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6-30keV B^+、C^+、N^+、O^+与H_2碰撞单电子剥离的实验研究
1
作者 施伟 吴松茂 +4 位作者 王志刚 顾健 闫冰 陆福全 杨福家 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第6期321-324,共4页
用增长率方法首次测量了6－30keVB+、C+、N+、O2与H2碰撞的单电子剥离截面，给出的B+和C+的6－30keV能区截面随离子能量的变化趋势与已有的100－2500keV能区截面的变化趋势衔接得很好。根据截面随入射离子能量和核电荷数的变化，对碰撞... 用增长率方法首次测量了6－30keVB+、C+、N+、O2与H2碰撞的单电子剥离截面，给出的B+和C+的6－30keV能区截面随离子能量的变化趋势与已有的100－2500keV能区截面的变化趋势衔接得很好。根据截面随入射离子能量和核电荷数的变化，对碰撞机理作了初步分析。B+、N+、O+与H2碰撞的单电子剥离截面的变化规律由分子轨道模型得到很好的解释。 展开更多
关键词 电子剥离截面 低能 增长率 氢分子 等离子体
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SiGe／Si量子阱结构材料的激子发光谱 被引量：4
2
作者 黄大鸣 杨敏 +4 位作者 盛篪 卢学坤 龚大卫 张翔九 王迅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第3期213-216,共4页
在用分子束外延生长的ＳｉＧｅ／Ｓｉ多量子阱结构中，观察到激子发光光谱，从无声子参与的或ＴＯ－声子参与的激子发光峰位能量，计算了量子阱中合金的组份，并与通过Ｘ－射线衍射谱得到的结果作了比较，发现在Ｇｅ的组份比较小时，利... 在用分子束外延生长的ＳｉＧｅ／Ｓｉ多量子阱结构中，观察到激子发光光谱，从无声子参与的或ＴＯ－声子参与的激子发光峰位能量，计算了量子阱中合金的组份，并与通过Ｘ－射线衍射谱得到的结果作了比较，发现在Ｇｅ的组份比较小时，利用激子发光峰位能量确定合金组份比利用Ｘ－射线衍射谱更为方便和精确． 展开更多
关键词 SIGE/SI 量子阱 激子 发光谱
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用脉冲腐蚀制备发光多孔硅 被引量：7
3
作者 范洪雷 侯晓远 +3 位作者 李喆深 张甫龙 俞鸣人 王迅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第2期113-117,共5页
采用脉冲腐蚀方法，研究多孔硅的动态腐蚀过程，测定了动态电流和时间的关系，提出并讨论了动态腐蚀机理．用脉冲腐蚀制备得到发光多孔硅，与直流腐蚀相比较，脉冲腐蚀能得到均匀性更好、发光更强的多孔硅，而且ＰＬ峰位有一定的蓝移，... 采用脉冲腐蚀方法，研究多孔硅的动态腐蚀过程，测定了动态电流和时间的关系，提出并讨论了动态腐蚀机理．用脉冲腐蚀制备得到发光多孔硅，与直流腐蚀相比较，脉冲腐蚀能得到均匀性更好、发光更强的多孔硅，而且ＰＬ峰位有一定的蓝移，我们认为脉冲腐蚀是一种更优秀的制备方法，并对此作了初步的讨论． 展开更多
关键词 发光多孔硅 脉冲腐蚀 多孔硅 制备
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结区中存在量子阱结构样品的C－V特性分析 被引量：3
4
作者 陆昉 王勤华 +2 位作者 王建宝 蒋家禹 孙恒慧 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第4期245-251,共7页
对不同组分、阱宽和垒宽的锗硅单量子阱和多量子阶样品的Ｃ－Ｖ特性及其与温度的关系进行了测量，并用数值方法解油松方程模拟计算了单量子阱样品的Ｃ－Ｖ特性及其Ｃ－Ｖ载流于浓度分布．实验和模拟计算的结果均表明，Ｃ－Ｖ载流子浓度... 对不同组分、阱宽和垒宽的锗硅单量子阱和多量子阶样品的Ｃ－Ｖ特性及其与温度的关系进行了测量，并用数值方法解油松方程模拟计算了单量子阱样品的Ｃ－Ｖ特性及其Ｃ－Ｖ载流于浓度分布．实验和模拟计算的结果均表明，Ｃ－Ｖ载流子浓度分布在量子阱位置有一个浓度较高的峰值，它反映了被限制在阱中的载流子的积累，峰高随着量子阶异质界面的能带偏移的增加而增加．低温时由于阱中载流子的热发射几率变小，阱中载流于浓度的变化跟不上测试电压的频率，造成电容值显著变小． 展开更多
关键词 量子阱结构 C-V特性 半导体材料
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光电流瞬态谱中半绝缘砷化镓的EL2峰的研究 被引量：2
5
作者 龚大卫 孙恒慧 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第11期659-663,共5页
本文用加栅的光电流瞬态谱(PICTS)方法研究了半绝缘砷化镓材料中的深能级缺陷,发现加栅后可使PICTS对EL2等靠近禁带中央的缺陷变得灵敏,并分析了其中原因,认为材料中费米能级位置对PICTS结果有影响。
关键词 砷化镓 光电流 瞬态谱
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用激光衍射测量群体微粒尺寸分布的计算机模拟和拟合 被引量：2
6
作者 应萱同 《计算物理》 CSCD 北大核心 1996年第2期190-194,共5页
介绍了群体微粒激光衍射现象的原理,建立了相应的数学模型;报导了相应的计算机模拟和最小二乘法拟合结果,以确定群体微粒的尺寸分布。
关键词 激光 衍射 微粒 计算机模拟 曲线拟合
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低真空中SPIG性能的蒙特卡罗模拟研究 被引量：2
7
作者 徐洪杰 和田道治 片山一郎 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第9期513-521,共9页
应用蒙特卡罗技术对低真空中六极离子导向器（简称ＳＰＩＧ）的性能进行了计算机模拟研究．模拟计算跟踪每个离子的轨迹直至它逃离感兴趣的区域或达到终点．离子在低真空六极射频电场中受到来自电场和剩余气体两方面的作用力，这两个力... 应用蒙特卡罗技术对低真空中六极离子导向器（简称ＳＰＩＧ）的性能进行了计算机模拟研究．模拟计算跟踪每个离子的轨迹直至它逃离感兴趣的区域或达到终点．离子在低真空六极射频电场中受到来自电场和剩余气体两方面的作用力，这两个力对离子的运动影响在模拟中分开计算．前者用龙格－库塔（Ｒｕｎｇｅ－Ｋｕｔｔａ）方法求解运动微分方程，后者体现为离子与气体分子之间的两体碰撞，ＲＳ模型和ＭＳＷ模型用于计算碰撞过程．并对两个模型的优劣进行了比较和讨论．模拟计算得到下述结果：传输效率大于９５％，ＳＰＩＧ输出的离子束流的能量弥散小于１．０ｅＶ。束流的空间弥散小于１ｍｍ，以及离子在ＳＰＩＧ中的快速冷却效应．结果显示了ＳＰＩＧ在低真空条件下是一种有效的离子传输、聚焦和冷却方法．实验研究证实了上述的大部分计算结果．对上述蒙特卡罗模拟研究中所涉及的物理原理、计算方法以及对物理问题所作的近似和简化也进行了详细的讨论。 展开更多
关键词 蒙特卡罗模拟 低真空 六极离子导向器
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辐射在相对论等离子体中非相干散射的结构因子 被引量：1
8
作者 陆全康 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 1994年第4期29-33,共5页
等离子体中粒子关联效应使辐射在等离子体内非相干散射的总截面等于汤姆逊截面乘上结构因子。本文给出辐射在相对论等离子体中非相干散射的结构因子。
关键词 关联函数 散射结构因子 等离子体 相对论 辐射
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GaAlAs薄膜和GaAs的热微分反射光谱
9
作者 戴宁 冯金福 +4 位作者 张雷 陈良尧 陆卫 刘兴权 仲嘉林 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第7期552-556,共5页
本文描述利用光扫描和外加温度梯度获得热微分反射光谱的方法，以及用这种方法研究ＧａＡｌＡｓ薄膜和ＧａＡｓ体材料的结果．热微分反射光谱显示了材料在一定波长范围内所有的临界点结构，这些结构主要由临界点能量随温度的变化所引起... 本文描述利用光扫描和外加温度梯度获得热微分反射光谱的方法，以及用这种方法研究ＧａＡｌＡｓ薄膜和ＧａＡｓ体材料的结果．热微分反射光谱显示了材料在一定波长范围内所有的临界点结构，这些结构主要由临界点能量随温度的变化所引起．研究表明这种微分光谱具有简单易行，不破坏样品等特点，并且对研究较薄的材料显示了很高的灵敏度． 展开更多
关键词 半导体 砷化镓 热微分反射光谱 镓铝砷
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重掺硼的分子束外延硅的喇曼光谱研究
10
作者 王建宝 袁健 +3 位作者 杨敏 黄大鸣 陆方 孙恒慧 《应用科学学报》 CAS CSCD 1995年第4期413-418,共6页
研究了重掺硼分子束外延硅的载流子浓度对喇曼光谱线型的影响。以单声子态和准连续电子激发态之间的Ｆａｎｏ相互作用理论为基础，对实验结果进行了讨论和拟合。由拟合得到的喇曼光谱的半峰宽、峰移、峰高和不对称因子等各参数之间的关... 研究了重掺硼分子束外延硅的载流子浓度对喇曼光谱线型的影响。以单声子态和准连续电子激发态之间的Ｆａｎｏ相互作用理论为基础，对实验结果进行了讨论和拟合。由拟合得到的喇曼光谱的半峰宽、峰移、峰高和不对称因子等各参数之间的关系式，结合霍耳效应测量，得到了喇曼光谱的半峰宽Г同自由载流子浓度ｐ之间的关系曲线为Ｔ＝２．５４ｐ￣０．４０８，其中Г，ｐ分别是以ｃｍ￣（－１）和１０￣１９ｃｍ￣（－３）为单位。提供了用喇曼光谱测量重掺硼分子束外延材料自由载流子浓度的测量的定标曲线。 展开更多
关键词 掺硼 硅 散射谱 分子束外延
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热氧化SiO_2薄膜注C^+后的光致发光 被引量：1
11
作者 廖良生 侯晓远 《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》 1997年第5期625-628,共4页
硅是最重要的半导体材料。为了实现硅基光电子集成,硅基发光材料的研究正日益受到重视。近年来,人们开始把硅表面上的热氧化SiO_2薄膜作为一种发光材料来加以研究。这是因为它的制备与现行硅平面工艺完全兼容,并且在硅集成电路中作为介... 硅是最重要的半导体材料。为了实现硅基光电子集成,硅基发光材料的研究正日益受到重视。近年来,人们开始把硅表面上的热氧化SiO_2薄膜作为一种发光材料来加以研究。这是因为它的制备与现行硅平面工艺完全兼容,并且在硅集成电路中作为介质膜和掩蔽膜已有广泛应用。一旦能用SiO_2薄膜制作有源发光器件,那么硅基光电子集成就比较容易实现。制作SiO_2薄膜发光材料的主要思想是采用不同方法在SiO_2薄膜中嵌入纳米半导体晶粒。 展开更多
关键词 离子注入 热氧化 二氧化硅 薄膜 光致发光
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一种测量薄膜磁性的表面磁光克尔效应装置 被引量：6
12
作者 朱伟荣 董国胜 +3 位作者 陈艳 金晓峰 钱世雄 陈良尧 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1997年第4期243-246,共4页
介绍表面磁光克尔效应谱（SMOKE）的一种新方案。通过适当分光并测量信号束和参考束的光强比，可以明显改善由于激光的光强不稳造成的误差，还使得随机偏振激光器也能用于SMOKE装置。同时该方案中没有采用信号调制，因此对探测器等硬件... 介绍表面磁光克尔效应谱（SMOKE）的一种新方案。通过适当分光并测量信号束和参考束的光强比，可以明显改善由于激光的光强不稳造成的误差，还使得随机偏振激光器也能用于SMOKE装置。同时该方案中没有采用信号调制，因此对探测器等硬件要求很低。实验结果表明，采用光强稳定度为5％的普通国产He－Ne随机偏振激光器，其测量灵敏度能够达到目前国际上通常用于超薄膜磁性测量的SMOKE的同类水平。 展开更多
关键词 磁光克尔效应 磁性 薄膜 SMOKE
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GaAs表面的室温光致氮化 被引量：1
13
作者 徐前江 丁训民 侯晓远 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第9期721-724,共4页
在纯氮气体起辉放电产生的紫外光的激励下，到达ＧａＡｓ表面的Ｎ２会离解并和Ｇａ、Ａｓ原子成键，Ｘ射线光电子能谱测量结果证实了这一设想．
关键词 砷化镓 半导体表面 光致氮化 室温
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离子能量的快离子激光光谱学方法校刻
14
作者 李勇 施伟 +3 位作者 马洪良 闫冰 方渡飞 杨福家 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期203-206,共4页
对离子能量进行校刻的快离子激光光谱学方法利用多普勒效应把离子能量与离子的共振激发联系起来。可应用于１ｅＶ－１００ＭｅＶ能区。在几十ｋｅＶ的范围内，测量准确度优于２×１０－３。用这种方法校刻了１４４Ｎｄ＋的能量。
关键词 离子能量 共线 快离子激光光谱 加速器
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Mn／GaAs（100）界面磁性的光电子能谱研究
15
作者 张明 董国胜 +2 位作者 朱兴国 徐敏 金晓峰 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第2期81-86,共6页
利用Ｘ光电子谱（ＸＰＳ）和紫外光电子谱（ＵＰＳ），对室温下Ｍｎ在ＧａＡｓ（１００）清洁表面淀积后的电子结构进行了研究．实验结果表明，当锰的覆盖度θ≤θｃ（θｃ≈０．２５ｎｍ）时，界面体系是半导体性的；而当θ＞θｃ时，... 利用Ｘ光电子谱（ＸＰＳ）和紫外光电子谱（ＵＰＳ），对室温下Ｍｎ在ＧａＡｓ（１００）清洁表面淀积后的电子结构进行了研究．实验结果表明，当锰的覆盖度θ≤θｃ（θｃ≈０．２５ｎｍ）时，界面体系是半导体性的；而当θ＞θｃ时，界面表现出金属性．我们认为这是铁磁交换积分导致３ｄ能带分裂的结果．另外，从Ｍｎ３ｓ芯能级的多重分裂来看，至少从θ＞０．４ｎｍ开始，Ｍｎ的原子局域磁矩大小就不再变化． 展开更多
关键词 锰 砷化镓 界面 磁性 光电子能谱 电子结构
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锗硅量子阱异质界面附近缺陷研究
16
作者 王勤华 陆昉 +2 位作者 龚大卫 王建宝 孙恒慧 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第12期905-908,共4页
用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了量子阱样品价中载流子的热发射和异质界面附近的深能级缺陷，得到Ｓｉ０．６７Ｇｅ０．３３／Ｓｉ单量子样品的能带偏移为０．２４ｅＶ．量子阱异质界面附近高浓度的深能级缺陷在样品的ＤＬＴＳ谱上形... 用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了量子阱样品价中载流子的热发射和异质界面附近的深能级缺陷，得到Ｓｉ０．６７Ｇｅ０．３３／Ｓｉ单量子样品的能带偏移为０．２４ｅＶ．量子阱异质界面附近高浓度的深能级缺陷在样品的ＤＬＴＳ谱上形成一少于峰，该信号只有当测量的脉冲宽度足够大时才能检测到．对比不；司组分相同结构的多量子阱样品发现，组分大时异质界面的深能级缺陷浓度大，因此它可能是失配应变或位错引起的．相应的光致发光谱（ＰＬ）测试结果表明该深能级缺陷还会导致ＰＬ谱中合金层的带边激子峰的湮灭． 展开更多
关键词 锗硅合金 量子阱 异质界面 缺陷 半导体
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表面稳定模式铁电液晶的电光特性测试
17
作者 沈浩 周学武 +2 位作者 冯大增 肖胜安 徐克涛 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 1994年第3期21-23,共3页
采用一种改进的高分子膜摩擦定向法成功地实现了表面稳定模式铁电液晶的光学双稳态，对比度大于１４０，响应时间达１００微秒。
关键词 表面稳定 铁电液晶 电光性 测试
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计算机模拟在高能背散射分析中的应用
18
作者 周颖耀 周筑颖 赵国庆 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第8期463-470,共8页
系统总结了计算机模拟方法在高能背散射分析中的多种应用。通过应用测得的高能背散射截面数据，更新了ＲＵＭＰ程序的高能区数据库，将其扩展到高能背散射分析之中。文章除了通过实例阐明模拟方法的优势所在之外，还以４Ｈｅ－１２Ｃ背... 系统总结了计算机模拟方法在高能背散射分析中的多种应用。通过应用测得的高能背散射截面数据，更新了ＲＵＭＰ程序的高能区数据库，将其扩展到高能背散射分析之中。文章除了通过实例阐明模拟方法的优势所在之外，还以４Ｈｅ－１２Ｃ背散射为例，说明了可以借助计算机模拟快速确定非卢瑟福背散射截面． 展开更多
关键词 计算机模拟 高能背散射 散射截面
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薄膜物理及其应用讲座 第七讲 铁电薄膜神经元器件
19
作者 陆昉 王讯 《物理》 CAS 北大核心 1995年第9期564-568,共5页
在分析大脑神经元细胞的工作原理基础上，得出了在人工神经网络中的神经元器件应具有的特点，并介绍了硅基铁电薄膜神经元器件的模型及原理。该器件利用铁电薄膜具有随外加脉冲电压而改变的自极化状态，来调制半导体表面的电阻，以达到... 在分析大脑神经元细胞的工作原理基础上，得出了在人工神经网络中的神经元器件应具有的特点，并介绍了硅基铁电薄膜神经元器件的模型及原理。该器件利用铁电薄膜具有随外加脉冲电压而改变的自极化状态，来调制半导体表面的电阻，以达到不同状态输出的目的。 展开更多
关键词 神经网络 神经元器件 铁电薄膜
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电场作用下高分子中自陷束缚激子的极化 被引量：17
20
作者 傅柔励 叶红娟 +4 位作者 李蕾 傅荣堂 缪健 孙鑫 张志林 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期94-101,共8页
用同时计入电场、对称破缺项ｔｅ和电子晶格相互作用的紧束缚模型研究了电场作用下高分子中的自陷束缚激子．发现电场使高分子中自陷束缚激子内电荷发生转移，出现极化．极化程度随场强增加，也与ｔｅ有关．并发现ｔｅ≤０．１ｅＶ时... 用同时计入电场、对称破缺项ｔｅ和电子晶格相互作用的紧束缚模型研究了电场作用下高分子中的自陷束缚激子．发现电场使高分子中自陷束缚激子内电荷发生转移，出现极化．极化程度随场强增加，也与ｔｅ有关．并发现ｔｅ≤０．１ｅＶ时，双激子态表现出反向极化特性，这一特性可根据极化的量子力学理论得到理解：对高分子的自陷束缚激子，其禁带中央附近存在两个靠得很近的定域电子态即上定域态和下定域态，用微扰论说明了上定域态是反向极化而下定域态为正向极化；双激子态即上定域态被占而下定域态空着，当ｔｅ不大时，双激子态的极化就是反向的． 展开更多
关键词 电致发光器件 电场 高分子 自陷束缚 激子 极化
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