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Ce^(3+)掺杂Ba_(3)Y_(2)(BO_(3))_(4)荧光粉发光性能及应用
1
作者 孙晓园 刘椿淼 +6 位作者 李敏 田宛鹭 娄文静 李昊翔 谭琴琴 李诚 骆永石 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第12期1992-2001,共10页
采用高温固相法制备了Ce^(3+)掺杂的Ba3Y2(BO3)4荧光粉。通过X射线衍射谱测定样品的晶体结构,研究了样品的激发和发射光谱、荧光衰减曲线、色坐标和变温光谱。在紫外光的激发下,Ce^(3+)掺杂的Ba_(3)Y_(2)(BO_(3))_(4)荧光粉发出明亮的蓝... 采用高温固相法制备了Ce^(3+)掺杂的Ba3Y2(BO3)4荧光粉。通过X射线衍射谱测定样品的晶体结构,研究了样品的激发和发射光谱、荧光衰减曲线、色坐标和变温光谱。在紫外光的激发下,Ce^(3+)掺杂的Ba_(3)Y_(2)(BO_(3))_(4)荧光粉发出明亮的蓝光,发射峰中心位于420 nm附近,半高宽大于83 nm。随着Ce^(3+)离子掺杂浓度增加,样品的发光强度先增强后减弱。随着Ce^(3+)掺杂浓度变化,样品CIE坐标变化较小,说明样品色彩稳定性好。随温度的升高,样品的发光强度降低,样品的热稳定性有待提高。把样品和商粉结合365 nm芯片制成白光LED,其色坐标为(0.33,0.39),显色指数为92.6,色温为5570 K。结果表明,Ba_(3)Y_(2)(BO_(3))_(4)∶Ce^(3+)荧光粉是一种新型的可用于白光LED的宽带发射蓝色荧光粉。 展开更多
关键词 荧光粉 Ce^(3+)掺杂 白光LED
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高功率1150 nm垂直外腔面发射半导体激光器
2
作者 张志军 陈贺 +8 位作者 张卓 刘志君 张建伟 杜子业 周寅利 张星 陈超 宁永强 王立军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期1531-1538,共8页
针对目前激光医疗、食品药品检测等领域对橙黄色激光的应用需求,开展了高功率基频光1150 nm垂直外腔面发射半导体激光器(VECSEL)研究。提出激光谐振腔内大尺寸基模光斑外腔结构,使VECSEL腔内模式匹配较大泵浦光斑尺寸,实现了高功率激光... 针对目前激光医疗、食品药品检测等领域对橙黄色激光的应用需求,开展了高功率基频光1150 nm垂直外腔面发射半导体激光器(VECSEL)研究。提出激光谐振腔内大尺寸基模光斑外腔结构,使VECSEL腔内模式匹配较大泵浦光斑尺寸,实现了高功率激光输出;提出增益峰-腔模失谐结构,增益峰与腔模温漂系数不同,高泵浦功率下具有良好的增益峰-腔模匹配,实现高泵浦功率工作下的激光波长稳定控制。制备的VECSEL器件在1150 nm激光波长的输出功率达到9.38 W,并获得良好的圆形对称的输出光斑形貌,光斑在正交方向上的发散角分别为7.3°和7.5°。 展开更多
关键词 半导体激光器 垂直外腔面发射半导体激光器 增益芯片 应变量子阱
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湿法制备的低维纳米材料作为激光介质的发展现状与展望(特邀)
3
作者 朱洪波 赵志博 +5 位作者 张会丹 林星辰 宁永强 王立军 纪文宇 薛旭兰 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第18期283-299,共17页
激光自问世以来发展迅速,为传统光学技术注入新的活力,并极大地推动自然科学的进步。相比于传统半导体材料,湿法制备的低维半导体材料因其独特的电子结构和可溶液处理特性,在低成本、高性能以及可调谐激光领域中展现出广阔的应用前景。... 激光自问世以来发展迅速,为传统光学技术注入新的活力,并极大地推动自然科学的进步。相比于传统半导体材料,湿法制备的低维半导体材料因其独特的电子结构和可溶液处理特性,在低成本、高性能以及可调谐激光领域中展现出广阔的应用前景。目前,基于低维半导体材料的连续光泵浦激光已陆续被报道,并且在通往该类光增益介质应用于电泵浦激光的研究上也取得一定进展。基于此,以湿法制备的低维半导体材料作为增益介质制备的激光器为主题展开综述,重点介绍基于低维半导体材料的光泵浦和电泵浦激光器的研究进展以及存在的问题,涉及的增益介质主要包括传统III-V、II-VI族无机半导体和钙钛矿材料。最后,对湿法制备的低维纳米材料作为激光介质的未来前景进行展望。 展开更多
关键词 低维材料 半导体 激光器 激光阈值
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红外宽带圆偏振探测全介质手性超构表面设计
4
作者 常卫杰 林晓晖 +2 位作者 李晋平 黄峰 徐圣瑶 《光学学报》 CSCD 北大核心 2024年第23期245-251,共7页
针对偏振探测手性超构表面难以实现大带宽、高圆二色性和高消光比的设计挑战,利用粒子群算法设计出一种硅基全介质二维手性超构表面。仿真结果表明,该器件在1416~1742 nm的工作波段内可作为左旋圆偏振光的二分之一波片并阻挡右旋圆偏振... 针对偏振探测手性超构表面难以实现大带宽、高圆二色性和高消光比的设计挑战,利用粒子群算法设计出一种硅基全介质二维手性超构表面。仿真结果表明,该器件在1416~1742 nm的工作波段内可作为左旋圆偏振光的二分之一波片并阻挡右旋圆偏振光的透射,平均圆二色性值为0.72且最大值达0.94,消光比达42 dB,透射率达95%,同时实现了高透过率、高圆二色性以及大带宽,且具有易制造、易集成等优点。 展开更多
关键词 超构表面 偏振探测 圆二色性 消光比 圆偏振
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基于890 nm半导体激光器的InGaAs/GaAsP多量子阱的外延生长条件及其界面质量研究
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作者 慕京飞 王斌 +11 位作者 周寅利 陈超 曾玉刚 张建伟 张星 刘天娇 张卓 徐玥辉 苑高辉 张继业 宁永强 王立军 《中国激光》 2025年第1期40-49,共10页
针对传统InGaAs/GaAs量子阱在890 nm波段增益与带阶下降的问题,在势垒层引入了P元素形成InGaAs/GaAsP量子阱结构以提高量子阱的应变及导带带阶,同时将阱层数量增加到10层,实现了在890 nm波段仍具有高增益的多量子阱。利用金属有机化学... 针对传统InGaAs/GaAs量子阱在890 nm波段增益与带阶下降的问题,在势垒层引入了P元素形成InGaAs/GaAsP量子阱结构以提高量子阱的应变及导带带阶,同时将阱层数量增加到10层,实现了在890 nm波段仍具有高增益的多量子阱。利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,采用生长参数组合调控的方法,外延生长了InGaAs/GaAsP多量子阱,研究了不同生长条件对InGaAs/GaAsP多量子阱界面质量及光增益特性的影响。通过对比分析最终确定了适合InGaAs/GaAsP多量子阱的最佳生长参数,并获得了高质量的InGaAs/GaAsP多量子阱外延样品。 展开更多
关键词 多量子阱 外延生长 生长温度 生长速率 界面质量
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