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机器学习辅助数字集成电路后端设计方法 被引量:1
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作者 林亦波 高笑涵 +1 位作者 陈廷欢 余备 《微纳电子与智能制造》 2021年第2期11-20,共10页
数字集成电路后端设计是连接电路逻辑设计和制造的桥梁,需要同时考虑来自上层设计和下层制造工艺的约束。随着集成电路设计复杂度不断增加,工艺节点不断演进,后端设计自动化也面临越来越多来自建模和优化的挑战。为了应对这些挑战,机器... 数字集成电路后端设计是连接电路逻辑设计和制造的桥梁,需要同时考虑来自上层设计和下层制造工艺的约束。随着集成电路设计复杂度不断增加,工艺节点不断演进,后端设计自动化也面临越来越多来自建模和优化的挑战。为了应对这些挑战,机器学习技术被引入到后端设计自动化流程当中,为复杂建模提供了高效精准的方案,也为求解优化问题带来了新思路。介绍了数字后端设计自动化的典型流程,机器学习在数字后端设计的主要作用,以及当前研究对机器学习辅助数字后端设计的一些重要探索。 展开更多
关键词 集成电路设计自动化 机器学习 物理设计 光刻
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集成电路未来发展与关键问题——第347期“双清论坛(青年)”学术综述 被引量:3
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作者 陈云霁 蔡一茂 +4 位作者 汪玉 唐华 何杰 刘克 郝跃 《中国科学:信息科学》 CSCD 北大核心 2024年第1期1-15,共15页
集成电路是信息时代重要的技术基础,也是国家战略竞争力的重要标志.在全球范围内,集成电路技术正处于快速变革与创新的新时期.面向集成电路未来发展,需要针对先进器件及集成工艺、模拟与混合电路、电路设计方法、新型计算架构等方面开... 集成电路是信息时代重要的技术基础,也是国家战略竞争力的重要标志.在全球范围内,集成电路技术正处于快速变革与创新的新时期.面向集成电路未来发展,需要针对先进器件及集成工艺、模拟与混合电路、电路设计方法、新型计算架构等方面开展前沿研究,加强规划布局,完善创新系统,推动我国集成电路产业在未来发展中占得先机.基于第347期“双清论坛(青年)”,本文总结了我国集成电路科学研究及产业发展面临的国家重大需求,研判分析了集成电路领域国内外的发展态势和关键问题,展望了该领域重大的前沿发展趋势,探讨了前沿研究方向和科学基金资助战略,以期助推我国集成电路技术高质量发展. 展开更多
关键词 集成电路 先进集成封装工艺 模拟与射频电路 电子设计自动化 新型体系架构
原文传递
芯粒集成工艺技术发展与挑战
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作者 陈浪 杜建宇 +3 位作者 汪琪 张盼 张驰 王玮 《电子与封装》 2024年第10期15-26,共12页
万物感知、万物互连和万物智能推动集成电路进入新一轮的高速发展期并促进对高性能芯片需求的指数级增长。后摩尔时代,芯片性能的进一步提升面临大面积芯片良率降低、功耗控制难、片内互连密度大以及制造成本高等难题。因此业界开始将... 万物感知、万物互连和万物智能推动集成电路进入新一轮的高速发展期并促进对高性能芯片需求的指数级增长。后摩尔时代,芯片性能的进一步提升面临大面积芯片良率降低、功耗控制难、片内互连密度大以及制造成本高等难题。因此业界开始将原来多功能、高集成度的复杂SoC芯片分割做成单独的芯粒(Chiplet),再通过先进封装工艺集成为集成芯片或微系统产品。对芯粒集成技术特征及模式、发展历史、优缺点进行了梳理与阐述,同时归纳总结了芯粒集成的关键技术挑战,并对未来发展进行了展望。 展开更多
关键词 芯粒集成 互连密度 热管理 微系统
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基于无线自供能的植入式微纳集成芯片与集成系统
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作者 叶乐 高猛 +13 位作者 张雅聪 高成臣 刘昱 刘欣 赵博 孟凡瑞 桂林 林俊淑 苏彬 马盛林 马伯志 祝斌 梁辰 黄如 《微电子学与计算机》 2023年第11期80-87,共8页
我国是慢性病大国,癌症、糖尿病、心脏病、癫痫、高血压等疾病已成为首要致死原因,医疗负担占比70%,形势严峻.相比口服,注射等传统给药方式,植入式精准靶向治疗按时按需、精准适量,见效迅速,几乎无副作用,被证实是慢性病的有效治疗方式... 我国是慢性病大国,癌症、糖尿病、心脏病、癫痫、高血压等疾病已成为首要致死原因,医疗负担占比70%,形势严峻.相比口服,注射等传统给药方式,植入式精准靶向治疗按时按需、精准适量,见效迅速,几乎无副作用,被证实是慢性病的有效治疗方式.目前我国在这一领域刚刚起步,尤其在高端植入微纳集成系统级芯片(System of Chip,SoC)、微纳系统集成和封装可靠性等方面,缺少原创性核心技术和共性技术支撑平台,严重落后于欧美发达国家,相关高端医疗器械及核心部件只能高价进口.因此,需要通过突破相关关键共性技术,核心部件国产化,从创新源头推动高端医疗器械发展,从而加速推动我国医疗器械产业化落地,打破欧美日发达国家垄断.本研究以突破医疗用微纳集成芯片和微纳集成系统关键共性技术为目的,解决了微电子小尺寸、高精度、低功耗等难题.通过三维异质集成构建植入式精准靶向给药系统和迷走神经刺激器,实现精准靶向给药、无线充电、生物电信号采集、电刺激等功能,项目样机已通过生物相容性测试和动物实验验证. 展开更多
关键词 SOC芯片 微纳集成 靶向给药系统 迷走神经刺激器
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基于改进自适应滤波的MEMS陀螺振动误差抑制研究 被引量:1
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作者 陈杰 侯帅康 +1 位作者 刘玉县 何春华 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2024年第4期61-63,67,共4页
本文提出一种基于改进自适应滤波的MEMS陀螺随机振动误差的补偿算法。该算法采用简化Sage-Husa自适应滤波算法估计量测噪声,并通过协方差匹配技术引入收敛性判据抑制了滤波的发散,它提高了实时性且减少了计算量。实验结果表明:经过改进... 本文提出一种基于改进自适应滤波的MEMS陀螺随机振动误差的补偿算法。该算法采用简化Sage-Husa自适应滤波算法估计量测噪声,并通过协方差匹配技术引入收敛性判据抑制了滤波的发散,它提高了实时性且减少了计算量。实验结果表明:经过改进算法滤波后,MEMS陀螺随机振动误差的方差减少97.76%,与常规卡尔曼滤波相比,改进算法的方差减少了72.66%,验证了改进的自适应卡尔曼滤波算法可以有效地抑制MEMS陀螺因随机振动引起的输出误差。 展开更多
关键词 MEMS陀螺 简化Sage-Husa自适应滤波 时间序列模型
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基于超短脉冲激光刻蚀的双解耦MEMS陀螺仪调频技术研究
6
作者 刘玉县 侯帅康 +2 位作者 赵前程 崔健 张大成 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2024年第7期39-42,共4页
以双解耦双质量硅微陀螺仪为主要研究对象,从微观结构入手,分析其工作原理和双解耦运动模型,并提出影响模态特征频率的因素。提出一种改变陀螺仪弹性梁结构厚度来调整其特征频率的方法,建立模型通过Comsol软件仿真陀螺仪梁厚度变化对特... 以双解耦双质量硅微陀螺仪为主要研究对象,从微观结构入手,分析其工作原理和双解耦运动模型,并提出影响模态特征频率的因素。提出一种改变陀螺仪弹性梁结构厚度来调整其特征频率的方法,建立模型通过Comsol软件仿真陀螺仪梁厚度变化对特征频率的影响关系,并选择皮秒激光刻蚀系统刻蚀陀螺弹性梁厚度,测试其两模态特征频率。测试结果表明:对应频率变化符合理论推导和仿真趋势。 展开更多
关键词 微机械陀螺 结构解耦 频率调节 短脉冲激光
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适配PAICORE2.0的硬件编码转帧加速单元设计
7
作者 丁亚伟 曹健 +4 位作者 李琦彬 冯硕 杨辰涛 王源 张兴 《北京大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期786-798,共13页
为了解决北京大学脉冲神经网络芯片PAICORE2.0类脑终端系统中软件编码和转帧过程速度较慢的问题,提出一种硬件加速方法。通过增加硬件加速单元,将Xilinx ZYNQ的处理系统PS端串行执行的软件编码转帧过程转移到可编程逻辑PL端的数据通路... 为了解决北京大学脉冲神经网络芯片PAICORE2.0类脑终端系统中软件编码和转帧过程速度较慢的问题,提出一种硬件加速方法。通过增加硬件加速单元,将Xilinx ZYNQ的处理系统PS端串行执行的软件编码转帧过程转移到可编程逻辑PL端的数据通路中流水化并行执行。硬件加速单元主要包含高度并行的卷积单元、参数化的脉冲神经元和位宽平衡数据缓冲区等。实验结果表明,该方法在几乎不增加数据通路传输延迟的前提下,可以消除软件编码和转帧过程的时间开销。在CIFAR-10图像分类的例子中,与软件编码和转帧方法相比,硬件编码转帧模块仅增加9.3%的LUT、3.7%的BRAM、2.6%的FF、0.9%的LUTRAM、14.9%的DSP以及14.6%的功耗,却能够实现约8.72倍的推理速度提升。 展开更多
关键词 脉冲神经网络芯片 PAICORE2.0 ZYNQ 脉冲编码 硬件加速 卷积加速单元
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压电检测陀螺薄膜材料分析及仿真研究
8
作者 张一飞 陈光伟 赵前程 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2024年第6期11-14,共4页
理论分析了影响压电微机电系统(MEMS)陀螺检测电压输出幅值的因素,结合MEMS领域常用的氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)和锆钛酸铅(PZT)这3种压电薄膜材料,设计了一种微梁构型的检测陀螺。利用有限元软件COMSOL进行了陀螺的模态、功能的仿真分... 理论分析了影响压电微机电系统(MEMS)陀螺检测电压输出幅值的因素,结合MEMS领域常用的氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)和锆钛酸铅(PZT)这3种压电薄膜材料,设计了一种微梁构型的检测陀螺。利用有限元软件COMSOL进行了陀螺的模态、功能的仿真分析。仿真结果显示:使用AlN柔度系数的陀螺结构驱动与检测模态固有频率频差为22 Hz;陀螺结构可以敏感z轴角速度输入;ZnO、AlN和PZT陀螺电压灵敏度分别为2.23,2.16,0.79μV/((°)·s^(-1)),AlN和ZnO的电压灵敏度大于PZT,且AlN的工艺性好于ZnO;因此,AlN在3种压电材料中最适合用于压电检测MEMS陀螺。 展开更多
关键词 压电陀螺 薄膜材料 COMSOL仿真 电压灵敏度
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法拉第激光器在量子计量领域的应用
9
作者 张佳 史航博 +7 位作者 王志洋 秦晓敏 刘子捷 关笑蕾 高勋 王宇 史田田 陈景标 《宇航计测技术》 CSCD 2024年第5期1-7,共7页
高精度稳频激光器是实现量子精密测量技术的重要基础和组成部分。法拉第激光器利用原子滤光器进行频率选择,输出波长被限制在原子特定跃迁频率附近的透射谱内,具有波长与原子谱线自动对应、线宽窄、抗激光二极管电流及温度波动等显著优... 高精度稳频激光器是实现量子精密测量技术的重要基础和组成部分。法拉第激光器利用原子滤光器进行频率选择,输出波长被限制在原子特定跃迁频率附近的透射谱内,具有波长与原子谱线自动对应、线宽窄、抗激光二极管电流及温度波动等显著优势,在量子计量领域有诸多应用,如原子钟、原子重力仪、原子磁力仪等。从法拉第激光器的研究背景、基本原理出发,介绍法拉第激光器在铯原子钟、原子重力仪、光通信系统等领域的实际应用及重要价值。未来,随着技术的不断成熟与创新,法拉第激光器有望在更多领域实现广泛应用,如大功率激光武器、里德堡原子雷达等,预期将在国防军工计量领域发挥更大的作用。 展开更多
关键词 法拉第激光器 量子精密测量 原子钟
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窄线宽外腔半导体激光器研究进展
10
作者 秦晓敏 史田田 +2 位作者 王志洋 史航博 陈景标 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期63-78,共16页
窄线宽外腔半导体激光器具有结构简单、可调谐、噪声低等优势,广泛应用于量子精密测量、光通信、激光雷达等领域。根据外腔选频器件的不同,本文主要介绍光栅型激光器、干涉滤光型激光器、波导型激光器和法拉第激光器四类外腔半导体激光... 窄线宽外腔半导体激光器具有结构简单、可调谐、噪声低等优势,广泛应用于量子精密测量、光通信、激光雷达等领域。根据外腔选频器件的不同,本文主要介绍光栅型激光器、干涉滤光型激光器、波导型激光器和法拉第激光器四类外腔半导体激光器,分析各类激光器的基本结构与选频机制、介绍各自的优缺点以及国内外研究进展。其中,前三类激光器采用非量子器件进行频率选择,而法拉第激光器利用共振法拉第旋光效应选频,输出波长直接对应原子跃迁谱线,对激光二极管的电流与温度变化具有良好的鲁棒性。随后介绍外腔半导体激光器的应用情况,尤其是在精密测量领域中的典型应用。最后总结并展望窄线宽外腔半导体激光器的未来发展方向。 展开更多
关键词 外腔半导体激光器 法拉第激光器 窄线宽 精密测量 外腔选频器件。
原文传递
三维垂直集成器件与工艺前沿进展 被引量:1
11
作者 黎明 《微纳电子与智能制造》 2021年第1期4-13,共10页
集成电路技术发展进入后摩尔阶段,以三维垂直集成为特征的新兴集成工艺技术将能等效地进行微缩,从而解决衍射极限造成的平面工艺瓶颈与集成度增长需求之间的矛盾。在三维垂直集成工艺架构下,材料基础、器件结构、芯片设计都将面临诸多... 集成电路技术发展进入后摩尔阶段,以三维垂直集成为特征的新兴集成工艺技术将能等效地进行微缩,从而解决衍射极限造成的平面工艺瓶颈与集成度增长需求之间的矛盾。在三维垂直集成工艺架构下,材料基础、器件结构、芯片设计都将面临诸多的新挑战和新机遇。介绍当前三维垂直集成器件与工艺的前沿进展情况以及存在的挑战。 展开更多
关键词 摩尔时代 三维垂直集成 器件 工艺
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基于15位像素级模数转换器的640×512规格中波红外成像用48 mW数字读出电路 被引量:2
12
作者 于善哲 张雅聪 +6 位作者 牛育泽 周晔 卓毅 马丁 鲁文高 陈中建 李向阳 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第4期785-791,共7页
提出了一种用于中波红外成像的基于15位像素级单斜率模数转换器的低功耗数字读出电路。像素级模数转换器采用一种新型功耗自适应的脉冲输出型比较器,只有当斜坡电压信号接近积分电压时,比较器才产生功耗。此外,比较器输出脉冲信号,降低... 提出了一种用于中波红外成像的基于15位像素级单斜率模数转换器的低功耗数字读出电路。像素级模数转换器采用一种新型功耗自适应的脉冲输出型比较器,只有当斜坡电压信号接近积分电压时,比较器才产生功耗。此外,比较器输出脉冲信号,降低了15位量化结果存储器上消耗的动态功耗。该存储器采用三管动态结构,仅占约54μm^(2)面积,以满足15μm像素中心距的面积约束。量化结果以电流模式读出到列级,避免相邻列总线间的电压串扰。基于0.18μm CMOS工艺,采用该结构,设计并制造了640×512规格的数字读出电路。测试结果表明,在120 Hz的帧频下,功耗仅为48 mW,总积分电容为740 fF,电荷处理能力为8.8 Me^(-)。在满阱状态,等效到积分电容的噪声电压为116μV,峰值信噪比为84 dB。 展开更多
关键词 红外焦平面阵列 数字读出电路 像素级单斜率模数转换器 功耗自适应比较器
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后摩尔时代先进集成电路技术展望 被引量:1
13
作者 董俊辰 张兴 《前瞻科技》 2022年第3期42-51,共10页
集成电路被誉为现代信息社会的基石,推动了各个产业的发展和进步,深刻影响着人们的生活习惯、工作方式、思维模式。集成电路以摩尔定律为导向发展了60多年,随着工艺节点的不断演进,电路制造和设计成本大幅攀升,产品良率和生产效率开始... 集成电路被誉为现代信息社会的基石,推动了各个产业的发展和进步,深刻影响着人们的生活习惯、工作方式、思维模式。集成电路以摩尔定律为导向发展了60多年,随着工艺节点的不断演进,电路制造和设计成本大幅攀升,产品良率和生产效率开始出现下降的苗头。近年来,一系列新工艺、新材料、新技术被引入集成电路领域,形成了新的应用方式、使用场景、发展路径,为集成电路发展注入强心剂,集成电路后摩尔时代悄然而至。因此,对后摩尔时代先进集成电路主要技术路径及其特点进行梳理具有重要的研究意义和应用价值。文章总结了集成电路沿摩尔定律发展面临的技术困境以及后摩尔时代集成电路的基本特征,归纳了集成电路领域的国内外新近学术进展和研究成果,分析了中国在相关技术路径上的潜力与不足,并提出相应发展对策和可行措施。最后,总结和展望了后摩尔时代先进集成电路技术的未来发展趋势。 展开更多
关键词 后摩尔时代 集成电路 摩尔定律 芯片
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脉冲神经网络权重量化方法与对抗鲁棒性分析
14
作者 李莹 李艳杰 +2 位作者 崔小欣 倪庆龙 周崟灏 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第9期3218-3227,共10页
类脑芯片中的脉冲神经网络(SNNs)具有高稀疏性和低功耗的特点,在视觉分类任务中存在应用优势,但仍面临对抗攻击的威胁。现有研究缺乏对网络部署到硬件的量化过程中鲁棒性损失的度量方法。该文研究硬件映射阶段的SNN权重量化方法及其对... 类脑芯片中的脉冲神经网络(SNNs)具有高稀疏性和低功耗的特点,在视觉分类任务中存在应用优势,但仍面临对抗攻击的威胁。现有研究缺乏对网络部署到硬件的量化过程中鲁棒性损失的度量方法。该文研究硬件映射阶段的SNN权重量化方法及其对抗鲁棒性。建立基于反向传播和替代梯度的监督训练算法,并在CIFAR-10数据集上生成快速梯度符号法(FGSM)对抗攻击样本。创新性地提出一种感知量化的权重量化方法,并建立与对抗攻击的训练与推理相融合的评估框架。实验结果表明,在VGG9网络下,直接编码对抗鲁棒性最差。在权重量化前后,4种编码和4种结构参数组合方式下,推理精度损失差与层间脉冲活动的平均变化幅度分别增大73.23%和51.5%。该文指出稀疏性因素对鲁棒性的影响相关度为:阈值增加大于权重量化bit降低大于稀疏编码,所提对抗鲁棒性分析框架与权重量化方法在PIcore类脑芯片中得到了硬件验证。 展开更多
关键词 脉冲神经网络 权重量化 对抗鲁棒性 稀疏性 对抗攻击
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大面积处理芯片嵌入式微流体冷却技术 被引量:4
15
作者 杨宇驰 吕佩珏 +7 位作者 杜建宇 李沫潼 杨宇东 潘鹏辉 郑德印 张驰 吴道伟 王玮 《微电子学与计算机》 2023年第1期105-123,共19页
随着集成电胳制程趋于极限,登纳德缩放定律逐步失效,芯片的功率密度逐渐提升,尤其是在5G、物联网以及高性能计算快速发展的驱动下,单芯片面积也在增大,热耗散问题日趋严重,传统的冷却方式已无法保证芯片的可靠工作.将热沉制备在芯片内... 随着集成电胳制程趋于极限,登纳德缩放定律逐步失效,芯片的功率密度逐渐提升,尤其是在5G、物联网以及高性能计算快速发展的驱动下,单芯片面积也在增大,热耗散问题日趋严重,传统的冷却方式已无法保证芯片的可靠工作.将热沉制备在芯片内部可以避免封装材料的导热热阻和多层界面热阻,提升冷却性能和冷却效率.学术界针对芯片的嵌入式微流体冷却开展了大量卓有成效的研究和探索,不断提出新型通道结构设计方案,包括平行长直通道、歧管通道、射流通道等.旨在于优化泵功和热阻,在小压降下实现高效冷却.然而,随着芯片面积的增大,在限域空间实现高效冷却将更加困难,工艺难度和制造成本限制了嵌入式液冷的大规模商业化使用,目前在实际IC芯片内演示的冷却方案验证了嵌入式冷却的性能,但复杂度高,兼容性差,冷却性能有待进一步提升.尤其是在3D封装架构下,需要提出兼容小型化、高密度封装的通道结构,通过协同设计,在保证电学互连的前提下实现层间冷却.在优化通道结构设计的同时,还需要简化工艺,降低成本,提升嵌入式微流体冷却的工艺可靠性和长期工作可靠性,才能推进嵌入式微流体冷却技术的实际应用. 展开更多
关键词 嵌入式液冷 微流体冷却 大面积芯片 嵌入式冷却可靠性
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基于自适应剪枝率与高效权重继承的神经网络通道剪枝方法 被引量:1
16
作者 刘相呈 曹健 +3 位作者 姚宏毅 徐鹏涛 张袁 王源 《北京大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第5期764-772,共9页
目前的通道级剪枝方法往往需要复杂的搜索和微调过程,并且容易陷入局部最优解,针对此问题,提出一种新颖的通道剪枝框架(AdaPruner),只需通过一次稀疏训练,就可以针对各种预算复杂度,自适应地生成相应的子网络,并高效地选择适合当前结构... 目前的通道级剪枝方法往往需要复杂的搜索和微调过程,并且容易陷入局部最优解,针对此问题,提出一种新颖的通道剪枝框架(AdaPruner),只需通过一次稀疏训练,就可以针对各种预算复杂度,自适应地生成相应的子网络,并高效地选择适合当前结构的初始化权重。在图像分类任务的多个数据集上实验结果表明,该方法在常用的残差网络和轻量级网络上的性能都优于以往剪枝方法。 展开更多
关键词 卷积神经网络 通道剪枝 稀疏化训练 神经网络结构搜索 图像分类
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基于机器学习的FPGA电子设计自动化技术研究综述 被引量:3
17
作者 田春生 陈雷 +4 位作者 王源 王硕 周婧 庞永江 杜忠 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第1期1-13,共13页
随着后摩尔时代的来临,现场可编程门阵列(FPGA)凭借其灵活的重复可编程特性、开发成本低的特点,现已被广泛应用于物联网(IoTs)、5G通信、航空航天以及武器装备等各个领域。作为FPGA设计开发过程中所必备的手段,FPGA电子设计自动化(EDA)... 随着后摩尔时代的来临,现场可编程门阵列(FPGA)凭借其灵活的重复可编程特性、开发成本低的特点,现已被广泛应用于物联网(IoTs)、5G通信、航空航天以及武器装备等各个领域。作为FPGA设计开发过程中所必备的手段,FPGA电子设计自动化(EDA)技术的研究在各界得到了广泛的关注。尤其是在机器学习方法的推动下,FPGA EDA工具的运行效率和结果质量(QoR)得到了很大的提升。该文首先对FPGA EDA技术与机器学习技术的概念内涵进行了简要概述,随后综述了机器学习技术在FPGA EDA高层次综合(HLS)、逻辑综合、布局与布线等各个不同阶段应用的研究现状。最后,对基于机器学习的FPGA EDA技术的发展进行了展望。以期为本领域及相关领域的专家和学者提供参考,为后摩尔时代我国集成电路产业的发展提供技术支持。 展开更多
关键词 集成电路 现场可编程门阵列 机器学习 电子设计自动化
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金刚石薄膜场发射特性研究现状 被引量:1
18
作者 王旸 张锦文 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2023年第9期9007-9016,共10页
金刚石薄膜具有负电子亲合能、高热导率和极强的化学惰性等优势,作为场发射材料引起了广泛关注。回顾了金刚石薄膜的分类,介绍了氢化金刚石薄膜具有的负电子亲合能特性,分析了金刚石薄膜场发射特性的影响因素,列举了场发射特性的优化方... 金刚石薄膜具有负电子亲合能、高热导率和极强的化学惰性等优势,作为场发射材料引起了广泛关注。回顾了金刚石薄膜的分类,介绍了氢化金刚石薄膜具有的负电子亲合能特性,分析了金刚石薄膜场发射特性的影响因素,列举了场发射特性的优化方向,并总结了文献中报道的金刚石薄膜与其他材料复合获得的场发射阴极的性能,对于分析和改进金刚石薄膜器件场发射性能具有重要意义。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 场电子发射 负电子亲合能
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基于金刚石的先进热管理技术研究进展 被引量:2
19
作者 杜建宇 唐睿 +10 位作者 张晓宇 杨宇驰 张铁宾 吕佩珏 郑德印 杨宇东 张驰 姬峰 余怀强 张锦文 王玮 《电子与封装》 2023年第3期63-76,共14页
以GaN为代表的新一代半导体材料具有宽禁带、高电子饱和速率、高击穿场强等优异的电学性能,使得射频、电力电子器件有了具备更高功率能力的可能,目前限制器件功率提升的主要瓶颈是缺少与之匹配的散热手段。具有极高热导率的金刚石已成... 以GaN为代表的新一代半导体材料具有宽禁带、高电子饱和速率、高击穿场强等优异的电学性能,使得射频、电力电子器件有了具备更高功率能力的可能,目前限制器件功率提升的主要瓶颈是缺少与之匹配的散热手段。具有极高热导率的金刚石已成为提升器件散热能力的重要材料,学术界针对金刚石与功率器件集成的先进热管理技术已经开展了大量有益的研究与探索,但是由于金刚石具有极强的化学惰性和超高的硬度,在实际集成和工艺加工过程中,金刚石-GaN界面容易出现热性能和可靠性问题,甚至会导致器件失效。对金刚石热管理技术的研究进展和存在的问题进行了深入分析,并对未来主要工作方向做了展望。 展开更多
关键词 热管理 功率器件 金刚石 嵌入式冷却
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高温存储下键合界面演化行为及寿命研究 被引量:1
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作者 王潮洋 林鹏荣 +2 位作者 戴晨毅 唐睿 李金月 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2023年第10期1268-1275,共8页
功率VDMOS已经广泛应用于航天领域,但其在空间长期高温环境下存在键合可靠性下降甚至脱键失效的问题。为评估功率VDMOS高温条件下长期服役能力,需要对相应温度条件下键合强度演化规律、失效机理、寿命评估等方面展开研究。设计150,300... 功率VDMOS已经广泛应用于航天领域,但其在空间长期高温环境下存在键合可靠性下降甚至脱键失效的问题。为评估功率VDMOS高温条件下长期服役能力,需要对相应温度条件下键合强度演化规律、失效机理、寿命评估等方面展开研究。设计150,300℃两组高温存储试验,研究不同高温存储条件下键合强度演化规律及界面IMC演化行为,分析键合失效机理,对键合寿命进行预测。结果表明:键合强度随高温存储时间增加而下降,界面IMC由Au2 Al逐步转变为AuAl2;脱键断面裂纹源为键合点前部Al丝,裂纹沿相界面扩展;基于Arrhenius加速寿命模型得到键合点理论寿命计算公式,外推出常温(25℃)下键合点理论寿命约为3×10^(7)h。 展开更多
关键词 键合强度 Au-Al 键合界面 高温存储 寿命
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