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北方华创微电子:激活文化活力 促安全行为转变
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作者 孙亚林 王仲 +1 位作者 丁光华 刘彤彤 《劳动保护》 2024年第3期40-41,共2页
北京北方华创微电子装备有限公司(以下简称“北方华创微电子”)成立于2001年,是北方华创科技集团股份有限公司下属企业,所开发的刻蚀设备、化学气相沉积设备、物理气相沉积设备等产品已广泛应用于集成电路、半导体照明、功率半导体、先... 北京北方华创微电子装备有限公司(以下简称“北方华创微电子”)成立于2001年,是北方华创科技集团股份有限公司下属企业,所开发的刻蚀设备、化学气相沉积设备、物理气相沉积设备等产品已广泛应用于集成电路、半导体照明、功率半导体、先进封装、光通信及化合物半导体等领域。公司始终以客户需求为导向,持续创新,依托精良的品质及卓越的服务,与合作伙伴加强合作,打造半导体工艺装备技术、产品、服务一体化的专业解决方案平台,推动产业进步,创造无限可能。 展开更多
关键词 产业进步 持续创新 化合物半导体 功率半导体 半导体工艺 物理气相沉积 半导体照明 行为转变
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制冷站双目标权重自适应非线性预测控制
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作者 魏东 闫畔 冯浩东 《控制理论与应用》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期49-58,共10页
针对传统制冷站控制系统易产生振荡,且无法实现系统性能整体优化的问题,本文提出一种制冷站非线性预测控制策略,优化目标函数设计为满足建筑冷量需求的同时,尽可能提高系统整体能效.为解决上述两个优化目标之间的矛盾关系,本文采用模糊... 针对传统制冷站控制系统易产生振荡,且无法实现系统性能整体优化的问题,本文提出一种制冷站非线性预测控制策略,优化目标函数设计为满足建筑冷量需求的同时,尽可能提高系统整体能效.为解决上述两个优化目标之间的矛盾关系,本文采用模糊逻辑设计了优化目标权重自适应模块,实时求取权重因子最优解;针对非线性系统在线优化求解困难问题,本文提出了基于神经网络的非线性滚动优化算法,采用神经网络作为反馈优化控制器,并将系统优化目标函数作为在线寻优性能指标,结合Euler-Lagrange方法和随机梯度下降法对控制器权值和阈值进行在线寻优,算法计算量小,占用存储空间适中,便于采用低成本的现场控制器实现制冷站预测控制.仿真实验结果表明,本文所提出的预测控制策略与PID控制相比,在未加入优化目标函数权重自适应模块情况下,系统平均能效比提高约32.5%;进行优化目标函数权重自适应寻优后,系统平均能效提高约39.43%. 展开更多
关键词 制冷站 非线性系统 预测控制 神经网络 权重自适应 模糊逻辑 双目标优化
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低压电柜设备供电系统的阶段性保护策略研究
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作者 康亚鹏 《电气技术与经济》 2024年第5期50-52,共3页
本文主要研究低压电柜设备供电系统的阶段性保护策略。通过分析低压电柜在供电系统中的重要性及其常见的故障类型,提出了一套阶段性保护策略。这套策略包括初级保护、中级保护和高级保护三个阶段,旨在通过层次分明的保护措施,有效预防... 本文主要研究低压电柜设备供电系统的阶段性保护策略。通过分析低压电柜在供电系统中的重要性及其常见的故障类型,提出了一套阶段性保护策略。这套策略包括初级保护、中级保护和高级保护三个阶段,旨在通过层次分明的保护措施,有效预防和减少低压电柜故障的发生,确保供电系统的稳定运行。本文采用仿真分析和实际案例研究的方法,验证了阶段性保护策略的有效性和实用性,为低压电柜设备的供电系统安全提供了理论和实践指导。 展开更多
关键词 低压电柜 供电系统 阶段性保护策略 系统安全 故障预防
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电气盒设备供电阶段保护与电力负载管理
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作者 康亚鹏 《电气技术与经济》 2024年第3期147-148,151,共3页
本文针对电气盒设备供电阶段的保护与电力负载管理问题进行研究,旨在提出一种有效的解决方案。首先,通过分析电气盒供电阶段的特点和存在的问题,明确了保护与管理的重要性。接着,本文提出了一种基于智能监测与控制的电力负载管理系统,... 本文针对电气盒设备供电阶段的保护与电力负载管理问题进行研究,旨在提出一种有效的解决方案。首先,通过分析电气盒供电阶段的特点和存在的问题,明确了保护与管理的重要性。接着,本文提出了一种基于智能监测与控制的电力负载管理系统,该系统能够实现对电气盒设备供电阶段的实时监测和精确控制,从而提高供电效率和保护设备安全。最后,通过实验验证了该系统的可行性和有效性。本研究为电气盒设备供电阶段的保护与管理提供了一种新的解决思路和技术支持。 展开更多
关键词 电气盒设备 供电阶段 保护 电力负载管理 智能监测与控制
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集成电路刻蚀装备及其核心部件的发展历程
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作者 韦刚 成晓阳 +3 位作者 刘建 刘卓远 王娜 赵晋荣 《微纳电子与智能制造》 2022年第1期5-13,共9页
1947年贝尔实验室诞生第一块晶体管,经过70多年的发展,集成电路芯片技术已日新月异,人类已向1 nm技术节点发起挑战。随着集成电路制造技术的飞速发展,新材料、新结构的不断引入,High-k栅氧化物层+金属栅极、鳍式场效应晶体管、环绕式栅... 1947年贝尔实验室诞生第一块晶体管,经过70多年的发展,集成电路芯片技术已日新月异,人类已向1 nm技术节点发起挑战。随着集成电路制造技术的飞速发展,新材料、新结构的不断引入,High-k栅氧化物层+金属栅极、鳍式场效应晶体管、环绕式栅极技术晶体管、垂直传输场效晶体管等技术对制造核心工艺中等离子体刻蚀设备的要求也越来越高。总结集成电路制造领域的等离子体刻蚀设备及其核心零部件技术发展历程和路线,对等离子体刻蚀设备的研发非常重要。本文就刻蚀设备的发展历史、静电卡盘、射频电源、射频匹配器、终点检测技术等核心零部件的技术发展路线进行探讨,为集成电路核心装备的开发提供思路。 展开更多
关键词 集成电路 刻蚀机 等离子体
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基础研究资助与管理领域的研究现状、热点及趋势
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作者 朱相宇 杨阳 郭之珍 《世界科技研究与发展》 CSCD 2023年第4期461-475,共15页
基础研究是整个科学体系的源头,全球科技竞争不断向基础研究前移。本文以Web of Science数据库收录的1992—2021年的643篇基础研究资助与管理领域文献为研究样本,运用科学知识图谱方法,揭示该领域的研究现状、热点及趋势,以期为我国基... 基础研究是整个科学体系的源头,全球科技竞争不断向基础研究前移。本文以Web of Science数据库收录的1992—2021年的643篇基础研究资助与管理领域文献为研究样本,运用科学知识图谱方法,揭示该领域的研究现状、热点及趋势,以期为我国基础研究资助与管理领域的理论与实践提供学术借鉴与参考。研究表明,该领域当前研究热点主要为基础研究与应用研究的辩证关系、基础研究投入、基础研究产出以及基础研究主体等,文献计量分析、科学计量分析以及数据包络分析等研究方法被广泛使用;未来研究可能会集中于基础研究与应用研究的辩证互动关系、基础研究主体及其合作发展、基础研究活动的影响效应与影响因素等方向。 展开更多
关键词 基础研究 知识图谱 热点 趋势
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可控型静压气体密封结构参数对密封性能的影响实验研究
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作者 闫欣欣 郑娆 +4 位作者 李双喜 贾宇宁 陈杨 李梦竹 张敬博 《机电工程》 CAS 北大核心 2023年第10期1483-1492,共10页
可控型静压密封具有泄漏量低、开启力高和气膜刚度大的特点。但由于运行时的工况条件不断发生变化,可控型静压密封也存在泄漏失效问题。针对可控型静压密封在恒定转速和被密封介质压力下的泄漏问题,建立了可控型静压密封气膜流场模型,... 可控型静压密封具有泄漏量低、开启力高和气膜刚度大的特点。但由于运行时的工况条件不断发生变化,可控型静压密封也存在泄漏失效问题。针对可控型静压密封在恒定转速和被密封介质压力下的泄漏问题,建立了可控型静压密封气膜流场模型,针对不同结构参数下的可控型静压密封性能进行了研究,揭示了结构参数对可控型静压密封的影响机理。首先,根据可控型静压密封原理,确定了泄漏量、气膜厚度、气膜刚度为密封性能参数;然后,采用了有限元方法,建立了可控型静压密封的分析模型,确定了研究的工况参数,设计了数值模拟分析的计算研究路线,通过计算获得了可控型静压密封的密封性能随节流孔、均压槽、端面宽度参数的变化趋势和规律;最后,自主设计了一套可控型静压密封试验装置,并进行了装置的运转试验,通过测量可控型静压密封的总泄漏量,对数值模拟结果的准确性进行了验证,得到不同结构参数对可控型静压密封泄漏量的影响规律。研究结果表明:当静压密封装置的节流孔数量在8个~12个,直径在0.15 mm~0.25 mm之间,均压槽位置距离密封内侧约0.5 mm处,端面宽度控制在23 mm~27 mm范围内时,可控型静压密封装置具有最优的密封性能。 展开更多
关键词 非接触型密封 可控型静压密封 泄漏失效 密封性能参数 数值模拟 节流孔 均压槽 端面宽度
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氦气纯度低导致PVD腔室冷泵异响问题的分析方法
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作者 武学伟 刘春光 李伯 《价值工程》 2023年第3期94-96,共3页
冷泵是PVD设备重要的组成部分,主要负责保持腔室内的真空环境,它利用高纯度氦气的压缩膨胀循环来达到冷板低温,通过低温冷板捕捉腔室内的气体达到高真空度的环境。若冷泵出现故障,将直接影响腔室内的真空度,间接地影响晶圆的加工质量;... 冷泵是PVD设备重要的组成部分,主要负责保持腔室内的真空环境,它利用高纯度氦气的压缩膨胀循环来达到冷板低温,通过低温冷板捕捉腔室内的气体达到高真空度的环境。若冷泵出现故障,将直接影响腔室内的真空度,间接地影响晶圆的加工质量;本文主要介绍由于氦气纯度低导致冷泵异响的一种分析方法。 展开更多
关键词 冷泵 PVD设备 氦气纯度 冷泵异响
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晶圆材料对J-R型静电卡盘吸附力影响的研究
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作者 孙诗壮 赵晋荣 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第6期554-562,共9页
静电卡盘是半导体以及光学设备中关键器件之一,主要起到固定衬底快速加热的作用。本研究中搭建了真空腔室平台,并依据气体背吹法,测试了约翰逊-拉别克型静电卡盘对不同电压下不同材料晶圆的吸附力。本文通过对氧化层电学性质及静电卡盘... 静电卡盘是半导体以及光学设备中关键器件之一,主要起到固定衬底快速加热的作用。本研究中搭建了真空腔室平台,并依据气体背吹法,测试了约翰逊-拉别克型静电卡盘对不同电压下不同材料晶圆的吸附力。本文通过对氧化层电学性质及静电卡盘凸点结构的研究,得出静电卡盘对具有氧化层晶圆的吸附力来自于静电卡盘表面电荷与晶圆内硅材料之间吸附力的结论。并且利用等效电容法,建立了计算不同材料晶圆对静电卡盘吸附力影响的仿真模型。通过实验与仿真的结果表明,相同吸附电压下,静电卡盘对具有氧化层晶圆的吸附力大于静电卡盘对纯硅晶圆的吸附力。静电卡盘对晶圆吸附力的大小随着氧化层厚度的增加,先增加后减少。本文的研究对J-R效应理论的完善以及静电卡盘的设计及优化具有重要指导意义。为半导体设备的发展提供重要的理论基础。 展开更多
关键词 静电卡盘 J-R效应 氧化层 背吹气法 等效电容方法
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库仑型静电卡盘吸附力受电极结构及晶圆氧化层影响的研究
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作者 孙诗壮 赵晋荣 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第8期681-688,共8页
静电卡盘是半导体领域中关键器件,主要起到支撑固定晶圆的作用。文章利用麦克斯韦仿真软件计算了静电卡盘工作时,电极周围电压分布,得到了电极边缘效应小于4%,电极边缘效应对吸附力的影响可以忽略不计的结论;并依据等效电容的方法建立... 静电卡盘是半导体领域中关键器件,主要起到支撑固定晶圆的作用。文章利用麦克斯韦仿真软件计算了静电卡盘工作时,电极周围电压分布,得到了电极边缘效应小于4%,电极边缘效应对吸附力的影响可以忽略不计的结论;并依据等效电容的方法建立了计算库仑型静电卡盘吸附力的仿真模型。研究搭建了真空腔室,并依据气体背吹法,测试了两款具有不同电极结构的静电卡盘的吸附力,以及静电卡盘对不同材料晶圆的吸附力。实验与仿真的结果表明,库仑型静电卡盘吸附力的大小与电极面积成正比,电极结构几乎不会影响静电卡盘的吸附力;相同吸附电压下,对于背面氧化层厚度在500 nm以内的晶圆来说,晶圆的氧化层对库仑型静电卡盘吸附力的影响低于2%,可以忽略。文章的研究对库仑型静电卡盘的设计及优化具有重要指导意义。为半导体设备的发展提供重要的理论基础。 展开更多
关键词 静电卡盘 静电场 氧化层 背吹气法 等效电容方法
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集成电路中金属互连工艺的研究进展
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作者 张学峰 《半导体技术》 北大核心 2023年第12期1053-1061,共9页
随着集成电路中器件尺寸不断微缩,RC延时成为制约电路工作频率的主要因素。作为后端制程发展的里程碑之一,引入铜(Cu)和低介电常数(κ)材料作为互连导体和介质材料可以显著降低RC延时。然而,随着工艺技术节点达到5 nm或更低,电阻的尺寸... 随着集成电路中器件尺寸不断微缩,RC延时成为制约电路工作频率的主要因素。作为后端制程发展的里程碑之一,引入铜(Cu)和低介电常数(κ)材料作为互连导体和介质材料可以显著降低RC延时。然而,随着工艺技术节点达到5 nm或更低,电阻的尺寸效应使得Cu互连技术无法满足性能需求。由于低κ材料在工艺集成上的限制,尺寸微缩导致的RC延时主要通过金属化方法来抑制。介绍了金属互连工艺的发展和挑战,综述了为解决上述问题近几年金属互连技术的最新研究进展,包括新工艺和新材料的开发以优化传统的扩散阻挡层/衬垫层,Ru半大马士革工艺以及混合金属互连工艺,展望了后摩尔时代金属互连技术的发展。 展开更多
关键词 铜(Cu)互连 低κ材料 后端工艺(BEOL) 金属化 尺寸微缩
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镀膜设备真空检漏方法和分析思路
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作者 刘春光 《中文科技期刊数据库(全文版)工程技术》 2023年第3期0001-0004,共4页
晶圆镀膜工艺是在高真空的腔室中进行的,工艺要求在腔室中需要保持一个本底压力,如果漏孔较大,真空设备的抽速与漏孔漏率不能平衡,将无法满足做工艺的本底压力要求。当腔室出现漏孔的时候,就需要通过真空检漏来确定漏孔的位置和大小,堵... 晶圆镀膜工艺是在高真空的腔室中进行的,工艺要求在腔室中需要保持一个本底压力,如果漏孔较大,真空设备的抽速与漏孔漏率不能平衡,将无法满足做工艺的本底压力要求。当腔室出现漏孔的时候,就需要通过真空检漏来确定漏孔的位置和大小,堵塞漏孔从而消除漏气现象,本文主要介绍利用氦检仪对镀膜设备腔室真空检漏的方法和分析思路。 展开更多
关键词 晶圆镀膜 本底压力 漏孔 真空检漏 压升率
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橡胶软管物理特性参数对密封性的影响及改善建议
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作者 刘春光 金凌 《中国科技期刊数据库 工业A》 2023年第4期0160-0164,共5页
在半导体设备中,有很多冷却水需要通过橡胶软管来输送,很多部位的橡胶软管是通过与宝塔接头配合形成循环水路。选型要求宝塔头的外径大于橡胶软管的内径,这样装配之后橡胶软管会紧紧的包裹在宝塔接头上起到密封的作用。如果两者之间的... 在半导体设备中,有很多冷却水需要通过橡胶软管来输送,很多部位的橡胶软管是通过与宝塔接头配合形成循环水路。选型要求宝塔头的外径大于橡胶软管的内径,这样装配之后橡胶软管会紧紧的包裹在宝塔接头上起到密封的作用。如果两者之间的配合不符合要求,设备就会存在漏水的风险,这将对芯片生产厂家造成设备停机,影响生产。设备漏水的原因可能很复杂,存在诸多不确定因素,本文主要介绍橡胶软管物理特性参数对密封性的影响。 展开更多
关键词 橡胶软管 质量参数 漏水 密封性
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氢氦工艺气体爆炸性能研究及测试
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作者 韩晓琦 韩森 +2 位作者 任红蕾 邓斌 龚志峰 《电气防爆》 2023年第1期40-42,共3页
为了判定半导体生产过程中关于氢氦混合气体的爆炸性风险,通过对生产过程中使用的指定比例的氢氦混合物进行多种理论上的计算和分析,最后设计出一组测试来证明氦气:氢气=9:1的混合气体在和空气以各种比例混合时都不可燃,为半导体工业和... 为了判定半导体生产过程中关于氢氦混合气体的爆炸性风险,通过对生产过程中使用的指定比例的氢氦混合物进行多种理论上的计算和分析,最后设计出一组测试来证明氦气:氢气=9:1的混合气体在和空气以各种比例混合时都不可燃,为半导体工业和气体使用惰化爆炸性气体的工艺过程提供理论和试验上的参考。 展开更多
关键词 氢气 氦气 惰化 气体爆炸性测试
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一种用于先进封装的圆台硅通孔的刻蚀方法
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作者 林源为 赵晋荣 +1 位作者 曹泽京 袁仁志 《电子与封装》 2023年第3期114-119,共6页
在集成电路的制造阶段延续摩尔定律变得越发困难,而在封装阶段利用三维空间可以视作对摩尔定律的拓展。硅通孔是利用三维空间实现先进封装的常用技术手段,现有技术中对于应用于CMOS图像传感器件封装的圆台硅通孔,采用的是在顶部不断横... 在集成电路的制造阶段延续摩尔定律变得越发困难,而在封装阶段利用三维空间可以视作对摩尔定律的拓展。硅通孔是利用三维空间实现先进封装的常用技术手段,现有技术中对于应用于CMOS图像传感器件封装的圆台硅通孔,采用的是在顶部不断横向刻蚀的方式实现的,不利于封装密度的提高,且对于光刻设备的分辨率有一定的要求。针对现有技术中的问题,一种严格控制横向刻蚀尺寸(仅占原始特征尺寸的3%~12%)的圆台硅通孔刻蚀方法被研究探索出来。该方法通过调节下电极功率(≤30 W),获得了侧壁角度可调(70°~88°)、通孔底部开口尺寸小于光刻定义特征尺寸的圆台硅通孔结构。这一方法有望向三维集成电路领域推广,有助于在封装阶段延续摩尔定律。 展开更多
关键词 先进封装 圆台硅通孔 等离子刻蚀法
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基于PLC的大气颗粒物同步采样装置控制系统的设计与实现
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作者 刘东亮 《自动化应用》 2023年第21期169-172,共4页
本文针对大气气相-颗粒相半挥发性/中等挥发性有机物的自动同步采集需求,设计并实现了一种基于PLC的大气颗粒物同步采样装置控制系统。该系统通过上位机触摸屏软件可以方便灵活地设置采样装置的自动采样方式,减少人工投入,有效提高采样... 本文针对大气气相-颗粒相半挥发性/中等挥发性有机物的自动同步采集需求,设计并实现了一种基于PLC的大气颗粒物同步采样装置控制系统。该系统通过上位机触摸屏软件可以方便灵活地设置采样装置的自动采样方式,减少人工投入,有效提高采样效率。 展开更多
关键词 采样装置 控制系统 可编程逻辑控制器
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含裂纹缺损关节软骨的单轴准静态拉伸性能 被引量:2
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作者 司雲朋 高丽兰 +1 位作者 张春秋 彭宇霖 《中国组织工程研究》 CAS 北大核心 2020年第2期187-191,共5页
背景:关节软骨一旦出现裂纹缺损其力学性能会发生改变,而先前研究中针对受损关节软骨的探究多集中在压缩,对于拉伸性能的研究较少。目的:预先在软骨层试样上制造裂纹缺损,测试其单轴准静态拉伸性能。方法:选取新鲜成年猪膝关节的关节软... 背景:关节软骨一旦出现裂纹缺损其力学性能会发生改变,而先前研究中针对受损关节软骨的探究多集中在压缩,对于拉伸性能的研究较少。目的:预先在软骨层试样上制造裂纹缺损,测试其单轴准静态拉伸性能。方法:选取新鲜成年猪膝关节的关节软骨,制备含裂纹缺损的软骨试样,在不同应力率下(0.001,0.01,和0.1 MPa/s)测试其拉伸性能,在不同恒定应力下(1,2,3 MPa)测试其蠕变性能。结果与结论:①不同应力速率下的拉伸实验中,随着应力速率的增加,达到相同应变所需的应力逐渐增大,且试件的杨氏模量随应力率的增加而增加;②不同应力速率下含裂纹缺损关节软骨的拉伸应力-应变曲线不重合,说明含裂纹缺损关节软骨的拉伸性能具有率相关性;③不同恒定拉应力水平下的蠕变实验中,蠕变应变随着拉应力水平的提高而增大,蠕变柔量随拉应力水平的提高而降低,并且随着蠕变时间的推移蠕变应变先快速增加后缓慢增加;④结果表明,不同应力率和不同恒定应力对含裂纹缺损关节软骨的拉伸力学性能影响较大,该实验结果可为缺损关节软骨的修复提供力学参考。 展开更多
关键词 裂纹缺损 关节软骨 单轴拉伸 应力速率 恒定应力 蠕变 生物力学 组织工程
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高G环境下大鼠胫骨的力学性能
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作者 刘金 高丽兰 +1 位作者 彭宇霖 张西正 《中国组织工程研究》 CAS 北大核心 2020年第11期1654-1658,共5页
背景:随着中国航天事业的发展,飞行员面临承受高G力学环境,这种环境会对飞行员骨骼造成严重影响。而胫骨作为最容易发生骨折的骨骼之一,目前对极端力学环境下胫骨生物力学研究较少。目的:通过高G离心加载装置制作动物模型,探究不同高G... 背景:随着中国航天事业的发展,飞行员面临承受高G力学环境,这种环境会对飞行员骨骼造成严重影响。而胫骨作为最容易发生骨折的骨骼之一,目前对极端力学环境下胫骨生物力学研究较少。目的:通过高G离心加载装置制作动物模型,探究不同高G力学环境对大鼠生长发育和胫骨力学性能的影响。方法:取解放军军事医学科学院实验动物中心提供的雄性Wistar大鼠,通过高G离心加载装置设置悬臂以不同的转速和加速度运行模拟高G环境,并制作动物模型。每周称量大鼠体质量。取大鼠左侧胫骨进行三点弯曲实验,计算胫骨挠度、弹性模量、极限载荷;右侧胫骨进行蠕变实验,在胫骨中段皮质骨表面施加恒定应力并保持3600 s,观察其蠕变应变变化。实验已由天津理工大学动物伦理委员会批准。结果与结论:高G环境会影响大鼠正常生长发育,抑制体质量增长并降低了大鼠胫骨的力学性能,使胫骨的极限挠度分别下降了8.1%,12.2%,37.8%,51.4%;极限载荷分别下降了16%,9%,25.2%,29%。说明极端高G环境会对大鼠产生严重的负面作用。 展开更多
关键词 高G 胫骨 体重 力学性能 三点弯曲 皮质骨 生物力学 组织工程
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高温热处理a面AlN表面形貌演变机理
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作者 隋佳恩 贲建伟 +8 位作者 臧行 蒋科 张山丽 郭冰亮 陈洋 石芝铭 贾玉萍 黎大兵 孙晓娟 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期810-817,共8页
非极性a面AlN(a-AlN)能够从根本上解决极性AlN引起的量子限制斯塔克效应问题,是提升AlGaN发光器件效率的有效途径。但是,非极性AlN生长面临更大的挑战,目前难以实现低缺陷密度、高平整表面的非极性a-AlN。高温热处理是一种提高AlN质量... 非极性a面AlN(a-AlN)能够从根本上解决极性AlN引起的量子限制斯塔克效应问题,是提升AlGaN发光器件效率的有效途径。但是,非极性AlN生长面临更大的挑战,目前难以实现低缺陷密度、高平整表面的非极性a-AlN。高温热处理是一种提高AlN质量的有效方法,但在热处理过程中,非极性a-AlN的表面形貌演变的物理机理尚不明确,直接影响了a-AlN表面改善与质量提升。本研究通过对a-AlN薄膜在不同条件下进行高温热处理,对样品的表面形貌演变过程进行了表征与分析,并结合第一性原理计算,揭示了高温热处理对非极性a-AlN表面的影响及其物理机理。结果表明,在高温热处理过程中Al、N原子更趋向于从a面与m面分解,而在c面吸附,使得a-AlN样品表面在高温热处理过程中出现了沿c轴方向的高取向性条纹原子台阶形貌,进而提高a-AlN材料质量。本研究为实现高质量非极性a-AlN材料及紫外发光器件提供了重要基础。 展开更多
关键词 a-AlN 高温热处理 表面形貌演变 结合能
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变温LPCVD沉积氮化硅薄膜的均匀性优化 被引量:2
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作者 任攀 魏明蕊 +4 位作者 武鹏科 马少宇 刘贝贝 王尉 孙妍 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2021年第3期271-277,共7页
以低压化学气相沉积(LPCVD)热壁立式炉为实验平台,由二氯硅烷和氨通过LPCVD工艺合成氮化硅薄膜,利用降温成膜提高氮化硅薄膜的膜厚均匀度。基于气体碰撞理论建立了氮化硅薄膜沉积速率与反应气体浓度的关系式。分析比较了LPCVD炉内不同... 以低压化学气相沉积(LPCVD)热壁立式炉为实验平台,由二氯硅烷和氨通过LPCVD工艺合成氮化硅薄膜,利用降温成膜提高氮化硅薄膜的膜厚均匀度。基于气体碰撞理论建立了氮化硅薄膜沉积速率与反应气体浓度的关系式。分析比较了LPCVD炉内不同升温速率沉积氮化硅薄膜的表面性能。发现在变温沉积阶段,选择合适的降温速率是实现薄膜沉积过程中预设温度变化的关键。在保证各温度区平均膜厚和晶圆片之间膜厚均匀度基本不变的前提下,通过实验找到沉积阶段的最佳变温速率,将晶圆片内(WIW)均匀度优化到1%以下,比恒温沉积薄膜的均匀度提高了约70%。这将有助于设备工艺能力的提升,更好地适应IC芯片工艺关键尺寸的缩小趋势。 展开更多
关键词 低压化学气相沉积(LPCVD) 均匀度 氮化硅 变温沉积 晶圆片内(WIW)
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