(Cd,Co,Nb)掺杂的SnO_2压敏材料的电学性质 被引量：4

1

作者 陈洪存 王矜奉 +4 位作者 王文新 苏文斌 臧国忠 亓鹏 王春明 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2004年第1期42-44,共3页

研究了Cd对(Co,Nb)掺杂SnO2压敏材料电学性质的影响。组分为97.65%SnO2+0.75%Co2O3+0.10%Nb2O5+1.50%CdO的压敏电阻具有最大非线性系数(α=22.2)和最高的势垒(φB=0.761eV)。当CdO的摩尔分数从0增加到3%时,(Co,Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击... 研究了Cd对(Co,Nb)掺杂SnO2压敏材料电学性质的影响。组分为97.65%SnO2+0.75%Co2O3+0.10%Nb2O5+1.50%CdO的压敏电阻具有最大非线性系数(α=22.2)和最高的势垒(φB=0.761eV)。当CdO的摩尔分数从0增加到3%时,(Co,Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从366V/mm增大到556V/mm,1kHz时的相对介电常数从1429减小到1108。晶界势垒高度测量揭示,SnO2的晶粒尺寸的减小是击穿电压增高和介电常数减小的主要原因。对Cd掺杂量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释。 展开更多

关键词 氧化镉 二氧化锡 势垒 电学非线性

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(Ba,Co,Nb)掺杂SnO_2压敏材料电学非线性的研究 被引量：3

2

作者 王春明 王矜奉 +4 位作者 陈洪存 王文新 苏文斌 臧国忠 亓鹏 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2004年第2期139-141,145,共4页

通过对样品的伏安特性,晶界势垒的测量和分析,研究了BaCO3对新型(Co,Nb)掺杂SnO2压敏材料微观结构和电学性质的影响。晶界势垒高度测量表明,SnO2晶粒尺寸的迅速减小是压敏电压急剧增高的原因。对Ba含量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行... 通过对样品的伏安特性,晶界势垒的测量和分析,研究了BaCO3对新型(Co,Nb)掺杂SnO2压敏材料微观结构和电学性质的影响。晶界势垒高度测量表明,SnO2晶粒尺寸的迅速减小是压敏电压急剧增高的原因。对Ba含量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释。掺杂x(BaCO3)=0.4%的SnO2压敏电阻击穿电压为最小(140V/mm);掺杂x(BaCO3)=0.8%的SnO2压敏电阻具有最高非线性系数(α=19.6),最高的势垒电压(φB=1.28eV)。 展开更多

关键词 碳酸钡 二氧化锡 压敏材料 肖特基势垒 非线性 压敏电压

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Ag掺杂对新型SnO_2压敏材料的电学性质的影响 被引量：2

3

作者 王矜奉 陈洪存 +6 位作者 王文新 苏文斌 臧国忠 亓鹏 王春明 赵春华 高建鲁 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期685-686,689,共3页

　烧渗银电极对压敏电阻的性能是有很大影响的。为了弄清Ag对(Co、Nb)掺杂的新型SnO2压敏材料电学性质的影响,做了组分为SnO2+1.50%CoCl2·6H2O+0.10%Nb2O5+x%Ag2O(x=0.00、0.02、0.50和1.00)的系统实验。当AgO的含量从0.00增加到1m... 　烧渗银电极对压敏电阻的性能是有很大影响的。为了弄清Ag对(Co、Nb)掺杂的新型SnO2压敏材料电学性质的影响,做了组分为SnO2+1.50%CoCl2·6H2O+0.10%Nb2O5+x%Ag2O(x=0.00、0.02、0.50和1.00)的系统实验。当AgO的含量从0.00增加到1mol%时,(Co,Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从349V/mm增大到429V/mm,1kHz时的相对介电常数从2240减小到1560。晶界势垒高度测量揭示,SnO2的晶粒尺寸的迅速减小是击穿电压急剧增高和介电常数迅速减小的主要原因。对Ag掺杂量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释。 展开更多

关键词 氧化银 二氧化锡 势垒 电学非线性 掺杂 压敏电阻

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Ba6-3xNd8＋2xTi18O54晶体结构与微波介电性能的研究 被引量：2

4

作者 李正法 葛洪良 +2 位作者 王春雷 崔玉建 陈荣升 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2008年第1期71-74,共4页

采用纳米Nd2O3以较低温度烧结出性能优良的Ba6-3xNd8+2xTi18O54(BNT)微波介质陶瓷。以X-射线衍射法测定了BNT陶瓷粉末的室温点阵常数,确定其空间群为Pbam。分析了BNT晶格结构随配比x的变化情况,与Ba6-3xSm8+2xTi18O54(BST)、Ba6-3xEu8+2... 采用纳米Nd2O3以较低温度烧结出性能优良的Ba6-3xNd8+2xTi18O54(BNT)微波介质陶瓷。以X-射线衍射法测定了BNT陶瓷粉末的室温点阵常数,确定其空间群为Pbam。分析了BNT晶格结构随配比x的变化情况,与Ba6-3xSm8+2xTi18O54(BST)、Ba6-3xEu8+2xTi18O54(BET)进行比较,结果表明各离子在ab晶面内的分布对Ba6-3xR8+2xTi18O54(BRT)微波介电性能的影响较大。给出了BRT介电常数和品质因数变化的可能解释,即BRT因配比x及稀土元素的不同而产生晶格变化所致。 展开更多

关键词 Ba6-3xNd8+2xTi18O54 晶格结构 微波介电性

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Na对SnO_2-CoO-Nb_2O_5系压敏材料电学性能的影响

5

作者 王春明 王矜奉 +4 位作者 陈洪存 王文新 苏文斌 臧国忠 亓鹏 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期679-681,共3页

　研究了Na对新型(Co,Nb)掺杂SnO2压敏材料微观结构和电学性质的影响。当Na2CO3的含量从0增加到1.2mol%时,(Co,Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从275V/mm增到919V/mm。样品的微观结构分析发现,当Na2CO3的含量从0增加到1.2mol%时,SnO2的... 　研究了Na对新型(Co,Nb)掺杂SnO2压敏材料微观结构和电学性质的影响。当Na2CO3的含量从0增加到1.2mol%时,(Co,Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从275V/mm增到919V/mm。样品的微观结构分析发现,当Na2CO3的含量从0增加到1.2mol%时,SnO2的晶粒尺寸明显的变小。晶界势垒高度测量揭示,SnO2的晶粒尺寸的迅速减小是压敏电压急剧增高的原因。对Na含量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释。掺杂0.4mol%Na2CO3的SnO2压敏电阻非线性系数达28.4,击穿电压为755V/mm,掺杂1.2mol%Na2CO3的SnO2压敏电阻非线性系数为11.5,击穿电压高达919V/mm,它们在中高压保护领域会有很好的应用前景。本文并指出替代Sn的受主离子Na不应处于SnO2晶格中,而是处于间界上,从而进一步解释了压敏电压急剧增高的原因。 展开更多

关键词 压敏材料 电学性能 碳酸钠 二氧化锡 肖特基势垒 压敏电压

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多晶材质电子结构及热电性能的模拟

6

作者 王春雷 张家良 +3 位作者 李吉超 赵明磊 陈惠敏 梅良模 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A04期1384-1386,共3页

发展了一种研究多晶体系电子态以及热电性质的计算机模拟方法。首先采用相场动力学方法模拟多晶材质图案，再利用其模型序参量构造晶界的势函数，用近自由电子近似构造体系的哈密顿量。求解薛定谔方程得到体系的本征态。通过电荷密度的... 发展了一种研究多晶体系电子态以及热电性质的计算机模拟方法。首先采用相场动力学方法模拟多晶材质图案，再利用其模型序参量构造晶界的势函数，用近自由电子近似构造体系的哈密顿量。求解薛定谔方程得到体系的本征态。通过电荷密度的分布研究电子的限域特征,分析模拟结果发现对于晶界为势垒的情况，电子的基态出现在最大晶粒中；而对于晶界为势阱的情况，电子更容易限域在多个晶粒交叉的晶界附近，由得到的本征能级和波函数可以计算出温差导致的电位差，即得到赛贝克系数随温度的变化。结果表明具有导电晶界的多晶体的赛贝克系数要高于具有导电晶粒的多晶体。 展开更多

关键词 多晶 模拟 电子结构 赛贝克系数

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溶胶-凝胶K_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3陶瓷的高温XRD研究 被引量：5

7

作者 李正法 王春雷 +3 位作者 钟维烈 赵明磊 王矜奉 陈洪存 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2004年第1期69-71,共3页

采用溶胶-凝胶法成功制备出K0.5Bi0.5TiO3(KBT)纳米微粉,并利用此微粉烧结出成瓷良好的KBT陶瓷。用XRD法测定了KBT陶瓷粉末室温和高温(600°C)时的点阵常数,确定KBT的高温相为立方结构(点群为m3m)并指标化其衍射线,给出了KBT陶瓷粉... 采用溶胶-凝胶法成功制备出K0.5Bi0.5TiO3(KBT)纳米微粉,并利用此微粉烧结出成瓷良好的KBT陶瓷。用XRD法测定了KBT陶瓷粉末室温和高温(600°C)时的点阵常数,确定KBT的高温相为立方结构(点群为m3m)并指标化其衍射线,给出了KBT陶瓷粉末的多晶XRD数据。 展开更多

关键词 溶胶-凝胶法 KBT纳米微粉 无铅陶瓷 高温相结构

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(Na,K,Li)(Nb,Sb)O_3无铅压电陶瓷的性能 被引量：2

8

作者 郑立梅 王矜奉 +2 位作者 臧国忠 亓鹏 杜鹃 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第7期21-22,25,共3页

采用传统的固相反应法和普通烧结工艺,制备了A位和B位复合的(Na0.5+xK0.44Li0.06–x)Nb0.95Sb0.05O3(x=0,0.006,0.012)系无铅压电陶瓷样品,并对样品的压电、机电性能进行了研究。结果表明:该陶瓷系列具有很高的压电应变常数(x=0.006时d3... 采用传统的固相反应法和普通烧结工艺,制备了A位和B位复合的(Na0.5+xK0.44Li0.06–x)Nb0.95Sb0.05O3(x=0,0.006,0.012)系无铅压电陶瓷样品,并对样品的压电、机电性能进行了研究。结果表明:该陶瓷系列具有很高的压电应变常数(x=0.006时d33=243pC/N)、低的介质损耗(tanδ<2×10–2)、较高的机电耦合系数(x=0.012时,k33=0.632)、高的铁电顺电相变温度(tC约400℃)。这些性能显示了它是一种替代铅基PZT的具有很好应用前景的无铅压电陶瓷。 展开更多

关键词 无机非金属材料 无铅压电陶瓷 机电耦合系数 压电常数 介电常数 电滞回线

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Na补偿的(Na,Bi)TiO_3-Ba(Zr,Ti)O_3无铅压电陶瓷 被引量：2

9

作者 杜鹃 王矜奉 +4 位作者 赵明磊 明保全 盖志刚 郑立梅 徐庆 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2006年第4期431-433,共3页

研究了(1-y)(Na0.5Bi0.5)TiO3-yBa(ZrxTi1-x)O3无铅压电陶瓷,获得压电应变常数d33高达185 pC/N的0.94(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.06Ba(Zr0.055Ti0.945)O3压电陶瓷。添加0.04%摩尔过量Na2CO3的0.94(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.06Ba(Zr0.055Ti0.945)O3高... 研究了(1-y)(Na0.5Bi0.5)TiO3-yBa(ZrxTi1-x)O3无铅压电陶瓷,获得压电应变常数d33高达185 pC/N的0.94(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.06Ba(Zr0.055Ti0.945)O3压电陶瓷。添加0.04%摩尔过量Na2CO3的0.94(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.06Ba(Zr0.055Ti0.945)O3高性能压电陶瓷d33高达195 pC/N。研究发现添加Na2CO3添加量至0.04%摩尔,Na起到软性添加物的作用,添加量超过0.04%,Na起到硬性添加物的作用.理论解释了过量Na的这一特性.为了降低介电损耗,对0.94(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.06 Ba(Zr0.055Ti0.945)O3陶瓷进行了(Ce,Mn)掺杂改性研究。 展开更多

关键词 无铅压电陶瓷 介电常数 介电损耗 相变

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从表面能的观点讨论尺寸驱动的铁电-顺电相变 被引量：4

10

作者 钟维烈 王渊旭 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2003年第1期46-48,共3页

铁电体的尺寸减小到某一临界尺寸——铁电临界尺寸时,铁电性将消失,即发生尺寸驱动的铁电-顺电相变。该文从表面能的观点讨论这个相变。在朗道相变理论的框架内,我们推导了铁电临界尺寸的表示式。它提供了由表面能密度确定铁电临界尺寸... 铁电体的尺寸减小到某一临界尺寸——铁电临界尺寸时,铁电性将消失,即发生尺寸驱动的铁电-顺电相变。该文从表面能的观点讨论这个相变。在朗道相变理论的框架内,我们推导了铁电临界尺寸的表示式。它提供了由表面能密度确定铁电临界尺寸的方法。利用已知的钛酸钡和钛酸铅的铁电临界尺寸,得到了这两种材料铁电相与顺电相表面能密度之差。 展开更多

关键词 铁电-顺电相变 铁电体 尺寸驱动 朗道理论 表面能 临界尺寸

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Sr引起的(Co,Ta)掺杂SnO_2压敏陶瓷的晶粒尺寸效应(英文) 被引量：1

11

作者 王矜奉 陈洪存 +2 位作者 苏文斌 臧国忠 王春明 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第7期1-4,共4页

研究了SrCO3对(Co,Ta)掺杂的SnO2压敏陶瓷的微观结构和电学性质的影响。当x(SrCO3)从0增加到2.5%,该SnO2压敏陶瓷的压敏临界电场强度从318V/mm猛增到3624V/mm,而相对介电常数从1509大幅降至69。当x(SrCO3)为2.0%时,样品的压敏电场和非... 研究了SrCO3对(Co,Ta)掺杂的SnO2压敏陶瓷的微观结构和电学性质的影响。当x(SrCO3)从0增加到2.5%,该SnO2压敏陶瓷的压敏临界电场强度从318V/mm猛增到3624V/mm,而相对介电常数从1509大幅降至69。当x(SrCO3)为2.0%时,样品的压敏电场和非线性系数分别为2204V/mm和24;添加x(SrCO3)为2.5%的样品的压敏电场和非线性系数分别为3624V/mm和22。 展开更多

关键词 压敏陶瓷 SNO2 晶粒尺寸效应 掺杂 非线性系数 相对介电常数 SrCO3 电学性质 微观结构 电场强度 样品

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Pb掺杂SnO_2压敏电阻的晶粒尺寸效应 被引量：1

12

作者 王矜奉 陈洪存 +1 位作者 赵春华 高建鲁 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期615-620,共6页

研究了Pb_3O_4对(Co,Nb)掺杂SnO_2压敏材料电学性质的影响,当Pb_3O_4的含量从0.00增加到0.75％(摩尔分数,下同)时,(Co,Nb)掺杂SnO_2压敏电阻的击穿电压从426 V/mm迅速减小到160V/mm,40 Hz时的相对介电常数从1240迅速增加到2760.这说明Pb... 研究了Pb_3O_4对(Co,Nb)掺杂SnO_2压敏材料电学性质的影响,当Pb_3O_4的含量从0.00增加到0.75％(摩尔分数,下同)时,(Co,Nb)掺杂SnO_2压敏电阻的击穿电压从426 V/mm迅速减小到160V/mm,40 Hz时的相对介电常数从1240迅速增加到2760.这说明Pb_3O_4是调控SnO_2压敏材料击穿电压和介电常数的敏感添加剂,晶界势垒高度测量表明,在实验范围内Pb的含量对势垒高度的影响很小,随着Pb含量的增加,SnO_2的晶粒尺寸的迅速长大是击穿电压迅速减小和介电常数迅速增大的主要原因,对样品的复阻抗进行了测量,发现未掺杂Pb的样品具有最低的晶界电阻,而掺杂0.50％Pb_3O_4的样品具有最高的晶界电阻.提出了一个修正的缺陷势垒模型,指出了替代Sn的受主不应当处于晶界上,而应处于耗尽层的Sn的晶格位置. 展开更多

关键词 无机非金属材料 压敏电阻器 铅掺杂 二氧化锡 肖特基势垒

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高次泛音比法测定厚度振动机电耦合系数

13

作者 盖志刚 王矜奉 +3 位作者 杜鹃 任晓峰 臧国忠 明保全 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2006年第4期466-468,471,共4页

压电振子低频振动模式的高次泛音易与厚度振动模式的基频相耦合,导致厚度振动的基音串联谐振频率不能精确测量(或无法测量),造成传统泛音比法测定压电振子的机电耦合系数的精度和一致性变差或无法进行测定。为了克服传统泛音比法的这一... 压电振子低频振动模式的高次泛音易与厚度振动模式的基频相耦合,导致厚度振动的基音串联谐振频率不能精确测量(或无法测量),造成传统泛音比法测定压电振子的机电耦合系数的精度和一致性变差或无法进行测定。为了克服传统泛音比法的这一弊端,提出了测定压电振子厚度振动机电耦合系数的高次泛音比法。此法通过测定3次和3次以上的高次串联谐振频率,用高次泛音比来测定压电振子厚度振动机电耦合系数。实验表明,与传统泛音比法相比,高次泛音比法具有精确度高和一致性好的明显优势。为了便于高次泛音比法的应用,提供了高次泛音比和机电耦合系数的对应表。 展开更多

关键词 机电耦合系数 基音串联谐振频率 泛音比法 高次泛音比法

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Ba6-3xEu8＋2xTi18O54介电陶瓷XRD及XPS研究

14

作者 李正法 葛洪良 王春雷 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2008年第3期328-331,共4页

采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法成功制备出Ba6-3xEu8+2xTi18O54(BET,x=2/3)微粉,并利用此微粉烧结出成相良好的BET微波介电陶瓷。用X-射线衍射(XRD)法测定了BET粉末室温点阵常数,确定BET室温相为正交结构(空间群为Pbam)并指标化其衍射线,给出... 采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法成功制备出Ba6-3xEu8+2xTi18O54(BET,x=2/3)微粉,并利用此微粉烧结出成相良好的BET微波介电陶瓷。用X-射线衍射(XRD)法测定了BET粉末室温点阵常数,确定BET室温相为正交结构(空间群为Pbam)并指标化其衍射线,给出了BET粉末的多晶XRD数据。用X-射线光电子能谱(XPS)法测定了BET中Eu离子4d电子的结合能为135 eV,确定Eu离子为+3价、样品为充分氧化的BET陶瓷。 展开更多

关键词 Ba6-3xEu8+2xTi18O54 相结构 X-射线光电子能谱(XPS)

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铌钽酸盐无铅压电陶瓷的制备与性能 被引量：3

15

作者 张杨 王矜奉 +5 位作者 杜鹃 苏文斌 臧国忠 王春明 亓鹏 梁兴华 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第11期11-12,共2页

用常规氧化物固溶方法制备了无铅压电铌钽酸盐(Na0.50K0.35Li0.1Ag0.05)(Nb1-xTax)O3 (x = 0,0.025 0,0.050 0,0.072 5)材料,研究了该材料的介电、压电性能随x的变化关系。实验发现x = 0.050 0在1 102℃条件下烧结的陶瓷,其压电常数d33... 用常规氧化物固溶方法制备了无铅压电铌钽酸盐(Na0.50K0.35Li0.1Ag0.05)(Nb1-xTax)O3 (x = 0,0.025 0,0.050 0,0.072 5)材料,研究了该材料的介电、压电性能随x的变化关系。实验发现x = 0.050 0在1 102℃条件下烧结的陶瓷,其压电常数d33高达117 pC/N,机电耦合系数kt、kp和k33分别为34%、25%和41%,相对介电常数T33e/e0 为617,机械品质因数Qm为121。该压电陶瓷是一高温压电陶瓷,四方–立方相变温度高达600℃以上。 展开更多

关键词 无机非金属材料 无铅压电陶瓷 铌酸盐 钽酸盐 压电常数

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极化子和双极化子在齐聚物中的稳定性 被引量：1

16

作者 李涛 张大成 +3 位作者 宋骏 李冬梅 刘德胜 解士杰 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期45-48,53,共5页

导电聚合物中的元激发稳定性问题对于认识和理解有机材料中的自旋极化输运现象是极其重要的。针对目前存在的极化子与双极化子之间的争论 ,本文从半经验的AustinModel 1(AM 1)方法出发 ,对齐分子噻吩的掺杂态进行了研究。通过对极化子... 导电聚合物中的元激发稳定性问题对于认识和理解有机材料中的自旋极化输运现象是极其重要的。针对目前存在的极化子与双极化子之间的争论 ,本文从半经验的AustinModel 1(AM 1)方法出发 ,对齐分子噻吩的掺杂态进行了研究。通过对极化子和双极化子体系能量的比较 ,发现双极化子可以转换为极化子 ,从而揭示出在有机半导体材料中可以实现自旋极化输运。 展开更多

关键词 齐分子噻吩 极化子 双极化子

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B离子注入引起的金刚石薄膜体积膨胀现象

17

作者 闫翠霞 戴瑛 刘东红 《光散射学报》 2006年第1期89-94,共6页

离子注入是获得金刚石N型或P型导电材料的有效途径之一。然而,离子注入对金刚石的晶格结构有破坏作用,造成金刚石薄膜体积的膨胀。本文对B离子注入合成Ib型金刚石薄膜后体积膨胀现象进行了研究,分析了引起体积膨胀的可能因素及原因。

关键词 B离子注入 退火 体积膨胀

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有机自旋电子学 被引量：3

18

作者 任俊峰 付吉永 解士杰 《物理》 CAS 北大核心 2006年第10期852-859,共8页

文章介绍了有机半导体同自旋电子学相结合的新学科——有机自旋电子学.着重讨论以下三个方面问题:有机半导体特别是有机共轭聚合物特性及其载流子性质;自旋电子学研究热点;有机自旋电子学研究进展.

关键词 有机半导体 极化子 自旋电子学 自旋注入

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自旋注入有机物的扩散理论 被引量：10

19

作者 任俊峰 付吉永 +1 位作者 刘德胜 解士杰 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第11期3814-3817,共4页

根据自旋注入半导体的相关理论 ,考虑到有机体内可能同时含有带自旋的单极化子和不带自旋的双极化子两种载流子 ,从扩散理论和欧姆定律出发 ,建立了自旋注入有机体的唯象模型 .通过计算发现 ,适当选择铁磁层极化率或两层的电导率可以使... 根据自旋注入半导体的相关理论 ,考虑到有机体内可能同时含有带自旋的单极化子和不带自旋的双极化子两种载流子 ,从扩散理论和欧姆定律出发 ,建立了自旋注入有机体的唯象模型 .通过计算发现 ,适当选择铁磁层极化率或两层的电导率可以使得有机层内电流具有高的自旋极化 . 展开更多

关键词 自旋注入 双极化子 扩散理论 自旋极化 极化率 铁磁层 载流子 注入电流 半导体 单极化

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Ti_(1-x)Co_xO_2铁磁性半导体薄膜研究 被引量：6

20

作者 宋红强 陈延学 +1 位作者 任妙娟 季刚 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期369-372,共4页

利用射频磁控反应溅射制备了Ti1 -xCoxO2 薄膜样品 .超导量子干涉仪 (SQUID)测量了样品在常温 ,低温下的磁特性 .结果显示样品在常温下已经具有明显的铁磁性 .常温时其矫顽力 32× 10 3A m ,饱和磁化强度 5 5emu/cm3 磁性元素的磁矩... 利用射频磁控反应溅射制备了Ti1 -xCoxO2 薄膜样品 .超导量子干涉仪 (SQUID)测量了样品在常温 ,低温下的磁特性 .结果显示样品在常温下已经具有明显的铁磁性 .常温时其矫顽力 32× 10 3A m ,饱和磁化强度 5 5emu/cm3 磁性元素的磁矩达 0 6 79μB/Co.饱和场 12× 10 4 A m .x射线衍射 (XRD)和x射线光电子能谱 (XPS)实验分析初步表明样品中没有钴颗粒 . 展开更多

关键词 铁磁性 磁矩 x射线光电子能谱(XPS) 磁控反应溅射 磁特性 饱和磁化强度 半导体薄膜 矫顽力 SQUID 测量

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