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硅衬底温度对电子束蒸发钛薄膜性能的影响
1
作者 李兆营 李萌萌 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2024年第3期1-5,共5页
采用电子束蒸发法在硅衬底表面制备Ti薄膜。采用台阶仪、原子力显微镜、反射率测试仪、四探针电阻测试仪和应力测试仪分析了在不同衬底温度下所得Ti薄膜的厚度、表面粗糙度、镜面反射率、方块电阻和残余应力。结果表明,随着衬底温度从2... 采用电子束蒸发法在硅衬底表面制备Ti薄膜。采用台阶仪、原子力显微镜、反射率测试仪、四探针电阻测试仪和应力测试仪分析了在不同衬底温度下所得Ti薄膜的厚度、表面粗糙度、镜面反射率、方块电阻和残余应力。结果表明,随着衬底温度从25℃升高到200℃,Ti薄膜的厚度、方块电阻和残余应力逐渐降低;表面粗糙度先减小后增大,镜面反射率则先升高后降低。 展开更多
关键词 电子束蒸发 硅衬底温度 钛薄膜 方块电阻 残余应力 表面粗糙度 镜面反射率
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共蒸发法制备金锡共晶焊料环及其性能研究
2
作者 李萌萌 李兆营 黄添萍 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2024年第1期59-61,共3页
采用电子束共蒸发法制备了金锡共晶(Au80Sn20)焊料环,与非制冷红外探测器芯片进行气密性封装。通过SEM、AFM、X-ray、振荡测试以及测漏氦等方式验证了封装后芯片的气密性和可靠性。结果表明:键合后焊料环无明显缺陷,仅存在轻微溢料现象... 采用电子束共蒸发法制备了金锡共晶(Au80Sn20)焊料环,与非制冷红外探测器芯片进行气密性封装。通过SEM、AFM、X-ray、振荡测试以及测漏氦等方式验证了封装后芯片的气密性和可靠性。结果表明:键合后焊料环无明显缺陷,仅存在轻微溢料现象;经过振荡测试,溢料无脱落、无位移,且芯片密封性能可达到1×10^(-3) Pa/(cm^(3)·s),符合探测器的气密性要求。 展开更多
关键词 非制冷红外探测器 晶圆级封装 电子束蒸发 金锡共晶焊料环 键合
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13N超高纯锗单晶的制备与性能研究
3
作者 顾小英 赵青松 +4 位作者 牛晓东 狄聚青 张家瑛 肖溢 罗恺 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第3期497-502,共6页
13N超高纯锗单晶是制作超高纯锗探测器的核心材料。本文通过还原法获得还原锗锭,再由水平区熔法提纯获得12N高纯锗多晶,最后由直拉法生长得到13N超高纯锗单晶。通过低温霍尔测试、位错密度检测、深能级瞬态谱(DLTS)测试对13N超高纯锗单... 13N超高纯锗单晶是制作超高纯锗探测器的核心材料。本文通过还原法获得还原锗锭,再由水平区熔法提纯获得12N高纯锗多晶,最后由直拉法生长得到13N超高纯锗单晶。通过低温霍尔测试、位错密度检测、深能级瞬态谱(DLTS)测试对13N超高纯锗单晶性能进行分析。低温霍尔测试结果显示,晶体头部截面平均迁移率为4.515×10^(4)cm^(2)·V^(-1)·s^(-1),载流子浓度为1.176×10^(10)cm^(-3),导电类型为p型,位错密度为2256 cm^(-2);尾部截面平均迁移率为4.620×10^(4)cm^(2)·V^(-1)·s^(-1),载流子浓度为1.007×10^(10)cm^(-3),导电类型为p型,位错密度为2589 cm^(-2)。晶体深能级杂质浓度为1.843×10^(9)cm^(-3)。以上结果表明该晶体是13N超高纯锗单晶。 展开更多
关键词 锗单晶 探测器 迁移率 载流子浓度 位错密度
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蒸发速率对硅衬底电子束蒸发钛薄膜性能的影响 被引量：1
4
作者 李兆营 《电镀与涂饰》 CAS 北大核心 2023年第1期31-34,共4页
采用电子束蒸发法在硅衬底表面制备Ti薄膜。采用原子力显微镜、四探针电阻测试仪和应力测试仪分析了在不同蒸发速率下所得Ti薄膜的表面粗糙度、方块电阻和残余应力。结果表明,随着蒸发速率从0.1 nm/s升高到1.0 nm/s,Ti薄膜的表面粗糙度... 采用电子束蒸发法在硅衬底表面制备Ti薄膜。采用原子力显微镜、四探针电阻测试仪和应力测试仪分析了在不同蒸发速率下所得Ti薄膜的表面粗糙度、方块电阻和残余应力。结果表明,随着蒸发速率从0.1 nm/s升高到1.0 nm/s,Ti薄膜的表面粗糙度和方块电阻逐渐降低。不同蒸发速率下所得Ti薄膜的残余应力均为压应力,并且随蒸发速率的升高而增大。 展开更多
关键词 电子束蒸发 硅衬底 钛 蒸发速率 方块电阻 残余应力 表面粗糙度
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功率对直流磁控溅射氧化钒薄膜电学性能的影响
5
作者 李兆营 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2023年第4期45-50,共6页
采用直流磁控溅射方法在长有300 nm厚的Si_(3)N_(4)薄膜的Si(100)晶圆上制备了氧化钒薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)和探针法分析了不同功率对薄膜结晶结构、成分、表面形貌和电学性能的影响。结... 采用直流磁控溅射方法在长有300 nm厚的Si_(3)N_(4)薄膜的Si(100)晶圆上制备了氧化钒薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)和探针法分析了不同功率对薄膜结晶结构、成分、表面形貌和电学性能的影响。结果表明:不同功率沉积的氧化钒薄膜均为非晶结构,薄膜主要成分为VO_(2)和V_(2)O_(5);随着功率的提高,薄膜的平均粗糙度降低,V_(2)O_(5)的含量升高,进而导致电阻温度系数绝对值也随之增大。 展开更多
关键词 氧化钒薄膜 功率 直流磁控溅射 电阻温度系数
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磁控溅射与电子束蒸发制备Ti薄膜性能的研究
6
作者 李兆营 《钢铁钒钛》 CAS 北大核心 2023年第2期98-102,共5页
为了研究不同制备方法对薄膜性能的影响,分别利用磁控溅射法和电子束蒸发法在长有500 nm厚的SiO2薄膜的Si(100)晶圆上制备了生长速度为1.0 nm/s,厚度为100 nm的Ti薄膜,并对薄膜的厚度、表面形貌、电阻、反射率及应力进行了测试。相比于... 为了研究不同制备方法对薄膜性能的影响,分别利用磁控溅射法和电子束蒸发法在长有500 nm厚的SiO2薄膜的Si(100)晶圆上制备了生长速度为1.0 nm/s,厚度为100 nm的Ti薄膜,并对薄膜的厚度、表面形貌、电阻、反射率及应力进行了测试。相比于电子束蒸发法,磁控溅射法制备的薄膜表面晶粒更加均匀致密,表面缺陷少,粗糙度较小,薄膜具有更低的电阻、应力以及更高的反射率。试验结果表明,磁控溅射法制备的薄膜电性能优于电子束蒸发法。电子束蒸发法制备的薄膜应力具有较大的变化范围,可用于多层膜之间的应力匹配调试。同时,也可以通过减少薄膜表面结构缺陷,减小薄膜表面粗糙度来提高薄膜的性能。 展开更多
关键词 Ti薄膜 磁控溅射 电子束蒸发 电阻 反射率 应力
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