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多隧道结单电子动态存储器的Monte Carlo模拟
1
作者
许海霞
李钱光
+3 位作者
杨毅
闵永泉
李志扬
刘武
《电子显微学报》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第3期214-218,共5页
本文采用MonteCarlo方法模拟了多隧道结单电子动态存储器的存储特性 ,考察了隧道结的个数、隧道结电容、隧道结电阻、脉冲电压幅度等参数对存储器的存储时间和饱和充电电荷的影响 。
关键词
蒙特卡罗模拟
单电子动态存储器
多隧道结
隧道结电容
隧道结电阻
脉冲电压幅度
存储时间
充电电荷
下载PDF
职称材料
题名
多隧道结单电子动态存储器的Monte Carlo模拟
1
作者
许海霞
李钱光
杨毅
闵永泉
李志扬
刘武
机构
华中师范大学纳米技术实验室
出处
《电子显微学报》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第3期214-218,共5页
基金
高等学校骨干教师资助计划
湖北省自然科学基金资助项目
文摘
本文采用MonteCarlo方法模拟了多隧道结单电子动态存储器的存储特性 ,考察了隧道结的个数、隧道结电容、隧道结电阻、脉冲电压幅度等参数对存储器的存储时间和饱和充电电荷的影响 。
关键词
蒙特卡罗模拟
单电子动态存储器
多隧道结
隧道结电容
隧道结电阻
脉冲电压幅度
存储时间
充电电荷
Keywords
single electron memory device
Monte Carlo simulation
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
多隧道结单电子动态存储器的Monte Carlo模拟
许海霞
李钱光
杨毅
闵永泉
李志扬
刘武
《电子显微学报》
CAS
CSCD
北大核心
2003
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