硅芯制备技术及对沉积多晶硅棒杂质的影响 被引量：4

1

作者 史冰川 董俊 +3 位作者 李昆 黄磊 亢若谷 邱建备 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期513-516,485,共5页

本文介绍了改良西门子法多晶硅生产中的硅芯制备技术,包括区熔法硅芯制备技术和切割法硅芯制备技术。简要介绍了两种硅芯制备技术的工艺流程,并对两种不同技术路线制备硅芯过程中的杂质分凝、挥发及坩埚污染进行了比较。根据分析结果,... 本文介绍了改良西门子法多晶硅生产中的硅芯制备技术,包括区熔法硅芯制备技术和切割法硅芯制备技术。简要介绍了两种硅芯制备技术的工艺流程,并对两种不同技术路线制备硅芯过程中的杂质分凝、挥发及坩埚污染进行了比较。根据分析结果,采用区熔硅芯能在一定程度上降低硅芯对硅棒的杂质贡献。 展开更多

关键词 硅芯 杂质分凝 杂质挥发 坩埚污染

下载PDF 职称材料

数值建模在电子级多晶硅制备中的应用

2

作者 马启坤 赵桂洁 +2 位作者 宋东明 陈丽娟 张健雄 《云南冶金》 2019年第3期65-69,共5页

利用化工模拟软件建立还原炉数值模型,通过还原炉炉内在各种条件下的温度场、流场模拟测试,得出最佳的运行工艺参数,形成完整的还原运行曲线。经实践检验,利用模拟工具得出的运行参数有利于电子级多晶硅的制备,建模工作在电子级多晶硅... 利用化工模拟软件建立还原炉数值模型,通过还原炉炉内在各种条件下的温度场、流场模拟测试,得出最佳的运行工艺参数,形成完整的还原运行曲线。经实践检验,利用模拟工具得出的运行参数有利于电子级多晶硅的制备,建模工作在电子级多晶硅的生产上取得了很好的效果。 展开更多

关键词 电子级多晶硅 还原炉 数值建模 还原运行曲线

下载PDF 职称材料

流化床制备三氯氢硅工艺参数的优化 被引量：3

3

作者 罗平 李仕勇 +2 位作者 屈敏 谭宗国 陈福 《云南化工》 CAS 2016年第4期22-23,54,共3页

流化床制备三氯氢硅是多晶硅生产中比较常见的工艺方法。通过理论计算,选择合适粒径的硅粉,结合实际生产,总结出最优工艺参数,保证三氯氢硅合成系统稳定运行。

关键词 硅粉 三氯氢硅 流化床

下载PDF 职称材料

直拉硅单晶制备中来自于石英坩埚的受主杂质污染定量分析 被引量：3

4

作者 李昆 史冰川 +3 位作者 董俊 黄磊 亢若谷 邱建备 《云南冶金》 2016年第2期114-118,共5页

半导体硅单晶制备中一般要求掺入一定量的杂质以控制其电阻率。但是,由于坩埚受熔体侵蚀引入杂质污染,影响硅棒的实际电阻率,降低产品合格率。特别对于连续拉晶过程中,长时间的熔体侵蚀造成硅棒尾部杂质含量急剧升高。讨论了由于石英坩... 半导体硅单晶制备中一般要求掺入一定量的杂质以控制其电阻率。但是,由于坩埚受熔体侵蚀引入杂质污染,影响硅棒的实际电阻率,降低产品合格率。特别对于连续拉晶过程中,长时间的熔体侵蚀造成硅棒尾部杂质含量急剧升高。讨论了由于石英坩埚中受主杂质污染对硅单晶棒电学性能的影响,并对杂质渗入量进行了定量分析。结果表明,随着晶体生长时间的延长,石英坩埚的Ba涂层被破坏,杂质的渗入速率快速增加。试验中杂质总渗入量超过700μg。 展开更多

关键词 硅单晶 电阻率 坩埚污染 受主杂质

下载PDF 职称材料

电子级多晶硅生产关键工艺控制 被引量：3

5

作者 马启坤 赵桂洁 张健雄 《云南冶金》 2019年第4期76-78,共3页

围绕生产电子级多晶硅关键工艺控制各环节,研究了如何生产出高品质电子级多晶硅产品。

关键词 电子级 多晶硅 生产工艺

下载PDF 职称材料

晶体硅材料中杂质元素分析方法研究进展 被引量：4

6

作者 毛智慧 周文韬 +2 位作者 田琦 赵建为 金波 《化学分析计量》 CAS 2015年第2期102-105,共4页

综述了晶体硅材料中杂质元素含量测定的分析方法研究进展。晶体硅材料中杂质元素的分析方法主要包括红外吸收法、二次离子质谱法、中子活化分析法、辉光放电质谱法、电感耦合等离子体质谱法、X射线光谱分析及其它分析方法,引用文献41篇。

关键词 晶体硅 杂质 分析方法 综述

下载PDF 职称材料

新型PV/T太阳能利用复合系统的实验研究 被引量：27

7

作者 李光明 刘祖明 +3 位作者 李景天 廖华 朱勋梦 张卫东 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2013年第17期83-89,16,共7页

为提高PV/T系统太阳能利用率,同时获得可利用的热水和电力,将铝合金背板型单晶硅光伏组件和自行设计制作的不锈钢扁盒式集热板相结合,用导热硅胶加以粘接制成新型光伏光热一体化(PV/T)复合系统,该系统实现了光伏组件与集热板之间良好的... 为提高PV/T系统太阳能利用率,同时获得可利用的热水和电力,将铝合金背板型单晶硅光伏组件和自行设计制作的不锈钢扁盒式集热板相结合,用导热硅胶加以粘接制成新型光伏光热一体化(PV/T)复合系统,该系统实现了光伏组件与集热板之间良好的粘接性、绝缘性和热传导,并在昆明地区对系统进行测试,分析了系统在不同水箱水容量及不同天气工况下运行的光电光热性能。结果表明,系统在75kg水箱水容量(m)晴天工况下运行效率更高,系统的平均电效率、热效率、综合效率及综合性能效率分别在14%、37%、51%、70.72%左右,与系统在50kg水箱水容量晴天或75kg水箱水容量多云工况下运行相比,综合性能效率约提高了11.86%或2.09%。与独立的光热或光伏系统相比,具有占地面积小、太阳能利用率高、更经济等优势。 展开更多

关键词 光伏光热一体化(PV T) 金属背板光伏组件 不锈钢扁盒式集热板 自然循环 综合性能效率

原文传递

多晶硅生产废气回收处理工艺研究进展 被引量：4

8

作者 周万礼 罗平 +2 位作者 王金 任玖阳 李友才 《云南化工》 CAS 2017年第5期109-111,共3页

阐述了多晶硅生产废气主要来源、组分、处理工艺及研究进展,提出了生产高品质多晶硅可选择的废气处理工艺。

关键词 多晶硅生产 废气回收 研究进展

下载PDF 职称材料

氢还原后三氯氢硅的杂质控制 被引量：3

9

作者 杨丞杰 宋东明 《化学反应工程与工艺》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期284-288,共5页

为控制还原后三氯氢硅中杂质含量,采用Aspen Plus模拟软件对还原后三氯氢硅提纯塔进行模拟计算,考察了提纯塔的进料量、回流量和采出量对还原后三氯氢硅中硼、磷杂质的影响,并结合实际生产探索还原后三氯氢硅中碳和金属杂质的控制措施... 为控制还原后三氯氢硅中杂质含量,采用Aspen Plus模拟软件对还原后三氯氢硅提纯塔进行模拟计算,考察了提纯塔的进料量、回流量和采出量对还原后三氯氢硅中硼、磷杂质的影响,并结合实际生产探索还原后三氯氢硅中碳和金属杂质的控制措施。结果表明:降低提纯塔进料量,提高提纯塔回流量和采出量能有效降低还原后三氯氢硅中硼、磷杂质含量。对还原炉钟罩、基盘和备品备件进行合理的维护和选用,能有效控制氢还原后三氯氢硅中碳和金属杂质含量。 展开更多

关键词 多晶硅还原 三氯氢硅 杂质控制

下载PDF 职称材料

分光光度法测定多晶硅生产尾气回收氢中的微量磷化氢 被引量：2

10

作者 亢若谷 张云晖 +3 位作者 于艳敏 李晓华 赵建为 金波 《云南冶金》 2014年第3期61-64,共4页

采用溴水作为吸收溶液，将尾气回收氢中的微量磷化氢氧化吸收、富集后生成磷酸。在酸性介质中正磷酸与钼酸铵反应生成磷钼杂多酸，用抗坏血酸还原为蓝色的络合物，然后采用分光光度法于700nm波长处测定吸光度，间接计算出磷化氢含量。... 采用溴水作为吸收溶液，将尾气回收氢中的微量磷化氢氧化吸收、富集后生成磷酸。在酸性介质中正磷酸与钼酸铵反应生成磷钼杂多酸，用抗坏血酸还原为蓝色的络合物，然后采用分光光度法于700nm波长处测定吸光度，间接计算出磷化氢含量。实验结果表明，在0—400wg／L浓度范围内磷的线性关系良好（r=0．999），方法检出限为0．045μg／L。该方法操作快速简便，可应用于多晶硅生产尾气回收氢中微量磷化氢的测定。 展开更多

关键词 溴水 吸收 分光光度法 磷化氢

下载PDF 职称材料

多晶硅生产中硅芯夹层的成因及预防措施 被引量：3

11

作者 赵桂洁 马启坤 张健雄 《氯碱工业》 CAS 2015年第3期28-29,32,共3页

分析了在多晶硅生产过程中,硅芯氧化夹层和氮化夹层形成的原因,并提出了预防措施。

关键词 多晶硅 硅芯 氧化夹层 氮化夹层 原因 措施

下载PDF 职称材料

分子直径法计算相对校正因子在气相色谱法测定三氯氢硅含量中的应用

12

作者 于晓艳 陶明 +4 位作者 左世芳 杨红燕 李亚娜 张永凤 赵建为 《理化检验（化学分册）》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期183-186,共4页

在气相色谱法测定三氯氢硅含量中,采用分子直径法,以四氯化硅为标准物,计算氯化氢、二氯二氢硅、三氯氢硅在热导检测器上的相对校正因子,并以氦气为载气,测定三氯氢硅对四氯化硅的相对质量校正因子。未采用分子直径法得到的相对质量校... 在气相色谱法测定三氯氢硅含量中,采用分子直径法,以四氯化硅为标准物,计算氯化氢、二氯二氢硅、三氯氢硅在热导检测器上的相对校正因子,并以氦气为载气,测定三氯氢硅对四氯化硅的相对质量校正因子。未采用分子直径法得到的相对质量校正因子为0.891,采用分子直径法得到的相对质量校正因子为0.915,两者相对误差为1.13%。 展开更多

关键词 分子直径法 气相色谱法 三氯氢硅 相对校正因子

下载PDF 职称材料

影响四氯化硅冷氢化系统连续运行的因素分析 被引量：2

13

作者 马启坤 袁庆波 +1 位作者 谭宗国 张建平 《云南冶金》 2019年第1期53-56,共4页

针对某公司四氯化硅冷氢化工艺系统不能连续稳定运行的影响因素,进行分析探讨,提出改进意见建议,确保系统运行稳定及延长系统连续运行时间,提高产品质量,降低生产成本。可用于实际生产的指导或参考。

关键词 影响 冷氢化系统 连续运行 因素分析

下载PDF 职称材料

硅多晶质量检测分析中的磷检电阻率曲线研究

14

作者 董俊 史冰川 +1 位作者 何永国 栾石林 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第7期1997-2004,共8页

本文对几种典型的实测电阻率曲线进行分析,利用普凡公式和补偿后净载流子导电模型对曲线的异常进行了合理解释并用低温红外检测结果进行了对比验证。采用硼磷杂质浓度补偿净值方法计算出的数据接近实测情况,电阻率特性曲线符合普凡公式... 本文对几种典型的实测电阻率曲线进行分析,利用普凡公式和补偿后净载流子导电模型对曲线的异常进行了合理解释并用低温红外检测结果进行了对比验证。采用硼磷杂质浓度补偿净值方法计算出的数据接近实测情况,电阻率特性曲线符合普凡公式描述的规律,可作为理论特性曲线使用。 展开更多

关键词 硅多晶 磷检 电阻率 净载流子

下载PDF 职称材料

多晶硅氢化炉热场部件革新

15

作者 罗平 蔡永明 +1 位作者 顾国宝 刘阳赞 《云南冶金》 2016年第4期51-54,共4页

多晶硅氢化炉热场部件是影响氢化炉稳定运行的关键因素,通过分析研究原有热场材料存在的缺陷,改进热场结构及材质,以提升热场部件使用寿命,确保氢化炉的稳定运行。

关键词 多晶硅 氢化炉 保温罩 加热体

下载PDF 职称材料

影响化学气相沉积多晶硅致密料比例的因素 被引量：1

16

作者 王世松 蔡永明 杨丞杰 《云南化工》 CAS 2017年第4期94-97,共4页

改良西门子法生产多晶硅还原工艺是高纯的三氯氢硅和氢气在还原炉内发生化学气相沉积反应,得到固态多晶硅,多晶硅根据表观质量,分为致密料、玉米料、珊瑚料。目前,国内多晶硅生产以大型还原炉为主,对成本控制具有明显优势,但存在的问题... 改良西门子法生产多晶硅还原工艺是高纯的三氯氢硅和氢气在还原炉内发生化学气相沉积反应,得到固态多晶硅,多晶硅根据表观质量,分为致密料、玉米料、珊瑚料。目前,国内多晶硅生产以大型还原炉为主,对成本控制具有明显优势,但存在的问题是多晶硅致密料比例较低。本文通过对还原炉反应温度控制、进料喷嘴布置、反应配比等因素的分析研究,得出了提高还原炉化学气相沉积多晶硅致密料比例的方法、思路。 展开更多

关键词 致密料 化学气相沉积 喷嘴布置 温度配比

下载PDF 职称材料

氯硅烷填料式冷凝储存设备的应用探索 被引量：1

17

作者 王金 刘林 +1 位作者 余虹呈 周云山 《云南化工》 CAS 2015年第2期57-59,共3页

在多晶硅生产中,应用填料式氯硅烷冷凝储存设备对含氯硅烷的尾气进行回收。该冷凝储存设备可以起到一定的除杂作用,提高冷媒冷量的利用率,降低设备的制造成本,最终降低尾气中氯硅烷的回收成本。同时,还起到一定的精馏提纯作用。设备主... 在多晶硅生产中,应用填料式氯硅烷冷凝储存设备对含氯硅烷的尾气进行回收。该冷凝储存设备可以起到一定的除杂作用,提高冷媒冷量的利用率,降低设备的制造成本,最终降低尾气中氯硅烷的回收成本。同时,还起到一定的精馏提纯作用。设备主要由冷凝器、储存罐、填料式塔板以及相应的控制系统组成,通过DCS控制系统实现自动控制。 展开更多

关键词 填料式 冷凝储存 氯硅烷

下载PDF 职称材料

多晶硅废气淋洗系统的应用 被引量：2

18

作者 邓亮 章华 梁景坤 《云南化工》 CAS 2016年第2期53-54,67,共3页

废气淋洗装置是多晶硅生产线的重要组成部分。本套废气淋洗装置充分改进了传统西门子法制取多晶硅废气淋洗的工艺,实现了机械化、自动化,具有自动化程度高,氯硅烷处理能力大,工艺稳定等优点。

关键词 多晶硅 废气淋洗 刮板机

下载PDF 职称材料

低温加热挥发三氯氢硅-电感耦合等离子体质谱法测定三氯氢硅中痕量砷 被引量：1

19

作者 钱津旺 毛智慧 +2 位作者 杨红燕 张云晖 陶明 《冶金分析》 CAS CSCD 北大核心 2018年第7期44-50,共7页

采用电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)常规模式测定三氯氢硅中砷时,40 Ar35 Cl+会对75 As+的信号产生严重干扰,同时若直接进行测定,大量硅基体的存在不仅会有基体效应,也会造成对采样锥、截取锥和进样系统的堵塞,这些都给ICP-MS测定三氯... 采用电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)常规模式测定三氯氢硅中砷时,40 Ar35 Cl+会对75 As+的信号产生严重干扰,同时若直接进行测定,大量硅基体的存在不仅会有基体效应,也会造成对采样锥、截取锥和进样系统的堵塞,这些都给ICP-MS测定三氯氢硅中痕量砷带来了难题。实验利用石墨氮气挥三氯氢硅装置在50~90℃下对液体三氯氢硅样品进行挥发处理,以体积比为1∶1∶1∶8的氢氟酸-硝酸-过氧化氢-水为混合浸取液体对挥发后的样品残渣进行浸取,解决了因大量硅基体存在而引起的问题。同时,实验采用氢气-氦气混合碰撞/反应池模式,控制混合碰撞/反应气流速为6.0mL/min,消除了40 Ar35 Cl+对75 As+的干扰,最终实现了ICP-MS对三氯氢硅中痕量砷的测定。在优化的仪器条件下,测定砷标准系列溶液,以砷信号强度值与质量浓度进行线性回归,相关系数在0.999 0以上,方法的检出限为0.01ng/g。将实验方法应用于三氯氢硅样品中砷的测定,结果的相对标准偏差(RSD,n=11)在0.71%~7.1%之间,加标回收率为87%~105%之间。分别用微量移液器准确移取1.00、15.00μL砷标准储备溶液加入到超纯三氯氢硅中,配制成砷质量分数分别为2.00、30.00ng/g的2个三氯氢硅模拟样品,按照实验方法分别对这2个模拟样品中砷进行测定,测定值与理论值基本一致,相对误差的绝对值不大于1%。 展开更多

关键词 砷 三氯氢硅 电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS) 碰撞反应池技术

下载PDF 职称材料

高品质三氯氢硅中碳含量的控制 被引量：3

20

作者 赵生艳 李仕勇 +2 位作者 黄杰 耿志萍 何茂魁 《云南化工》 CAS 2018年第5期108-109,共2页

改良西门子法生产的多晶硅,其产品质量中碳杂质的一个重要来源是原料高品质三氯氢硅中的甲基氯硅烷,而四氯化硅冷氢化法生产的原料粗三氯氢硅,在精馏过程中较难脱除的甲基氯硅烷是甲基二氯氢硅和三甲基氯硅烷,在生产中,结合工艺流程优... 改良西门子法生产的多晶硅,其产品质量中碳杂质的一个重要来源是原料高品质三氯氢硅中的甲基氯硅烷,而四氯化硅冷氢化法生产的原料粗三氯氢硅,在精馏过程中较难脱除的甲基氯硅烷是甲基二氯氢硅和三甲基氯硅烷,在生产中,结合工艺流程优化控制方法,实现产品三氯氢硅中甲基氯硅烷的稳定控制。 展开更多

关键词 三氯氢硅 碳杂质 控制

下载PDF 职称材料