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AgInS_(2)量子点调控及其在WLED应用上的研究进展
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作者 刘汉语 谢志翔 +5 位作者 陈婷 董延茂 周兴 袁妍 吴海涛 陈勇号 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期2041-2051,2104,共12页
AgInS_(2)量子点是一种有趣的材料,其近红外带隙范围从1.87到1.98 eV,作为直接带隙半导体,它能通过调节Ag/In比例来调节带隙,它还具有较宽的PL峰和较大的Stokes位移,同时低毒环保的特性也使它成为有望替代含Cd、Hg和Pb等重金属元素的二... AgInS_(2)量子点是一种有趣的材料,其近红外带隙范围从1.87到1.98 eV,作为直接带隙半导体,它能通过调节Ag/In比例来调节带隙,它还具有较宽的PL峰和较大的Stokes位移,同时低毒环保的特性也使它成为有望替代含Cd、Hg和Pb等重金属元素的二元量子点的理想材料,在光电器件领域尤其在发光二极管中有着广泛的应用前景。本文详细阐述了AgInS_(2)量子点晶体结构和发光机制,总结了其合成方法的特点并综述了通过壳体工程和掺杂的方法对AgInS_(2)量子点进行调控的策略,最后介绍了该类量子点在发光二极管方面的应用进展。 展开更多
关键词 AgInS_(2) 量子点 合成 优化 WLED
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