ICP刻蚀GaP表面形貌控制(英文) 被引量：1

1

作者 蒋文静 徐晨 +2 位作者 邓琛 高伟 沈光地 《纳米技术与精密工程》 EI CAS CSCD 2010年第3期281-283,共3页

不同角度的GaP表面形貌刻蚀主要依赖于刻蚀参数的调节以及光刻胶的形貌,但要得到能够重复的光刻胶形貌是很困难的.研究了如何通过调节感应耦合等离子(ICP)刻蚀仪器本身的参数,而不依赖于不定的光刻胶形貌来得到可重复的表面形貌.通过研... 不同角度的GaP表面形貌刻蚀主要依赖于刻蚀参数的调节以及光刻胶的形貌,但要得到能够重复的光刻胶形貌是很困难的.研究了如何通过调节感应耦合等离子(ICP)刻蚀仪器本身的参数,而不依赖于不定的光刻胶形貌来得到可重复的表面形貌.通过研究可知,射频功率与腔室压强是影响表面形貌的最重要的两个参数.射频功率越小刻蚀得到的角度越大,腔室压强越大刻蚀得到的角度也越大.通常BCl3等离子体被用来作为GaP的刻蚀气体,但为了维持所需的等离子浓度以及更大的操作压强,Ar被加入刻蚀气体中. 展开更多

关键词 感应耦合等离子刻蚀 刻蚀形貌 等离子体

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GaN HEMT器件结构的研究进展 被引量：6

2

作者 于宁 王红航 +5 位作者 刘飞飞 杜志娟 王岳华 宋会会 朱彦旭 孙捷 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第10期1178-1187,共10页

Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)具有大的禁带宽度、高电子饱和速度、异质结界面的高二维电子气浓度、高击穿电压以及高的热导率,这一系列特性使它在高频、高功率、高温等领域得到了广泛的认可。本文首先论述了制约氮化镓高电子迁移率晶... Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)具有大的禁带宽度、高电子饱和速度、异质结界面的高二维电子气浓度、高击穿电压以及高的热导率,这一系列特性使它在高频、高功率、高温等领域得到了广泛的认可。本文首先论述了制约氮化镓高电子迁移率晶体管器件性能提高所遇到的问题及解决方法;然后,着重从优化材料结构设计和器件结构设计的角度,阐述了氮化镓高电子迁移率晶体管器件在高频高功率领域的最新研究进展;最后,讨论了器件进一步发展的方向。 展开更多

关键词 高电子迁移率晶体管 氮化镓 高频 结构设计

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新型室温微机械红外探测器原理与设计 被引量：3

3

作者 李兰 沈光地 +4 位作者 邹德恕 刘铮 邓军 杨道虹 吴畯苗 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期34-36,43,共4页

利用红外吸收气体直接吸收红外辐射的原理,设计出一种新型室温红外探测器。当密闭腔 内气体吸收红外辐射后,腔内压强增大使弹性薄膜形变,由以弹性薄膜为可动极板的微电容结构的电容变化量,可测得红外辐射的大小。采用微机械技术制作的... 利用红外吸收气体直接吸收红外辐射的原理,设计出一种新型室温红外探测器。当密闭腔 内气体吸收红外辐射后,腔内压强增大使弹性薄膜形变,由以弹性薄膜为可动极板的微电容结构的电容变化量,可测得红外辐射的大小。采用微机械技术制作的探测器,对8-14mm红外辐射有灵敏、快速的响应,灵敏度≥2×10-3 pF/mW。 展开更多

关键词 红外探测器 微机械 弹性敏感薄膜 红外吸收气体

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金属光栅提高蓝光LED提取效率的研究 被引量：3

4

作者 赵建伟 江孝伟 +2 位作者 方晓敏 赵燕娟 葛正阳 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2019年第1期58-62,共5页

为了提高发光二极管(LED)的光提取效率,并比较不同光栅形状对LED光提取效率的影响,采用严格耦合波法优化了与矩形、等腰三角形、等腰梯形光栅分别集成的倒装LED,使它们出光面透射率达到最优,随后使用有限时域差分法模拟计算它们的光提... 为了提高发光二极管(LED)的光提取效率,并比较不同光栅形状对LED光提取效率的影响,采用严格耦合波法优化了与矩形、等腰三角形、等腰梯形光栅分别集成的倒装LED,使它们出光面透射率达到最优,随后使用有限时域差分法模拟计算它们的光提取效率。经过模拟计算和理论分析可得3种不同结构LED最优光栅参量(光栅占空比f、光栅周期p、光栅厚度h)和过渡层厚度d分别是:f=0.35,p=150nm,h=80nm,d=190nm;f=0.45,p=175nm,h=80nm,d=190nm; f=0.7,p=150nm,h=80nm,d=190nm。结果表明,3种最优的LED结构在波长0.4μm～0.5μm范围内,矩形光栅倒装LED和等腰三角形光栅倒装LED出光面透射率相同,等腰梯形光栅倒装LED出光面透射率最低;由于光透射率最低,导致等腰梯形光栅倒装LED光提取效率较低,最高仅为58.07%,但是由于等腰三角形光栅倒装LED特殊的光栅形状加上高的光透射率,其光提取效率可以达到77.75%。此研究可以为制备高光提取效率LED提供理论方法指导。 展开更多

关键词 光栅 光提取效率 严格耦合波法 有限时域差分法 发光二极管 透射率 倒装

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GaN基蓝光LED单偏振输出及高光提取效率的实现 被引量：5

5

作者 江达飞 江孝伟 张丽娜 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2019年第2期184-188,共5页

为了提高倒装发光二极管(LED)光提取效率的同时实现单偏振光输出,建立了正装、倒装和集成金属亚波长光栅倒装LED 3种模型,采用RSOFT软件进行仿真对比及器件优化,并进行了理论分析和模拟验证。结果表明,倒装LED虽然可以提高光提取效率但... 为了提高倒装发光二极管(LED)光提取效率的同时实现单偏振光输出,建立了正装、倒装和集成金属亚波长光栅倒装LED 3种模型,采用RSOFT软件进行仿真对比及器件优化,并进行了理论分析和模拟验证。结果表明,倒装LED虽然可以提高光提取效率但对P-GaN层厚非常敏感,无法单偏振光输出;集成了金属亚波长光栅的倒装LED可以不受P-GaN层厚影响,实现单偏振光输出,但要输出稳定偏振光,受光栅参量和介质过渡层厚度影响非常显著;优化后的结构可以实现57.63%的光提取效率,偏振消光比达到25.8dB。该研究对制造高性能蓝光LED具有一定的指导作用。 展开更多

关键词 衍射与光栅 光提取效率 RSOFT软件 发光二极管 消光比 单偏振

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CCII的n阶电压模式低通滤波器的系统设计 被引量：4

6

作者 王春华 沈光地 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期428-432,共5页

提出了一种n阶多环反馈(multiple-loop feedback,简称MF)CCII(第二代电流传输器)电压模式滤波器的系统总体设计理论和设计方法.利用该理论和方法可产生出多种不同结构的多环反馈低通滤波器.所产生的滤波器由2n个CCII、n个电容及2n个电... 提出了一种n阶多环反馈(multiple-loop feedback,简称MF)CCII(第二代电流传输器)电压模式滤波器的系统总体设计理论和设计方法.利用该理论和方法可产生出多种不同结构的多环反馈低通滤波器.所产生的滤波器由2n个CCII、n个电容及2n个电阻构成.由于输入信号仅从CCII的y端输入,所以所产生的滤波器具有高输人阻抗.并且所有的RC元件均接地,该电路便于集成.给出了截止频率为1 MHz的四阶巴特沃思滤波器的设计举例及PSPICE计算机模拟结果. 展开更多

关键词 多环反馈 第二代电流传输器 滤波器

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等离子体处理对GaN发光二极管性能影响

7

作者 达小丽 沈光地 +5 位作者 刘建平 牛南辉 朱彦旭 梁庭 邹德恕 郭霞 《北京工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第7期682-687,共6页

为了研究等离子体处理对ICP刻蚀损伤的恢复效果,将多个样品放置于不同温度的等离子体增强化学气相沉积样品台上,通过改变射频源功率,分别使用N_2、N_2O和NH_3等离子体对GaN发光二极管进行处理.研究结果表明,在100℃、20W的射频功率条件... 为了研究等离子体处理对ICP刻蚀损伤的恢复效果,将多个样品放置于不同温度的等离子体增强化学气相沉积样品台上,通过改变射频源功率,分别使用N_2、N_2O和NH_3等离子体对GaN发光二极管进行处理.研究结果表明,在100℃、20W的射频功率条件下,用N_2O等离子体处理GaN发光二极管可以极大地改善器件的光电特性;用N_2等离子体处理GaN发光二极管可以使器件的光电特性得到微弱改善;但是使用NH_3等离子体处理GaN发光二极管,会使其光电特性明显恶化. 展开更多

关键词 光电子 半导体材料 发光二极管

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新型室温工作微机械红外探测器

8

作者 李兰 刘铮 +1 位作者 邹德恕 沈光地 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第z2期140-141,共2页

提出一种基于特殊红外吸收机理和先进微机械加工技术实现的新型室温工作红外探测器。利用在特定波段对红外辐射有强烈吸收的气体作为吸收红外辐射的媒质,采用微机械加工方法制作带有弹性敏感薄膜的微气室和微电容检测结构将吸收的红外... 提出一种基于特殊红外吸收机理和先进微机械加工技术实现的新型室温工作红外探测器。利用在特定波段对红外辐射有强烈吸收的气体作为吸收红外辐射的媒质,采用微机械加工方法制作带有弹性敏感薄膜的微气室和微电容检测结构将吸收的红外辐射能量转换为弹性薄膜的机械形变引起电容变化并通过电学方法检测,从而实现灵敏而快速的室温红外探测器件,尤其在8～14μm有良好的应用前景。 展开更多

关键词 红外探测器 微机械 弹性敏感薄膜 红外吸收气体

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基于MOCCⅡ差分式跳耦结构电流模式滤波器

9

作者 王春华 沈光地 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期570-573,共4页

为了更有效地抑制偶次谐波及共模干扰信号,提出了基于MOCCⅡ的高阶差分式跳耦结构电流模式滤波器电路及设计方法．对提出的电路进行了截止频率为1MHz的四阶巴特沃斯滤波器的计算机PSPICE仿真．该电路对偶次谐波及共模干扰信号有较好的... 为了更有效地抑制偶次谐波及共模干扰信号,提出了基于MOCCⅡ的高阶差分式跳耦结构电流模式滤波器电路及设计方法．对提出的电路进行了截止频率为1MHz的四阶巴特沃斯滤波器的计算机PSPICE仿真．该电路对偶次谐波及共模干扰信号有较好的抑制作用,且保留了无源梯形网络灵敏度低的特点． 展开更多

关键词 滤波器 差分式 MOCCⅡ

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光栅形状对发光二极管光提取效率的影响 被引量：3

10

作者 方晓敏 江孝伟 赵建伟 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2018年第8期427-431,共5页

为提高发光二极管(LED)的光提取效率,分析了光栅形状(矩形、等腰梯形、等腰三角形)对提取效率的影响;基于等效介质理论和严格耦合波法,优化了集成不同形状光栅的LED。利用有限时域差分法,模拟计算了三种不同最优结构LED的光提取效率。... 为提高发光二极管(LED)的光提取效率,分析了光栅形状(矩形、等腰梯形、等腰三角形)对提取效率的影响;基于等效介质理论和严格耦合波法,优化了集成不同形状光栅的LED。利用有限时域差分法,模拟计算了三种不同最优结构LED的光提取效率。研究结果表明,在0.4~0.5μm波长范围内,等腰三角形光栅倒装LED的光提取效率均在70%以上,最高可达77.75%,而梯形光栅倒装LED的光提取效率最低,最高仅能达到58%。 展开更多

关键词 光学器件 发光二极管 光提取效率 透射率 倒装

原文传递

高光提取效率倒装发光二极管的设计与优化 被引量：10

11

作者 江孝伟 赵建伟 武华 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2018年第9期390-395,共6页

为了提高倒装发光二极管(LED)的光提取效率,提出在蓝宝石衬底出光面上制备一层SiO2介质光栅,形成表面光栅倒装LED结构。利用RSOFT软件的CAD模块建立表面光栅倒装LED模型,随后使用RSOFT软件的LED模块模拟并优化该表面光栅倒装LED。通过... 为了提高倒装发光二极管(LED)的光提取效率,提出在蓝宝石衬底出光面上制备一层SiO2介质光栅,形成表面光栅倒装LED结构。利用RSOFT软件的CAD模块建立表面光栅倒装LED模型,随后使用RSOFT软件的LED模块模拟并优化该表面光栅倒装LED。通过模拟优化和理论分析可得,当p-GaN层厚度hp=220nm,n-GaN层厚度hn=100nm,蓝宝石衬底厚度hs=130nm,光栅周期p=260nm,光栅厚度hg=20nm,光栅占空比f=0.02时,表面光栅倒装LED的光提取效率可以达到49.12%,相比于普通最优倒装LED的光提取效率(30.56%)提高了63%。本研究可为后续设计高光提取效率的LED提供参考,同时亦可为制备器件提供理论指导。 展开更多

关键词 光学器件 发光二极管 光提取效率 倒装 光栅

原文传递

波长可调谐导模共振滤波器的设计及优化 被引量：2

12

作者 江孝伟 武华 王飞 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2017年第10期87-92,共6页

利用严格耦合波法设计并优化了中心波长为1.55μm,基于液晶的波长可调谐导模共振滤波器(WTGMF)。通过计算得知减反层和衬底的厚度均对滤波器的共振线宽有影响,减反层的厚度越薄共振线宽越宽,但是对于衬底厚度总存在着一个最优的厚度使... 利用严格耦合波法设计并优化了中心波长为1.55μm,基于液晶的波长可调谐导模共振滤波器(WTGMF)。通过计算得知减反层和衬底的厚度均对滤波器的共振线宽有影响,减反层的厚度越薄共振线宽越宽,但是对于衬底厚度总存在着一个最优的厚度使线宽达到最窄,当衬底厚度为300nm时,线宽缩小到最窄的0.96nm。另外决定WTGMF的波长调谐范围的主要因素是液晶层的厚度,调谐范围随着液晶层厚度的增加而增加并最终达到稳定,当液晶层厚度达到1600nm时波长调谐范围达到最大的39nm。 展开更多

关键词 光栅 导模共振 严格耦合波法 线宽 液晶

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