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题名CMOS图像传感器的辐射实验
被引量：19
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作者
周彦平
王晓明
常国龙
汪黎黎
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机构
哈尔滨工业大学航天学院
国家led应用产品监督检验中心
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出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2011年第7期1270-1273,共4页
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基金
国家科技支撑计划(2009BAK58B03)
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文摘
为了考察商用CMOS图像传感器应用于空间的可行性,对进行了空间辐射环境模拟实验研究。实验采用60Co-γ辐射源模拟空间辐射环境,辐射最大剂量为5×104rad(Si),辐射速率为1 Gy/s。在辐照时,根据实验需要在CMOS两端加偏置电压或不加偏置电压,并采用在线和离线测量相结合的方法。实验结果表明:辐射初期各项性能指标变化不大,均匀度不变,暗电流略有增加,辐射停止一段时间后,性能下降较为明显,但经过较长时间退火后,性能渐趋稳定,且有一定恢复。研究表明:在采取一定防护措施后,商用CMOS像传感器可以应用在空间辐射环境中。
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关键词
CMOS图像传感器
总剂量效应
退火
Γ辐射
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Keywords
CMOS image sensor
total dose effect
annealing
γ radiation
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分类号
TN929.13
[电子电信—通信与信息系统]
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