期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到83篇文章
< 1 2 … 5 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
13N超高纯锗单晶的制备与性能研究
1
作者 顾小英 赵青松 +4 位作者 牛晓东 狄聚青 张家瑛 肖溢 罗恺 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第3期497-502,共6页
13N超高纯锗单晶是制作超高纯锗探测器的核心材料。本文通过还原法获得还原锗锭,再由水平区熔法提纯获得12N高纯锗多晶,最后由直拉法生长得到13N超高纯锗单晶。通过低温霍尔测试、位错密度检测、深能级瞬态谱(DLTS)测试对13N超高纯锗单... 13N超高纯锗单晶是制作超高纯锗探测器的核心材料。本文通过还原法获得还原锗锭,再由水平区熔法提纯获得12N高纯锗多晶,最后由直拉法生长得到13N超高纯锗单晶。通过低温霍尔测试、位错密度检测、深能级瞬态谱(DLTS)测试对13N超高纯锗单晶性能进行分析。低温霍尔测试结果显示,晶体头部截面平均迁移率为4.515×10^(4)cm^(2)·V^(-1)·s^(-1),载流子浓度为1.176×10^(10)cm^(-3),导电类型为p型,位错密度为2256 cm^(-2);尾部截面平均迁移率为4.620×10^(4)cm^(2)·V^(-1)·s^(-1),载流子浓度为1.007×10^(10)cm^(-3),导电类型为p型,位错密度为2589 cm^(-2)。晶体深能级杂质浓度为1.843×10^(9)cm^(-3)。以上结果表明该晶体是13N超高纯锗单晶。 展开更多
关键词 锗单晶 探测器 迁移率 载流子浓度 位错密度
下载PDF
铅试金富集—电感耦合等离子体原子发射光谱法测定含硒碲物料中的钌铑锇铱
2
作者 邓育宁 朱赞芳 +2 位作者 叶文文 谭秀珍 韦圣林 《黄金》 CAS 2024年第4期99-102,共4页
钌、铑、锇、铱物理化学性质优异,成为高科技领域和工业生产中不可缺少的关键材料。实验采用铅试金富集—电感耦合等离子体原子发射光谱法测定含硒碲物料中的钌、铑、锇、铱元素,即浓硫酸溶解物料去除硒、碲,加入一定量的银,经铅试金富... 钌、铑、锇、铱物理化学性质优异,成为高科技领域和工业生产中不可缺少的关键材料。实验采用铅试金富集—电感耦合等离子体原子发射光谱法测定含硒碲物料中的钌、铑、锇、铱元素,即浓硫酸溶解物料去除硒、碲,加入一定量的银,经铅试金富集得到银合金粒,银合金粒采用硝酸溶解分银,滤渣经过氧化钠和氯化钠高温熔融后用浓盐酸消解,采用电感耦合等离子体原子发射光谱法测定。实验对银加入量、熔样温度、灰吹温度、过氧化钠和氯化钠加入量、仪器参数进行了优化,确定了最优实验条件。本方法测定含硒碲物料中钌、铑、锇、铱的相对标准偏差为0.29%~1.01%,加标回收率为96.36%~105.77%,精密度和准确度满足分析测试需求。 展开更多
关键词 铅试金法 电感耦合等离子体原子发射光谱 含硒碲物料 钌 铑 锇 铱
下载PDF
氧化铟生产废水处理技术优化研究
3
作者 秦婷婷 李明胜 +1 位作者 邢娜 殷亮 《广东化工》 CAS 2024年第1期89-90,94,共3页
针对水热法生产氧化铟过程中产生的氨氮含盐废水,提出对氨氮废水处理系统进行技术优化,完成优化方案的实施及运行效果验证和成本核算。通过技术优化和工程升级改造应用后,减少了废水的排放量,增加了废水的回用量,降低了生产线纯水的使用... 针对水热法生产氧化铟过程中产生的氨氮含盐废水,提出对氨氮废水处理系统进行技术优化,完成优化方案的实施及运行效果验证和成本核算。通过技术优化和工程升级改造应用后,减少了废水的排放量,增加了废水的回用量,降低了生产线纯水的使用量,降低了废水处理成本,降低了企业的产品生产成本,经济效益明显。通过优化工艺,生产线实现了节能减排和回用降本,可供国内外各基地公司和相关类似行业废水的推广应用。 展开更多
关键词 氧化铟产品 生产废水 技术优化 源头减排 节能降本
下载PDF
ZnSe为基质材料掺杂的中红外固体激光器的技术发展 被引量：1
4
作者 胡智向 朱刘 +2 位作者 狄聚青 曹雪 周伟 《化工技术与开发》 CAS 2020年第9期36-42,73,共8页
本文总结了目前可实现中红外激光输出的技术途径,介绍了各种类型中红外激光器的优缺点,重点分析了以ZnSe为基质材料掺杂的中红外固体激光器实现的技术途径,以及在国际上处于技术领先水平的几个实际系统,并对中红外激光器的技术现状和未... 本文总结了目前可实现中红外激光输出的技术途径,介绍了各种类型中红外激光器的优缺点,重点分析了以ZnSe为基质材料掺杂的中红外固体激光器实现的技术途径,以及在国际上处于技术领先水平的几个实际系统,并对中红外激光器的技术现状和未来发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 ZNSE 激光光学 中红外 泵浦 调谐
下载PDF
第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 被引量：13
5
作者 麦玉冰 谢欣荣 《广东化工》 CAS 2021年第9期151-152,155,共3页
第三代半导体材料碳化硅(SiC)因其禁带宽度大、热稳定性强、热导率高、抗辐射能力强等优点,以耐高温、高压、高频著称,在功率半导体领域有着广泛的应用前景而成为半导体材料的技术研究前沿和产业竞争焦点。本文详细论述了第三代半导体... 第三代半导体材料碳化硅(SiC)因其禁带宽度大、热稳定性强、热导率高、抗辐射能力强等优点,以耐高温、高压、高频著称,在功率半导体领域有着广泛的应用前景而成为半导体材料的技术研究前沿和产业竞争焦点。本文详细论述了第三代半导体材料碳化硅(SiC)的生产方法、研究进展和产业化现状,提出了未来努力的方向和解决的方案,并展望了其未来的发展趋势和应用前景。 展开更多
关键词 第三代半导体 碳化硅 进展
下载PDF
第三代半导体材料氮化镓(GaN)研究进展 被引量：13
6
作者 谢欣荣 《广东化工》 CAS 2020年第18期92-93,共2页
第三代半导体材料氮化镓(GaN)因其禁带宽度大、电子漂移饱和速度高、击穿电压高、介电常数小、导电性能好等优点,在微电子和光电子领域有着广泛的应用前景而成为半导体材料研究的热点。本文详细阐述了第三代半导体材料氮化镓(GaN)的制... 第三代半导体材料氮化镓(GaN)因其禁带宽度大、电子漂移饱和速度高、击穿电压高、介电常数小、导电性能好等优点,在微电子和光电子领域有着广泛的应用前景而成为半导体材料研究的热点。本文详细阐述了第三代半导体材料氮化镓(GaN)的制备方法、研究现状及产业化进展,指出了需进一步努力的方向和解决的方案,并对其未来的发展趋势和应用前景提出了展望。 展开更多
关键词 第三代半导体 氮化镓 进展
下载PDF
银钯合金靶材废料的综合回收研究 被引量：1
7
作者 行卫东 赵振华 +1 位作者 王杰 朱刘 《贵金属》 CAS 北大核心 2021年第4期32-36,共5页
采用硝酸浸出-选择性分离钯-沉淀分离铟-抗坏血酸还原银的湿法工艺分离回收银钯合金靶材废料中贵金属银钯。结果表明,用4 mol/L硝酸,90℃加热,120 min即可完全浸出所有金属;浸出液采用理论量1.6倍的丁二酮肟可以完全沉淀分离99.9%以上的... 采用硝酸浸出-选择性分离钯-沉淀分离铟-抗坏血酸还原银的湿法工艺分离回收银钯合金靶材废料中贵金属银钯。结果表明,用4 mol/L硝酸,90℃加热,120 min即可完全浸出所有金属;浸出液采用理论量1.6倍的丁二酮肟可以完全沉淀分离99.9%以上的钯;将滤液调节至pH=5,其中的铟、铁、镓等可被沉淀分离得到纯净的硝酸银溶液;控制富银液pH 8~10,用0.8倍银质量的抗坏血酸可将银完全还原,银粉直收率大于96%。 展开更多
关键词 有色金属冶金 靶材废料 银钯合金 选择性沉淀钯 还原银粉
下载PDF
从镍钛钯废靶材中回收钯 被引量：1
8
作者 李康 行卫东 朱刘 《湿法冶金》 CAS 北大核心 2021年第3期207-210,共4页
研究了用盐酸从镍钛钯废合金靶材中浸出镍、铝、钯,通过氯化铵沉淀、煅烧还原回收钯。结果表明:用5.0 mol/L盐酸溶液浸出废靶材6.0 h,镍、铝浸出率均在98%以上,浸出液中的镍用碱沉淀为粗氯化镍;浸出渣用6 mol/L盐酸在理论量1.2~1.5倍氯... 研究了用盐酸从镍钛钯废合金靶材中浸出镍、铝、钯,通过氯化铵沉淀、煅烧还原回收钯。结果表明:用5.0 mol/L盐酸溶液浸出废靶材6.0 h,镍、铝浸出率均在98%以上,浸出液中的镍用碱沉淀为粗氯化镍;浸出渣用6 mol/L盐酸在理论量1.2~1.5倍氯酸钠存在条件下浸出钯,钯浸出率99.98%;钯浸出液中加入适量氯化铵沉淀氯钯酸铵,氯钯酸铵经烘干煅烧还原得海绵钯。该工艺钯回收率大于99%,海绵钯纯度大于99.95%。 展开更多
关键词 钛镍钯废靶材 钯 镍 氧化浸出
下载PDF
第二代半导体材料及其原材料高纯砷 被引量：1
9
作者 曾小东 胡丹 徐成 《广东化工》 CAS 2022年第23期7-9,共3页
本文综合阐述了第二代半导体材料砷化镓原材料高纯砷的特性,砷储量及分布情况、应用,对比了现有制备技术的优缺点,对影响高纯砷纯度的相关因素进行了分析讨论。目前制备高纯砷的主要技术有升华蒸馏法、铅熔池升华法、砷化氢热分解法、... 本文综合阐述了第二代半导体材料砷化镓原材料高纯砷的特性,砷储量及分布情况、应用,对比了现有制备技术的优缺点,对影响高纯砷纯度的相关因素进行了分析讨论。目前制备高纯砷的主要技术有升华蒸馏法、铅熔池升华法、砷化氢热分解法、氯化还原法、硫化还原和氧化砷+盐酸还原法等。其中氯化还原法和氧化砷+盐酸还原法是目前工业产量化应用最多的方法。氯化还原法由于其工序冗长,过程中存在氯气等剧毒气体,对设备防腐要求较高,存在安全环保风险;氧化砷+盐酸还原法因其副产物可回收重复利用,工艺流程相对较短,废液、废气和废渣产生更少,对环境更友好。同时讨论了高纯砷粉的制备和杂质的影响及除杂方法。更高纯度、更大规模、更节能、更安全环保、自动化是未来高纯砷的发展方向。 展开更多
关键词 高纯砷 半导体材料 制备方法 氯化还原法 除杂
下载PDF
热解氮化硼材料制备方法以及性能研究
10
作者 余明 胡丹 +1 位作者 朱刘 胡智向 《广东化工》 CAS 2020年第7期48-49,共2页
本文主要介绍了热解氮化硼材料制备方法,系统介绍了化学气相沉积法制备的热解氮化硼的沉积机理,对热解氮化硼的沉积机理和反应机理进行分析,对热解氮化硼材料性能做了简单测试。
关键词 热解氮化硼 化学气相沉积 制备 沉积机理 反应机理 性能
下载PDF
水浸超声波C扫描检测系统的增益和水距对ITO靶材缺陷检测的准确性研究
11
作者 王英洁 文崇斌 +1 位作者 胡智向 朱刘 《广东化工》 CAS 2021年第5期220-221,共2页
试验研究了水浸超声波C扫描检测系统增益和水距对绑定后的ITO靶材绑定缺陷扫描结果准确性的影响。试验表明为测得准确的ITO靶材绑定率,需要计算理论水距,将C-SCAN设备的探头焦点放置在缺陷位置并设定正确的增益值,从而达到准确判断缺陷... 试验研究了水浸超声波C扫描检测系统增益和水距对绑定后的ITO靶材绑定缺陷扫描结果准确性的影响。试验表明为测得准确的ITO靶材绑定率,需要计算理论水距,将C-SCAN设备的探头焦点放置在缺陷位置并设定正确的增益值,从而达到准确判断缺陷位置。 展开更多
关键词 水浸超声波C扫描检测系统 增益 水距 靶材绑定率 绑定缺陷
下载PDF
氯化法制备高纯材料
12
作者 曾小东 徐成 胡丹 《广东化工》 CAS 2022年第22期279-282,共4页
氯化法制备高纯材料,可以分为几类,一类是直接生成高纯的氯化物材料,这一类包含有四氯化锡,三氯化镓,三氯化铟,四氯化碲,四氯化铪等;另一类是生成的氯化物经过提纯,再经过氢化还原生成高纯单质,这里包含有高纯砷,高纯锑,高纯磷等[1]。... 氯化法制备高纯材料,可以分为几类,一类是直接生成高纯的氯化物材料,这一类包含有四氯化锡,三氯化镓,三氯化铟,四氯化碲,四氯化铪等;另一类是生成的氯化物经过提纯,再经过氢化还原生成高纯单质,这里包含有高纯砷,高纯锑,高纯磷等[1]。还有氯化后经过水解生成高纯的氧化物,比如氧化锗,氧化钛等。氯化法制备高纯材料中水、氯的影响不容忽视,其中氯化法制备高纯砷、高纯锑等高纯金属具有较好的适应性,氯气与粗砷等原料生产对应氯化物,由于氯气及环境中存在水汽,氯气在相应氯化物中的溶解较大,导致氯化物中的水、游离氯含量较高[2]。本文讨论了用浓硫酸及酸洗干燥剂对氯化物的除水效果以及游离氯的去除及再利用。氯化法对材料也有特殊的要求,在采用砷与氯气反应生产三氯化砷,精馏三氯化砷后进行还原制备的高纯砷的过程中,由于三氯化砷的强腐蚀性,以及超高纯砷的纯度的要求。本文讨论了砷和氯气的反应釜、三氯化砷的蒸馏精馏装置、三氯化砷的氢化还原装置、高纯砷的研磨破碎工具的材质选择及优缺点[3-4]。 展开更多
关键词 氯化物 高纯材料 除氯、除水 耐腐材料
下载PDF
红外材料ZnS的制备
13
作者 余芳 文崇斌 +2 位作者 谢小林 朱刘 童培云 《广东化工》 CAS 2019年第4期42-43,共2页
本文通过化学沉淀法,以99.99%锌粉为主要原料制备了高纯ZnS粉末。利用X射线衍射仪、扫描电镜、ICP发射光谱仪对其相成分、表面形貌、杂质元素进行表征,并考察了所制备的Zn S粉末的应用效果。结果表明:Zn S粉末主要由β-Zn S相构成,纯度... 本文通过化学沉淀法,以99.99%锌粉为主要原料制备了高纯ZnS粉末。利用X射线衍射仪、扫描电镜、ICP发射光谱仪对其相成分、表面形貌、杂质元素进行表征,并考察了所制备的Zn S粉末的应用效果。结果表明:Zn S粉末主要由β-Zn S相构成,纯度较高,达99.995%,颗粒呈球形状,粒径主要分布在2-5μm;真空热压工艺制备的6 mm厚Zn S多晶在8-12μm波段范围内平均红外透过率达67.6%。 展开更多
关键词 化学沉淀法 ZN S粉末 红外透过率
下载PDF
正交化制备ZnTe靶材试验研究
14
作者 曾成亮 朱刘 《广东化工》 CAS 2021年第14期27-27,51,共2页
以5N超细ZnTe粉体为原料,采用真空热压法对ZnTe靶材进行制备。以烧结压力、保温时间及烧结温度为实验因子,设计了L9(34)正交化实验。研究表明,靶材的致密度随保温时间的增加而增加,但超过一定时间后,会出现反致密化现象;烧结温度具有一... 以5N超细ZnTe粉体为原料,采用真空热压法对ZnTe靶材进行制备。以烧结压力、保温时间及烧结温度为实验因子,设计了L9(34)正交化实验。研究表明,靶材的致密度随保温时间的增加而增加,但超过一定时间后,会出现反致密化现象;烧结温度具有一定的影响;而烧结压力对其影响较小。最终分析得出ZnTe靶材制备的最佳工艺在烧结压力为58 MPa、保温时间60 min、烧结温度820℃的真空热压条件下,ZnTe靶材的致密度可达99.5%。 展开更多
关键词 ZnTe靶材 真空热压 正交实验 薄膜太阳能电池材料
下载PDF
直流辉光放电质谱法测定高纯α-Al 2 O 3颗粒中16种杂质元素 被引量：1
15
作者 谭秀珍 李江霖 +2 位作者 李瑶 邓育宁 朱刘 《中国无机分析化学》 CAS 北大核心 2023年第7期755-760,共6页
采用高纯Ga作为辅助电极,通过考察取样量、放电参数对基体信号强度、信号稳定性、基体和Ga的信号比值的影响,建立了直流辉光放电质谱法(dc-GDMS)测定高纯α-Al_(2)O_(3)颗粒中的Li、Be、Na、Mg等16种杂质元素含量的分析方法。当选取3颗2... 采用高纯Ga作为辅助电极,通过考察取样量、放电参数对基体信号强度、信号稳定性、基体和Ga的信号比值的影响,建立了直流辉光放电质谱法(dc-GDMS)测定高纯α-Al_(2)O_(3)颗粒中的Li、Be、Na、Mg等16种杂质元素含量的分析方法。当选取3颗2 mm左右大小的α-Al_(2)O_(3)颗粒用Ga包裹,在1.6 mA/950 V的放电参数下,基体27 Al信号稳定,强度为3.2×10^(8) cps,Al、Ga的信号比约为1∶270。采用实验方法对α-Al_(2)O_(3)颗粒独立测定5次,相对标准偏差均在30%以内。为了验证Ga对α-Al_(2)O_(3)颗粒测定结果的影响,分别采用电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-OES)和dc-GDMS法对易于消解的γ-Al_(2)O_(3)粉进行测定。对于dc-GDMS法,选择压在Ga上的γ-Al_(2)O_(3)粉直径约为4~5 mm,在同样的放电参数下,27 Al的信号强度为3.0×10^(9) cps,Al、Ga的信号比约为1∶29。γ-Al_(2)O_(3)粉的GDMS测定结果和ICP-OES基本一致。采用Ga作辅助电极测定α-Al_(2)O_(3)颗粒和γ-Al_(2)O_(3)粉的检出限均可达ng/g。 展开更多
关键词 直流辉光放电质谱仪(dc-GDMS) 高纯Ga 高纯α-Al 2 O 3颗粒 杂质元素
下载PDF
从含钌合金中浸出钌的实验研究
16
作者 陈辉 白平平 +3 位作者 杨阳 行卫东 童培云 朱刘 《广东化工》 CAS 2023年第13期35-37,19,共4页
本文通过熔炼碎化、酸溶、有氧煅烧、球磨、碱熔水浸的工艺,从含钌硬质合金中浸出钌。考察了碎化剂与钌合金的比例、熔炼温度、熔炼时间、酸的用量、有氧煅烧温度、物料粒度、碱熔料比、碱熔温度、水浸温度、水浸时间等因素对钌浸出率... 本文通过熔炼碎化、酸溶、有氧煅烧、球磨、碱熔水浸的工艺,从含钌硬质合金中浸出钌。考察了碎化剂与钌合金的比例、熔炼温度、熔炼时间、酸的用量、有氧煅烧温度、物料粒度、碱熔料比、碱熔温度、水浸温度、水浸时间等因素对钌浸出率的影响。结果表明,在最佳实验条件下,钌的一次浸出率可以达到98.5%以上。 展开更多
关键词 钌合金 碎化 有氧煅烧 碱熔 水浸
下载PDF
碲化镉溶液中无机痕量杂质成分分析标准物质研制
17
作者 张见营 崔彦杰 +9 位作者 周涛 虞婧 黄博崚 黎春 黄杏娇 刘芳美 朱赞芳 王金砖 肖光洋 王鑫磊 《质谱学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第6期782-791,I0006,共11页
本文研制了2 mg/g碲化镉(CdTe)溶液中无机痕量杂质成分分析的5种标准物质,每种包含21种杂质元素,浓度分别为0、1、2、4、8 ng/g。通过辉光放电质谱(GD-MS)法对CdTe原料纯度进行测量,筛选得到纯度>99.999%的高纯原料;使用HCl-HNO_(3)... 本文研制了2 mg/g碲化镉(CdTe)溶液中无机痕量杂质成分分析的5种标准物质,每种包含21种杂质元素,浓度分别为0、1、2、4、8 ng/g。通过辉光放电质谱(GD-MS)法对CdTe原料纯度进行测量,筛选得到纯度>99.999%的高纯原料;使用HCl-HNO_(3)混酸将其溶解,再根据成分设计定量添加杂质元素,制备得到标准物质候选物。建立了基体匹配-内标校正-电感耦合等离子体质谱法用于标准物质定值与均匀性、稳定性检验,采用标准物质EB507验证方法可靠性。对包装容器溶出进行考察,以高密度聚乙烯(HDPE)作为包装容器可满足要求。采用建立的方法对全部元素进行检验,结果表明,标准物质均匀性以及长、短期稳定性良好,有效期12个月。通过8家实验室联合定值的方式,对标准物质中21种元素进行定值,以算数平均值作为标准值,并对不确定度进行全面、系统地评估。该系列基体标准物质填补了国内外空白,对于验证测量方法的可靠性、确保测量结果的一致性与溯源性具有重要作用。 展开更多
关键词 高纯碲化镉 杂质测量 标准物质 联合定值 基体效应 内标校正 电感耦合等离子体质谱(ICP-MS) 不确定度评估
下载PDF
直流辉光放电质谱分析导体和非导体样品的高纯铟片制样方法研究 被引量：7
18
作者 谭秀珍 李瑶 +2 位作者 林乾彬 朱刘 邓育宁 《冶金分析》 CAS CSCD 北大核心 2018年第9期1-7,共7页
利用高纯铟薄片作为粘合剂,选取适量的样品压在In薄片上,采用直流辉光放电质谱法(dc-GDMS)测定了以红磷、Al_2O_3、In_2O_3和Lu_2O_3为代表的块状非导体、粉末非导体和粉末导体这3类物质中杂质元素的含量。实验考察了取样量、放电参数... 利用高纯铟薄片作为粘合剂,选取适量的样品压在In薄片上,采用直流辉光放电质谱法(dc-GDMS)测定了以红磷、Al_2O_3、In_2O_3和Lu_2O_3为代表的块状非导体、粉末非导体和粉末导体这3类物质中杂质元素的含量。实验考察了取样量、放电参数对基体信号强度及其稳定性的影响,优化后的取样量和放电参数如下:对于块状非导体-红磷样品,选取约2mm×3mm×1mm大小,用手扳压力机压在In上,并将放电电流设在1.50mA,放电电压设在850V;对于粉末非导体-Al_2O_3样品,选择压在In上的Al_2O_3粉末直径约为3mm,放电电流为1.70mA,放电电压为900V;对于粉末导体-In_2O_3和Lu_2O_3样品,则选择压在In上的In_2O_3和Lu_2O_3粉末直径约为7~8mm,放电电流为1.80mA,放电电压为950V。将实验方法应用于红磷、Al_2O_3、In_2O_3和Lu_2O_3样品的测定,其中检测红磷的杂质元素检出限要比Al_2O_3的低1个数量级;对In_2O_3独立测定5次结果的相对标准偏差均在20%内,大部分元素的测定值与电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)基本一致,而Na、Al、Sn、Pb元素的测定值差别虽然有点大,但都在一个数量级上,对高纯金属产品的定级没有太大影响;Lu_2O_3中稀土元素的测定结果与ICP-MS的分析结果也基本一致。 展开更多
关键词 直流辉光放电质谱法(dc-GDMS) 高纯铟 红磷 氧化铝 氧化铟 氧化镥
下载PDF
直流辉光放电质谱法测定高纯二氧化锗中的16种杂质元素及其相对灵敏度因子的求取 被引量：7
19
作者 谭秀珍 李瑶 +2 位作者 林乾彬 朱刘 邓育宁 《理化检验（化学分册）》 CAS CSCD 北大核心 2019年第7期859-864,共6页
取高纯GeO2粉末5.00g(颗粒度小于30μm)5份,其中一份作为空白,其余4份中依次加入Li、Be、Mg、Al、Ti、V、Cr、Fe、Ni、Co、Cu、Zn、Sn、Sb、Tl、Pb等16种元素的标准溶液,使其浓度梯度为0,0.4,1.0,2.0,5.0μg·g^-1,于烘箱中100℃烘... 取高纯GeO2粉末5.00g(颗粒度小于30μm)5份,其中一份作为空白,其余4份中依次加入Li、Be、Mg、Al、Ti、V、Cr、Fe、Ni、Co、Cu、Zn、Sn、Sb、Tl、Pb等16种元素的标准溶液,使其浓度梯度为0,0.4,1.0,2.0,5.0μg·g^-1,于烘箱中100℃烘干。充分研磨混匀后制得GeO2粉末中含16种杂质元素的控制样品。取高纯铟按方法规定压制成直径约为15mm的In薄片。取5片铟薄片,取适量上述5个GeO2控制样品分别置于铟薄片上,盖上数层称量纸后用手动压紧压实,使铟薄片上的控制样品的直径约为4mm,并分别进行直流辉光放电质谱法(dc-GD-MS)测定。选择放电电流为1.8mA,放电电压为850V,采用电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)测定控制样品中各杂质元素的含量,并将这些测定值作为标准值。将ICP-MS测定所得待测元素和基体元素的离子束强度比值为横坐标,以与其对应的信号强度为纵坐标绘制校准曲线,曲线的斜率即为各元素的相对灵敏度因子(RSF)值。所得16种元素的校准RSF(calRSF)值和仪器自带的标准RSF(stdRSF)值之间存在显著的差异,其比值大都在2~3之间。由此可见制备的一组GeO2粉末控制样品不仅建立了各元素的工作曲线,而且获得了与基体相匹配的RSF值,解决了用GD-MS测定高纯GeO2中16种杂质元素的问题。 展开更多
关键词 直流辉光放电质谱法 高纯二氧化锗粉末 控制样品 相对灵敏度因子
下载PDF
从二次资源中分离回收镓的研究进展 被引量：10
20
作者 邹铭金 李栋 +4 位作者 田庆华 郭学益 许志鹏 岳喜龙 无 《有色金属科学与工程》 CAS 2020年第5期45-51,共7页
镓作为典型稀散金属被广泛应用于无线通讯、LED照明、半导体及太阳能电池等领域,是重要的战略金属资源。近年来通讯行业发展迅猛,对镓的需求也越来越大,从各类含镓资源中回收镓的技术发展备受关注。本文评述了从铝、锌冶炼,粉煤灰以及... 镓作为典型稀散金属被广泛应用于无线通讯、LED照明、半导体及太阳能电池等领域,是重要的战略金属资源。近年来通讯行业发展迅猛,对镓的需求也越来越大,从各类含镓资源中回收镓的技术发展备受关注。本文评述了从铝、锌冶炼,粉煤灰以及含镓工业废料等二次资源中回收镓的方法和技术,并对其应用性进行了总结与展望。 展开更多
关键词 镓 分离回收 二次资源 研究进展
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 2 … 5 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部