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热屏结构对300 mm半导体级单晶硅生长过程温度分布影响的数值模拟
1
作者 倪浩然 陈亚 +7 位作者 王黎光 芮阳 赵泽慧 马成 刘洁 张兴茂 赵延祥 杨少林 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第7期1196-1211,共16页
半导体级单晶硅是芯片的基础核心材料,不仅要求控制杂质浓度,还对晶体的缺陷有很高的要求。原生点缺陷浓度作为衡量晶体品质的重要指标之一,需要通过热场的优化、晶体生长温度场的调整、晶体生长过程中晶棒温度分布的控制,以及V/G值(拉... 半导体级单晶硅是芯片的基础核心材料,不仅要求控制杂质浓度,还对晶体的缺陷有很高的要求。原生点缺陷浓度作为衡量晶体品质的重要指标之一,需要通过热场的优化、晶体生长温度场的调整、晶体生长过程中晶棒温度分布的控制,以及V/G值(拉速与晶棒内轴向温度梯度比值)的优化来调控。本文采用ANSYS软件中流体计算模块Fluent的有限体积分析法,研究了不同热屏结构对300 mm半导体级直拉单晶硅温度分布的影响。针对二段式热屏,模拟了不同热屏角度下拉晶初期(400 mm)、中期(800和1400 mm)和末期(2000 mm)三个等径阶段的温度分布、固液界面轴向温度梯度和V/G值。通过分析各阶段V/G值的变化,在相对较大的温度梯度下,寻找到了一种V/G值更接近临界值ζ且径向均一性更优的热屏结构,为控制缺陷的浓度提供更好的条件。通过对晶棒热历史的讨论,优化热屏结构以缩短降温周期,为控制缺陷的尺寸提供更好的条件。模拟计算结果表明,热屏夹角为110°、热屏下段厚度为70 mm、热屏内壁与晶棒间距为30 mm时,其结构设计能够提供低缺陷单晶硅生产的温度分布条件。 展开更多
关键词 半导体级单晶硅 有限体积分析 热屏结构 温度场 流场 V/G值 缺陷
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热屏结构对200 mm半导体级提拉单晶硅中氧含量分布的影响 被引量：3
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作者 芮阳 王忠保 +6 位作者 盛旺 倪浩然 熊欢 邹啟鹏 陈炜南 黄柳青 罗学涛 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第6期1110-1119,共10页
半导体级单晶硅是芯片的基础核心材料,其晶体的氧含量分布对晶圆品质有重要影响。通过优化提拉单晶炉的热屏结构可有效控制晶体生长过程中的氧含量分布,但难以通过实验探究其内在影响机制。本文采用ANSYS有限元分析,研究了热屏结构对200... 半导体级单晶硅是芯片的基础核心材料,其晶体的氧含量分布对晶圆品质有重要影响。通过优化提拉单晶炉的热屏结构可有效控制晶体生长过程中的氧含量分布,但难以通过实验探究其内在影响机制。本文采用ANSYS有限元分析,研究了热屏结构对200 mm半导体级直拉单晶硅氧含量分布的影响。针对一段式、二段式两种典型的商用单晶炉热屏结构,模拟了拉晶初期(300 mm)、中期(800 mm)、末期(1000 mm)三个等径阶段的温度场、流场分布,固液界面温度梯度及径向氧含量分布。计算结果表明,与二段式热屏相比,一段式热屏的熔体温度场均一性较好,固液界面的温度梯度较小。此外,一段式热屏的氩气流场有利于熔体自由表面上方SiO气体挥发和减弱熔体的剪切对流,使固液界面前端向晶体扩散的氧减少。因此,一段式热屏的固液界面径向氧含量分布均匀性较好且晶体中的氧含量较低。 展开更多
关键词 半导体级单晶硅 氧含量 有限元分析 热屏结构 温度场 流场
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横向磁场下坩埚转速对半导体级直拉单晶硅熔体中流场与氧浓度的影响机制 被引量：1
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作者 王黎光 芮阳 +7 位作者 盛旺 马吟霜 马成 陈炜南 邹啟鹏 杜朋轩 黄柳青 罗学涛 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第9期1641-1650,共10页
利用ANSYS有限元软件分析了横向磁场下不同坩埚转速对200 mm半导体级直拉单晶硅的流场及氧浓度的影响。研究结果表明:在横向磁场下,硅熔体的流场和氧浓度分布呈三维非对称性,熔体对流形式主要包括泰勒-普劳德曼漩涡、浮力-热毛细漩涡及... 利用ANSYS有限元软件分析了横向磁场下不同坩埚转速对200 mm半导体级直拉单晶硅的流场及氧浓度的影响。研究结果表明:在横向磁场下,硅熔体的流场和氧浓度分布呈三维非对称性,熔体对流形式主要包括泰勒-普劳德曼漩涡、浮力-热毛细漩涡及次漩涡,其中前两者有助于氧挥发,而次漩涡则起到抑制作用。当坩埚转速较低(0.5~1.0 r/min)时,较弱的熔体对流强度导致坩埚壁与固液界面间的热传导效率低,氧主要以扩散机制迁移至固液界面,熔硅中氧浓度高;当坩埚转速较高(2~2.5 r/min)时,氧通过强对流形式迁移至固液界面。随着坩埚转速增加,次漩涡和浮力-热毛细漩涡的作用强度提高,浮力-热毛细漩涡影响区域远离自由表面,使硅熔体中的氧浓度呈先下降后上升的趋势。数值模拟结果与实验结果均表明,在横向磁场条件下优选1.5 r/min的坩埚转速可获得平均氧浓度较低的单晶硅。上述分析结果可以为横向磁场下半导体级单晶硅拉晶参数优化提供参考依据。 展开更多
关键词 ANSYS有限元分析 200 mm半导体级单晶硅 直拉法 坩埚转速 流场 氧浓度
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直拉单晶硅中的缺陷形成机理及控制方法 被引量：1
4
作者 芮阳 王黎光 +3 位作者 熊欢 曹启刚 闫龙 杨少林 《山东化工》 CAS 2023年第17期101-103,106,共4页
半导体级单晶硅作为半导体产业链中的重要原材料,其杂质、缺陷等品质对电子器件和集成电路的性能起着至关重要的作用。单晶硅生长和加工过程都不可避免地会形成各种缺陷。鉴于直拉法是目前主流的单晶硅制造方法,针对直拉法半导体级单晶... 半导体级单晶硅作为半导体产业链中的重要原材料,其杂质、缺陷等品质对电子器件和集成电路的性能起着至关重要的作用。单晶硅生长和加工过程都不可避免地会形成各种缺陷。鉴于直拉法是目前主流的单晶硅制造方法,针对直拉法半导体级单晶硅制造技术中的晶体缺陷工程问题进行了探讨。简要介绍了半导体级单晶硅中各种晶体缺陷以及它们的形成机理。最后,总结了控制缺陷形成的主要方法。 展开更多
关键词 直拉法 半导体级单晶硅 缺陷 形成机理 控制方法
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氮掺杂工艺以及退火处理对直拉法单晶硅的影响
5
作者 熊欢 陈亚 +4 位作者 芮阳 伊冉 蔡瑞 王黎光 杨少林 《山东化工》 2023年第23期15-18,共4页
随着集成电路的飞速发展,要求超大规模集成电路用硅片具有更少的晶格缺陷及更低的有害杂质含量。因此,在晶体生长和器件制造过程中,必须对缺陷进行很好地控制,缺陷在硅材料的质量控制中起着关键作用。近年来通过氮掺杂控制缺陷动力学并... 随着集成电路的飞速发展,要求超大规模集成电路用硅片具有更少的晶格缺陷及更低的有害杂质含量。因此,在晶体生长和器件制造过程中,必须对缺陷进行很好地控制,缺陷在硅材料的质量控制中起着关键作用。近年来通过氮掺杂控制缺陷动力学并改变缺陷的演变已被广泛应用于直拉法单晶硅中。本文以氮掺杂技术为基础,介绍了氮掺杂剂的基本性质及其与CZ硅中点缺陷的相互作用,氮掺杂对氧沉淀物、空洞的影响,以及退火处理对晶体原生颗粒、体微缺陷等的影响。 展开更多
关键词 CZ硅 缺陷 氮掺杂 氧沉淀物 空洞
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