利用AS(ALBERT R.MARTIN and STEVEN E.EMERT)模型推导出阻抗匹配程度对三同轴法测试屏蔽电缆转移阻抗结果的影响。对同一屏蔽电缆在满足不同的阻抗匹配条件时的转移阻抗进行了测试,并对测试结果进行了对比分析。结果表明:阻抗匹配程度...利用AS(ALBERT R.MARTIN and STEVEN E.EMERT)模型推导出阻抗匹配程度对三同轴法测试屏蔽电缆转移阻抗结果的影响。对同一屏蔽电缆在满足不同的阻抗匹配条件时的转移阻抗进行了测试,并对测试结果进行了对比分析。结果表明:阻抗匹配程度的优劣对测试结果的影响不可忽略,实际的测试过程中这种影响是交叉存在的。此外,在三同轴法中双短路法相比电阻馈电法在阻抗匹配条件上更容易实现,实际的测试结果也会更加准确。展开更多
由于矿物燃料的广泛使用,空气中含硫物质逐年积累,电子产品及元器件出现硫化失效的情况越来越多,电子产品与元器件的抗硫化能力提升越来越受到重视。通过质量一致性提升、增加电极保护层和采用高钯内电极浆料3种方案,提升电阻器产品的...由于矿物燃料的广泛使用,空气中含硫物质逐年积累,电子产品及元器件出现硫化失效的情况越来越多,电子产品与元器件的抗硫化能力提升越来越受到重视。通过质量一致性提升、增加电极保护层和采用高钯内电极浆料3种方案,提升电阻器产品的抗硫化能力,并采用ASTM B 809—95标准进行了抗硫化效果对比验证。采用对比验证,研究了3种片式膜固定电阻器抗硫化性能的提升方案,验证了抗硫化效果存在以下梯度:高钯内电极银浆料>增加电极保护层>质量一致性提升。因此,在实际的应用中可根据具体的应用场景来选择合适的抗硫化能力提升方案。展开更多
在纳米数字锁存器中,多节点翻转(multiple-node upset,MNU)正持续增加.虽然现有基于互连单元的抗辐射加固设计(radiation hardening by design,RHBD)的锁存器可以恢复所有MNU,但是需要更多的敏感节点和晶体管.为了在获得高可靠性的同时...在纳米数字锁存器中,多节点翻转(multiple-node upset,MNU)正持续增加.虽然现有基于互连单元的抗辐射加固设计(radiation hardening by design,RHBD)的锁存器可以恢复所有MNU,但是需要更多的敏感节点和晶体管.为了在获得高可靠性的同时降低硬件开销,提出利用辐射翻转机制进行加固的方法.首先,通过使用屏蔽晶体管减少敏感节点,进而降低使用的晶体管数;然后,将2个单元内的上拉晶体管进行交叉互连,从而构造出一个可抗MNU翻转的RHBD锁存器.在65 nm工艺下,与现有基于互连技术的RHBD锁存器相比,提出的RHBD锁存器可平均减少12.82%的面积,319.22%的延迟和10.66%的功耗.展开更多
文摘利用AS(ALBERT R.MARTIN and STEVEN E.EMERT)模型推导出阻抗匹配程度对三同轴法测试屏蔽电缆转移阻抗结果的影响。对同一屏蔽电缆在满足不同的阻抗匹配条件时的转移阻抗进行了测试,并对测试结果进行了对比分析。结果表明:阻抗匹配程度的优劣对测试结果的影响不可忽略,实际的测试过程中这种影响是交叉存在的。此外,在三同轴法中双短路法相比电阻馈电法在阻抗匹配条件上更容易实现,实际的测试结果也会更加准确。
文摘由于矿物燃料的广泛使用,空气中含硫物质逐年积累,电子产品及元器件出现硫化失效的情况越来越多,电子产品与元器件的抗硫化能力提升越来越受到重视。通过质量一致性提升、增加电极保护层和采用高钯内电极浆料3种方案,提升电阻器产品的抗硫化能力,并采用ASTM B 809—95标准进行了抗硫化效果对比验证。采用对比验证,研究了3种片式膜固定电阻器抗硫化性能的提升方案,验证了抗硫化效果存在以下梯度:高钯内电极银浆料>增加电极保护层>质量一致性提升。因此,在实际的应用中可根据具体的应用场景来选择合适的抗硫化能力提升方案。
