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Pt/Co/Au多层膜中磁斯格明子的密度调控
1
作者 徐琦 张宇中 +9 位作者 胡玥 李泽林 姜泽 王楠 蒙萱 邓霞 关超帅 朱柳 张军伟 彭勇 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期155-163,共9页
磁斯格明子是一种拓扑自旋结构,凭借其尺寸小、结构稳定和驱动电流密度低等特性,有望成为新一代赛道磁存储器件的信息存储单元。在存有磁斯格明子的材料体系中,具有界面Dzyaloshinskii-Moriya Interaction(DMI)的铁磁多层膜可与现代纳... 磁斯格明子是一种拓扑自旋结构,凭借其尺寸小、结构稳定和驱动电流密度低等特性,有望成为新一代赛道磁存储器件的信息存储单元。在存有磁斯格明子的材料体系中,具有界面Dzyaloshinskii-Moriya Interaction(DMI)的铁磁多层膜可与现代纳米制造工艺兼容,并且这种铁磁多层膜产生的磁斯格明子在室温下可稳定存在,这为基于磁斯格明子研发的电子器件提供了材料基础。然而磁性多层膜中界面DM相互作用、交换相互作用和偶极相互作用等各种作用之间的竞争,导致了磁斯格明子密度的随机变化,降低了磁斯格明子器件的可控性。因此,系统的研究材料参数对磁斯格明子密度的调控具有重要的意义。本文通过改变磁性层Co层的厚度调控了磁性多层膜中磁斯格明子的密度。实验结果表明,随着Co层厚度的增加,磁斯格明子的密度先增加后减少,其中Co层为2.1 nm时磁斯格明子密度最大。理论计算表明,磁性层厚度的变化会引起磁各向异性的转变和内禀属性DM相互作用的改变,进而影响磁斯格明子密度的变化。 展开更多
关键词 磁斯格明子 球差电镜 洛伦兹技术 磁性层厚度
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单发光层结构的白色有机电致发光器件的研究 被引量：1
2
作者 李建丰 孙硕 +1 位作者 欧谷平 张福甲 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期382-384,共3页
在研究了合成并提纯的蓝光材料Liq和黄光染料Rubrene发光特性的基础上,采用高效的荧光染料Rubrene作为掺杂剂掺杂在母体材料Liq中,制备了单发光层结构的有机电致发光器件。当掺杂摩尔分数为1.0%时,器件得到了近白色发光(色度x=0.29,y=0.... 在研究了合成并提纯的蓝光材料Liq和黄光染料Rubrene发光特性的基础上,采用高效的荧光染料Rubrene作为掺杂剂掺杂在母体材料Liq中,制备了单发光层结构的有机电致发光器件。当掺杂摩尔分数为1.0%时,器件得到了近白色发光(色度x=0.29,y=0.34),在驱动电压为24V时,器件的亮度达到了2804cd/m2,在驱动电压为16V时,器件的效率达到了4.6cd/A。 展开更多
关键词 白色有机电致发光器件 掺杂 能量转移
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有机半导体材料蒽薄膜的生长
3
作者 李建丰 李东仓 +1 位作者 欧谷平 张福甲 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期713-715,共3页
利用常规的真空蒸发技术,在热氧化硅片的衬底上沉积了蒽薄膜。用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对不同沉积时间的蒽薄膜形貌进行了观察,研究了蒸发沉积蒽膜时膜在二氧化硅衬底上的成核和生长模式,并借助X射线衍射仪(XRD)分析... 利用常规的真空蒸发技术,在热氧化硅片的衬底上沉积了蒽薄膜。用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对不同沉积时间的蒽薄膜形貌进行了观察,研究了蒸发沉积蒽膜时膜在二氧化硅衬底上的成核和生长模式,并借助X射线衍射仪(XRD)分析了薄膜的结晶状态。结果显示:蒽膜生长时,蒽的临界核以Volmer-Weber模式生长,即蒽首先形成许多三维岛状的晶核,核长大增高为岛,然后在蒽离域大π键的作用下,相邻的两层蒽分子存在一定程度的交叠,岛与岛相互连接构成岛的通道,最后形成均匀致密、具有良好晶体特性的多晶薄膜。 展开更多
关键词 蒽薄膜 生长模式 SEM AFM XRD
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TMEP作为缓冲层增加有机发光器件的效率的研究
4
作者 李建丰 李勇华 +3 位作者 孙硕 董茂军 欧谷平 张福甲 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1572-1574,共3页
在有机发光器件中的发光层和阴极之间插入了稳定性好、有良好电子传输能力的苝酸四甲酯(TMEP)新型缓冲层,改善了有机电致发光器件的亮度和发光效率。在电流密度为200mA/cm2时,有缓冲层的器件B效率为0.82cd/A,没有缓冲层的器件A效率为0.1... 在有机发光器件中的发光层和阴极之间插入了稳定性好、有良好电子传输能力的苝酸四甲酯(TMEP)新型缓冲层,改善了有机电致发光器件的亮度和发光效率。在电流密度为200mA/cm2时,有缓冲层的器件B效率为0.82cd/A,没有缓冲层的器件A效率为0.14cd/A。 展开更多
关键词 有机电致发光 TMEP缓冲层 发光效率
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9,9′-联蒽/SiO_2表面及界面的AFM和XPS的研究
5
作者 李建丰 宋青 +2 位作者 牛振川 刘林东 张福甲 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期1660-1662,共3页
在热氧化硅片的衬底上真空蒸镀了1层9,9′-联蒽的薄膜。利用原子力显微镜和X射线光电子能谱对其表面及界面的形貌和电子状态进行了分析。结果发现表面极不平整,存在大量裂缝和空隙,并吸附了空气中大量的气体分子;9,9′-bianthracene薄... 在热氧化硅片的衬底上真空蒸镀了1层9,9′-联蒽的薄膜。利用原子力显微镜和X射线光电子能谱对其表面及界面的形貌和电子状态进行了分析。结果发现表面极不平整,存在大量裂缝和空隙,并吸附了空气中大量的气体分子;9,9′-bianthracene薄膜中的氧,主要来自表面吸附的氧气和水分子的扩散以及湿氧氧化时残留在氧化层中水分子和氧分子的扩散。所以对OFET而言,采用溅射工艺制备的SiO2层应比热氧化生长的SiO2层更合适。 展开更多
关键词 9 9′-联蒽 AFM XPS
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RFID中非易失存储单元及灵敏放大电路的设计 被引量：2
6
作者 贾晓云 冯鹏 +2 位作者 张胜广 吴南健 刘肃 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期413-418,共6页
针对无源超高频射频识别标签芯片的应用需求设计了一种非易失性存储单元及其灵敏放大电路。该存储单元包括了两个浮栅节点并利用隧道效应(FN)隧穿机制来实现电子向浮栅的注入和擦除,因此其具有较低的编程功耗和较高的数据存储可靠性。... 针对无源超高频射频识别标签芯片的应用需求设计了一种非易失性存储单元及其灵敏放大电路。该存储单元包括了两个浮栅节点并利用隧道效应(FN)隧穿机制来实现电子向浮栅的注入和擦除,因此其具有较低的编程功耗和较高的数据存储可靠性。为了减小存储单元的面积并进一步降低编程功耗,还采用了厚度仅为4 nm的栅氧作为隧穿结。此外,还设计了一种适合于该存储单元的灵敏放大电路,不仅可以读取存储数据,还可配合存储单元进行数据的擦写操作,从而简化存储单元的设计。基于0.18μm单多晶硅标准CMOS工艺实现了该存储单元及其灵敏放大电路,其单元面积仅为108μm2,经测试表明该存储单元可配合灵敏放大电路实现数据的正确读写,编程电压约为6 V,在擦写次数达到10 000次后,仍具有1.5 V的阈值窗口。 展开更多
关键词 CMOS标准工艺 非易失性 存储单元 灵敏放大电路 射频识别(RFID)
原文传递
有机半导体NTCDA的合成及结构表征
7
作者 李建丰 孙硕 +3 位作者 董茂军 胥超 肖剑 张福甲 《功能材料与器件学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期630-634,共5页
叙述了利用1,8萘二甲酸二钠为原料制备高纯1,4,5,8-萘四甲酸二酐的方法,通过红外光谱、核磁共振谱、X-射线衍射谱对其结构进行了表征,并通过紫外-可见光光谱分析了其光吸收特性.
关键词 有机半导体材料 合成 结构表征
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