磁场热处理对Nd_2Fe_(14)B/α-Fe纳米材料磁性和微磁结构的影响 被引量：21

1

作者 计齐根 都有为 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 2000年第4期22-25,共4页

对Nd2 Fe14 B/α -F基纳米交换耦合磁体进行了磁场热处理的研究 .研究发现 :退火温度在硬磁相居里点附近时 (30 0～ 40 0℃ )有明显的处理效果 ;磁场处理可加强磁性相之间的耦合 ,提高磁体的顽力和剩磁比 ;磁场可以引发晶粒间的相对... 对Nd2 Fe14 B/α -F基纳米交换耦合磁体进行了磁场热处理的研究 .研究发现 :退火温度在硬磁相居里点附近时 (30 0～ 40 0℃ )有明显的处理效果 ;磁场处理可加强磁性相之间的耦合 ,提高磁体的顽力和剩磁比 ;磁场可以引发晶粒间的相对滑动和调整 ; 展开更多

关键词 磁场热处理 纳米交换耦合磁体 磁性 微磁结构

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复合量子点MOSFET结构存储器的电路模拟 被引量：1

2

作者 闾锦 施毅 +3 位作者 濮林 杨红官 杨铮 郑有炓 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第11期1793-1795,共3页

本文采用准经典近似的MonteCarlo方法对复合量子点MOSFET结构存储器的等效单电子电路进行了模拟 .研究结果表明 ,由于台阶状的复合隧穿势垒的作用 ,存储器的存储时间特性可得到极大提高 .我们进一步研究了N沟道锗 /硅复合量子点MOSFET... 本文采用准经典近似的MonteCarlo方法对复合量子点MOSFET结构存储器的等效单电子电路进行了模拟 .研究结果表明 ,由于台阶状的复合隧穿势垒的作用 ,存储器的存储时间特性可得到极大提高 .我们进一步研究了N沟道锗 /硅复合量子点MOSFET结构存储器的时间特性 ,得到其存储时间可长达数年 ,同时写擦时间可分别为 μs和ns量级 。 展开更多

关键词 复合量子点 单电子存储器 电路模拟

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注C^＋硅多孔结构的蓝光发射 被引量：4

3

作者 廖良生 鲍希茂 闵乃本 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期314-316,共3页

对单晶硅进行Ｃ＋注入，注入能量为５０ｋｅＶ，注入剂量为１×１０１５～１０１７／ｃｍ２．在Ｎ２中经９５０℃退火１小时后，注入层形成尺寸为１～３μｍ的β－ＳｉＣ沉淀．进而采用电化学腐蚀方法将样品制成多孔结构．在紫外光... 对单晶硅进行Ｃ＋注入，注入能量为５０ｋｅＶ，注入剂量为１×１０１５～１０１７／ｃｍ２．在Ｎ２中经９５０℃退火１小时后，注入层形成尺寸为１～３μｍ的β－ＳｉＣ沉淀．进而采用电化学腐蚀方法将样品制成多孔结构．在紫外光激发下，样品可以发射强度较大的蓝光，光强是通常多孔硅的数倍以上，谱峰处于４８０ｎｍ和５０５ｎｍ附近．这一方法简便有效地实现了硅基材料的蓝光发射． 展开更多

关键词 多孔硅 蓝光发射 光致发光

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GaAs／AlGaAs双势垒结构间接电子隧穿的研究

4

作者 俞梅 陈效双 王广厚 《南京大学学报（自然科学版）》 CSCD 1995年第3期377-382,共6页

研究双势垒ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ结构在与时间有关的交变电场的作用下电子间接共振隧穿的几率和隧穿电流密度。采用转移矩阵方法给出电子在不同空间位置的波函数，用微扰的方法求出电子波函数的含时系数，最终给出电子隧穿几率和隧穿... 研究双势垒ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ结构在与时间有关的交变电场的作用下电子间接共振隧穿的几率和隧穿电流密度。采用转移矩阵方法给出电子在不同空间位置的波函数，用微扰的方法求出电子波函数的含时系数，最终给出电子隧穿几率和隧穿电流密度、计算结果表明电子隧穿几率曲线中出现附加的隧穿峰和隧穿峰变低，并且随穿电流密度曲线巾出现附加的隧穿台阶，隧穿峰变低和展宽，这主要是由于外加突变电场与Ｅ±ｎω的电子态耦合，为电子隧穿提供间接的通道和路径、这也是设计双势垒电子隧穿器件不可忽略的、上述方法也可以推广到多量子阶系统。 展开更多

关键词 电子共振隧穿 镓铝砷化合物 砷化镓 双势垒结构

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硅基多孔β－SiC蓝光发射的稳定性 被引量：10

5

作者 廖良生 鲍希茂 +1 位作者 王水凤 闵乃本 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期76-80,共5页

在自然存放、光辐照以及高温氧化等条件下，通过与常见多孔硅发光性能的对比，发现硅基多孔β－ＳｉＣ具有稳定的蓝光发射．

关键词 硅 β-碳化硅 碳化硅 蓝光发射 稳定性

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硅基多孔U-SiC薄膜的电致发光及其机理分析 被引量：14

6

作者 吴晓华 鲍希茂 +2 位作者 李宁生 廖良生 郑祥钦 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期127-131,共5页

单晶硅中注入高剂量的Ｃ＋ 离子，注入能量为５０ｋｅＶ，经高温退火后形成β－ＳｉＣ沉淀，再经电化学腐蚀形成多孔β－ＳｉＣ，样品表面蒸上一层半透明的金膜，在正向偏压高于２５Ｖ 时，可以获得波长约为４４７ｎｍ 的蓝光发射， 而... 单晶硅中注入高剂量的Ｃ＋ 离子，注入能量为５０ｋｅＶ，经高温退火后形成β－ＳｉＣ沉淀，再经电化学腐蚀形成多孔β－ＳｉＣ，样品表面蒸上一层半透明的金膜，在正向偏压高于２５Ｖ 时，可以获得波长约为４４７ｎｍ 的蓝光发射， 而且该蓝光发射随着电压的升高而增强．文中还将多孔β－ＳｉＣ薄膜的电致发光和其光致发光进行了比较。 展开更多

关键词 碳化硅薄膜 电致发光 发光机理 硅基

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基于碳纳米管的电子器件 被引量：7

7

作者 杨铮 施毅 +3 位作者 顾书林 沈波 张荣 郑有炓 《固体电子学研究与进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期131-136,共6页

碳纳米管有着众多独特的性质 ,尤其是它的电学性质。近几年来 ,碳纳米管的研究已展示出了在纳米电子器件上的应用前景 ,即通过构建尺寸只有几十纳米甚至更小的基于碳纳米管的电子器件和连线 ,实现速度远快于而功耗远小于目前集成电路的... 碳纳米管有着众多独特的性质 ,尤其是它的电学性质。近几年来 ,碳纳米管的研究已展示出了在纳米电子器件上的应用前景 ,即通过构建尺寸只有几十纳米甚至更小的基于碳纳米管的电子器件和连线 ,实现速度远快于而功耗远小于目前集成电路的碳纳米管集成电路。文中在讨论碳纳米管电学性质的基础上 ,主要介绍基于碳纳米管的结。 展开更多

关键词 碳纳米管 电子器件 场效应晶体管 单电子晶体管 分子节 PN结 交叉结

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多孔硅中两种不同的光致发光谱 被引量：12

8

作者 廖良生 鲍希茂 +2 位作者 闵乃本 王水凤 曾庆城 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第2期145-148,共4页

采用连续变化的单色光作为激发光源，测量了多孔硅的光致发光（ＰＬ）谱和光致发光激发（ＬＰＥ）谱．结果表明，多孔硅存在两种不同的ＰＬ谱．一种是人们通常观察到的ＰＬ谱，其峰位可随多孔硅量子尺寸的变小以及激发光波长（λｅｘ）... 采用连续变化的单色光作为激发光源，测量了多孔硅的光致发光（ＰＬ）谱和光致发光激发（ＬＰＥ）谱．结果表明，多孔硅存在两种不同的ＰＬ谱．一种是人们通常观察到的ＰＬ谱，其峰位可随多孔硅量子尺寸的变小以及激发光波长（λｅｘ）的变短而蓝移，我们称其力量子限制型光致发光（ＱＰＬ）谱．另一种是其峰位波长处于蓝紫光范围且峰位基本上不随多孔硅的量子尺寸和λｅｘ而变化的ＰＬ谱，我们称其为非量子限制型光致发光（ＮＱＰＬ）谱．多孔硅还存在与ＰＬ谱相对应的两种不同的ＰＬＥ谱．与ＱＰＬ谱对应的ＰＬＥ谱是双峰谱，与ＮＱＰＬ谱对应的ＰＬＥ谱不是双峰谱．因此，多孔硅中同时存在两种不同的发光机理． 展开更多

关键词 多孔硅 光致发光谱 光致发射

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注Si^＋热氧化SiO2薄膜的蓝光发射及其退火特性 被引量：5

9

作者 廖良生 鲍希茂 +2 位作者 郑祥钦 李宁生 闵乃本 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第10期789-792,共4页

对单晶硅片上热生长的ＳｉＯ２薄膜注入Ｓｉ＋，注入能量为１２０ｋｅＶ，剂量为２×１０１６ｃｍ－２．在～５．０ｅＶ的光子激发下，注Ｓｉ＋氧化膜可生产～２．７ｅＶ的蓝光发射．在退火处理中，发光强度先随退火温度上升而增大... 对单晶硅片上热生长的ＳｉＯ２薄膜注入Ｓｉ＋，注入能量为１２０ｋｅＶ，剂量为２×１０１６ｃｍ－２．在～５．０ｅＶ的光子激发下，注Ｓｉ＋氧化膜可生产～２．７ｅＶ的蓝光发射．在退火处理中，发光强度先随退火温度上升而增大，在５００～６００℃时达到最大值，此后逐渐减小．这种蓝光发射是由于注入的过剩Ｓｉ引起氧空位缺陷而产生的． 展开更多

关键词 硅离子注入 热氧化 二氧化硅 薄膜 蓝光发射

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脉冲激光沉积硅基二氧化硅薄膜的蓝光发射 被引量：10

10

作者 郑祥钦 郭新立 +1 位作者 廖良生 刘治国 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期21-24,共4页

用准分子激光在含氧气氛中对硅靶材料进行反应剥离，并让反应生成物沉积在单晶硅片表面上．用Ｘ射线光电子能谱、透射电镜分析，以及光致发光谱等方法对沉积的薄膜进行研究．结果显示，形成的薄膜是非晶态的二氧化硅组分，并且在其中含... 用准分子激光在含氧气氛中对硅靶材料进行反应剥离，并让反应生成物沉积在单晶硅片表面上．用Ｘ射线光电子能谱、透射电镜分析，以及光致发光谱等方法对沉积的薄膜进行研究．结果显示，形成的薄膜是非晶态的二氧化硅组分，并且在其中含有少量的微米量级的多晶硅颗粒，在４４０ｎｍ附近的蓝光范围内有一光致发光带。 展开更多

关键词 硅基 二氧化硅 薄膜 脉冲激光沉积 蓝光发射

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硅纳米晶粒基MOSFET存储器的荷电特征研究 被引量：2

11

作者 施毅 袁晓利 +4 位作者 吴军 杨红官 顾书林 韩平 郑有炓 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期145-147,共3页

本文研究了硅纳米晶粒MOSFET存储器的荷电特征 .器件阈值电压偏移达 1 8V以上 ,并随着沟道宽度的变窄而增加 ,而与沟道长度基本无关 .同时 ,阈值涨落也随宽度的变窄而增大 .在 2 0～ 30 0K测量温度范围内 ,器件阈值偏移和电荷的存储特... 本文研究了硅纳米晶粒MOSFET存储器的荷电特征 .器件阈值电压偏移达 1 8V以上 ,并随着沟道宽度的变窄而增加 ,而与沟道长度基本无关 .同时 ,阈值涨落也随宽度的变窄而增大 .在 2 0～ 30 0K测量温度范围内 ,器件阈值偏移和电荷的存储特性几乎不随温度变化 ,说明荷电过程主要由直接隧穿决定 .进一步 ,在最窄沟道器件中观察到单电荷的荷电过程 . 展开更多

关键词 硅纳米晶粒 存储器 MOSFET 荷电特征

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高度c轴取向的ZnO膜的低温水热法制备 被引量：1

12

作者 李抒智 周圣明 +5 位作者 刘红霞 杭寅 夏长泰 徐军 顾书林 张荣 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2006年第3期411-414,共4页

在预先镀有ZnO纳米层的(0001)蓝宝石衬底上利用低温水热法制备出ZnO薄膜。SEM和XRD显示此ZnO膜是由六棱柱状阵列构成的,基于蓝宝石衬底生长,具有高度的c轴择优取向,且(0004)摇摆曲线的FWHM达到1.8°。并发现了在水热溶液中加入一定... 在预先镀有ZnO纳米层的(0001)蓝宝石衬底上利用低温水热法制备出ZnO薄膜。SEM和XRD显示此ZnO膜是由六棱柱状阵列构成的,基于蓝宝石衬底生长,具有高度的c轴择优取向,且(0004)摇摆曲线的FWHM达到1.8°。并发现了在水热溶液中加入一定量六次甲基四胺可以调节六棱柱状ZnO尺寸比例。 展开更多

关键词 ZnO阵列膜 水热法 (0001)蓝宝石衬底

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GaN基光发射二极管中深能级研究 被引量：1

13

作者 毕朝霞 张荣 +4 位作者 邓娜 顾书林 沈波 施毅 郑有炓 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期371-374,共4页

利用深能级瞬态谱 (DLTS)仪对 Si C衬底上 Ga N基光发射二极管 (LED)中 n-In0 .2 5Ga0 .75N层的深能级进行了研究。在 77K到 3 0 0 K的温度扫描范围内只测量到一个 DLTS峰。该 DLTS峰在反向偏压为 3 V时有一极大值 ,说明 n-In0 .2 5Ga0 ... 利用深能级瞬态谱 (DLTS)仪对 Si C衬底上 Ga N基光发射二极管 (LED)中 n-In0 .2 5Ga0 .75N层的深能级进行了研究。在 77K到 3 0 0 K的温度扫描范围内只测量到一个 DLTS峰。该 DLTS峰在反向偏压为 3 V时有一极大值 ,说明 n-In0 .2 5Ga0 .75N层此时全部被耗尽。改变测量的率窗 ,得到该深能级在导带下 0 .2 4e V处 ,浓度为 2 .2 % ND,俘获截面为 1 .93× 1 0 - 1 5cm2。在 Ga N材料中 ,其他小组也报道了此位置上的深能级结果。结合文中的工作 ,该深能级可能和 n-In0 .2 5Ga0 .75N层中的线位错有关。 展开更多

关键词 深能级瞬态谱 光发射二级管 铟镓氮

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硅基双色发光图形的研制

14

作者 李宁生 鲍希茂 +1 位作者 廖良生 王振飞 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期325-328,共4页

本文提出一种制作硅基发光图形的方法，利用SiO2作掩膜，通过C+离子选区注入，退火处理及电化学腐蚀，使样品的单晶区形成多孔硅红-绿色发光区，注C+区域形成多孔SiC的蓝光发射区域，构成双色发光图形．

关键词 双色发光图形 硅基 光电子材料 硅单晶

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学物理,也可以这样开始

15

作者 彭茹雯 《物理》 CAS 北大核心 2010年第3期199-200,共2页

关键词 中国科学院物理所 《物理》 物理教学 妇女节 编辑部 年轻人 老师

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自然氧化引起的多孔硅光致发光光谱移动问题 被引量：1

16

作者 吴晓薇 鲍希茂 +1 位作者 郑祥钦 阎锋 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第7期1203-1207,共5页

多孔硅发光是激发电子通过表面态间接的复合过程。自然氧化引入新的表面态，改变了表面态的分布，从而引起了多孔硅光致发光光谱的移动。

关键词 多孔硅 光致发光 光谱移动 氧化

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ZnAl_2O_4/α-Al_2O_3复合衬底的制备和GaN薄膜的生长

17

作者 毕朝霞 张荣 +6 位作者 李卫平 王栩生 顾书林 沈波 施毅 刘治国 郑有炓 《中国科学（A辑）》 CSCD 北大核心 2002年第10期895-899,共5页

利用脉冲激光淀积法（PLD）在α-Al2O3衬底上淀积了ZnO薄膜,通过ZnO和α-Al2O3固相反应制备了具有ZnAl2O4覆盖层的α-A2O3衬底.X射线衍射谱（XRD）表明ZnAl2O4薄膜随反应时间由单一（111）取向转变为多晶取向,然后变为不完全的 （111）... 利用脉冲激光淀积法（PLD）在α-Al2O3衬底上淀积了ZnO薄膜,通过ZnO和α-Al2O3固相反应制备了具有ZnAl2O4覆盖层的α-A2O3衬底.X射线衍射谱（XRD）表明ZnAl2O4薄膜随反应时间由单一（111）取向转变为多晶取向,然后变为不完全的 （111）择优取向.同时扫描电子显微镜（SEM）照片表明ZnAl2O4表面形貌随反应时间由均匀的岛状结构先变为棒状结构,然后再变为突起的线状结构.另外,XRD谱显示低温制备的ZnAl2O4在高温下不稳定.在ZnAl2O4覆盖的α-Al2O3衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了GaN薄膜.XRD测量表明随ZnAl2O4厚度增加GaN由c轴单晶变为多晶,单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°.结果表明薄ZnAl2O4覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核,从而提高了GaN的晶体质量. 展开更多

关键词 ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底 制备 GAN薄膜 MOCVD X射线衍射谱 半导体材料 两步生长工艺 氮化钙

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磁场中的拓扑绝缘体边缘态性质 被引量：2

18

作者 王青 盛利 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第9期65-72,共8页

用数值方法研究了拓扑绝缘体薄膜体系在外加垂直磁场作用下其边缘态的性质.磁场的加入通过耦合k+e A,即Peierls势替换关系和该作用导致的Zeeman交换场体现在哈密顿量中.考虑窄条圆环状结构的二维InAs/GaSb/AlSb薄膜量子阱材料,当其处于... 用数值方法研究了拓扑绝缘体薄膜体系在外加垂直磁场作用下其边缘态的性质.磁场的加入通过耦合k+e A,即Peierls势替换关系和该作用导致的Zeeman交换场体现在哈密顿量中.考虑窄条圆环状结构的二维InAs/GaSb/AlSb薄膜量子阱材料,当其处于拓扑非平庸状态,即量子自旋霍尔态时,会出现受时间反演对称性保护的两支简并边缘态,而在垂直磁场的作用下,时间反演对称性被破坏,这时能带将形成一条条的朗道能级,原来简并的两支边缘态也会分开到朗道能级谱线的两侧,从电子态密度的空间分布情况则可以看到边缘态分别局域在材料的两个边界.随着磁场的增大,位于同一边界上的不同自旋极化的边缘态将出现分离:一支仍然局域在边缘,另一支则随外加磁场的增加而有逐渐演化到材料内部的趋势.文中还计算了同一边界上的两支边缘态之间的散射,结果表明由于两个边缘态在空间发生分离,相互之间的散射被很大的压制,得到了其散射随磁场增加没有明显变化的结论,所以磁场并不会增强散射过程,也没有破坏体拓扑材料的性质,说明了量子自旋霍尔态在没有时间反演对称的情况下也可以有较强的稳定性. 展开更多

关键词 拓扑绝缘体 量子自旋霍尔态 朗道能级 边缘态

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SiO_2薄膜注Si^+后的蓝光发射

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作者 廖良生 鲍希茂 +2 位作者 郑祥钦 李宁生 闵乃本 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期94-95,共2页

由于成熟的硅平面工艺已使硅成为目前不可取代的最重要的半导体材料,因此为了实现未来的硅基光电子集成,硅基发光材料正成为研究热点.广泛应用于硅集成电路中的SiO_2.薄膜有可能成为一种硅基发光材料.最近有人采用高注入能量在硅基SiO_2... 由于成熟的硅平面工艺已使硅成为目前不可取代的最重要的半导体材料,因此为了实现未来的硅基光电子集成,硅基发光材料正成为研究热点.广泛应用于硅集成电路中的SiO_2.薄膜有可能成为一种硅基发光材料.最近有人采用高注入能量在硅基SiO_2.薄膜中注入高剂量Si^+,获得了约为2.0eV的光致发光.假如SiO_2薄膜还可以发射绿光和蓝光,则为全色显示提供了必要条件.虽然某些SiO_2块体材料在低温下存在～2.7eV的光致蓝光峰,但有人报道SiO_2薄膜中不存在～2.7eV的蓝光发射. 展开更多

关键词 二氧化硅薄膜 硅 注入 蓝光发射 半导体

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