中国电子元件与材料资深专家章士瀛

1

作者 赵光云 赵俊斌 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第8期54-56,共3页

关键词 章士瀛 军工企业 尖端武器系统 电子元件 技术创新

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水溶性助焊剂焊接技术及水清洗工艺 被引量：2

2

作者 章士瀛 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第9期21-23,共3页

以混合醇、有机酸、活性剂、高温润湿剂等与异丙醇混合配制成水溶性助焊剂。在电容器生产中使用了这种助焊剂替代松香酒精助焊剂,焊接后采用纯水替代三氯乙烯溶剂进行清洗。测试结果表明,产品介质损耗小于0.03,绝缘电阻大于10000M?,均... 以混合醇、有机酸、活性剂、高温润湿剂等与异丙醇混合配制成水溶性助焊剂。在电容器生产中使用了这种助焊剂替代松香酒精助焊剂,焊接后采用纯水替代三氯乙烯溶剂进行清洗。测试结果表明,产品介质损耗小于0.03,绝缘电阻大于10000M?,均达到国家产品标准。实现了绿色化生产且降低了生产成本。 展开更多

关键词 无机非金属材料 水溶性助焊剂 水清洗

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一次性烧成晶界层半导体陶瓷电容器 被引量：1

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作者 章士瀛 王守士 +3 位作者 李言 李静 章仲涛 王艳 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期43-45,48,共4页

采用一次性烧成技术研制了晶界层半导体陶瓷电容器,在瓷料配制过程中先后加入施主杂质和含有受主杂质的晶界助烧剂,两者在还原烧成时促使晶粒生长并半导化,助烧剂在氧化时有利于晶界绝缘层形成。在一台联体烧成设备中,采用大梯度温度和... 采用一次性烧成技术研制了晶界层半导体陶瓷电容器,在瓷料配制过程中先后加入施主杂质和含有受主杂质的晶界助烧剂,两者在还原烧成时促使晶粒生长并半导化,助烧剂在氧化时有利于晶界绝缘层形成。在一台联体烧成设备中,采用大梯度温度和气氛变化,连续完成还原烧成和氧化处理。还原烧成时,升温速度大于400℃/h。在还原烧成温度下保温后,立即在几分钟内,从还原气氛转到氧化气氛,同时降温300℃以上。整个烧成过程中,瓷体全部是堆烧(叠烧10～20层),生产效率比二次烧成提高10倍以上。 展开更多

关键词 电子技术 晶界层半导体陶瓷电容器 一次性烧成 联体炉

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试验设计在Y电容器设计中的运用 被引量：1

4

作者 冯诗银 王朝阳 +2 位作者 罗史濂 赵丽兴 陈妙 《电子产品可靠性与环境试验》 2019年第4期34-38,共5页

Y电容器的3个主要性能指标---电容量、损耗角正切和耐电压取决于介质材料芯片的设计,但击穿电压则更能考核Y电容器的耐电压特性。以Y电容器芯片为研究对象,运用Minitab软件试验设计响应曲面模型、试验数据和试验设计提供的"预测、... Y电容器的3个主要性能指标---电容量、损耗角正切和耐电压取决于介质材料芯片的设计,但击穿电压则更能考核Y电容器的耐电压特性。以Y电容器芯片为研究对象,运用Minitab软件试验设计响应曲面模型、试验数据和试验设计提供的"预测、重叠等值线图、响应优化器"等分析方法,对Y电容器芯片的设计进行了验证和优化,结果表明,通过试验设计方式,可以快速地为芯片选型设计找准影响因子、指明改进方向;同时还可节省设计时间和经费。 展开更多

关键词 试验设计 Y电容器 击穿电压 因子 箱线图 方差分析 回归分析

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Finder-1000 X射线能谱仪在半导体陶瓷电容器制程中的应用

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作者 李静 王振平 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期528-529,共2页

关键词 Finder-1000X射线能谱仪 EDX 半导体陶瓷电容器 表面层型半导体瓷片 表面污染黑斑 表面疵病

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CCH型片式高压陶瓷电容器

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作者 章士瀛 王艳 +3 位作者 罗世勇 王守士 王振平 李言 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期10-11,13,共3页

MLCC制成小容量规格相对困难,且偶有破碎,可靠性差,用于制成圆片瓷介电容器的单层被银瓷片制成片式高压瓷介电容器以替代小容量的MLCC。开发设计了陶瓷芯片夹于上下两连体扁平引线中间并焊接后,再模塑环氧树脂封装,然后分割切开连体引线... MLCC制成小容量规格相对困难,且偶有破碎,可靠性差,用于制成圆片瓷介电容器的单层被银瓷片制成片式高压瓷介电容器以替代小容量的MLCC。开发设计了陶瓷芯片夹于上下两连体扁平引线中间并焊接后,再模塑环氧树脂封装,然后分割切开连体引线,使切开后的扁平引线平贴在外壳表面,得到了仍是用单层被银瓷片制成的片形高压瓷介电容器。该产品的小容量规格制造更容易,其可靠性高,适用于SMT。 展开更多

关键词 片式高压单层陶瓷电容器 带状连体引线 模塑封装 小容量规格

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ZVD型片式塑封ZnO压敏电阻器的制备

7

作者 章士瀛 曹光堂 +2 位作者 罗世勇 李言 王艳 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第12期4-7,共4页

用圆片压敏电阻器的单层被银瓷片,制成片式ZnO压敏电阻器,从而解决了制造尺寸较小、电压较高、电流较大的片式压敏电阻器这一难题。将ZnO陶瓷芯片夹于上下两连体扁平引线中间焊接后,再模塑环氧树脂封装,然后分割切开连体引线,使切开后... 用圆片压敏电阻器的单层被银瓷片,制成片式ZnO压敏电阻器,从而解决了制造尺寸较小、电压较高、电流较大的片式压敏电阻器这一难题。将ZnO陶瓷芯片夹于上下两连体扁平引线中间焊接后,再模塑环氧树脂封装,然后分割切开连体引线,使切开后的扁平引线贴在外壳表面,得到了片式塑封ZnO压敏电阻器。该产品与片式单层矩形和多层矩形ZnO压敏电阻器相比,具有更高的可靠性和性价比。 展开更多

关键词 电子技术 片式压敏电阻器 带状连体引线 模塑封装

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CCF片式塑封型交流瓷介电容器

8

作者 罗世勇 赵俊斌 章士瀛 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期17-19,共3页

多层瓷介电容器(MLCC)制成交流瓷介电容器相对困难,利用用于制备圆片瓷介电容器的单层被银瓷片,开发设计了片式交流瓷介电容器以满足市场需要。将陶瓷芯片与带状连体引线焊接后,再模塑环氧树脂封装和切割成型,由单层被银瓷片制成了C型(... 多层瓷介电容器(MLCC)制成交流瓷介电容器相对困难,利用用于制备圆片瓷介电容器的单层被银瓷片,开发设计了片式交流瓷介电容器以满足市场需要。将陶瓷芯片与带状连体引线焊接后,再模塑环氧树脂封装和切割成型,由单层被银瓷片制成了C型(内折弯)和Y型(外折弯)单层片式塑封型交流瓷介电容器。该产品制造相对容易,且可靠性高,适用于SMT。 展开更多

关键词 CCF 单层片式交流瓷介电容器 带状连体引线 塑封

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单层圆片带引线元件的片式化实现

9

作者 章士瀛 罗世勇 王艳 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第8期36-38,共3页

介绍了在单层陶瓷圆片的基础上实现单层陶瓷圆片带引线元件的片式化。即将陶瓷芯片夹于上下连体扁平引线中间并焊接,模塑环氧树脂封装,再分割切开引线,使切开后的扁平引线贴在外壳表面,得到了用单层圆片制成的片式结构元件。已开发出CC... 介绍了在单层陶瓷圆片的基础上实现单层陶瓷圆片带引线元件的片式化。即将陶瓷芯片夹于上下连体扁平引线中间并焊接,模塑环氧树脂封装,再分割切开引线,使切开后的扁平引线贴在外壳表面,得到了用单层圆片制成的片式结构元件。已开发出CCH单层塑封型片式高压瓷介电容器、CCF单层塑封型片式交流瓷介电容器、ZVD单层塑封型片式氧化锌压敏电阻器产品,其结构坚固牢靠、防潮性能好、散热性能好、可靠性高,适应用于SMT生产。 展开更多

关键词 电子技术 元件:单层圆片 片式化 模塑封装

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CCF型片式塑封交流瓷介电容器

10

作者 章士瀛 王艳 +1 位作者 罗世勇 王守士 《电子元器件应用》 2005年第4期33-36,共4页

用多层陶瓷电容器(MLCC)制作交流瓷介电容器相对困难,我们希望用制成圆片瓷介电容器的单层被银瓷片制成片式交流瓷介电容器以满足市场需要。开发了将陶瓷芯片夹在上下两连体扁平引线中间并焊接,再用模塑环氧树脂封装,然后分割并切开连... 用多层陶瓷电容器(MLCC)制作交流瓷介电容器相对困难,我们希望用制成圆片瓷介电容器的单层被银瓷片制成片式交流瓷介电容器以满足市场需要。开发了将陶瓷芯片夹在上下两连体扁平引线中间并焊接,再用模塑环氧树脂封装,然后分割并切开连体引线,将切开后的扁平引线平贴在外壳表面,得到仍是用单层被银瓷片制成的片式塑封交流瓷介电容器,该产品比ML-CC交流瓷介电容器的制造更容易,可靠性更高,且适用于表面贴装。 展开更多

关键词 片式塑封交流瓷介电容器 带状连体引线 模塑封装 元件

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电极直径对Y电容器损耗角正切的影响

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作者 赵丽兴 冯诗银 +1 位作者 罗史濂 陈妙 《电子产品可靠性与环境试验》 2019年第4期27-29,共3页

Y电容器[1]的电容量、耐电压是大家较关注的特性,而电容器损耗角正切却容易被大家所忽视;损耗出现异常不良,同样会给电容器的质量带来较大的风险。针对Y电容器生产过程中出现的损耗角正切异常的问题,通过试验对电极直径对Y电容器损耗角... Y电容器[1]的电容量、耐电压是大家较关注的特性,而电容器损耗角正切却容易被大家所忽视;损耗出现异常不良,同样会给电容器的质量带来较大的风险。针对Y电容器生产过程中出现的损耗角正切异常的问题,通过试验对电极直径对Y电容器损耗角正切的影响进行了分析,结果表明,电极直径大小不同,其对Y电容器损耗带来的影响也会有所不同。 展开更多

关键词 Y电容器 损耗角正切 试验设计 因子 箱线图 方差分析

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影响Y电容器击穿电压的因子探讨

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作者 冯诗银 王志强 +2 位作者 吴金珠 王学宇 王晓露 《电子产品可靠性与环境试验》 2020年第5期28-31,共4页

耐电压是Y电容器的一个主要性能指标,而击穿电压则更能考核Y电容器的耐电压特性;采用MINITAB软件DOE全因子设计方案,对Y电容器芯片相关尺寸进行研究分析,找出了对Y电容器BDV影响显著的因子。结果表明,芯片银电极留边量、芯片厚度的影响... 耐电压是Y电容器的一个主要性能指标,而击穿电压则更能考核Y电容器的耐电压特性;采用MINITAB软件DOE全因子设计方案,对Y电容器芯片相关尺寸进行研究分析,找出了对Y电容器BDV影响显著的因子。结果表明,芯片银电极留边量、芯片厚度的影响最为显著,同时,芯片直径*留边量的交互作用对Y电容器BDV影响也是不容忽略的。 展开更多

关键词 Y电容器 击穿电压 试验设计 因子 箱线图 方差分析

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ZnO压敏电阻器电压分散性探讨

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作者 王朝阳 冯诗银 +2 位作者 蓝小林 崔锦鹏 陈妙 《电子产品可靠性与环境试验》 2019年第4期30-33,共4页

电子陶瓷产品生产过程中,离不开烧结工序。烧结既是关键工序,也是特殊过程,烧结对陶瓷产品的特性影响重大。对同批次生产的ZnO压敏电阻器压敏电压分散性大的原因进行了分析,将立式烧结炉匣钵内的面积划分成5个不同的区域,对相应区域烧... 电子陶瓷产品生产过程中,离不开烧结工序。烧结既是关键工序,也是特殊过程,烧结对陶瓷产品的特性影响重大。对同批次生产的ZnO压敏电阻器压敏电压分散性大的原因进行了分析,将立式烧结炉匣钵内的面积划分成5个不同的区域,对相应区域烧结的样品进行取样、检测。利用Minitab软件对样品检测数据进行箱线图分析、方差分析,结果表明,在烧结炉出炉匣钵内不同位置区域烧结的产品的压敏电压均值有显著的差异。 展开更多

关键词 压敏电压 Minitab 因子 箱线图 方差分析

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