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硅压阻输出微传感器的1/f噪声 被引量：1
1
作者 于晓梅 江兴流 +2 位作者 J.Thaysen O.Hansen A.Boisen 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第9期1182-1187,共6页
从理论和实验上系统地讨论了压阻输出微传感器的噪声 .选用了单晶硅、非晶硅、多晶硅和微晶硅四种材料作为压阻材料 ,设计了 16种不同尺寸的力敏 Wheastone电桥 ,并对器件分别进行了两种不同浓度的掺杂和两种不同条件的退火 ,共获得 2 ... 从理论和实验上系统地讨论了压阻输出微传感器的噪声 .选用了单晶硅、非晶硅、多晶硅和微晶硅四种材料作为压阻材料 ,设计了 16种不同尺寸的力敏 Wheastone电桥 ,并对器件分别进行了两种不同浓度的掺杂和两种不同条件的退火 ,共获得 2 5 6种压阻输出的微传感器 .测量所有器件的噪声 ,并对噪声谱进行理论分析 ,实验结果表明单晶硅具有最低的 1/ f 噪声和 Hooge因子 (α)的值 ,而非晶硅略好于微晶硅和多晶硅 .几何尺寸大的力敏电阻具有低的 1/ f 噪声 ,但 α值不受器件尺寸的影响 .掺杂浓度增加 10倍时 ,不同器件的 1/ f 噪声降低介于35 %— 5 0 %之间 .相比 95 0℃、10 m in退火条件 ,10 5 0℃、30 m in的高温长时间退火的器件 ,其 1/ f 噪声降低约 6 5 % . 展开更多
关键词 l/f噪声 微传感器 硅压阻输出
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