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基于干法刻蚀技术的氮化镓MEMS加工工艺(英文) 被引量:1
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作者 杨振川 吕佳楠 +1 位作者 闫桂珍 陈敬 《纳米技术与精密工程》 EI CAS CSCD 2011年第1期78-82,共5页
氮化镓(GaN)材料已成功应用于光电子器件、高频功率器件等领域.近年来,由于GaN优异的材料特性,例如机械、热、化学稳定性以及生物兼容性等,使基于GaN的微机电系统(MEMS)得到了学术界的广泛关注.针对氮化镓MEMS结构的有效的图形化及释放... 氮化镓(GaN)材料已成功应用于光电子器件、高频功率器件等领域.近年来,由于GaN优异的材料特性,例如机械、热、化学稳定性以及生物兼容性等,使基于GaN的微机电系统(MEMS)得到了学术界的广泛关注.针对氮化镓MEMS结构的有效的图形化及释放技术是工艺研究的重点.设计、采用了一种全干法刻蚀技术,实现了(111)晶向硅衬底上的氮化镓基MEMS微结构的加工制造.利用提出的工艺方案,实现了多种悬浮GaN微结构的加工与测试表征实验.通过电子扫描显微镜(SEM)和光学轮廓仪进行了基本形貌表征;利用微拉曼光谱实验进行了加工结构的残余应力表征. 展开更多
关键词 干法刻蚀 氮化镓(GaN) MEMS
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基于三维集成的红外焦平面阵列技术
2
作者 鲁文高 张敏 +2 位作者 王冠男 朱韫晖 金玉丰 《光电子技术》 CAS 北大核心 2013年第2期73-77,111,共6页
随着像素单元越来越小、阵列规模越来越大、帧频越来越快,传统的IRFPA面临很大的集成技术发展瓶颈。基于三维集成的红外焦平面阵列(3D-IRFPA)通过堆叠芯片集成了A/D转换器、数字信号处理器、存储器等模块,可突破像元面积、阵列规模、帧... 随着像素单元越来越小、阵列规模越来越大、帧频越来越快,传统的IRFPA面临很大的集成技术发展瓶颈。基于三维集成的红外焦平面阵列(3D-IRFPA)通过堆叠芯片集成了A/D转换器、数字信号处理器、存储器等模块,可突破像元面积、阵列规模、帧频等瓶颈,实现探测器更强大的功能和更高的性能。本文介绍了3D-IRFPA技术的结构原理、优势、面临的挑战,以及最新技术进展。 展开更多
关键词 红外焦平面阵列 3维集成 硅通孔 模数转换器 非均匀性校正
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采用Sn中介层的覆Al薄膜硅片键合技术研究 被引量:1
3
作者 朱智源 于民 +4 位作者 胡安琪 王少南 缪旻 陈兢 金玉丰 《北京大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期741-744,共4页
研究采用Sn作为中间层键合覆盖Al薄膜的硅片。相对于Al-Al直接热压键合,该系统能提供低温、低压、快速的圆片级键合方案。采用直径为100 mm硅片,溅射一层500 nm厚度的Al层后,在N2气氛下进行450°C,30分钟退火,采用Ar等离子体清洗后... 研究采用Sn作为中间层键合覆盖Al薄膜的硅片。相对于Al-Al直接热压键合,该系统能提供低温、低压、快速的圆片级键合方案。采用直径为100 mm硅片,溅射一层500 nm厚度的Al层后,在N2气氛下进行450°C,30分钟退火,采用Ar等离子体清洗后,溅射一层500 nm厚度的Sn层。将硅片金属面紧贴在一起放入键合机中键合,在真空中进行。键合时间为3分钟条件下,得到平均剪切强度为9.9 MPa,随着键合时间增加,剪切强度显著降低。 展开更多
关键词 圆片级键合 低温 低压 剪切强度
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140 GHz空腔滤波器设计及加工工艺研究 被引量:2
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作者 甯彪 缪旻 《电子器件》 CAS 北大核心 2016年第1期21-25,共5页
设计并实现了一种采用进口电火花技术加工的D波段电感膜片耦合的矩形波导空腔滤波器。采用等效电路法设计了一个140 GHz矩形空腔带通滤波器。采用有限元仿真软件HFSS分析了腔体个数对滤波器主要性能的影响,最终成功设计了一个性能优良... 设计并实现了一种采用进口电火花技术加工的D波段电感膜片耦合的矩形波导空腔滤波器。采用等效电路法设计了一个140 GHz矩形空腔带通滤波器。采用有限元仿真软件HFSS分析了腔体个数对滤波器主要性能的影响,最终成功设计了一个性能优良的四阶空腔滤波器,中心频率(140±3)GHz,带内插入损耗S21在-3 d B以内,回波损耗S11在-20 d B以下。采用电火花微加工技术成功加工出了四阶滤波器的主体部分,相应完成了结构键合等关键工艺,首次制作了基于电火花技术的D波段矩形波导空腔滤波器。测试结果为中心频率(138.5±3)GHz,带内插入损耗最好达到了-4.4 d B。结果表明滤波器在140GHz具有带通特性和滤波功能,尽管与理论上的-3 d B有差异,但考虑到加工误差、夹具损耗等情况下,样品主要技术指标与设计值较为一致。 展开更多
关键词 滤波器 空腔 毫米波 太赫兹 全波仿真 电火花微加工
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金刚石薄膜场发射特性研究现状
5
作者 王旸 张锦文 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2023年第9期9007-9016,共10页
金刚石薄膜具有负电子亲合能、高热导率和极强的化学惰性等优势,作为场发射材料引起了广泛关注。回顾了金刚石薄膜的分类,介绍了氢化金刚石薄膜具有的负电子亲合能特性,分析了金刚石薄膜场发射特性的影响因素,列举了场发射特性的优化方... 金刚石薄膜具有负电子亲合能、高热导率和极强的化学惰性等优势,作为场发射材料引起了广泛关注。回顾了金刚石薄膜的分类,介绍了氢化金刚石薄膜具有的负电子亲合能特性,分析了金刚石薄膜场发射特性的影响因素,列举了场发射特性的优化方向,并总结了文献中报道的金刚石薄膜与其他材料复合获得的场发射阴极的性能,对于分析和改进金刚石薄膜器件场发射性能具有重要意义。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 场电子发射 负电子亲合能
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一种基于体硅工艺的微机械可调节椭圆低通滤波器 被引量:2
6
作者 缪旻 卜景鹏 赵立葳 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期486-489,共4页
提出了一种椭圆低通可调滤波器的调谐方法,即通过调节第一传输零点(FTZ)来改变3dB截止频率Tc。解析计算表明,小范围内改变FTZ既可调节Tc和滚降速率,又能保证通带和阻带的特性基本不变。作者提出FTZ的移动可由串联谐振支路处容性MEMS开... 提出了一种椭圆低通可调滤波器的调谐方法,即通过调节第一传输零点(FTZ)来改变3dB截止频率Tc。解析计算表明,小范围内改变FTZ既可调节Tc和滚降速率,又能保证通带和阻带的特性基本不变。作者提出FTZ的移动可由串联谐振支路处容性MEMS开关的分布加载来实现,并基于微扰法求出器件中心谐振频率及特性的变化规律。本文相应设计了Tc为16GHz的7阶步进式滤波器。高频有限元全波仿真表明,每加载一个MEMS开关,Tc改变约1.5GHz,损耗特性则几乎不变。这证明了理论分析方法有较高的准确性,而且器件设计具有数字化调节能力和较出色的微波性能。这种方法也可用于高通和带通滤波器。论文还介绍了器件的体硅微加工流程及MEMS开关的初步加工结果。 展开更多
关键词 射频微机电系统 可调谐滤波器 椭圆低通滤波器 第一传输零点 频率移动 体硅微机械加工工艺
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系统级封装中穿透性硅通孔建模及分析 被引量:1
7
作者 缪旻 梁磊 +2 位作者 李振松 许淑芳 张月霞 《北京信息科技大学学报(自然科学版)》 2011年第3期15-19,共5页
针对系统级封装技术(SIP,system in package)详细分析了穿透性硅通孔(TSV,through silicon via)的半径、高度和绝缘层厚度等物理结构对于三维系统级封装传输性能的影响,提出了TSV吉赫兹带宽等效电路模型,并提取出其电阻、电容、电感等... 针对系统级封装技术(SIP,system in package)详细分析了穿透性硅通孔(TSV,through silicon via)的半径、高度和绝缘层厚度等物理结构对于三维系统级封装传输性能的影响,提出了TSV吉赫兹带宽等效电路模型,并提取出其电阻、电容、电感等无源元件值,对于所提出的电路模型进行了时域分析,仿真给出了眼图。 展开更多
关键词 系统级封装 穿透性硅通孔 等效电路 参数提取 眼图
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TSV绝缘层完整性在线测试方法研究 被引量:1
8
作者 缪旻 许一超 +3 位作者 王贯江 孙新 方孺牛 金玉丰 《测试技术学报》 2012年第6期461-467,共7页
硅通孔(TSV)技术是先进的三维系统级封装(3D SIP)集成技术乃至三维集成电路(3D IC)集成技术的核心.TSV绝缘完整性是决定其电性能和长期可靠性的关键因素,在生产过程中对该特性进行在线(in-line)测试,及早筛除有缺陷的产品晶圆,可以有效... 硅通孔(TSV)技术是先进的三维系统级封装(3D SIP)集成技术乃至三维集成电路(3D IC)集成技术的核心.TSV绝缘完整性是决定其电性能和长期可靠性的关键因素,在生产过程中对该特性进行在线(in-line)测试,及早筛除有缺陷的产品晶圆,可以有效降低总生产成本.本文提出在晶圆减薄前,通过探针与相邻两个TSV盲孔顶部接触进行I-V特性测试,得到两孔间漏电流数据,绘成曲线.若所得I-V曲线在电压为7 V~10 V时基本呈线性上升,且漏电流为几十皮安量级,则可初步判断该TSV盲孔对的绝缘完整性合格,可进入下一步工艺流程.若I-V曲线在电压为7V或更低时出现漏电流陡增甚至击穿特性,则可以判断该TSV盲孔对中有一个或两个的绝缘完整性已经受损.通过有限元仿真阐释了测试机理,并进行了试验验证. 展开更多
关键词 三维系统集成 硅通孔(TSV)技术 在线测试 绝缘层完整性 漏电流
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用于MEMS仿生矢量水听器流激噪声抑制的“三明治”式封装结构设计与性能测试(英文)
9
作者 张斌珍 郝一龙 +4 位作者 张国军 刘林仙 王盼盼 杨士莪 张文栋 《纳米技术与精密工程》 CAS CSCD 2014年第2期79-84,共6页
MEMS仿生矢量水听器具有体积小、成本低、安装方便、有矢量性等优点,将MEMS仿生矢量水听器应用于水下环境必须解决透声、绝缘、流激噪声抑制等问题.为此,在前期单层聚氨酯封装结构的基础上,提出聚氨酯.水.聚氨酯“三明治”式封装... MEMS仿生矢量水听器具有体积小、成本低、安装方便、有矢量性等优点,将MEMS仿生矢量水听器应用于水下环境必须解决透声、绝缘、流激噪声抑制等问题.为此,在前期单层聚氨酯封装结构的基础上,提出聚氨酯.水.聚氨酯“三明治”式封装结构,外层聚氨酯直径36mm,内层聚氨酯直径32mm.完成了“三明治”式封装结构设计计算与试制测试;并通过典型使用环境实验验证该封装结构的流激噪声抑制能力.实验结果表明在20—1000Hz内该封装结构在几乎不损失灵敏度和矢量性的前提下,比前期的封装结构在抑制流激噪声能力方面提高20dB以上. 展开更多
关键词 MEMS 矢量水听器 流激噪声
原文传递
面向射频系统级封装的自动测试系统
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作者 缪旻 段肖洋 +1 位作者 刘晓芳 刘欢 《北京信息科技大学学报(自然科学版)》 2016年第5期1-4,共4页
随着多通道、多制式射频收发系统在机载、车载、空间飞行器等移动平台上的应用需求日益迫切,可将成套射频收发电路高密度集成于单个封装体内的射频系统级封装技术(System-in-Package,SIP)成为重要的支撑技术。射频系统级封装高密度集成... 随着多通道、多制式射频收发系统在机载、车载、空间飞行器等移动平台上的应用需求日益迫切,可将成套射频收发电路高密度集成于单个封装体内的射频系统级封装技术(System-in-Package,SIP)成为重要的支撑技术。射频系统级封装高密度集成化、待测试参数多且具有寄生与干扰效应显著的特点,对相应的射频测试技术提出严峻的挑战。提出了一种射频系统级封装自动测试原型系统,介绍了该系统的组成和工作原理,通过在计算机端集成测试界面,实现了命令引导下的自动测量,大幅提高了工作效率。 展开更多
关键词 射频系统级封装 三维集成 自动测试系统
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基于低温共烧陶瓷的微机械差分电容式加速度计的研究(英文) 被引量:3
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作者 张义川 缪旻 +4 位作者 方孺牛 唐小平 卢会湘 严英占 金玉丰 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期467-473,共7页
低温共烧陶瓷(LTCC)技术是实现电子设备小型化、高密度集成化的主流封装/组装集成技术,可适用于耐高温、耐受恶劣环境下的特性要求。报道了以LTCC为结构材料设计、制作的一种MEMS差分电容式加速度计。该器件的敏感质量、4根悬臂梁结构... 低温共烧陶瓷(LTCC)技术是实现电子设备小型化、高密度集成化的主流封装/组装集成技术,可适用于耐高温、耐受恶劣环境下的特性要求。报道了以LTCC为结构材料设计、制作的一种MEMS差分电容式加速度计。该器件的敏感质量、4根悬臂梁结构都内嵌于LTCC多层基板,质量块和上下盖板之间通过印刷电极组成差分电容对;高精度电容检测芯片表贴于LTCC基板表面,将差分电容信号转化为电压信号。论文讨论了微机械LTCC加速度计的设计与制备、检测电路和性能测试。LTCC的高密度多层布线减小了互连线的长度和相关耦合寄生电容;基于集成芯片的检测电路解决了分立式检测电路的引起噪声大、电路复杂等问题。测试结果表明:该加速度计结构灵敏度较高,小载荷情况下表现出良好的线性关系,灵敏度约为30.3 m V/gn。 展开更多
关键词 低温共烧陶瓷 加速度计 微机械加工 三维集成 微系统
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微尺寸叠氮化铅驱动飞片重要结构参数与飞片速度和能量的关系 被引量:4
12
作者 贺翔 严楠 +4 位作者 曾祥涛 解瑞珍 鲍丙亮 张良 吴伟明 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第7期1363-1371,共9页
为获得微尺寸叠氮化铅驱动飞片的重要结构参数与飞片速度和能量的关系,进行微装药驱动飞片的仿真研究。根据叠氮化铅的爆速与密度关系,拟合出基于γ律方程的叠氮化铅Jones-Wilkins-Lee状态方程参数;利用有限元分析软件AUTODYN建立叠氮... 为获得微尺寸叠氮化铅驱动飞片的重要结构参数与飞片速度和能量的关系,进行微装药驱动飞片的仿真研究。根据叠氮化铅的爆速与密度关系,拟合出基于γ律方程的叠氮化铅Jones-Wilkins-Lee状态方程参数;利用有限元分析软件AUTODYN建立叠氮化铅驱动飞片的仿真模型,并使用光子多普勒测速系统测得飞片速度-位移关系曲线,仿真与试验曲线的一致性好。使用建立的仿真模型分析装药直径、装药高度、加速膛孔径、飞片厚度与飞片速度和能量的关系。结果表明:随着装药直径和高度的增加,飞片速度、能量增长速率减小,装药直径变化对飞片速度、能量的影响更显著;随着飞片厚度增大,飞片速度呈指数下降,飞片能量先增后减,存在着使飞片能量最大的飞片厚度;加速膛孔径小于装药直径时,飞片速度、能量略有下降;加速膛孔径大于装药直径时,飞片速度、能量急剧下降。 展开更多
关键词 叠氮化铅 Jones-Wilkins-Lee状态方程 装药直径 装药高度 飞片厚度 加速膛孔径 飞片速度 飞片能量
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一种集成SAR-ADC的电容式MEMS陀螺仪高精度模拟接口电路(英文) 被引量:1
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作者 方然 鲁文高 +5 位作者 陶婷婷 沈广冲 胡俊嵘 陈中建 张雅聪 于敦山 《北京大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期734-740,共7页
提出一种为MEMS振动陀螺仪设计的驱动和检测接口电路。第一步采用通用级和TIA得到低噪声C/V转换,同时集成采样率1.25MS/s的14位SAR.ADCs,将驱动和感应模式的信号转换到数字域。采用这种策略,模拟电路的复杂性被降低,数字域的信... 提出一种为MEMS振动陀螺仪设计的驱动和检测接口电路。第一步采用通用级和TIA得到低噪声C/V转换,同时集成采样率1.25MS/s的14位SAR.ADCs,将驱动和感应模式的信号转换到数字域。采用这种策略,模拟电路的复杂性被降低,数字域的信号可以更精确操作。此接口适用于共振频率为3~15kHz的MEMS陀螺仪。此电路在0.18μm CMOS工艺流片。实验结果显示,在3.5kHz频率下,输出电容的噪声密度为0.03aF/√Hz。 展开更多
关键词 电容接口电路 MEMS陀螺仪 SAR—ADC
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基于硅-玻璃键合工艺的微惯性器件的材料热失配应力表征 被引量:2
14
作者 刘梦霞 秦强 +2 位作者 董显山 崔健 赵前程 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第8期1715-1724,共10页
基于硅-玻璃键合工艺实现敏感结构和衬底相接是微惯性器件的主流工艺方案之一。硅和玻璃热膨胀系数不同,在惯性器件环境工作温度发生变化时,硅玻璃接触表面会产生热应力,该应力严重影响器件的性能。为了测量异质材料间的热失配应力以及... 基于硅-玻璃键合工艺实现敏感结构和衬底相接是微惯性器件的主流工艺方案之一。硅和玻璃热膨胀系数不同,在惯性器件环境工作温度发生变化时,硅玻璃接触表面会产生热应力,该应力严重影响器件的性能。为了测量异质材料间的热失配应力以及键合锚点尺寸对应力的影响,本文提出了一种以悬臂梁作为测试结构的锚点形变测量和数据处理方法,用于表征器件的工艺热失配应力。根据仿真结果将锚点设计成切块形式以减小最大应力和结构形变。测试结果表明,对于边长为600,400和200μm的锚点,悬臂梁相对锚点的平均离面位移分别为0.43,0.30和0.20 nm/℃;结果具有良好的重复性。该结果说明锚点热形变与锚点的大小直接相关,这对MEMS惯性结构以及工艺设计改进具有重要的意义。 展开更多
关键词 微惯性器件 热失配应力 悬臂梁 测量方法 离面位移
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小尺寸SCB裸桥与涂LTNR时的电爆发火特性 被引量:1
15
作者 樊志伟 严楠 +4 位作者 贺翔 张良 李朝振 张威 李宋 《兵器装备工程学报》 CAS 北大核心 2020年第9期29-35,共7页
为了研究小尺寸半导体桥(Semiconductor Bridge,SCB)裸桥和涂斯蒂芬酸铅(Lead Styphnate,LTNR)时的电爆发火特性,在22μF电容放电条件下,对小尺寸磷掺杂单晶硅SCB裸桥与涂LTNR时的电爆、后期放电(Late Time Discharge,LTD)过程的能量及... 为了研究小尺寸半导体桥(Semiconductor Bridge,SCB)裸桥和涂斯蒂芬酸铅(Lead Styphnate,LTNR)时的电爆发火特性,在22μF电容放电条件下,对小尺寸磷掺杂单晶硅SCB裸桥与涂LTNR时的电爆、后期放电(Late Time Discharge,LTD)过程的能量及时间数据进行了测试和对比分析。结果表明:裸桥和涂药SCB在8 V、12 V、16 V、20 V和24 V电压下电爆能量的平均值十分接近,裸桥和涂药SCB电爆能量值与电压大小无关。随着电压的提高,裸桥和涂药SCB的LTD能量及时间按照指数规律上升,发火之后的掺杂单晶硅层汽化的面积会不断扩大。裸桥和涂药SCB所有电爆发火样品的电爆能量平均值分别为34.29μJ和34.27μJ,LTNR涂药在电爆过程中吸收能量较少,对电爆能量的影响很小。 展开更多
关键词 半导体桥 电爆 斯蒂芬酸铅 发火能量 发火时间
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8 mm波段四次谐波混频器的设计 被引量:1
16
作者 何荣 韩波 +2 位作者 缪旻 李振松 崔小乐 《北京信息科技大学学报(自然科学版)》 2018年第6期7-12,共6页
针对毫米波接收机直接采用同频段本振源所带来的高成本、难获得的问题,对毫米波谐波混频器降低本振信号频率的原理进行了分析,设计了一款8 mm波段的四次谐波混频器。选用型号为MA4E2039的肖特基势垒二极管对作为核心混频器件,在管对两... 针对毫米波接收机直接采用同频段本振源所带来的高成本、难获得的问题,对毫米波谐波混频器降低本振信号频率的原理进行了分析,设计了一款8 mm波段的四次谐波混频器。选用型号为MA4E2039的肖特基势垒二极管对作为核心混频器件,在管对两边加入了匹配电路和滤波器以提高混频效率。仿真结果表明混频器在射频频率34~36 GHz,本振频率7.5~9.5 GHz时的变频损耗约为9 dB,端口隔离度大于20 dB,不仅将混频器的本振频率降为原来所需本振频率的1/4,同时保证了器件的性能。 展开更多
关键词 毫米波 谐波混频器 反向并联二极管对
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集成电路板互连传输结构优化设计仿真 被引量:2
17
作者 胡变香 缪旻 高军 《计算机仿真》 北大核心 2018年第6期263-268,共6页
为了实现对于系统级封装互连中电磁波分布的快速建模及简单高效的计算,从其分布特点出发,确定了基于时域有限差分法的仿真算法,由于吸收边界条件对于电磁波在无界或半无界空间传播的工程问题有着至关重要的作用,因此在编制相应的电磁场... 为了实现对于系统级封装互连中电磁波分布的快速建模及简单高效的计算,从其分布特点出发,确定了基于时域有限差分法的仿真算法,由于吸收边界条件对于电磁波在无界或半无界空间传播的工程问题有着至关重要的作用,因此在编制相应的电磁场仿真求解器软件的原型程序时,合理地选取吸收边界条件尤为关键。以平面互连导体和电介质构成的平板传输结构中TEM波一维传播的全波仿真建模为例,以简单吸收边界条件、MUR一阶吸收边界条件和PML吸收边界条件为设计变量,以边界处磁场的变化情况为目标对各种吸收边界条件的有效性进行了验证。结果表明,添加PML吸收边界条件不仅对电磁波的传播具有良好的吸收效果,还提高了计算速度,为以后形成有自主知识产权的工程分析工具的开发提供依据。 展开更多
关键词 时域有限差分法 简单边界条件 完全匹配层 三维集成电路 系统级封装
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用于毫米波谐波混频器本振端口的带通滤波器设计 被引量:2
18
作者 何荣 缪旻 崔小乐 《科学技术与工程》 北大核心 2018年第35期152-156,共5页
毫米波接收系统设计中,由于高频率的本振源获取难度大且成本高,因此毫米波频段的接收信号主要与本振信号的高次谐波分量而非本振信号进行混频,来获得基带信号。为保证本振信号及其谐波信号的质量,必须在混频器的本振端口加入滤波器,对... 毫米波接收系统设计中,由于高频率的本振源获取难度大且成本高,因此毫米波频段的接收信号主要与本振信号的高次谐波分量而非本振信号进行混频,来获得基带信号。为保证本振信号及其谐波信号的质量,必须在混频器的本振端口加入滤波器,对其基本要求是通带宽、频率选择性好、变频损耗低。首先基于先进设计系统(advanced design systems,ADS)软件设计了一个用于Ka波段四次谐波混频器本振端的平行耦合带通滤波器,其中心频率为8. 5 GHz,通带宽2 GHz。然后用高频结构仿真(high frequency structures simulator,HFSS)软件进行了仿真验证,分析了基板厚度、铜箔厚度、介电常数对滤波器性能的影响。最后,对滤波器进行了加工与测试,将实际测试结果和HFSS仿真结果对比,发现两者基本一致,滤波器性能符合通带带宽、插入损耗和带外抑制的要求。 展开更多
关键词 毫米波混频器 滤波器 平行耦合 插入损耗
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KOH湿法腐蚀中防金属腐蚀工艺研究
19
作者 刘勐 刘欣 +1 位作者 张威 郝一龙 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2012年第7期17-19,共3页
介绍了一种采用PROTEK材料作为保护层,在MEMS器件体硅湿法腐蚀加工工艺中保护金属电极的新工艺。采用这种新的工艺可以在MEMS体硅工艺传感器的加工过程中,完成所有IC工艺的加工后再进行MEMS体硅工艺的加工。实验结果表明:采用这种新的... 介绍了一种采用PROTEK材料作为保护层,在MEMS器件体硅湿法腐蚀加工工艺中保护金属电极的新工艺。采用这种新的工艺可以在MEMS体硅工艺传感器的加工过程中,完成所有IC工艺的加工后再进行MEMS体硅工艺的加工。实验结果表明:采用这种新的材料进行KOH腐蚀工艺的金属表面保护,既可以提高工艺加工效率,又可以提高工艺加工质量。该工艺可以广泛应用于MEMS体硅工艺中KOH湿法腐蚀的工艺加工,也可以应用于光电子器件的工艺加工。 展开更多
关键词 KOH湿法腐蚀 微机电系统 PROTEK材料 体硅工艺
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一种高性能人造视网膜微刺激器的设计
20
作者 郑亚莉 邹月娴 金玉丰 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第12期1679-1685,共7页
微刺激器是人造视网膜系统的核心组成部分,其设计面临诸多挑战。设计了一个驱动4×4微电极阵列的人造视网膜微刺激器,通过采用内部计数和内部RAM策略,将传输数据量减小到1/16。通过采用宽摆幅共源共栅结构使微刺激器的输出阻抗和输... 微刺激器是人造视网膜系统的核心组成部分,其设计面临诸多挑战。设计了一个驱动4×4微电极阵列的人造视网膜微刺激器,通过采用内部计数和内部RAM策略,将传输数据量减小到1/16。通过采用宽摆幅共源共栅结构使微刺激器的输出阻抗和输出电压摆幅分别达到2~4兆欧姆和90%以上,提高了其生物环境适应性。通过引入电荷平衡机制,减小了失配引起的电荷积累,提高了人造视网膜长期工作的安全性。仿真结果验证了该微刺激器方案的正确性。 展开更多
关键词 人造视网膜 微刺激器 电路仿真 宽摆幅共源共栅结构 电荷平衡机制
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