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多隧道结单电子动态存储器的Monte Carlo模拟
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作者 许海霞 李钱光 +3 位作者 杨毅 闵永泉 李志扬 刘武 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期214-218,共5页
本文采用MonteCarlo方法模拟了多隧道结单电子动态存储器的存储特性 ,考察了隧道结的个数、隧道结电容、隧道结电阻、脉冲电压幅度等参数对存储器的存储时间和饱和充电电荷的影响 。
关键词 蒙特卡罗模拟 单电子动态存储器 多隧道结 隧道结电容 隧道结电阻 脉冲电压幅度 存储时间 充电电荷
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