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南开大学LCOS技术研究进展 被引量:2
1
作者 代永平 《现代显示》 2005年第10期27-31,41,共6页
介绍南开大学在硅基液晶(Liquid-Crystal-on-Silicon,LCOS)显示器设计技术、器件制备和专利方面的最新进展,其间涉及LCOS芯片总体设计方案和LCOS液晶盒设计等。最后简述LCOS显示器的优势与应用。
关键词 硅背板 近眼显示器 反射镜面
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天津高校第一座绿色能源电站——南开校园太阳能示范电站
2
作者 王庆章 《天津科技》 2005年第2期32-33,共2页
关键词 天津 太阳能发电 电站 南开大学 绿色能源
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LCoS场序彩色显示控制器的设计 被引量:20
3
作者 耿卫东 代永平 +2 位作者 任立儒 孟志国 孙钟林 《液晶与显示》 CAS CSCD 2003年第3期188-192,共5页
介绍了一种采用LCoS显示芯片的场序彩色显示控制器的设计方案,该方案采用VHDL语言进行设计,在Xilinx公司的Fundation2.1i环境中,进行了编译、综合和仿真。并通过XCS系列FPGA进行了功能验证。对显示控制器的各部分电路功能进行了讨论,给... 介绍了一种采用LCoS显示芯片的场序彩色显示控制器的设计方案,该方案采用VHDL语言进行设计,在Xilinx公司的Fundation2.1i环境中,进行了编译、综合和仿真。并通过XCS系列FPGA进行了功能验证。对显示控制器的各部分电路功能进行了讨论,给出了具体的设计方案和实现方法。 展开更多
关键词 场序彩色显示控制器 硬件描述语言 设计方案 VHDL 液晶显示器 LCoS微型显示器 LCD
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HCI协议在嵌入式蓝牙系统中的应用 被引量:9
4
作者 李静 耿卫东 +1 位作者 赵东 孙仲林 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第8期10-13,共4页
介绍了蓝牙技术中主控制器接口(HCI)协议及其在蓝牙系统中的应用。讨论了在点对点的嵌入式蓝牙系统中,实现串口通信时使用HCI命令对蓝牙硬件进行访问的方法,并给出了建立点对点蓝牙系统的例子。
关键词 HCI协议 嵌入式蓝牙系统 应用 HOST 主控制器接口 串口通信
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基于LCoS芯片的微型电视系统设计与实现 被引量:11
5
作者 耿卫东 张永利 +1 位作者 代永平 孙钟林 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第6期458-461,共4页
介绍了LCoS芯片在电视接收系统中的应用,重点讨论了LCoS芯片的结构与特点。自主开发的LCoS模块采用模拟视频接口、兼容隔行和逐行扫描方式,可以简化系统电路设计,降低系统功耗。同时论述了LCoS微型电视机在信号接收、模拟视频处理、时... 介绍了LCoS芯片在电视接收系统中的应用,重点讨论了LCoS芯片的结构与特点。自主开发的LCoS模块采用模拟视频接口、兼容隔行和逐行扫描方式,可以简化系统电路设计,降低系统功耗。同时论述了LCoS微型电视机在信号接收、模拟视频处理、时序控制和音频电路等方面的特点,并给出了相关电路的设计方案。 展开更多
关键词 硅上液晶 电视 微型显示器
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125mm彩色AMOLED的多晶硅TFT基板 被引量:6
6
作者 孟志国 郭海成 +2 位作者 吴春亚 王文 熊绍珍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期1514-1518,共5页
用化学法在非晶硅表面形成Ni源,经金属诱导晶化(MIC)得到了大晶粒碟型多晶硅.为改善以此材料作有源层的多晶硅TFT的漏电特性和均匀性,采用动态杂质吸除方法对MIC过程所残留的Ni进行了吸除.通过流程简化,采用6块版工艺,研制出125mmQVGA... 用化学法在非晶硅表面形成Ni源,经金属诱导晶化(MIC)得到了大晶粒碟型多晶硅.为改善以此材料作有源层的多晶硅TFT的漏电特性和均匀性,采用动态杂质吸除方法对MIC过程所残留的Ni进行了吸除.通过流程简化,采用6块版工艺,研制出125mmQVGA有源选址有机发光显示的多晶硅TFT选址矩阵基板. 展开更多
关键词 大晶粒 碟型多晶硅 薄膜晶体管 有机发光像素电路 有源选址矩阵
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ZnO薄膜对CIGS太阳电池性能的影响 被引量:6
7
作者 李伟 何青 +5 位作者 敖建平 刘芳芳 李凤岩 周志强 刘维一 孙云 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期419-425,共7页
采用交流磁控溅射制备高阻ZnO和直流溅射ZnO∶Al薄膜,研究几种溅射工艺条件与ZnO薄膜性能关系以及对铜铟镓硒(CIGS)光伏电池的影响。通过不同的工艺参数改变控制,得到了性能优良的ZnO薄膜,同时表明电池窗口层ZnO薄膜工艺参数对铜铟硒电... 采用交流磁控溅射制备高阻ZnO和直流溅射ZnO∶Al薄膜,研究几种溅射工艺条件与ZnO薄膜性能关系以及对铜铟镓硒(CIGS)光伏电池的影响。通过不同的工艺参数改变控制,得到了性能优良的ZnO薄膜,同时表明电池窗口层ZnO薄膜工艺参数对铜铟硒电池性能影响至关重要。尤其是ZnO薄膜的电阻率和迁移率,这两项指标的优化可以使电池的填充因子有10%以上的提高。不论是高阻ZnO还是低阻ZnO薄膜对电池的填充因子都有着重要的影响,采用优化工艺所制备的CIGS光伏电池窗口层ZnO薄膜以后,目前研制的电池转换效率已达到12 1%。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 太阳电池效率 性能 优化
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玻璃衬底上MIUC Poly-Si TFT显示驱动电路 被引量:5
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作者 吴春亚 孟志国 +6 位作者 李娟 马海英 赵淑云 刘建平 熊绍珍 郭海成 王文 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1349-1352,共4页
以高性能的金属诱导单一方向横向晶化多晶硅薄膜晶体管(MIUCpoly-SiTFT)为基础,研制出性能能满足AM-LCD和AM-OLED要求、版图和象素尺寸适配、制备工艺和象素电路兼容的多晶硅TFT行扫描和列驱动电路.该行扫描电路工作电压为3.5-10V;当工... 以高性能的金属诱导单一方向横向晶化多晶硅薄膜晶体管(MIUCpoly-SiTFT)为基础,研制出性能能满足AM-LCD和AM-OLED要求、版图和象素尺寸适配、制备工艺和象素电路兼容的多晶硅TFT行扫描和列驱动电路.该行扫描电路工作电压为3.5-10V;当工作电压为5V、负载电容为22pf时,下降沿约为150ns,上升沿约为205ns,最高工作频率在1MHz以上;列驱动电路工作电压为3.5-8V;当工作电压为5V、负载电容为22pf时,上升沿约为200ns,信号衰减率为15%(64μs扫描周期),最高工作频率达到4MHz.将该MIUCpoly-SiTFT多晶硅行扫描、列驱动电路和有源选址电路集成到同一基板上,制备出象素数为80×RGB×60、动态显示效果良好的全集成型LCD屏样品. 展开更多
关键词 金属诱导单一方向横向晶化 多晶硅薄膜晶体管 显示驱动电路 全集成显示
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Structural Characteristic of CdS Thin Films and Their Influences on Cu(In,Ga)Se_2(CIGS) Thin Film Solar Cells 被引量:4
9
作者 薛玉明 孙云 +3 位作者 何青 刘芳芳 李长键 汲明亮 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期225-229,共5页
Deposition and structural characteristics of cadmium sulfide (CdS) thin films by chemical bath deposition (CBD) technique from a bath containing thiourea,cadmium acetate,ammonium acetate and ammonia in an aqueous solu... Deposition and structural characteristics of cadmium sulfide (CdS) thin films by chemical bath deposition (CBD) technique from a bath containing thiourea,cadmium acetate,ammonium acetate and ammonia in an aqueous solution are reported.Researches are made on the influence of the fundamental parameters including pH,temperature,and concentrations of the solution involved in the chemical bath deposition of CdS and titration or dumping of the thiourea solution on the structure characteristic of CdS thin films.The pH of the solution plays a vital role on the characteristic of the CdS thin films.The XRD patterns show that the change in the pH of the solution results in the change in crystal phase from predominant hexagonal phase to predominant cubic phase.The CdS thin films with the two different crystal phases have different influences on CIGS thin film solar cells.The crystal mismatch and the interface state density of the c-CdS(cubic phase CdS) and CIGS are about 1 419% and 8 507×10 12cm -2 respectively,and those of the h-CdS(hexagonal phase CdS) and CIGS are about 32 297% and 2 792×10 12cm -2 respectively.It is necessary for high efficiency CIGS thin film solar cells to deposit the cubic phase CdS thin films. 展开更多
关键词 CDS CU(IN GA)SE2 cubic phase hexagonal phase
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铜铟镓硒薄膜太阳电池研究进展 被引量:3
10
作者 孙云 李长健 +2 位作者 李凤岩 敖建平 何青 《新材料产业》 2007年第7期24-27,I0003,共5页
发展低成本、新型薄膜太阳电池是未来国际光伏产业的必然趋势。材料的薄膜化是最具世界特色的先进技术,薄膜技术用于新型太阳电池制造,是廉价太阳电池技术发展的主要方向。
关键词 薄膜太阳电池 晶体硅太阳电池 光伏市场 市场需求 产业发展 电池产业 能源资源 生产工艺
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金属单向诱导横向晶化激光修饰多晶硅薄膜晶体管
11
作者 孟志国 王文 +4 位作者 吴春亚 李娟 郭海成 熊绍珍 张芳 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1794-1799,共6页
对采用金属诱导单一方向横向晶化(metalinducedunilaterallycrystallization,MIUC)并结合激光后退火技术,以提高多晶硅薄膜晶体管的性能,进行了深入研究.MIUC薄膜晶体管已具有良好的器件性能和均匀性,再加以三倍频YAG激光退火后的MIUC... 对采用金属诱导单一方向横向晶化(metalinducedunilaterallycrystallization,MIUC)并结合激光后退火技术,以提高多晶硅薄膜晶体管的性能,进行了深入研究.MIUC薄膜晶体管已具有良好的器件性能和均匀性,再加以三倍频YAG激光退火后的MIUC薄膜晶体管,其场效应迁移率则可提高近一倍.器件的多种性能和参数的均匀性与所用修饰性的激光处理条件密切相关,具有规律性,故而是可控的,这为工业化技术的掌控提供了基础. 展开更多
关键词 金属单向诱导横向晶化 多晶硅薄膜晶体管 三倍频YAG固体激光器 激光修饰
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HCI协议在嵌入式蓝牙系统中的应用
12
作者 李静 耿卫东 +1 位作者 赵东 孙仲林 《电子科技》 2002年第19期38-41,共4页
介绍了蓝牙技术中主控制器接口(HCI)协议及其在蓝牙系统中的应用。讨论了在点对点的嵌入式蓝牙系统中,实现串口通信时使用HCI命令对蓝牙硬件进行曲访问的方法,并给出了建立点对点蓝牙系统的例子。
关键词 HCI协议 嵌入式 蓝牙系统 应用 HOST
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用镍硅氧化物源横向诱导晶化的多晶硅薄膜 被引量:2
13
作者 刘召军 孟志国 +3 位作者 赵淑云 郭海成 吴春亚 熊绍珍 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期2775-2782,共8页
采用磁控溅射法,以镍硅合金为靶,制备了一种适用于金属诱导横向晶化的氧化物镍源——自缓释镍源.该镍源在内部构成和晶化现象上都不同于纯金属镍源.采用该镍源制备低温多晶硅材料,晶化速率不明显依赖于镍源薄膜的厚度,且晶化多晶硅膜内... 采用磁控溅射法,以镍硅合金为靶,制备了一种适用于金属诱导横向晶化的氧化物镍源——自缓释镍源.该镍源在内部构成和晶化现象上都不同于纯金属镍源.采用该镍源制备低温多晶硅材料,晶化速率不明显依赖于镍源薄膜的厚度,且晶化多晶硅膜内的残余镍量亦可有效降低,可为薄膜晶体管提供宽的工艺窗口.本文对用纯金属镍源所得多晶硅薄膜的晶化率、表面粗糙度、电学特性等与溅射条件的关系进行了研究,并对相应结果进行了讨论. 展开更多
关键词 自缓释 金属诱导横向晶化 多晶硅薄膜 低温制备与退火
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