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强电磁脉冲下线路绝缘子闪络特性试验研究 被引量:5
1
作者 秦锋 王旭桐 +2 位作者 陈伟 聂鑫 崔志同 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第13期3640-3650,共11页
为了研究电力系统关键易损性设备的强电磁脉冲效应,评估电力系统的高空电磁脉冲生存能力,有必要通过试验研究线路绝缘子的闪络特性。该文通过试验获取了高空电磁脉冲标准传导环境下10 kV线路绝缘子的50%闪络电压、放电时延、闪络持续时... 为了研究电力系统关键易损性设备的强电磁脉冲效应,评估电力系统的高空电磁脉冲生存能力,有必要通过试验研究线路绝缘子的闪络特性。该文通过试验获取了高空电磁脉冲标准传导环境下10 kV线路绝缘子的50%闪络电压、放电时延、闪络持续时间及伏秒特性等关键参数,并通过试验分析了线路绝缘子表面干净、污秽等不同状态对绝缘子性能的影响。试验结果表明:高空电磁脉冲传导环境作用下10 kV线路绝缘子易发生闪络,且闪络更容易发生在波尾处,闪络持续时间达数微秒;强电磁脉冲环境幅值越高,绝缘子的放电时延越小,分散性也越小;P-10T型绝缘子相对于PQ1-10T型绝缘子的放电时延更短,绝缘子表面污秽使得其放电时延分散性变大;当电压等级高于90%闪络电压时,绝缘子表面污秽对其伏秒特性影响不大。该文可为强电磁脉冲环境下电力设备的绝缘配合以及绝缘子性能改进提供数据支撑,也可为后续防护设备的选择提供参考。 展开更多
关键词 绝缘子 高空电磁脉冲 闪络 伏秒特性 脉冲电流注入
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电离辐射效应对铁电薄膜畴结构影响模拟 被引量:1
2
作者 谭鹏飞 李波 +3 位作者 王金斌 钟向丽 郭红霞 王芳 《湘潭大学学报(自然科学版)》 CAS 2019年第4期30-39,共10页
运用蒙特卡洛方法计算电离辐射对铁电存储器(MFIS型铁电场效应晶体管)的损伤情况,再结合相场方法,建立了MFIS型铁电场效应晶体管相场模型.考虑电离辐射效应对场效应晶体管中铁电薄膜与电极以及绝缘体存在界面效应对存储器中铁电薄膜畴... 运用蒙特卡洛方法计算电离辐射对铁电存储器(MFIS型铁电场效应晶体管)的损伤情况,再结合相场方法,建立了MFIS型铁电场效应晶体管相场模型.考虑电离辐射效应对场效应晶体管中铁电薄膜与电极以及绝缘体存在界面效应对存储器中铁电薄膜畴结构的影响.探究从畴结构的角度直观分析电离辐射效应对存储器损伤的可能原因.证实了界面厚度对BaTiO3(BTO)铁电薄膜的畴结构会产生一定的影响;界面厚度的增加会使90°畴结构发生移动,主要为畴壁的移动,主要原因是界面处的极化小于内部,以及界面处的电势与内部形成的电势差,这些都会引起畴壁的移动,畴壁的移动以及畴壁数量减少,会减少体系的畴壁能,从而降低总体的能量. 展开更多
关键词 电离辐射 铁电存储器 相场法 90°畴结构
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中子单粒子效应研究现状及进展 被引量:15
3
作者 杨善潮 齐超 +8 位作者 刘岩 郭晓强 金晓明 陈伟 白小燕 林东生 王桂珍 王晨辉 李斌 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第11期4-10,共7页
回顾了中子单粒子研究的国内外发展情况,介绍了近几年西北核技术研究所在西安脉冲堆开展的低能中子单粒子效应研究进展。比较了稳态与脉冲工况下中子单粒子效应的异同性;分析了含有SRAM结构器件随着特征尺寸的减小,中子单粒子效应敏感... 回顾了中子单粒子研究的国内外发展情况,介绍了近几年西北核技术研究所在西安脉冲堆开展的低能中子单粒子效应研究进展。比较了稳态与脉冲工况下中子单粒子效应的异同性;分析了含有SRAM结构器件随着特征尺寸的减小,中子单粒子效应敏感性加剧的物理机制。分析认为目前中子单粒子效应已成为小尺寸大规模互补金属氧化物半导体器件的主要中子效应表现;中子辐射效应研究中,除了位移损伤效应以外还必需重视由中子电离造成的中子单粒子效应。 展开更多
关键词 中子辐照效应 中子单粒子效应 随机静态存储器 低能中子
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强流二极管阳极电子束时域能量沉积特性模拟 被引量:1
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作者 胡杨 杨海亮 +2 位作者 张鹏飞 孙江 孙剑锋 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期125-128,共4页
以强流脉冲电子束为研究对象,提出了一种基于离散时间、限定靶面位置,通过测量靶面不同时刻入射角分布,利用蒙卡程序计算得到电子束的能量(r,z)二维分布沉积值的方法。给出了典型弱箍缩平板二极管(电压峰值700kV、阻抗7Ω)阳极靶面不同... 以强流脉冲电子束为研究对象,提出了一种基于离散时间、限定靶面位置,通过测量靶面不同时刻入射角分布,利用蒙卡程序计算得到电子束的能量(r,z)二维分布沉积值的方法。给出了典型弱箍缩平板二极管(电压峰值700kV、阻抗7Ω)阳极靶面不同位置时域的能量沉积值,分析了(0,0°),(25 mm,135°),(36mm,270°)三个位置纵切剖面的能量沉积特性,结果表明:在各个时间段内电子束入射能量确定的情况下,能量沉积特性与入射角呈现相关性,仿真结果与实验结果符合较好,偏差均小于10%;距阳极靶心25mm以外的靶面位置,受束流箍缩影响,入射角分布变化较大;当入射角较小时(小于40°),强流电子束能量沉积峰值深度约0.2mm;当入射角超过40°时,能量沉积峰值深度减小到0.1mm左右;而阳极靶心位置附近,受束流箍缩影响较小,这些位置的能量沉积特性更接近于小角度入射角情形。 展开更多
关键词 强流电子束 能量沉积 二维分布 蒙特卡罗
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支路开关自放电对大型多路并联FLTD脉冲源可靠性的影响 被引量:1
5
作者 王振宇 吴坚 +7 位作者 姜志远 陈紫维 赵一鸣 姜晓峰 王志国 孙凤举 李兴文 邱爱慈 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第12期4986-4997,I0032,共13页
快脉冲直线型变压器驱动源(fast linear transformer driver,FLTD)是建设下一代大型Z箍缩装置最有前景的技术路线之一。大型FLTD脉冲源中数以万计气体开关的可靠运行是提高Z箍缩装置可靠性的重要因素。该文基于15 MAZ箍缩科学实验装置的... 快脉冲直线型变压器驱动源(fast linear transformer driver,FLTD)是建设下一代大型Z箍缩装置最有前景的技术路线之一。大型FLTD脉冲源中数以万计气体开关的可靠运行是提高Z箍缩装置可靠性的重要因素。该文基于15 MAZ箍缩科学实验装置的FLTD脉冲源设计,采用Monte-Carlo方法建立考虑支路开关自放电及其载荷共享效应的FLTD脉冲源可靠性计算模型,分析开关故障模式及其触发策略对脉冲源可靠性的影响。结果表明,主支路开关自放电产生的故障电压会引起开关级联自放电,降低装置可靠性。若主支路开关工作系数设定在0.5~0.7范围内,FLTD脉冲源故障率可低于1×10^(-4)。此外,触发器及触发支路开关的高可靠性对于提升脉冲源可靠性至关重要,增加触发器脉冲数量、降低触发器自放电故障率能够有效提升脉冲源可靠性,当触发器脉冲数量提升至4倍后,FLTD脉冲源故障率有望降低至1×10^(-5)以下。研究结果为大型FLTD脉冲源的开关工作系数及触发策略的选取提供参考,具有重要的工程应用价值。 展开更多
关键词 快脉冲直线型变压器驱动源 可靠性 开关自放电 Monte-Carlo 工作系数
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高海拔地区晶闸管宇宙射线失效等效加速试验研究 被引量:1
6
作者 李尧圣 张进 +5 位作者 陈中圆 李金元 王忠明 刘杰 梁红胜 彭超 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第2期682-690,I0021,共10页
大气环境中的高能中子、γ射线和电磁脉冲以及空间辐射环境中的高能电子和质子等,都能造成半导体材料性质变化和器件性能蜕变以至失效,而在大气层内宇宙射线引起功率器件失效的主要原因是高能中子导致的单粒子烧毁(single event burnout... 大气环境中的高能中子、γ射线和电磁脉冲以及空间辐射环境中的高能电子和质子等,都能造成半导体材料性质变化和器件性能蜕变以至失效,而在大气层内宇宙射线引起功率器件失效的主要原因是高能中子导致的单粒子烧毁(single event burnout,SEB)。白鹤滩—江苏±800 kV特高压直流输电工程布拖换流站位于北纬27°,东经102°,海拔2500 m。中子通量是水平面4倍以上,将导致器件的失效率大幅上升。为验证工程中8.5 kV晶闸管在额定条件下的失效率不超过100FIT,该文采用200 MeV质子源进行辐照加速试验,根据当地大气中子通量核算中子总注量,对比研究不同电压、温度对晶闸管失效率的影响规律,试验结果给出晶闸管在高海拔地区宇宙射线SEB平均失效率,为换流阀中晶闸管工作电压设计提供依据。 展开更多
关键词 宇宙射线 高能中子 单粒子烧毁 平均失效率
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高空电磁脉冲作用下配电变压器瞬态响应与失效机理 被引量:5
7
作者 秦锋 王旭桐 +3 位作者 陈伟 聂鑫 崔志同 毛从光 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第17期6924-6932,共9页
高空电磁脉冲通过场线耦合能在广域分布的电力传输线上形成纳秒级上升沿、数千安培的强电磁脉冲传导环境,对电力设备的安全可靠运行造成严重威胁。为此,该文基于冲击试验方法研究高空电磁脉冲传导环境下典型10kV油浸式配电变压器的响应... 高空电磁脉冲通过场线耦合能在广域分布的电力传输线上形成纳秒级上升沿、数千安培的强电磁脉冲传导环境,对电力设备的安全可靠运行造成严重威胁。为此,该文基于冲击试验方法研究高空电磁脉冲传导环境下典型10kV油浸式配电变压器的响应特性与失效机理。结果表明,变压器击穿阈值分散性较大,相对雷电、操作过电压更容易受变压器生产工艺的影响,且发生击穿后会造成绝缘性能降级,击穿阈值降低50%左右;高空电磁脉冲传导环境下变压器内部绝缘击穿为纵绝缘击穿,主要发生在相引线与分接引线之间、分接开关各引线之间以及变压器绕组首端等位置。研究结果可为配电变压器在强电磁脉冲环境下的生存能力评估与加固技术提供参考。 展开更多
关键词 高空电磁脉冲 配电变压器 瞬态响应 脉冲电流注入 纳秒脉冲
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闪光X射线衍射成像系统设计及实验方法 被引量:4
8
作者 唐波 黑东炜 +5 位作者 马戈 盛亮 魏福利 夏惊涛 罗剑辉 周海生 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第12期78-82,共5页
为实现材料在冲击加载下微观动力学响应测量,基于小型闪光X射线源开展衍射成像系统设计.利用直流X光机及高纯锗探测器实现系统衍射光路的精确调节,克服了闪光X射线瞬时强度高及连续辐射本底强导致的衍射角度确定困难,并采用Scandiflash... 为实现材料在冲击加载下微观动力学响应测量,基于小型闪光X射线源开展衍射成像系统设计.利用直流X光机及高纯锗探测器实现系统衍射光路的精确调节,克服了闪光X射线瞬时强度高及连续辐射本底强导致的衍射角度确定困难,并采用Scandiflash AB公司TD-450S和成像板建立了衍射成像系统.应用该系统在冲击加载实验中获得了LiF单晶单脉冲的Mo-Kα线静态及动态衍射图像.该闪光X射线衍射系统时间分辨率可达25ns,为冲击压缩实验中材料瞬时结构变化测量提供了新的实验方法. 展开更多
关键词 X射线衍射 闪光X射线 冲击压缩实验 LiF单晶 微观响应
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纳秒脉冲电压下油浸纸局部尖端缺陷击穿特性及损伤规律 被引量:9
9
作者 李斯盟 杨帆 +2 位作者 秦锋 汲胜昌 陈伟 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2022年第14期5326-5337,共12页
配电变压器在高空电磁脉冲(high-altitude electromagnetic pulse,HEMP)早期传导环境中将遭受纳秒电应力入侵,易在绕组引线焊点处造成绝缘失效或损伤。为此,该文研究纳秒脉冲电压下油浸纸尖端缺陷的伏秒特性、击穿概率、脉冲电压幅值与... 配电变压器在高空电磁脉冲(high-altitude electromagnetic pulse,HEMP)早期传导环境中将遭受纳秒电应力入侵,易在绕组引线焊点处造成绝缘失效或损伤。为此,该文研究纳秒脉冲电压下油浸纸尖端缺陷的伏秒特性、击穿概率、脉冲电压幅值与绝缘击穿时脉冲累积次数之间的关系(即U-N特性),并基于放电特性、微观形貌、流注仿真探究纳秒脉冲电压下的油浸纸尖端缺陷损伤规律与机理。研究表明:伏秒特性、击穿概率分布、U-N特性均有明显极性效应,极性效应与界面屏障电荷有关;纳秒脉冲致损油浸纸可分为轻度与重度两个等级,轻度损伤易形成表面斑状缺陷,呈现多次低幅值的工频局部放电模式,重度损伤易形成龟裂缺陷,呈现少次高幅值的工频局部放电模式,损伤差异与油纸界面流注特性有关。结果可为提高配电变压器在HEMP传导环境中的生存能力与评估技术提供一定参考。 展开更多
关键词 伏秒特性 击穿概率 配电变压器 局部放电 高空电磁脉冲
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考虑微观特性的ZnO压敏电阻计算模拟模型 被引量:13
10
作者 孟鹏飞 刘政 +3 位作者 曹伟 杜传报 周凯 胡军 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2021年第5期1588-1596,共9页
电力设备的绝缘水平建立在避雷器的过电压保护水平基础之上。ZnO压敏电阻具有优良的非线性电压-电流特性和浪涌能量吸收能力,被广泛用作电力系统避雷器的核心元件。ZnO压敏电阻的电气特性由其复杂的微结构和晶界特性决定。该文以Vorono... 电力设备的绝缘水平建立在避雷器的过电压保护水平基础之上。ZnO压敏电阻具有优良的非线性电压-电流特性和浪涌能量吸收能力,被广泛用作电力系统避雷器的核心元件。ZnO压敏电阻的电气特性由其复杂的微结构和晶界特性决定。该文以Voronoi网络模型为基础,建立ZnO压敏电阻的微观结构模型。采用考虑晶间旁路效应的晶界分区模型,建立求解氧化锌压敏电阻宏观电气性能的大规模非线性电阻网络方程。针对难以采用常规牛顿迭代方法求解的问题,提出基于分段线性化和差分重构的快速求解优化算法,计算结果误差指标在10-3数量级以下。采用模型计算得到了尖晶石含量、晶粒尺寸不均匀度以及气孔率等微观结构参数对ZnO压敏电阻宏观电气性能的影响规律。 展开更多
关键词 ZNO压敏电阻 避雷器 材料计算 微观特性 电气性能
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典型电子系统总剂量效应行为级仿真 被引量:1
11
作者 马武英 何宝平 +2 位作者 刘林月 郭红霞 欧阳晓平 《哈尔滨工程大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第11期1553-1558,共6页
为了实现电子系统的总剂量效应行为级仿真,本文提出了一种基于VHDL-AMS语言的行为级建模思路。利用VHDL-AMS语言对子电路或器件(如运算放大器、比较器和模数转换器等)的总剂量效应进行抽象建模,并从不同维度对模型的准确性进行了试验验... 为了实现电子系统的总剂量效应行为级仿真,本文提出了一种基于VHDL-AMS语言的行为级建模思路。利用VHDL-AMS语言对子电路或器件(如运算放大器、比较器和模数转换器等)的总剂量效应进行抽象建模,并从不同维度对模型的准确性进行了试验验证。在此基础上,依据器件、电路、模块之间的相互连接关系,构建典型电子系统总剂量效应行为级仿真模型,实现了其总剂量效应仿真,并与试验结果能够较好地吻合。基于行为级仿真建模,能有效简化系统总剂量效应建模难度,实现系统辐射敏感位置定位和损伤规律的再现,具有很好的应用价值,对空间电子系统的抗辐射加固设计和抗辐射性能预估能够提供技术支持。 展开更多
关键词 Γ射线 电离辐射 总剂量效应 仿真建模 运算放大器 电压比较器 系统 模型
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不同表面状态LYSO∶Ce闪烁体的发光性能研究
12
作者 严维鹏 李斌康 +4 位作者 段宝军 朱子健 李鹏 宋顾周 宋岩 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第11期1946-1951,共6页
闪烁体表面状态将影响其荧光出射强度和空间分辨等闪烁性能,进而影响辐射探测系统的测试结果。本文通过理论模拟和实验研究等方式,系统表征了LYSO∶Ce闪烁体被射线激发时在4种表面状态下(双面抛光、仅出射面抛光、仅入射面抛光和双面均... 闪烁体表面状态将影响其荧光出射强度和空间分辨等闪烁性能,进而影响辐射探测系统的测试结果。本文通过理论模拟和实验研究等方式,系统表征了LYSO∶Ce闪烁体被射线激发时在4种表面状态下(双面抛光、仅出射面抛光、仅入射面抛光和双面均不抛光)的荧光强度空间分布,以及闪烁体厚度对其空间分辨的影响规律。结果表明,4种状态在法线方向0°的荧光出射相对强度为0.49∶0.64∶0.89∶1,荧光强度随出射角度增加而逐渐减小。随着表面抛光度的降低,闪烁体出射荧光空间分布更均匀。闪烁体厚度为0.3、1.0和5.0 mm时,双面抛光的空间分辨分别为1.70、1.36和1.12 lp/mm,单面抛光-出射面抛光的空间分辨为1.5、1.2和1.0 lp/mm,空间分辨随闪烁体厚度增加而降低,并且双面抛光时空间分辨比单面抛光提升了约12%。 展开更多
关键词 LYSO∶Ce闪烁体 表面状态 荧光强度 空间分辨 厚度
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GaAs光阴极像增强器的选通特性
13
作者 李冬 杨凯翔 +3 位作者 盛亮 李阳 段宝军 张美 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第17期2505-2514,共10页
针对GaAs光阴极像增强器在ns级选通成像中的时空特性,通过引入传输线阻抗完善了光阴极径向RLC传输模型,更准确地描述了选通过程中光快门的变化趋势,实验证实去除防离子反馈膜有利于改善光快门,使得光快门与电快门更为一致,在驱动电脉冲... 针对GaAs光阴极像增强器在ns级选通成像中的时空特性,通过引入传输线阻抗完善了光阴极径向RLC传输模型,更准确地描述了选通过程中光快门的变化趋势,实验证实去除防离子反馈膜有利于改善光快门,使得光快门与电快门更为一致,在驱动电脉冲宽度为17.7 ns时,光快门宽度与电快门宽度的差异仅为1.1 ns;基于蒙特卡罗模拟方法,建立了光电子在分段线性快门脉冲电压驱动下经过第一近贴后的空间弥散模型,模拟结果表明:GaAs光阴极相较于S20光阴极在选通成像中的空间分辨下降更小。在20 lp/mm时,GaAs的动态空间分辨是静态空间分辨的80%,而S20光阴极不足70%,理论模拟与实验结果相一致,所建立的模型可用来分析和优化像增强器结构参数,为优化选通成像性能提供理论依据。 展开更多
关键词 GaAs光阴极 选通特性 动态空间分辨 像增强器
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大功率高压恒流充电源研制 被引量:6
14
作者 杨实 任书庆 +4 位作者 来定国 张玉英 杨莉 姚伟博 张永民 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第9期246-250,共5页
设计制作了一台大功率高压恒流充电源.该电源采用全桥串联谐振恒流充电拓扑结构,实现了0-30kV范围内输出可调,设计最大平均充电功率5kW.简要分析了电路的工作过程,给出了电路参数设计方法和设计实例,并进行了电路仿真和初步实验研究.实... 设计制作了一台大功率高压恒流充电源.该电源采用全桥串联谐振恒流充电拓扑结构,实现了0-30kV范围内输出可调,设计最大平均充电功率5kW.简要分析了电路的工作过程,给出了电路参数设计方法和设计实例,并进行了电路仿真和初步实验研究.实验中,使用该电源对18μF电容实现了30kV,0.1Hz重频充电,充电功率约1.35kW,目前电源已累计充放电万余次,运行稳定可靠. 展开更多
关键词 脉冲功率技术 高压恒流充电 大功率 串联谐振 重频
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表面绝缘铝平面丝阵Z箍缩实验研究 被引量:4
15
作者 盛亮 李阳 +8 位作者 袁媛 彭博栋 李沫 张美 赵吉祯 魏福利 王亮平 黑东炜 邱爱慈 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期289-296,共8页
在"强光一号"装置(1.3 MA,100 ns)上进行了镀2μm聚酰亚胺绝缘膜平面铝丝阵与普通铝丝阵Z箍缩对比实验研究.实验结果表明,表面绝缘能够影响Z箍缩内爆动力学和辐射特性.通过简单理论分析,表面绝缘可能会增加初始阶段的能量沉... 在"强光一号"装置(1.3 MA,100 ns)上进行了镀2μm聚酰亚胺绝缘膜平面铝丝阵与普通铝丝阵Z箍缩对比实验研究.实验结果表明,表面绝缘能够影响Z箍缩内爆动力学和辐射特性.通过简单理论分析,表面绝缘可能会增加初始阶段的能量沉积和参与内爆的质量;表面绝缘对于抑制平面丝阵多峰现象有明显作用,然而在所进行的实验中,并未观察到对X射线产额的改善作用. 展开更多
关键词 表面绝缘 铝平面丝阵 Z箍缩 内爆特性
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敏化LiF(Mg,Ti)热释光剂量片γ射线响应特性 被引量:3
16
作者 王晨辉 陈伟 +6 位作者 金军山 金晓明 杨善潮 白小燕 林东生 王桂珍 李斌 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期115-121,共7页
敏化LiF(Mg,Ti)热释光剂量片(LiF(Mg,Ti)-M TLD)是用于强脉冲辐射场剂量测量的主要探测器.对国内4个厂家生产的敏化LiF(Mg,Ti)热释光剂量片进行了γ射线响应的一致性、重复性和线性的比较研究,测量了γ射线辐照后4种敏化LiF(Mg... 敏化LiF(Mg,Ti)热释光剂量片(LiF(Mg,Ti)-M TLD)是用于强脉冲辐射场剂量测量的主要探测器.对国内4个厂家生产的敏化LiF(Mg,Ti)热释光剂量片进行了γ射线响应的一致性、重复性和线性的比较研究,测量了γ射线辐照后4种敏化LiF(Mg,Ti)热释光剂量片试验样品的吸收剂量读数平均值及标准偏差,比较了4种样品在不同吸收剂量下的灵敏度及其变异系数,并获得了超出线性上限的大剂量辐照对剂量片线性响应特性的影响规律.研究结果表明,北京防化研究院生产的剂量片性能最优,试验样品在吸收剂量为6Gy(Si)时读数变异系数为3.11%,重复性指标在5%以内,线性响应上限在50-100Gy(Si)之间.吸收剂量为150Gy(Si)并退火后再次使用时的灵敏度漂移幅度约为11%. 展开更多
关键词 敏化LiF(Mg Ti) 热释光剂量片 Γ射线 响应特性 灵敏度 变异系数
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基区表面势对栅控横向PNP晶体管中子位移损伤的影响 被引量:4
17
作者 王晨辉 陈伟 +6 位作者 刘岩 李斌 杨善潮 金晓明 白小燕 齐超 林东生 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第11期171-176,共6页
通过在常规横向PNP晶体管基区表面氧化层上淀积栅电极,制作了可以利用栅极偏置调制基区表面势的栅控横向PNP晶体管。对无栅极偏置电压和偏置电压分别为-10V和10V的栅控横向PNP晶体管,在西安脉冲反应堆上开展注量为2×1012,4×10... 通过在常规横向PNP晶体管基区表面氧化层上淀积栅电极,制作了可以利用栅极偏置调制基区表面势的栅控横向PNP晶体管。对无栅极偏置电压和偏置电压分别为-10V和10V的栅控横向PNP晶体管,在西安脉冲反应堆上开展注量为2×1012,4×1012,6×1012,8×1012,1×1013 cm-2的中子辐照实验,研究基区表面势的增加和降低对栅控横向PNP晶体管中子位移损伤退化特性的影响。研究结果表明,基区表面势的增加引起栅控横向PNP晶体管共射极电流增益倒数的变化量随辐照中子注量的退化速率增加,基区表面势的降低对位移损伤退化速率无明显影响。 展开更多
关键词 基区表面势 栅控横向PNP晶体管 中子位移损伤
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压杆式压电应力传感器在爆炸冲量测试中的应用 被引量:4
18
作者 林鹏 王长利 +1 位作者 李迅 王等旺 《应用数学和力学》 CSCD 北大核心 2015年第S1期29-35,共7页
片炸药加载是模拟强脉冲X射线引起结构响应的主要方法,而片炸药比冲量的标定则是进行加载载荷设计的重要依据。为测量片炸药爆炸产生的比冲量,设计了一种压杆式压电应力测量系统,系统嵌入的应力计分别为PVDF和X切割石英计(0.2 mm厚)。... 片炸药加载是模拟强脉冲X射线引起结构响应的主要方法,而片炸药比冲量的标定则是进行加载载荷设计的重要依据。为测量片炸药爆炸产生的比冲量,设计了一种压杆式压电应力测量系统,系统嵌入的应力计分别为PVDF和X切割石英计(0.2 mm厚)。对应力波在杆中的传播进行了数值模拟,分析了弥散对冲量测试的影响。利用该系统对一种片炸药爆炸产生的比冲量进行了实验测量。测量结果和理论计算结果进行了比较,两者偏差在10%以内。该系统可以满足工程上的测量要求。 展开更多
关键词 比冲量 压杆 片炸药 应力计
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“闪光二号”加速器适应性改造 被引量:2
19
作者 杨实 任书庆 +10 位作者 丛培天 邱孟通 来定国 张玉英 杨莉 黄种亮 徐启福 苏兆锋 姚伟博 周军 张永民 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期190-195,共6页
针对系统电磁脉冲效应研究需求,项目组对"闪光二号"加速器进行了适应性改造,以便于产生脉冲硬X射线。主要采用二次成形的水线结构,重点进行了水开关设计,并完成了实验调试。装置输出电压650kV^1.3 MV稳定可调,脉冲宽度60ns,... 针对系统电磁脉冲效应研究需求,项目组对"闪光二号"加速器进行了适应性改造,以便于产生脉冲硬X射线。主要采用二次成形的水线结构,重点进行了水开关设计,并完成了实验调试。装置输出电压650kV^1.3 MV稳定可调,脉冲宽度60ns,前沿由改造前的80ns缩短至改造后的30ns,在国内首次成功驱动串级二极管,产生前沿29ns、射线宽度约53ns的脉冲硬X射线。 展开更多
关键词 水线 脉冲X射线 加速器 开关
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多层球壳构件FBP重建差异化滤波设计与仿真 被引量:1
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作者 夏惊涛 王群书 +4 位作者 马继明 黑东炜 盛亮 魏福利 宋顾周 《系统仿真学报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第12期3061-3065,3072,共6页
针对高密度差多层球壳这一类特殊工件的CT检测技术研究,构建平行束CT投影及图像重建系统模型,开发建立CT研究软件平台,结合理论分析和仿真着重研究基于滤波反投影(FBP)理论重建图像的滤波处理方法。首先通过限定扫描方式使多层球壳截面... 针对高密度差多层球壳这一类特殊工件的CT检测技术研究,构建平行束CT投影及图像重建系统模型,开发建立CT研究软件平台,结合理论分析和仿真着重研究基于滤波反投影(FBP)理论重建图像的滤波处理方法。首先通过限定扫描方式使多层球壳截面的CT投影正弦图呈现空间区域性分布,结合图像分析和先验知识对其进行分割,再根据重建细节的频率特征和检测需求,对不同区域投影分别采用RL和SL函数进行针对性的滤波处理。仿真结果表明,相对于传统FBP算法中的单一函数滤波,所提出的分区域差异化滤波方法能够获得更好的图像重建效果。 展开更多
关键词 CT 滤波反投影 图像重建 多层球壳 仿真
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