真空绝热板(VIP)技术及其发展 被引量：43

1

作者 温永刚 王先荣 +1 位作者 杨建斌 陈光奇 《低温工程》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期35-39,共5页

针对真空绝热板技术的结构设计、绝热机理、核心技术及影响真空绝热板寿命的关键因素等内容进行了详尽的分析与探讨,介绍了国外VIP技术发展的前沿动向并结合国内真空绝热板技术的发展历程及当前发展水平进行了讨论,对国内VIP技术未来发... 针对真空绝热板技术的结构设计、绝热机理、核心技术及影响真空绝热板寿命的关键因素等内容进行了详尽的分析与探讨,介绍了国外VIP技术发展的前沿动向并结合国内真空绝热板技术的发展历程及当前发展水平进行了讨论,对国内VIP技术未来发展方向提出了几点认识和建议。 展开更多

关键词 真空 绝热 VIP 发展

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IDT6116单粒子敏感性评估试验技术研究 被引量：6

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作者 薛玉雄 曹洲 +3 位作者 杨世宇 田恺 郭刚 刘建成 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期22-27,共6页

为评估IDT6116 SRAM单粒子敏感性,采用地面试验方法和地面试验系统,利用脉冲激光、重离子和252Cf源3种不同的地面模拟源,对IDT6116 SRAM器件进行单粒子敏感性试验研究,并对3种不同的模拟源的试验结果进行等效性分析比较,同时进行总剂量... 为评估IDT6116 SRAM单粒子敏感性,采用地面试验方法和地面试验系统,利用脉冲激光、重离子和252Cf源3种不同的地面模拟源,对IDT6116 SRAM器件进行单粒子敏感性试验研究,并对3种不同的模拟源的试验结果进行等效性分析比较,同时进行总剂量效应对单粒子效应影响的试验研究。研究结果表明:IDT6116 SRAM抗单粒子翻转和锁定的能力较强;接受一定辐照剂量后的试验样品对单粒子翻转更加敏感,且翻转阈值略有降低,翻转截面略有增大。 展开更多

关键词 IDT6116SRAM 单粒子翻转 单粒子锁定 脉冲激光 重离子 ^252Cf源

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单粒子效应不同模拟源的等效性实验研究初探 被引量：3

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作者 薛玉雄 曹洲 +3 位作者 杨世宇 田恺 郭刚 刘建成 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期123-128,共6页

地面模拟单粒子效应(Single event effect,SEE)采用的模拟源主要有加速器(重离子加速器、高能质子加速器)、天然放射源(锎裂变碎片源)和脉冲激光模拟源。本文针对三种不同的模拟源(脉冲激光、重离子、锎源),开展IDT6116 SRAM单粒子效应... 地面模拟单粒子效应(Single event effect,SEE)采用的模拟源主要有加速器(重离子加速器、高能质子加速器)、天然放射源(锎裂变碎片源)和脉冲激光模拟源。本文针对三种不同的模拟源(脉冲激光、重离子、锎源),开展IDT6116 SRAM单粒子效应不同模拟源的等效性实验研究,探索三种不同的模拟源评估器件和集成电路抗单粒子效应敏感性的等效性,并将三种不同的模拟源的实验结果进行分析比对,比对结果表明,三种不同模拟源模拟实验取得的实验结论基本一致。 展开更多

关键词 单粒子效应 模拟源 脉冲激光 重离子 锎源

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飞行器敏感系统在轨分子污染沾染量预估方法研究 被引量：6

4

作者 王鷁 王先荣 姚日剑 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期20-24,31,共6页

空间环境下,材料出气引起的分子污染效应是影响飞行器寿命和可靠性的重要因素之一。本文就材料出气分子经历的出气、在空间的传播输运和沉积三个过程及有诸多污染出气源存在时,对敏感表面沉积量的影响等进行了研究。建立了针对飞行器敏... 空间环境下,材料出气引起的分子污染效应是影响飞行器寿命和可靠性的重要因素之一。本文就材料出气分子经历的出气、在空间的传播输运和沉积三个过程及有诸多污染出气源存在时,对敏感表面沉积量的影响等进行了研究。建立了针对飞行器敏感系统功能表面在轨分子污染沾染量的预估模型。并利用该理论模型,结合相机镜头结构和空间环境的使用条件,模拟计算其镜头表面在轨飞行期间的分子污染物沾染量随时间变化的结果,同时理论计算结果结合试验测试数据评估相机镜头的在轨使用业绩。结果表明,镜头由于分子污染物沉积引起光学透过率的衰减达30%以上。所得到的结论对完善飞行器的防污染设计,提高飞行器在轨期间安全和性能保障具有重要的参考意义。 展开更多

关键词 出气 分子污染 预估 模型

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重离子和脉冲激光模拟单粒子翻转阈值等效性研究 被引量：3

5

作者 薛玉雄 曹洲 +1 位作者 杨世宇 田恺 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期653-658,共6页

根据重离子和脉冲激发诱发单粒子翻转机理,分析了重离子和脉冲激光模拟单粒子翻转阈值(激光能量与重离子线性能量转移(LET))等效方法,得出脉冲激光与重离子单粒子翻转阈值等效计算公式。应用实验室的激光模拟单粒子效应试验系统,开展了... 根据重离子和脉冲激发诱发单粒子翻转机理,分析了重离子和脉冲激光模拟单粒子翻转阈值(激光能量与重离子线性能量转移(LET))等效方法,得出脉冲激光与重离子单粒子翻转阈值等效计算公式。应用实验室的激光模拟单粒子效应试验系统,开展了几种器件和集成电路的单粒子翻转实验研究。利用获得的计算公式计算激光等效LET阈值,并与国内外重离子实测数据进行比较。结果表明,脉冲激光能量等效LET阈值与重离子试验LET阈值较为一致。 展开更多

关键词 单粒子翻转 重离子 脉冲激光 激光能量阈值 LET阈值

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星用功率MOSFET器件总剂量效应试验研究 被引量：2

6

作者 薛玉雄 曹洲 +2 位作者 郭祖佑 杨世宇 田恺 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期538-542,共5页

本文针对星用功率MOSFET器件JANTXV 2N7261和SR7262V,进行了钴-60γ射线辐照试验研究。在γ射线辐照过程中,采用JT?1型晶体管特性图示仪和计算机控制的摄像机,实时监测器件电参数随辐照剂量变化的特征,通过试验研究获得了被试器件阈值... 本文针对星用功率MOSFET器件JANTXV 2N7261和SR7262V,进行了钴-60γ射线辐照试验研究。在γ射线辐照过程中,采用JT?1型晶体管特性图示仪和计算机控制的摄像机,实时监测器件电参数随辐照剂量变化的特征,通过试验研究获得了被试器件阈值电压、漏电流和击穿电压随总剂量变化的特征照片和曲线,得出被试器件的抗总剂量水平。 展开更多

关键词 辐射效应 功率MOSFET器件 总剂量效应 Γ射线

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星用功率MOSFET器件单粒子烧毁试验研究 被引量：2

7

作者 薛玉雄 田恺 +4 位作者 曹洲 杨世宇 刘刚 蔡小五 陆江 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期1125-1129,共5页

针对国产功率MOSFET器件JTMCS081和JTMCS062,利用实验室的MOSFET器件单粒子烧毁试验测试系统,在252Cf模拟系统上开展了单粒子烧毁评估试验研究。通过试验研究获得了被试器件单粒子烧毁的电压阈值,为被测器件在卫星型号的使用提供技术参... 针对国产功率MOSFET器件JTMCS081和JTMCS062,利用实验室的MOSFET器件单粒子烧毁试验测试系统,在252Cf模拟系统上开展了单粒子烧毁评估试验研究。通过试验研究获得了被试器件单粒子烧毁的电压阈值,为被测器件在卫星型号的使用提供技术参考依据。 展开更多

关键词 功率MOSFET器件 单粒子烧毁 锎源

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敏感器件表面可凝结污染物的分析研究 被引量：4

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作者 王鹢 姚日剑 +2 位作者 颜则东 郭兴 全小平 《真空与低温》 2007年第4期209-212,共4页

空间环境下,材料出气产生的可凝结物质极易粘附于敏感器件表面形成污染。本文研究了空间模拟环境下敏感器件因污染引起表面电阻增大的负面现象。为进一步控制表面电阻增大的现象,达到污染防护和控制的目的,建立了一整套敏感器件表面可... 空间环境下,材料出气产生的可凝结物质极易粘附于敏感器件表面形成污染。本文研究了空间模拟环境下敏感器件因污染引起表面电阻增大的负面现象。为进一步控制表面电阻增大的现象,达到污染防护和控制的目的,建立了一整套敏感器件表面可凝结污染物成分分析的方法,对表面的可凝结污染物进行定性分析。结果表明:引起表面电阻增大的主要污染源有硅橡胶GD414、704胶、电连接器内白色绝缘体、电连接器内红色绝缘体等几种材料;沉积到滑环表面上的主要成分有苯、邻苯二甲酸脂、环己胺、聚硅氧烷等,这些物质沉积到器件表面,可明显增大表面电阻。因此,建议使用过程中,考虑更换低出气率的材料,对一些必须要用的材料,在其结构设计中应考虑污染的因素,避免材料直接面对器件表面,以及使用前进行适当的预出气处理。 展开更多

关键词 材料出气 敏感器件 可凝结污染物 成分分析 污染源控制方法

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星用非金属材料出气模型的应用 被引量：14

9

作者 姚日剑 王鹢 +1 位作者 王先荣 颜则东 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期48-50,54,共4页

卫星上所用非金属材料,在空间真空环境下存在出气行为,产生污染效应。为了研究这种出气行为,本文以扩散理论为理论依据,推导材料出气模型。利用空间分子污染气体分析仪,测试了星用非金属材料的出气速率变化,对所测数据进行曲线拟合,通... 卫星上所用非金属材料,在空间真空环境下存在出气行为,产生污染效应。为了研究这种出气行为,本文以扩散理论为理论依据,推导材料出气模型。利用空间分子污染气体分析仪,测试了星用非金属材料的出气速率变化,对所测数据进行曲线拟合,通过试验和理论分析,证实了模型推导的正确性,结果表明:经过6 h的真空加热预处理能够有效减少出气污染。 展开更多

关键词 星用非金属材料 典型污染物 四极质谱 出气模型 分子污染

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剂量率对MOSFET器件总剂量效应的影响 被引量：3

10

作者 薛玉雄 曹洲 +2 位作者 郭祖佑 杨世宇 田恺 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期470-474,共5页

选取典型的星用功率MOSFET器件JANTXV 2N6798和JANTXV 2N7261为研究对象,就剂量率对MOSFET器件总剂量效应的影响进行试验研究。在试验中,选取钴-60γ射线,以不同剂量率进行辐照试验。通过试验研究,获得了被试器件阈值电压、漏电流和击... 选取典型的星用功率MOSFET器件JANTXV 2N6798和JANTXV 2N7261为研究对象,就剂量率对MOSFET器件总剂量效应的影响进行试验研究。在试验中,选取钴-60γ射线,以不同剂量率进行辐照试验。通过试验研究,获得了被试器件阈值电压、漏电流和击穿电压随总剂量率的变化特性。结果表明,低剂量率更易引起器件损伤。 展开更多

关键词 功率MOSFET器件 Γ射线 剂量率 总剂量效应

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脉冲激光模拟超大规模集成电路单粒子效应试验初探 被引量：2

11

作者 薛玉雄 曹洲 +5 位作者 杨世宇 田恺 刘淑芬 褚楠 曹海宁 尚智 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期371-375,共5页

本文利用实验室的激光模拟单粒子效应试验系统,开展超大规模集成电路Intel386EX CPU单粒子效应的模拟试验研究,探索超大规模集成电路单粒子效应脉冲激光模拟试验方法。文中详细地介绍了Intel386EX CPU单粒子效应试验原理、试验方法、试... 本文利用实验室的激光模拟单粒子效应试验系统,开展超大规模集成电路Intel386EX CPU单粒子效应的模拟试验研究,探索超大规模集成电路单粒子效应脉冲激光模拟试验方法。文中详细地介绍了Intel386EX CPU单粒子效应试验原理、试验方法、试验系统的软硬件组成以及试验取得的结论。试验研究表明,利用实验室的激光模拟系统可以开展超大规模集成电路单粒子效应试验研究,In-tel386EX CPU具有较强的抗单粒子锁定能力。 展开更多

关键词 Intel386EX 脉冲激光 单粒子效应 单粒子翻转 单粒子锁定

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非金属材料出气可凝物成分对光学敏感器性能的影响 被引量：1

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作者 王鷁 姚日剑 +1 位作者 王先荣 郭兴 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期63-66,共4页

在理论研究的基础上,利用地面模拟设备结合化学分析手段重点对可能引起飞行器敏感系统性能衰减的非金属材料出气可凝物(凝结温度25℃)进行成分分析,确定材料出气产生可凝结的各种有害物质源,取得的数据结合分光光度计分析材料出气可凝... 在理论研究的基础上,利用地面模拟设备结合化学分析手段重点对可能引起飞行器敏感系统性能衰减的非金属材料出气可凝物(凝结温度25℃)进行成分分析,确定材料出气产生可凝结的各种有害物质源,取得的数据结合分光光度计分析材料出气可凝物对光学性能的影响。结果表明:对于飞行器表面常用的涂层材料黑漆Z306,其出气可凝物中占主要成分的苯类和BHT有机物在紫外和可见光谱段引起透过率的衰减在10%以上;SR107-E51黑漆占主要成分的酰胺类的有机物在紫外和可见光谱段引起透过率的衰减在10%以内。而丁腈/丁苯胶材料出气可凝物中占主要成分的二乙基癸二酸已脂引起紫外、可见光谱段透过率的衰减在30%以上,这种物质凝结于光学镜头表面,将产生很大的危害。 展开更多

关键词 非金属材料 污染效应 可凝物 色质联用 成分分析 光学性能

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航天器导热脂出气性能试验 被引量：1

13

作者 颜则东 王先荣 +1 位作者 王鹢 姚日剑 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期60-62,共3页

利用自行研制的空间出气分子污染低温凝结效应环模测试设备,原位、定量测试航天器导热脂的出气性能,给出相应的实验测试数据和分析结论,并结合以往星上数据分析了该材料在航天器上使用的可能性,为该类材料在航天器上的使用提供设计依据。

关键词 导热脂 材料出气 总质量损失 可凝挥发物

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Al_2O_3微孔膜对60keV O^+离子的“导向”效应

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作者 陈益峰 陈熙萌 +10 位作者 娄凤君 徐进章 绍剑雄 孙光智 王俊 席发元 尹永智 王兴安 徐俊奎 崔莹 丁宝卫 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期222-226,共5页

在不同入射角度条件下,研究了60keV的O+离子入射孔径分别为50nm和30nm,厚度为10μmAl2O3微孔膜的角分布.实验结果表明离子透射微孔膜时发生了导向效应,随着入射角度的增大,透射于孔径大的微孔膜离子计数下降比较快,透射于孔径小的微孔... 在不同入射角度条件下,研究了60keV的O+离子入射孔径分别为50nm和30nm,厚度为10μmAl2O3微孔膜的角分布.实验结果表明离子透射微孔膜时发生了导向效应,随着入射角度的增大,透射于孔径大的微孔膜离子计数下降比较快,透射于孔径小的微孔膜离子计数下降比较缓慢.建立了一个初步的理论模型,对以上现象给出了较好的解释. 展开更多

关键词 微孔膜 孔径 导向效应 入射角

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