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增强型GaN HEMT凹槽栅刻蚀技术研究进展 被引量：3
1
作者 白欣娇 袁凤坡 +2 位作者 李晓波 王文军 李路杰 《微纳电子技术》 北大核心 2018年第10期762-767,774,共7页
氮化镓高电子迁移率晶体管（GaNHEMT）在材料生长和工艺制备方面已取得了巨大的进展，但增强型器件的制备仍是限制其广泛使用的重要原因。归纳了目前制备增强型器件的几种方法：P型栅、F离子注入、凹槽栅、薄势垒层和共源共栅技术等，... 氮化镓高电子迁移率晶体管（GaNHEMT）在材料生长和工艺制备方面已取得了巨大的进展，但增强型器件的制备仍是限制其广泛使用的重要原因。归纳了目前制备增强型器件的几种方法：P型栅、F离子注入、凹槽栅、薄势垒层和共源共栅技术等，分析了采用凹槽栅结构实现增强型器件的原理及用于刻蚀凹槽的几种干法刻蚀技术。此外，讨论了目前实现凹槽栅的多种方法：A1N阻挡层、周期性等离子刻蚀、热氧化后湿法腐蚀、光辅助的电化学腐蚀以及选择性生长等，并分析了这几种方法制作凹槽栅的原理和不足之处。在此基础上，对制备凹槽栅工艺提出几点突破方向，只有不断提高增强型器件性能，才能使氮化镓器件在射频和电力电子等领域拥有更大的发展空间和应用前景。 展开更多
关键词 ALGAN/GAN HEMT 增强型 凹槽栅 反应离子刻蚀 干法刻蚀
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高峰值电压长寿命超宽带时域信号源 被引量：1
2
作者 王文军 吴建发 +3 位作者 石学文 廖茂杰 张雅茹 杨宏春 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第2期117-122,131,共7页
设计了一款基于雪崩晶体管和Marx电路的超宽带(UWB)时域信号源,其具有较高的峰值电压、较快的上升沿、较窄的半脉宽、较高的重频、较长的寿命等特点。通过8路功率合成的方法,在电路成本较低的前提下,改善了输出电压饱和的问题,提高了信... 设计了一款基于雪崩晶体管和Marx电路的超宽带(UWB)时域信号源,其具有较高的峰值电压、较快的上升沿、较窄的半脉宽、较高的重频、较长的寿命等特点。通过8路功率合成的方法,在电路成本较低的前提下,改善了输出电压饱和的问题,提高了信号源的输出电压。通过晶体管并联技术,在高峰值电压输出的情况下,提高了信号源的寿命。最终信号源实现了峰值电压10 kV,上升沿183 ps,半脉宽750 ps。在重频为20 kHz下,可以连续工作超过45 min。该信号源可用于对目标的探测、干扰、攻击和物质处理等领域。 展开更多
关键词 超宽带(UWB)时域信号源 高峰值 MARX电路 功率合成 并联技术
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基于MEMS声敏结构的光纤声波传感器
3
作者 王文军 刘钰 +1 位作者 解涛 吴宇 《电声技术》 2023年第4期78-81,共4页
基于微机电系统(Micro Electro Mechanical System,MEMS)工艺加工声波敏感结构,将声波敏感结构与光纤端面构成非本征型光纤法布里-珀罗干涉仪(Extrinsic Fabry-Perot Interferometer,EFPI)感知声波。研究了不同厚度和不同增敏环数的声... 基于微机电系统(Micro Electro Mechanical System,MEMS)工艺加工声波敏感结构,将声波敏感结构与光纤端面构成非本征型光纤法布里-珀罗干涉仪(Extrinsic Fabry-Perot Interferometer,EFPI)感知声波。研究了不同厚度和不同增敏环数的声压敏感薄膜结构对声波探测性能的差异,对比了信噪比测试结果。实验结果表明,针对400 nm和1000 nm厚度的声敏薄膜,在相同的测试条件下,前者的声敏结构位移更大、频率响应的信噪比更高。在相同薄膜厚度条件下,具有增敏结构的MEMS薄膜可以释放薄膜的初始应力,降低薄膜的刚性,相比无增敏结构的MEMS薄膜具有更高的灵敏度。 展开更多
关键词 微机电系统(MEMS) 氧化硅薄膜 非本征型光纤法布里-珀罗干涉仪(EFPI) 增敏结构
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基于MOEMS敏感结构的非本征F-P干涉仪式光纤声压传感器 被引量：4
4
作者 解涛 杨志 +2 位作者 王文军 吴宇 刘涛 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2021年第7期627-632,共6页
随着声学探测技术的不断进步,对声压传感器提出了高精度、小型化、抗电磁干扰能力强和易批量生产等要求。研制了基于微光电子机械系统(MOEMS)敏感结构的非本征Fabry-Perot(F-P)干涉仪式光纤声压传感器。利用圆片级集成技术实现MOEMS敏... 随着声学探测技术的不断进步,对声压传感器提出了高精度、小型化、抗电磁干扰能力强和易批量生产等要求。研制了基于微光电子机械系统(MOEMS)敏感结构的非本征Fabry-Perot(F-P)干涉仪式光纤声压传感器。利用圆片级集成技术实现MOEMS敏感结构与光学腔室的高精度对准,大大提高了传感器的一致性。声压传感器的声学性能测试结果表明,其具有高灵敏度和良好的线性响应度,信噪比达到78.3 dB,实现了对声压信号的优良响应。此外,该传感器既具有光纤传感技术精度高和抗电磁干扰能力强等优点,又具备了微电子机械系统(MEMS)体积小和易批量生产的优势。 展开更多
关键词 微光电子机械系统(MOEMS) Fabry-Perot(F-P)干涉仪 光纤传感 声压传感器 圆片级集成技术
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6英寸硅基GaN HEMT外延材料的制备 被引量：1
5
作者 白欣娇 袁凤坡 +3 位作者 王文军 房玉龙 李晓波 李浩 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期359-363,368,共6页
采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）方法,在6英寸（1英寸=2.54 cm）Si（111）衬底上,使用多层不同Al摩尔组分的AlGaN插入层技术,成功生长出厚度为2.9μm无裂纹（扣除边缘2 mm）的GaN外延层,解决了大尺寸外延片的翘曲度问题,并在此基... 采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）方法,在6英寸（1英寸=2.54 cm）Si（111）衬底上,使用多层不同Al摩尔组分的AlGaN插入层技术,成功生长出厚度为2.9μm无裂纹（扣除边缘2 mm）的GaN外延层,解决了大尺寸外延片的翘曲度问题,并在此基础上生长了全结构的高电子迁移率晶体管（HEMT）外延片。采用X射线双晶衍射对外延材料结构进行了表征。Hall测试结果表明,HEMT外延材料的迁移率为2 080 cm^2/（V·s）,方块电阻为279.8Ω/,电荷面密度为1.07×10^（13）cm^（-2）。采用喇曼光谱仪对GaN的应力进行了表征,GaN的喇曼E2（h）峰位于567.02 cm^（-1）,表面受到的张应力为0.170 6 GPa,由于GaN外延层受到的张应力很小,说明插入多层AlGaN后应力已经释放。汞探针C-V测试二维电子气浓度较Hall测试结果偏低,可能是在C-V测试时肖特基势垒接触会降低载流子浓度。 展开更多
关键词 Si GAN 高电子迁移率晶体管(HEMT) 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) AlGaN插入层
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EFPI式光纤声压传感器中敏感薄膜设计与分析
6
作者 解涛 杨志 +2 位作者 王文军 吴宇 刘涛 《现代信息科技》 2021年第2期35-37,共3页
针对非本征F-P干涉仪式光纤声压传感器中的声压敏感薄膜性能提升,设计并制备了不同厚度和不同增敏环数的声压敏感薄膜结构。对不同声压敏感薄膜感知声压的性能进行测试。结果表明:声压敏感薄膜的厚度越薄,其声压灵敏度越大,对比400 nm... 针对非本征F-P干涉仪式光纤声压传感器中的声压敏感薄膜性能提升,设计并制备了不同厚度和不同增敏环数的声压敏感薄膜结构。对不同声压敏感薄膜感知声压的性能进行测试。结果表明:声压敏感薄膜的厚度越薄,其声压灵敏度越大,对比400 nm厚度和1000 nm厚度的声压敏感薄膜,发现在相同声压的声波作用下,前者的输出电压比后者大一个数量级。此外,增加增敏环数可以有效地释放应力,降低薄膜的刚性,使得声压传感器的性能有所提升。 展开更多
关键词 微光电子机械系统 F-P干涉 光纤传感 声压传感器 增敏结构
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