期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到311篇文章
< 1 2 … 16 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
先进电子器件封装中键合引线的电磁特性 被引量：2
1
作者 左盼盼 王蒙军 +1 位作者 郑宏兴 李尔平 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第5期390-394,共5页
通过仿真键合引线不同拱高、直径和数量对回波损耗的影响,探究了高频下先进封装结构中典型键合引线的电磁特性,以指导其优化设计。结合其电磁全波仿真模型建模,提出了改进的"T"型等效电路并解释了相关现象和结论。仿真结果表... 通过仿真键合引线不同拱高、直径和数量对回波损耗的影响,探究了高频下先进封装结构中典型键合引线的电磁特性,以指导其优化设计。结合其电磁全波仿真模型建模,提出了改进的"T"型等效电路并解释了相关现象和结论。仿真结果表明,相比直径为25μm的键合引线,75μm的同类引线在6.8 GHz处可将回波损耗改善近10 dB;拱高为0.15 mm的键合引线比0.35 mm的键合引线在7.4 GHz处可将回波损耗改善约12.3 dB;采用三根线并联的连接方式相比单根的成本较高,但在全频段回波损耗均可得到改善。最后研究了芯片堆叠结构中键合引线不同连接方式的电磁特性,结果表明,转接式相比直连式具有更好的传输特性和较低的电磁干扰。 展开更多
关键词 键合引线 全波仿真 回波损耗 电磁干扰 堆叠结构
原文传递
半导体材料CMP过程中磨料的研究进展 被引量：4
2
作者 何潮 牛新环 +4 位作者 刘江皓 占妮 邹毅达 董常鑫 李鑫杰 《微纳电子技术》 CAS 2024年第1期21-34,共14页
对磨料在半导体材料化学机械抛光(CMP)中的应用和研究进展进行了简单阐述,从各代半导体材料制成半导体器件的加工要求介绍了磨料在半导体材料CMP中的重要性,从CMP过程中磨料与半导体材料的相互作用介绍了磨料在半导体材料CMP中的环保性... 对磨料在半导体材料化学机械抛光(CMP)中的应用和研究进展进行了简单阐述,从各代半导体材料制成半导体器件的加工要求介绍了磨料在半导体材料CMP中的重要性,从CMP过程中磨料与半导体材料的相互作用介绍了磨料在半导体材料CMP中的环保性,从磨料的改性和制备介绍了磨料在半导体材料CMP中应用的限制性,重点从半导体材料的去除速率和表面质量介绍了磨料对半导体材料抛光性能的影响,并对国内外研究中单一磨料、混合磨料和复合磨料对半导体材料抛光性能的影响进行了评述,总结了近年来磨料在半导体材料CMP中的研究进展。最后,对磨料在半导体材料CMP中存在的共性问题进行了总结,并对该领域所面临的挑战及发展方向进行了展望。 展开更多
关键词 化学机械抛光(CMP) 抛光性能 磨料 去除速率 表面质量
原文传递
石墨烯-金纳米材料修饰电极用于L-酪氨酸的检测
3
作者 马勤政 王伟 梁旭婷 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期10-18,共9页
采用一种绿色简单的电化学方法将还原氧化石墨烯-金纳米复合薄膜共沉积到玻碳电极(GCE)上,作为传感器用于L-酪氨酸(L-Tyr)的检测.采用扫描电子显微镜(SEM)、循环伏安法(CV)和电化学阻抗谱(EIS)对修饰电极进行了表征.采用差分脉冲伏安法(... 采用一种绿色简单的电化学方法将还原氧化石墨烯-金纳米复合薄膜共沉积到玻碳电极(GCE)上,作为传感器用于L-酪氨酸(L-Tyr)的检测.采用扫描电子显微镜(SEM)、循环伏安法(CV)和电化学阻抗谱(EIS)对修饰电极进行了表征.采用差分脉冲伏安法(DPV)研究了0.1 mol/L磷酸盐缓冲溶液中L-Tyr在修饰电极上的电化学行为,发现L-Tyr在修饰电极上的伏安响应比裸GCE明显提高.对复合薄膜的厚度、支撑电解质的p H值、沉积电位和积累时间进行了优化;在最佳实验条件下, L-Tyr的氧化峰电流在0.1~50μmol/L及50~1000μmol/L浓度范围内呈现良好的线性关系.该传感器的检出限为50 nmol/L,灵敏度为0.553μA·μmol·L^(-1),具有良好的重复性、稳定性和抗干扰性. 展开更多
关键词 电化学 还原氧化石墨烯 金纳米粒子 共沉积 L-Tyr传感器
下载PDF
CMP抛光垫表面及材料特性对抛光效果影响的研究进展
4
作者 梁斌 高宝红 +4 位作者 刘鸣瑜 霍金向 李雯浩宇 贺斌 董延伟 《微纳电子技术》 CAS 2024年第4期38-48,共11页
对化学机械抛光(CMP)工艺中的抛光垫特性、劣化以及修整进行了简单阐述,重点先从抛光垫表面特性(抛光垫表面微形貌、微孔及抛光垫的结构、表面沟槽纹理的形状、微凸体的分布)和材质特性(硬度、弹性模量和化学性能)入手,对近年来国内外... 对化学机械抛光(CMP)工艺中的抛光垫特性、劣化以及修整进行了简单阐述,重点先从抛光垫表面特性(抛光垫表面微形貌、微孔及抛光垫的结构、表面沟槽纹理的形状、微凸体的分布)和材质特性(硬度、弹性模量和化学性能)入手,对近年来国内外的实验研究与理论模拟分析两方面进行了概括,总结了目前各个特性参数对抛光垫性能以及对CMP过程影响的进展,此外,从机械磨损和化学腐蚀两方面对抛光垫的劣化机理进行简要分析。随后,为进一步探究抛光垫修整对抛光性能影响,对抛光垫的两种修整方式和修整参数对修整的效果进行了归纳,介绍了几种新型自修整材料。最后,指出了抛光垫特性和修整在发展现状中存在的问题,未来抛光垫的发展趋势将逐渐走向创新化、智能化、理论化以及应用集成化。 展开更多
关键词 化学机械抛光(CMP) 抛光垫 表面特性 材质特性 修整
原文传递
电子胶囊的柔性天线技术研究进展 被引量：1
5
作者 王蒙军 蔡露露 +1 位作者 郑宏兴 杨泽 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2017年第4期9-14,共6页
天线是实现人体内部无线胶囊内窥镜系统与外界无线通信的重要部件。由于人体内部组织结构复杂,具有高介电常数、高损耗等特性,因此对天线有严格的要求。本文对用于胶囊的柔性天线各方面研究作了总结性探讨,首先介绍了实现柔性天线小型... 天线是实现人体内部无线胶囊内窥镜系统与外界无线通信的重要部件。由于人体内部组织结构复杂,具有高介电常数、高损耗等特性,因此对天线有严格的要求。本文对用于胶囊的柔性天线各方面研究作了总结性探讨,首先介绍了实现柔性天线小型化的一些方法,如应用超材料、延长电流有效路径、加载容性或感性负载等;然后从天线带宽、辐射模式、人体安全等方面对柔性电子胶囊天线特性进行了总结。 展开更多
关键词 电子胶囊 柔性天线 综述 天线小型化 带宽 辐射模式 人体比吸收率(SAR)
下载PDF
集成电路CMP中金属腐蚀复配缓蚀剂的研究进展
6
作者 武峥 牛新环 +4 位作者 何潮 董常鑫 李鑫杰 胡槟 李佳辉 《半导体技术》 CAS 北大核心 2025年第1期1-9,共9页
在化学机械抛光(CMP)过程中,集成电路金属多层布线因受抛光液中化学试剂的腐蚀而经常导致表面缺陷的出现。将两种及以上能够产生协同缓蚀效果的化学试剂复配可以得到较单一试剂更强的缓蚀性能。介绍了多试剂协同腐蚀抑制的机理,总结了... 在化学机械抛光(CMP)过程中,集成电路金属多层布线因受抛光液中化学试剂的腐蚀而经常导致表面缺陷的出现。将两种及以上能够产生协同缓蚀效果的化学试剂复配可以得到较单一试剂更强的缓蚀性能。介绍了多试剂协同腐蚀抑制的机理,总结了国内外多试剂协同中两种缓蚀剂、表面活性剂与缓蚀剂、两种表面活性剂的复配协同在集成电路CMP金属腐蚀抑制应用中的研究进展,并延伸到碳钢金属等防腐领域,最后对CMP领域中多试剂协同抑制的发展进行了展望。 展开更多
关键词 缓蚀剂 表面活性剂 化学机械抛光(CMP) 协同作用 金属腐蚀抑制
原文传递
二乙烯三胺对硅片化学机械抛光速率的影响
7
作者 杨啸 王辰伟 +4 位作者 王雪洁 王海英 张新颖 杨云点 盛媛慧 《润滑与密封》 北大核心 2025年第1期138-143,共6页
为提高硅衬底化学机械抛光(CMP)的去除速率,在硅衬底抛光液中添加哌嗪(PZ)、二乙烯三胺(DETA)、三乙烯四胺(TETA)、乙醇胺(MEA)4种胺类化合物,对比其对硅片抛光速率促进效果。结果表明,4种胺类化合物对硅片抛光速率的促进作用由高到低... 为提高硅衬底化学机械抛光(CMP)的去除速率,在硅衬底抛光液中添加哌嗪(PZ)、二乙烯三胺(DETA)、三乙烯四胺(TETA)、乙醇胺(MEA)4种胺类化合物,对比其对硅片抛光速率促进效果。结果表明,4种胺类化合物对硅片抛光速率的促进作用由高到低依次为DETA、TETA、MEA、PZ;当抛光液pH值为10.5,DETA质量分数为0.25%时,硅片的抛光速率高达1 036 nm/min。为揭示DETA促进硅片CMP速率的机制,对添加DETA的抛光液进行接触角、Zeta电位测试及光电子能谱(XPS)分析。结果发现,DETA一方面促进了硅片表面水解形成Si-OH基团,另一方面降低了抛光液中硅溶胶磨料与硅片表面的静电斥力,增强了机械摩擦作用;DETA氨基上的氮原子与硅片表面的硅原子形成N-Si键,N-Si键的形成导致硅片表面Si-Si键极化,极化的Si-Si键更容易被抛光液中的溶解氧氧化,最后氧化物在摩擦力的作用下被脱离硅片表面。 展开更多
关键词 化学机械抛光 抛光液 二乙烯三胺 硅衬底 抛光速率
下载PDF
俄歇复合、电子泄漏和空穴注入对深紫外发光二极管效率衰退的影响 被引量：5
8
作者 王玮东 楚春双 +3 位作者 张丹扬 毕文刚 张勇辉 张紫辉 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第7期897-903,共7页
研究了俄歇复合、电子泄漏和空穴注入对深紫外发光二极管(DUV LED)效率衰退的影响。结果表明,当俄歇复合系数从10^(-32) cm^(6)·s^(-1)增大到10^(-30) cm^(6)·s^(-1)时,俄歇复合对效率衰退的影响很小。当俄歇复合系数增大到10... 研究了俄歇复合、电子泄漏和空穴注入对深紫外发光二极管(DUV LED)效率衰退的影响。结果表明,当俄歇复合系数从10^(-32) cm^(6)·s^(-1)增大到10^(-30) cm^(6)·s^(-1)时,俄歇复合对效率衰退的影响很小。当俄歇复合系数增大到10^(-29) cm^(6)·s^(-1)时,俄歇复合对效率衰退有显著的影响。然而,对于AlGaN材料而言,俄歇复合系数很难达到10^(-29) cm^(6)·s^(-1)。此外,本研究还发现,即使设置的俄歇复合系数等于10^(-32) cm^(6)·s^(-1),DUV LED的效率衰退依旧随着电子泄漏的增加而增大。因此,这进一步证明了电子泄漏是导致DUV LED效率衰退的主要因素。此外,本工作还证明了空穴注入效率的提高可以有效地抑制DUV LED的效率衰退问题,这主要是由于更多的电子与空穴在量子阱中复合产生了光子,降低了电子从有源区中泄漏的几率。 展开更多
关键词 深紫外发光二极管 俄歇复合 电子泄漏 空穴注入 效率衰退
下载PDF
抑制剂在铜表面吸附机理的实验与理论研究进展 被引量：3
9
作者 李伟 檀柏梅 +4 位作者 马腾达 纪金伯 闫妹 张诗浩 王亚珍 《电镀与涂饰》 CAS 北大核心 2021年第21期1637-1645,共9页
简述了近年来腐蚀抑制剂在Cu互连化学机械抛光(CMP)中的应用研究进展,分析了包括电化学、光谱学以及密度泛函理论与分子动力学计算等实验和理论手段在抑制机理研究中的应用。展望了Cu互连CMP中腐蚀抑制研究的趋势。
关键词 铜互连 化学机械化抛光 腐蚀抑制剂 密度泛函理论 分子动力学 综述
下载PDF
WO_3与CH_3NH_3PbI_3钙钛矿制备的敏感器件的敏感特性 被引量：1
10
作者 金慧娇 李彦 +2 位作者 曾艳 花中秋 田汉民 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第2期101-106,共6页
光激发改变半导体载流子的浓度是气敏传感器研究的一个重要方向。目前研究主要采用的光谱为紫外光,最为常见的可见光却没有得到应用。通过溶胶-凝胶法制备出WO3纳米粉末与CH_3NH_3PbI_3钙钛矿前驱液,并利用二者制备得到对可见光敏感的... 光激发改变半导体载流子的浓度是气敏传感器研究的一个重要方向。目前研究主要采用的光谱为紫外光,最为常见的可见光却没有得到应用。通过溶胶-凝胶法制备出WO3纳米粉末与CH_3NH_3PbI_3钙钛矿前驱液,并利用二者制备得到对可见光敏感的气敏传感器,得出其在还原性气体NH3中的气敏特性。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)以及紫外光可见光光分度计对WO_3纳米粉末和CH_3NH_3PbI_3钙钛矿进行表征,利用自制的动态配气装置对器件的气敏特性进行测试,得出该新型气敏传感器在NH_3中的灵敏度相比纯的WO_3气敏传感器的灵敏度有所提高,并且这种传感器还具有较好的光敏特性,表明其具有潜在应用前景。 展开更多
关键词 CH3NH3PbI3钙钛矿 WO3纳米粉末 气敏传感器 氨气 光敏性
原文传递
AlGaInP材料在高效多结太阳电池中的应用
11
作者 张启明 张保国 +5 位作者 孙强 方亮 王赫 杨盛华 张礼 罗超 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第7期481-488,522,共9页
AlGaInP材料在III-V族化合物半导体中具有较高的带隙,是制备高效多结太阳电池中顶电池的理想材料之一。然而,在其金属有机气相外延（MOVPE）生长过程中的氧污染会形成深能级陷阱,这是影响材料质量的主要因素。探讨了影响AlGaInP材料带... AlGaInP材料在III-V族化合物半导体中具有较高的带隙,是制备高效多结太阳电池中顶电池的理想材料之一。然而,在其金属有机气相外延（MOVPE）生长过程中的氧污染会形成深能级陷阱,这是影响材料质量的主要因素。探讨了影响AlGaInP材料带隙的几种工艺参数,包括Al含量、衬底偏角和生长温度。讨论了通过优化材料外延生长工艺和改进太阳电池结构,获得高质量AlGaInP子电池的几种技术途径,包括提高生长温度、生长速率和磷烷体积流量,以及采用Se作为发射区的n型掺杂剂和GaInP/AlGaInP异质结构。介绍了近年来AlGaInP材料在高效多结太阳电池领域的研究进展,包括正向晶格失配太阳电池、反向晶格失配太阳电池和半导体直接键合太阳电池,并对其未来的发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 ALGAINP 氧污染 金属有机气相外延(MOVPE) 多结太阳电池 晶格失配 半导体直接键合
原文传递
分层提取匹配印刷电路板元器件缺陷检测 被引量：13
12
作者 赵翔宇 周亚同 +2 位作者 何峰 王帅 张忠伟 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2018年第8期84-89,共6页
文中提出了一种基于数学形态学与种子填充相结合的分层提取匹配算法,检测印刷电路板(PCB)中的贴片电阻和电容丢失与立碑、集成电路(IC)芯片丢失与极性错误等缺陷。算法分为PCB图像预处理、分层提取、模板分类匹配3部分。算法的关键在于... 文中提出了一种基于数学形态学与种子填充相结合的分层提取匹配算法,检测印刷电路板(PCB)中的贴片电阻和电容丢失与立碑、集成电路(IC)芯片丢失与极性错误等缺陷。算法分为PCB图像预处理、分层提取、模板分类匹配3部分。算法的关键在于消除无关信息干扰并通过种子填充算法对各类元器件进行分层提取,然后将不同元器件分别进行基于单链表的模板分类匹配。本算法在检测长度为19 cm、宽度为13.5 cm的PCB样本时,在确保精度为0.1 mm以上的情况下最快检测速度可以达到2 s/块。 展开更多
关键词 机器视觉 电路板元器件检测 数学形态学 种子填充 分层提取 模板分类匹配
下载PDF
钙钛矿叠层太阳电池结构与性能优化:模型预测和实验研究
13
作者 金慧娇 田汉民 +2 位作者 李春静 戎小莹 张天 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第19期127-133,共7页
随着光电性质优越的有机-无机金属卤化物钙钛矿材料的快速发展,钙钛矿太阳电池受到了众多研究者的关注,以钙钛矿太阳电池作为顶层电池的叠层电池也受到了研究者的重视。经研究发现这种叠层电池的光电转换效率理论值高于35%,并且制作成本... 随着光电性质优越的有机-无机金属卤化物钙钛矿材料的快速发展,钙钛矿太阳电池受到了众多研究者的关注,以钙钛矿太阳电池作为顶层电池的叠层电池也受到了研究者的重视。经研究发现这种叠层电池的光电转换效率理论值高于35%,并且制作成本低,生产工艺简单,从而有可能孕育出光伏器件发展的新突破。主要介绍钙钛矿叠层太阳电池的结构、工艺制备,及其性能、效率等方面的最新进展。 展开更多
关键词 钙钛矿 硅 器件结构 转换效率 太阳能电池
下载PDF
用于检测糖尿病标志物的电子鼻优化设计 被引量：8
14
作者 奉轲 花中秋 +4 位作者 伍萍辉 李彦 曾艳 王天赐 邱志磊 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第1期13-18,共6页
人体呼气中的丙酮含量可作为糖尿病的标志物。为实现无创糖尿病诊断,设计以金属氧化物半导体气敏传感器阵列为核心的人工嗅觉系统,对完成痕量丙酮的快速检测具有重要意义。通过多个气体流量控制器MFC(Mass Flow Controller)分别配制出... 人体呼气中的丙酮含量可作为糖尿病的标志物。为实现无创糖尿病诊断,设计以金属氧化物半导体气敏传感器阵列为核心的人工嗅觉系统,对完成痕量丙酮的快速检测具有重要意义。通过多个气体流量控制器MFC(Mass Flow Controller)分别配制出模拟糖尿病患者呼气样本(30×10-6丙酮)与另两种干扰气体样本(30×10-6乙醇样本、15×10-6丙酮与15×10-6乙醇混合样本)进行实验,基于BP神经网络算法对3种气体定性识别,并通过主成分分析PCA(Principal Component Analysis)算法对原始的高维特征子集进行降维优化。实验表明:PCA与BP算法相结合,可降低BP神经网络的复杂性、减少预测的误差,同时能够解决单个气体传感器交叉敏感问题,进而提高对气体的选择性。对痕量丙酮样本与另两种干扰气体样本进行分析识别,识别的结果显示:对3种样本的识别准确率为91%。该研究为准确识别糖尿病标志物实现无创诊断技术提供了理论指导。 展开更多
关键词 丙酮气体 传感器阵列 BP神经网络 PCA分析
下载PDF
蓝宝石衬底材料的研究及应用进展 被引量：7
15
作者 考政晓 叶大千 +1 位作者 于璇 张保国 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期102-107,共6页
蓝宝石因为其生产技术成熟、稳定性好、性价比高而被广泛应用于光电领域,成为GaN基光电器件的主要衬底材料。传统的蓝宝石衬底生长GaN薄膜存在许多问题,如由晶格常数不同产生的晶格失配、热应力失配等,且GaN薄膜结晶质量较差、光线提取... 蓝宝石因为其生产技术成熟、稳定性好、性价比高而被广泛应用于光电领域,成为GaN基光电器件的主要衬底材料。传统的蓝宝石衬底生长GaN薄膜存在许多问题,如由晶格常数不同产生的晶格失配、热应力失配等,且GaN薄膜结晶质量较差、光线提取效率低。介绍了图形化蓝宝石衬底技术在制作Ga N基LED器件中的应用,比较了几种图形化衬底对LED的发光性能的影响。在图形化蓝宝石衬底上采用PVD法生长AlN薄膜,可以降低GaN薄膜的螺旋位错和刃位错、提高MOCVD生长效率、显著提高设备利用率。另外,介绍了蓝宝石衬底在SOS领域的应用,列出了SOS工艺对蓝宝石衬底的具体要求。蓝宝石作为一种重要的衬底材料,未来的发展前景会更加广阔。 展开更多
关键词 图形化蓝宝石衬底 PVD法生长Al N SOS
下载PDF
基于正交实验法的Cu/Ta/TEOS碱性抛光液的优化 被引量：5
16
作者 徐奕 刘玉岭 +1 位作者 王辰伟 马腾达 《微纳电子技术》 北大核心 2019年第2期157-166,共10页
研究了碱性阻挡层抛光液中各组分对Cu、Ta和正硅酸乙酯(TEOS)去除速率的影响。通过单因素实验分别考察了磨料、FA/OⅡ螯合剂、KNO3和FA/OⅡ表面活性剂质量分数和H2O2体积分数对Cu、Ta和TEOS去除速率的影响,再结合正交实验研发了磨料质... 研究了碱性阻挡层抛光液中各组分对Cu、Ta和正硅酸乙酯(TEOS)去除速率的影响。通过单因素实验分别考察了磨料、FA/OⅡ螯合剂、KNO3和FA/OⅡ表面活性剂质量分数和H2O2体积分数对Cu、Ta和TEOS去除速率的影响,再结合正交实验研发了磨料质量分数为20%、FA/OⅡ螯合剂质量分数为2%、H2O2体积分数为0.1%,KNO3质量分数为1.5%、FA/OⅡ表面活性剂质量分数为2%的碱性阻挡层抛光液,该抛光液的Cu、Ta和TEOS的去除速率选择比为1∶1.47∶1.65。对4片12英寸(1英寸=2.54 cm)65 nm铜互连图形片的M4层进行阻挡层抛光,结果显示,铜沟槽内剩余铜膜厚度约为300 nm (目标值),图形片表面缺陷数目在10颗左右,碟形坑和蚀坑深度分别由52.3 nm和40 nm降至19.9 nm和18.4 nm,铜的表面粗糙度由4.4 nm降至1.9 nm。 展开更多
关键词 Cu/Ta/TEOS 去除速率 碱性阻挡层 抛光液 单因素实验 正交试验
原文传递
新型阻挡层材料钌的研究进展 被引量：5
17
作者 王子艳 周建伟 +2 位作者 张佳洁 王庆伟 王辰伟 《微纳电子技术》 北大核心 2018年第12期863-869,共7页
随着集成电路特征尺寸不断缩小到14 nm及以下,钌凭借其低的电阻率、对铜高的依附性而被考虑替代传统阻挡层材料Ta/TaN。但是,钌作为阻挡层材料依然存在很多问题,如低去除速率、容易引起铜的界面腐蚀、铜钌去除的不均匀性。针对以上问题... 随着集成电路特征尺寸不断缩小到14 nm及以下,钌凭借其低的电阻率、对铜高的依附性而被考虑替代传统阻挡层材料Ta/TaN。但是,钌作为阻挡层材料依然存在很多问题,如低去除速率、容易引起铜的界面腐蚀、铜钌去除的不均匀性。针对以上问题,主要从三个方面介绍了近几年的研究进展。首先,介绍了氧化剂及络合剂对钌去除速率的影响;然后,总结了针对铜钌界面腐蚀问题的研究进展;最后,阐述了国内外解决铜钌去除速率选择性问题的研究进展。此外,提出未来新型阻挡层钌的抛光液的研究应综合解决上述问题,而非单一解决,才能真正应用于生产领域。 展开更多
关键词 钌(Ru) 化学机械抛光(CMP) 去除速率 电偶腐蚀 去除速率选择性
原文传递
集成电路铜互连钌阻挡层异质材料去除选择性的研究 被引量：3
18
作者 王子艳 周建伟 +3 位作者 王辰伟 张佳洁 张雪 王超 《电镀与涂饰》 CAS CSCD 北大核心 2020年第1期49-53,共5页
针对集成电路铜互连钌阻挡层异质材料(包括Cu、Ru、TEOS)在化学机械抛光(CMP)中选择性差的问题,在SiO_(2)-H_(2)O_(2)体系抛光液中研究了(NH_(4))_(2)SO_(4)和2,2′{[(甲基1H苯并三唑1基)甲基]亚氨基}双乙醇(TT)对Cu、Ru、TEOS去除速率... 针对集成电路铜互连钌阻挡层异质材料(包括Cu、Ru、TEOS)在化学机械抛光(CMP)中选择性差的问题,在SiO_(2)-H_(2)O_(2)体系抛光液中研究了(NH_(4))_(2)SO_(4)和2,2′{[(甲基1H苯并三唑1基)甲基]亚氨基}双乙醇(TT)对Cu、Ru、TEOS去除速率的影响,并使用钌阻挡层图形片对抛光液的平坦化性能进行验证。结果表明,(NH_(4))_(2)SO_(4)的添加可以提高Cu、Ru和TEOS的去除速率,进一步加入TT后,Cu的去除速率减小,Ru和TEOS的去除速率基本不变。采用由5%(质量分数,下同)SiO_(2)、0.15%H_(2)O_(2)、40 mmol/L(NH_(4))_(2)SO_(4)和1 g/L TT组成的抛光液对钌阻挡层图形片化学机械抛光30 s后,碟形坑和蚀坑的深度得到了有效降低。 展开更多
关键词 铜 钌 二氧化硅 化学机械抛光 硫酸铵 2 2′{[(甲基1H苯并三唑1基)甲基]亚氨基}双乙醇
下载PDF
CuO-TiO_2气敏材料的制备及其低温丙酮气敏特性研究 被引量：3
19
作者 郑洁 潘国峰 +2 位作者 韩楠 肖悦 王如 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2019年第3期21-27,33,共8页
采用溶胶-凝胶法制备了CuO掺杂TiO_2纳米材料并用于丙酮气敏传感器制备,通过XRD和SEM对样品的物相结构和表面微观形貌进行表征,利用EDS对样品的元素种类与平面分布进行了分析,研究了CuO掺杂量、工作温度、光激发等对元件气敏性能的影响... 采用溶胶-凝胶法制备了CuO掺杂TiO_2纳米材料并用于丙酮气敏传感器制备,通过XRD和SEM对样品的物相结构和表面微观形貌进行表征,利用EDS对样品的元素种类与平面分布进行了分析,研究了CuO掺杂量、工作温度、光激发等对元件气敏性能的影响。结果表明,CuO-TiO_2对丙酮表现出良好的选择性,掺杂6.6%(质量分数)CuO的CuO-TiO_2,经500℃退火后,在75℃下,对体积分数为1000×10^(-6)丙酮的灵敏度达到106.71,响应时间和恢复时间均为2 s;同时研究还显示光激发可以有效提高元件的气敏性能,紫外光照射下元件对丙酮的灵敏度相比无光条件下增幅95%,而可见光照射下元件对丙酮的灵敏度相比无光条件下仍能增幅50%。 展开更多
关键词 氧化铜 二氧化钛 丙酮 工作温度 光激发 气敏性能
下载PDF
衬底材料对石墨烯薄膜生长影响研究 被引量：3
20
作者 刘姗 王伟 +3 位作者 蒋志伟 樊瑞祥 杨玉帅 王凯 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2022年第7期680-685,共6页
石墨烯薄膜在集成电路领域有着光明的前景,为提高石墨烯原位生长质量,研究了石墨烯薄膜分别在Ni、SiO_(2)以及HfO_(2)衬底上的生长情况与成膜机理。采用电子束蒸镀制备了金属Ni与HfO_(2)高K介质薄膜,利用等离子体化学气相淀积(PECVD)法... 石墨烯薄膜在集成电路领域有着光明的前景,为提高石墨烯原位生长质量,研究了石墨烯薄膜分别在Ni、SiO_(2)以及HfO_(2)衬底上的生长情况与成膜机理。采用电子束蒸镀制备了金属Ni与HfO_(2)高K介质薄膜,利用等离子体化学气相淀积(PECVD)法在温度为450℃、衬底偏压为100 V、射频功率为100 W的条件下,分别以Ni、SiO_(2)和HfO_(2)薄膜为衬底制备石墨烯薄膜。测试表明,Ni、SiO_(2)和HfO_(2)衬底均沉积了石墨烯薄膜,其中Ni衬底石墨烯薄膜样品最厚、缺陷最高;SiO_(2)和HfO_(2)石墨烯样品缺陷低,但石墨烯薄膜在HfO_(2)衬底的覆盖率低;通过Ni、SiO_(2)和HfO_(2)薄膜的表面能入手分析得出,碳原子在Ni表面以溶解-析出方式形成连续薄膜,以直接沉积模式在绝缘衬底上生长,高表面能导致石墨烯薄膜在HfO_(2)表面覆盖率低。 展开更多
关键词 石墨烯薄膜 等离子体化学气相淀积 HFO2薄膜 表面能 碳原子沉积
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 2 … 16 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部