-
题名化学机械抛光中抛光垫的退化行为研究
- 1
-
-
作者
陈宗昱
陈国美
倪自丰
章平
陈国华
-
机构
江南大学机械工程学院
无锡商业职业技术学院机电技术学院
江苏省微纳增减材制造工程研究中心
无锡格锐德半导体科技有限公司
-
出处
《润滑与密封》
北大核心
2025年第2期148-157,共10页
-
基金
江苏省高等学校自然科学研究面上项目(19KJB460023)。
-
文摘
为提高化学机械拋光(CMP)后晶片之间和晶片内部的均匀性,研究抛光垫表面的退化行为及其对CMP加工的影响。通过抛光试验研究CMP过程中材料去除率和晶片表面质量的变化趋势;利用白光干涉仪和扫描电子显微镜观察抛光垫表面微观结构的演变,并用表面高度正态分布曲线、表面粗糙度和孔隙率等参数对抛光垫表面形貌进行表征;模拟晶片和抛光垫之间的摩擦学行为,分析抛光垫退化行为对晶片加工的影响机制,并对材料去除模型中抛光垫微凸峰变形进行分析。结果表明:在连续1 h的CMP过程中(无修整),材料去除率的变化趋势表现为先增大后减小,表面质量则为先减小再增大,抛光20 min后,晶片表面的MRR达到最大值(873.43±65.53)nm/min,表面粗糙度达到最小值(1.13±0.08)nm;衬垫表面微观组织的动态变化大致经历快速变化期、相对稳定期、性能逐步退化阶段;CMP过程中抛光垫微凸峰处在弹塑性变形区间,理论计算结果与实际情况具有高度一致性。
-
关键词
化学机械抛光
抛光垫
摩擦磨损
性能退化
材料去除率
-
Keywords
chemical mechanical polishing
polishing pad
friction and wear
performance degeneration
material removal rate
-
分类号
TH117
[机械工程—机械设计及理论]
-
