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以专业理论为基础的大学生工程训练探索
1
作者
宁可庆
鲍嘉明
+2 位作者
孙海燕
张晓波
魏淑华
《电子世界》
2014年第10期218-219,共2页
工程能力的训练是大学生提高工作能力、适应国家建设和社会需要而不可缺少的一个环节。工科大学生需要工程能力训练,在较好的理论基础之上进行工程实践,理论指导实践,能充分发挥理工融合的优势。在工程训练中提前分组,采用分层次工程实...
工程能力的训练是大学生提高工作能力、适应国家建设和社会需要而不可缺少的一个环节。工科大学生需要工程能力训练,在较好的理论基础之上进行工程实践,理论指导实践,能充分发挥理工融合的优势。在工程训练中提前分组,采用分层次工程实践训练,让所有学生都能完成项目,得到完整的工程项目开发经验,以适应社会上对工程人员的需求。
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关键词
工程训练
分层次教学
大众教育与精英教育
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职称材料
近阈值电压电路研究进展
被引量：
3
2
作者
张永欢
姜岩峰
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第1期107-112,共6页
近阈值电压技术是一门能够进行低压低功耗电路设计的新型技术,并在应用中取得了成果。从近阈值电压技术的提出背景和发展现状开始,围绕与传统设计的比较分析,展开论述了其技术优势及问题挑战。针对近阈值电压技术的设计挑战,结合实际电...
近阈值电压技术是一门能够进行低压低功耗电路设计的新型技术,并在应用中取得了成果。从近阈值电压技术的提出背景和发展现状开始,围绕与传统设计的比较分析,展开论述了其技术优势及问题挑战。针对近阈值电压技术的设计挑战,结合实际电路分析其解决方案。最后,简要介绍阈值电压技术的产品化成果,并对其未来发展做出展望。
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关键词
集成电路
近阈值电压技术
低功耗
能量效率
原文传递
边界扫描测试技术综述
被引量：
1
3
作者
张继伟
杨兵
《电子世界》
2016年第10期34-36,共3页
随着集成电路的快速发展,使得测试面临的问题也越来越多,在众多的测试技术中边界扫描测试越来越多的受到人们的关注。本文总结性的从边界扫描技术的研究现状,现如今已经取得的部分研究成果,以及边界扫描技术所面临的问题三方面进行介绍...
随着集成电路的快速发展,使得测试面临的问题也越来越多,在众多的测试技术中边界扫描测试越来越多的受到人们的关注。本文总结性的从边界扫描技术的研究现状,现如今已经取得的部分研究成果,以及边界扫描技术所面临的问题三方面进行介绍并总结,并对边界扫描技术的发展做出展望,提出一种延时故障测试的方法。
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关键词
集成电路
边界扫描
展望
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职称材料
低功耗的电流饥饿型环形振荡器
被引量：
1
4
作者
毛帅宇
叶彤旸
郭红
《电子世界》
2015年第23期31-34,共4页
本文介绍了一种与温度无关的低功耗电流饥饿型环形振荡器,与普通RC、LC等振荡器相比,此振荡器要求的工作电流更小,因此功耗较小,使用的环形振荡器结构结构简单,节约版图面积。
关键词
振荡器
低功耗
CMOS反相器
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职称材料
4H-SiC肖特基势垒二极管结终端刻蚀技术研究
5
作者
王嘉铭
钮应喜
+8 位作者
裴紫微
赵妙
杨霏
李俊杰
李俊峰
张静
许恒宇
金智
刘新宇
《智能电网》
2016年第6期550-553,共4页
碳化硅(SiC)材料在高温、高压、大功率等器件领域有着广阔的应用前景。结终端技术(junction terminal technology,JTT)直接影响着高压SiC肖特基势垒二极管(Schottky barrier diodes,SBD)的耐压性能,而刻蚀技术又是制备结终端结构的关键...
碳化硅(SiC)材料在高温、高压、大功率等器件领域有着广阔的应用前景。结终端技术(junction terminal technology,JTT)直接影响着高压SiC肖特基势垒二极管(Schottky barrier diodes,SBD)的耐压性能,而刻蚀技术又是制备结终端结构的关键技术。研究通过使用SF_6/O_2/Ar、BCl_3/Cl_2/Ar、CF_4/O_2/Ar等不同刻蚀气体体系对SiC材料进行刻蚀,经过一系列的技术优化,最终开发出硬掩蔽倾斜结合CF_4/O_2/Ar气体干法刻蚀SiC的结终端技术。该技术在改善SiC肖特基势垒二极管击穿电压方面有着积极的作用。
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关键词
SIC
肖特基势垒二极管
结终端技术
耐压性能
原文传递
p型SiC欧姆接触的研究进展
6
作者
裴紫微
张静
《智能电网（汉斯）》
2016年第2期116-128,共13页
欧姆接触是碳化硅(Silicon Carbide, SiC)新一代电力电子器件研究中的技术难点之一。除了金属选择外,相对于n型掺杂,SiC材料中p型杂质的离化能比n型杂质的离化能高,优质的p型SiC欧姆接触更难于形成。该文对近十几年来极具代表性的传统A...
欧姆接触是碳化硅(Silicon Carbide, SiC)新一代电力电子器件研究中的技术难点之一。除了金属选择外,相对于n型掺杂,SiC材料中p型杂质的离化能比n型杂质的离化能高,优质的p型SiC欧姆接触更难于形成。该文对近十几年来极具代表性的传统Al基金属体系和非传统Al基金属体系在p型SiC材料上形成欧姆接触的研究进行了总结,并对其发展前景进行了展望。
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关键词
p型SiC
电力电子器件
欧姆接触
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职称材料
题名
以专业理论为基础的大学生工程训练探索
1
作者
宁可庆
鲍嘉明
孙海燕
张晓波
魏淑华
机构
北方工业大学微电子学系
出处
《电子世界》
2014年第10期218-219,共2页
基金
北方工业大学2013年度教育教学改革和课程建设课题成果
文摘
工程能力的训练是大学生提高工作能力、适应国家建设和社会需要而不可缺少的一个环节。工科大学生需要工程能力训练,在较好的理论基础之上进行工程实践,理论指导实践,能充分发挥理工融合的优势。在工程训练中提前分组,采用分层次工程实践训练,让所有学生都能完成项目,得到完整的工程项目开发经验,以适应社会上对工程人员的需求。
关键词
工程训练
分层次教学
大众教育与精英教育
分类号
T-4 [一般工业技术]
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职称材料
题名
近阈值电压电路研究进展
被引量：
3
2
作者
张永欢
姜岩峰
机构
北方工业大学微电子学系
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第1期107-112,共6页
基金
北京市自然科学基金资助项目(4122031)
文摘
近阈值电压技术是一门能够进行低压低功耗电路设计的新型技术,并在应用中取得了成果。从近阈值电压技术的提出背景和发展现状开始,围绕与传统设计的比较分析,展开论述了其技术优势及问题挑战。针对近阈值电压技术的设计挑战,结合实际电路分析其解决方案。最后,简要介绍阈值电压技术的产品化成果,并对其未来发展做出展望。
关键词
集成电路
近阈值电压技术
低功耗
能量效率
Keywords
IC
Near threshold voltage
Low power
Energy efficient
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
原文传递
题名
边界扫描测试技术综述
被引量：
1
3
作者
张继伟
杨兵
机构
北方工业大学微电子学系
出处
《电子世界》
2016年第10期34-36,共3页
文摘
随着集成电路的快速发展,使得测试面临的问题也越来越多,在众多的测试技术中边界扫描测试越来越多的受到人们的关注。本文总结性的从边界扫描技术的研究现状,现如今已经取得的部分研究成果,以及边界扫描技术所面临的问题三方面进行介绍并总结,并对边界扫描技术的发展做出展望,提出一种延时故障测试的方法。
关键词
集成电路
边界扫描
展望
Keywords
The integrated circuit
Boundary scan
expectation
分类号
TN407 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
低功耗的电流饥饿型环形振荡器
被引量：
1
4
作者
毛帅宇
叶彤旸
郭红
机构
北方工业大学微电子学系
出处
《电子世界》
2015年第23期31-34,共4页
基金
北京市大学生科学研究与创业行动计划项目资助
文摘
本文介绍了一种与温度无关的低功耗电流饥饿型环形振荡器,与普通RC、LC等振荡器相比,此振荡器要求的工作电流更小,因此功耗较小,使用的环形振荡器结构结构简单,节约版图面积。
关键词
振荡器
低功耗
CMOS反相器
分类号
TN752 [电子电信—电路与系统]
下载PDF
职称材料
题名
4H-SiC肖特基势垒二极管结终端刻蚀技术研究
5
作者
王嘉铭
钮应喜
裴紫微
赵妙
杨霏
李俊杰
李俊峰
张静
许恒宇
金智
刘新宇
机构
全球能源互联网研究院
中国科学院
微电子
研究所
北方工业大学微电子学系
出处
《智能电网》
2016年第6期550-553,共4页
基金
国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-14-004)~~
文摘
碳化硅(SiC)材料在高温、高压、大功率等器件领域有着广阔的应用前景。结终端技术(junction terminal technology,JTT)直接影响着高压SiC肖特基势垒二极管(Schottky barrier diodes,SBD)的耐压性能,而刻蚀技术又是制备结终端结构的关键技术。研究通过使用SF_6/O_2/Ar、BCl_3/Cl_2/Ar、CF_4/O_2/Ar等不同刻蚀气体体系对SiC材料进行刻蚀,经过一系列的技术优化,最终开发出硬掩蔽倾斜结合CF_4/O_2/Ar气体干法刻蚀SiC的结终端技术。该技术在改善SiC肖特基势垒二极管击穿电压方面有着积极的作用。
关键词
SIC
肖特基势垒二极管
结终端技术
耐压性能
Keywords
Si C
Schottky barrier diodes
junction termination techniques
withstand voltage properties
分类号
TN311.7 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
p型SiC欧姆接触的研究进展
6
作者
裴紫微
张静
机构
北方工业大学微电子学系
出处
《智能电网（汉斯）》
2016年第2期116-128,共13页
基金
项目支持:02重大专项支持。项目编号:2013ZX02501。
文摘
欧姆接触是碳化硅(Silicon Carbide, SiC)新一代电力电子器件研究中的技术难点之一。除了金属选择外,相对于n型掺杂,SiC材料中p型杂质的离化能比n型杂质的离化能高,优质的p型SiC欧姆接触更难于形成。该文对近十几年来极具代表性的传统Al基金属体系和非传统Al基金属体系在p型SiC材料上形成欧姆接触的研究进行了总结,并对其发展前景进行了展望。
关键词
p型SiC
电力电子器件
欧姆接触
Keywords
p-Type SiC
Power Electronic Devices
Ohmic Contact
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
以专业理论为基础的大学生工程训练探索
宁可庆
鲍嘉明
孙海燕
张晓波
魏淑华
《电子世界》
2014
0
下载PDF
职称材料
2
近阈值电压电路研究进展
张永欢
姜岩峰
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2016
3
原文传递
3
边界扫描测试技术综述
张继伟
杨兵
《电子世界》
2016
1
下载PDF
职称材料
4
低功耗的电流饥饿型环形振荡器
毛帅宇
叶彤旸
郭红
《电子世界》
2015
1
下载PDF
职称材料
5
4H-SiC肖特基势垒二极管结终端刻蚀技术研究
王嘉铭
钮应喜
裴紫微
赵妙
杨霏
李俊杰
李俊峰
张静
许恒宇
金智
刘新宇
《智能电网》
2016
0
原文传递
6
p型SiC欧姆接触的研究进展
裴紫微
张静
《智能电网（汉斯）》
2016
0
下载PDF
职称材料
已选择
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