷感应层时系统的性能,发现阻值对探测器的分辨率影响小,对计数率影响较大。 展开更多
关键词 薄膜光学 电荷感应层 电子束蒸发 光子计数成像 电荷感应读出方式
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