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开发LSI DAC新品的技术综述 被引量：15
1
作者 成立 李彦旭 +2 位作者 李春明 刘斌 汪洋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期1-3,6,共4页
综述了应用集成运放构成大规模集成电路（ＬＳＩ）数－模转换器（ＤＡＣ）的一些关键性技术，并提出了改善ＤＡＣ性能－价格比的技术措施。
关键词 大规模集成电路 数-模转换器 性能-价格比
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三种改进结构型BiCMOS逻辑单元的研究 被引量：9
2
作者 成立 李春明 +2 位作者 高平 王振宇 史宜巧 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期486-492,共7页
为满足低压、高速、低耗数字系统的应用需求 ,通过采用改进电路结构和优化器件参数的方法 ,设计了三种改进结构型BiCMOS逻辑单元电路。实验结果表明 ,所设计电路不但具有确定的逻辑功能 ,而且获得了高速、低压、低耗和接近于全摆幅的特... 为满足低压、高速、低耗数字系统的应用需求 ,通过采用改进电路结构和优化器件参数的方法 ,设计了三种改进结构型BiCMOS逻辑单元电路。实验结果表明 ,所设计电路不但具有确定的逻辑功能 ,而且获得了高速、低压、低耗和接近于全摆幅的特性 ,它们的工作速度比高速CMOS和原有的互补对称BiCMOS(CBiCMOS)电路快约一倍 ,功耗在 6 0MHz频率下仅高出 1 4 9～ 1 71mW ,但延迟 功耗积却比原CBiCMOS电路平均降低了4 0 3%。 展开更多
关键词 双极互补金属氧化物半导体器件 超大规模集成电路 数字逻辑单元 改进结构型 输出逻辑摆幅 延迟一功耗积
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纳米CMOS器件中超浅结离子掺杂新技术 被引量：5
3
作者 成立 李春明 +1 位作者 王振宇 祝俊 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第9期30-34,44,共6页
综述了集成电路(IC)中制备纳米CMOS器件的几种超浅结离子掺杂新技术,包括等离子体浸没掺杂、投射式气体浸入激光掺杂、快速汽相掺杂和离子淋浴掺杂等新技术,并对比分析了这几种掺杂技术各自的优缺点及其应用前景。
关键词 集成电路 纳米CMOS器件 超浅结离子掺杂 等离子体浸没掺杂 投射式气体浸入激光掺杂 离子淋浴掺杂
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IC产业链中的新技术应用与产业发展对策 被引量：2
4
作者 成立 李春明 +1 位作者 王振宇 高平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期57-63,共7页
论述了IC产业链中包括的主要技术,例如芯片设计、芯片制造、芯片封装新技术和支撑条件等,并讨论了这些新技术及其产品的研发、应用和发展策略。
关键词 IC产业链 VLSI SOC 微细加工 发展对策
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